JP2012222330A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012222330A5 JP2012222330A5 JP2011090256A JP2011090256A JP2012222330A5 JP 2012222330 A5 JP2012222330 A5 JP 2012222330A5 JP 2011090256 A JP2011090256 A JP 2011090256A JP 2011090256 A JP2011090256 A JP 2011090256A JP 2012222330 A5 JP2012222330 A5 JP 2012222330A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- series
- steps
- wet etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011090256A JP5611884B2 (ja) | 2011-04-14 | 2011-04-14 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
| US13/443,156 US8969218B2 (en) | 2011-04-14 | 2012-04-10 | Etching method, etching apparatus and storage medium |
| TW101113043A TWI494990B (zh) | 2011-04-14 | 2012-04-12 | 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 |
| KR1020120038571A KR101523348B1 (ko) | 2011-04-14 | 2012-04-13 | 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011090256A JP5611884B2 (ja) | 2011-04-14 | 2011-04-14 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012222330A JP2012222330A (ja) | 2012-11-12 |
| JP2012222330A5 true JP2012222330A5 (enExample) | 2013-06-06 |
| JP5611884B2 JP5611884B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=47006703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011090256A Active JP5611884B2 (ja) | 2011-04-14 | 2011-04-14 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8969218B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5611884B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101523348B1 (enExample) |
| TW (1) | TWI494990B (enExample) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012074601A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5782279B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2012153454A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 株式会社フジキン | 流量モニタ付圧力式流量制御装置と、これを用いた流体供給系の異常検出方法並びにモニタ流量異常時の処置方法 |
| JP5490071B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2014-05-14 | 株式会社東芝 | エッチング方法 |
| US20140231012A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP6242057B2 (ja) | 2013-02-15 | 2017-12-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| KR102057220B1 (ko) * | 2013-02-19 | 2020-01-22 | 삼성전자주식회사 | 약액 공급기, 약액 공급기를 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리방법 |
| JP6400919B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2015070080A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
| KR102152909B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-09-07 | 세메스 주식회사 | 기판처리방법 |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| JP6420707B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6419053B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US9875907B2 (en) * | 2015-11-20 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned shielding of silicon oxide |
| US10867814B2 (en) * | 2016-02-15 | 2020-12-15 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium |
| JP6236105B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-11-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6773495B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング装置、基板処理装置、エッチング方法および基板処理方法 |
| CN109689838A (zh) | 2016-12-26 | 2019-04-26 | 秀博瑞殷株式公社 | 蚀刻用组合物和使用该蚀刻用组合物制造半导体器件的方法 |
| KR101828437B1 (ko) * | 2017-04-06 | 2018-03-29 | 주식회사 디엔에스 | 실리콘 질화막 식각용 조성물. |
| KR102441238B1 (ko) * | 2017-09-14 | 2022-09-08 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 질화막에 대한 선택적 에칭을 위한 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
| US10163623B1 (en) * | 2017-10-31 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Etch method with surface modification treatment for forming semiconductor structure |
| KR102484977B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2023-01-09 | 오씨아이 주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
| KR102557642B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2023-07-20 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 식각 조성물 첨가제, 그 제조방법 및 이를 포함하는 식각 조성물 |
| JP7446097B2 (ja) * | 2019-12-06 | 2024-03-08 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
| JP7521895B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2024-07-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN113496891B (zh) * | 2020-04-03 | 2023-03-14 | 重庆超硅半导体有限公司 | 一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法 |
| KR102590870B1 (ko) * | 2020-04-10 | 2023-10-19 | 주식회사 히타치하이테크 | 에칭 방법 |
| CN113322071A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀用组合物及其使用方法 |
| JP2025515839A (ja) * | 2022-05-13 | 2025-05-20 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化ケイ素エッチング組成物および方法 |
| KR20250019096A (ko) * | 2022-06-02 | 2025-02-07 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 기재의 처리 방법, 및 기재의 제조 방법 |
| WO2023234370A1 (ja) * | 2022-06-02 | 2023-12-07 | セントラル硝子株式会社 | 基材の処理方法、および基材の製造方法 |
| CN114713465A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-07-08 | 上海图双精密装备有限公司 | 一种自动涂胶机构 |
| JP2024124744A (ja) * | 2023-03-03 | 2024-09-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US12494375B2 (en) * | 2023-08-30 | 2025-12-09 | Tokyo Electron Limited | Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using surface alkylation |
| JP2025051142A (ja) * | 2023-09-25 | 2025-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
| JP2025051143A (ja) * | 2023-09-25 | 2025-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法と基板処理装置 |
| WO2025105151A1 (en) * | 2023-11-13 | 2025-05-22 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing treated substrate and method of manufacturing semiconductor |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003220039A1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-22 | Supercritical Systems Inc. | Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing |
| JP4001575B2 (ja) | 2002-12-26 | 2007-10-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US20040140365A1 (en) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| KR100870806B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2008-11-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP2007134690A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液 |
| JP2008277748A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | レジストパターンの形成方法とその方法により製造した半導体デバイス |
| US7959975B2 (en) * | 2007-04-18 | 2011-06-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of patterning a substrate |
| US7838425B2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
| JP2010027952A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4708465B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP5195394B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-05-08 | 東ソー株式会社 | エッチング液の再生方法 |
| JP5377052B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011009277A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP5361790B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法 |
| US20120083127A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a pattern and a semiconductor device manufacturing method |
| JP5782279B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2011
- 2011-04-14 JP JP2011090256A patent/JP5611884B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-10 US US13/443,156 patent/US8969218B2/en active Active
- 2012-04-12 TW TW101113043A patent/TWI494990B/zh active
- 2012-04-13 KR KR1020120038571A patent/KR101523348B1/ko active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012222330A5 (enExample) | ||
| JP2011258939A5 (enExample) | ||
| JP2012004269A5 (enExample) | ||
| CN110168855A (zh) | 无线充电装置和无线充电方法 | |
| JP2012009432A5 (ja) | 蓄電装置の作製方法 | |
| JP2012209546A5 (enExample) | ||
| JP2014107313A5 (enExample) | ||
| JP2013222856A5 (enExample) | ||
| JP2013110425A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012146946A5 (enExample) | ||
| JP2014063141A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013118359A5 (enExample) | ||
| JP2012049513A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013080891A5 (enExample) | ||
| JP2013038404A5 (enExample) | ||
| JP2012064929A5 (enExample) | ||
| JP2012253331A5 (enExample) | ||
| JP2012235098A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012216794A5 (ja) | 酸化物半導体膜の形成方法 | |
| JP2016131210A5 (enExample) | ||
| JP2017228580A5 (enExample) | ||
| JP2012256874A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011100985A5 (enExample) | ||
| TW201612976A (en) | Etching method and storage medium | |
| JP2012004275A5 (enExample) |