JP2019125715A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019125715A5
JP2019125715A5 JP2018005792A JP2018005792A JP2019125715A5 JP 2019125715 A5 JP2019125715 A5 JP 2019125715A5 JP 2018005792 A JP2018005792 A JP 2018005792A JP 2018005792 A JP2018005792 A JP 2018005792A JP 2019125715 A5 JP2019125715 A5 JP 2019125715A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate
etching method
basic
iodine heptafluoride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018005792A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019125715A (ja
JP6981267B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2018005792A external-priority patent/JP6981267B2/ja
Priority to JP2018005792A priority Critical patent/JP6981267B2/ja
Priority to KR1020190002798A priority patent/KR102229993B1/ko
Priority to US16/244,511 priority patent/US20190221440A1/en
Priority to TW108101455A priority patent/TWI796416B/zh
Priority to CN201910043237.0A priority patent/CN110047747B/zh
Publication of JP2019125715A publication Critical patent/JP2019125715A/ja
Publication of JP2019125715A5 publication Critical patent/JP2019125715A5/ja
Publication of JP6981267B2 publication Critical patent/JP6981267B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018005792A 2018-01-17 2018-01-17 エッチング方法及びエッチング装置 Active JP6981267B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018005792A JP6981267B2 (ja) 2018-01-17 2018-01-17 エッチング方法及びエッチング装置
KR1020190002798A KR102229993B1 (ko) 2018-01-17 2019-01-09 에칭 방법 및 에칭 장치
US16/244,511 US20190221440A1 (en) 2018-01-17 2019-01-10 Etching Method and Etching Apparatus
TW108101455A TWI796416B (zh) 2018-01-17 2019-01-15 蝕刻方法及蝕刻裝置
CN201910043237.0A CN110047747B (zh) 2018-01-17 2019-01-17 蚀刻方法和蚀刻装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018005792A JP6981267B2 (ja) 2018-01-17 2018-01-17 エッチング方法及びエッチング装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019125715A JP2019125715A (ja) 2019-07-25
JP2019125715A5 true JP2019125715A5 (enExample) 2020-11-05
JP6981267B2 JP6981267B2 (ja) 2021-12-15

Family

ID=67214216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018005792A Active JP6981267B2 (ja) 2018-01-17 2018-01-17 エッチング方法及びエッチング装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190221440A1 (enExample)
JP (1) JP6981267B2 (enExample)
KR (1) KR102229993B1 (enExample)
CN (1) CN110047747B (enExample)
TW (1) TWI796416B (enExample)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7345334B2 (ja) * 2019-09-18 2023-09-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び基板処理システム
JP7550534B2 (ja) * 2020-05-15 2024-09-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP7312160B2 (ja) * 2020-12-28 2023-07-20 株式会社アルバック エッチング装置及びエッチング方法
CN115483097B (zh) * 2021-05-31 2025-10-21 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2548615C2 (de) 1975-10-30 1982-06-03 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8900 Augsburg Vorrichtung zur Ansteuerung eines durch Fluiddruck, insbesondere pneumatischen Druck, betätigbaren Anlaß- und Bremsventils an einer umsteuerbaren Brennkraftmaschine
US5698070A (en) 1991-12-13 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Method of etching film formed on semiconductor wafer
US5888906A (en) * 1996-09-16 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Plasmaless dry contact cleaning method using interhalogen compounds
JP2008177209A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Taiyo Nippon Sanso Corp プラズマエッチング方法
DE102008037943B4 (de) * 2008-08-14 2018-04-26 Nawotec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen und Halbleiterbauelement mit einer Struktur geätzt mittels eines derartigen Verfahrens
JP4968861B2 (ja) * 2009-03-19 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板のエッチング方法及びシステム
JP5655296B2 (ja) * 2009-12-01 2015-01-21 セントラル硝子株式会社 エッチングガス
JP6032033B2 (ja) * 2013-02-01 2016-11-24 セントラル硝子株式会社 シリコンのドライエッチング方法
CN105051195B (zh) 2013-02-06 2019-09-06 埃沃尔瓦公司 用于提高莱鲍迪苷d和莱鲍迪苷m之产生的方法
JP6107198B2 (ja) * 2013-02-14 2017-04-05 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス及びクリーニング方法
WO2015016149A1 (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6201496B2 (ja) * 2013-08-02 2017-09-27 セントラル硝子株式会社 Ｉｆ７由来フッ化ヨウ素化合物の回収方法及び回収装置
KR20150060069A (ko) 2013-11-25 2015-06-03 에스티엑스조선해양 주식회사 조립식 비계장치용 고정부재
JP6210039B2 (ja) * 2014-09-24 2017-10-11 セントラル硝子株式会社 付着物の除去方法及びドライエッチング方法
JP6544215B2 (ja) * 2015-01-23 2019-07-17 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019125715A5 (enExample)
JP2017228580A5 (enExample)
JP2016051864A5 (enExample)
JP2017168496A5 (enExample)
JP2015138913A5 (enExample)
JP2006156675A5 (enExample)
JP2013225657A5 (enExample)
JP2015082525A5 (enExample)
JP2016127285A5 (ja) 活性化を使用しない、シリコン酸化物のための異方性原子層エッチングの方法及びエッチング装置
JP2016100407A5 (enExample)
JP2012222330A5 (enExample)
JP2016186112A5 (enExample)
JP2014165395A5 (enExample)
JP2016131210A5 (enExample)
TW201614811A (en) Nanocrystalline diamond carbon film for 3D NAND hardmask application
JP2019055887A5 (enExample)
JP2011168881A5 (enExample)
JP2015220369A5 (enExample)
JP2012044204A5 (ja) メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2014168684A3 (en) Pressure vessel and method of use
TWD183010S (zh) 基板處理裝置用晶舟
TW200701345A (en) Film-forming apparatus and film-forming method
JP2015514161A5 (enExample)
WO2017079550A3 (en) Adsorbents and fluid supply packages and apparatus comprising same
JP2015109419A5 (enExample)