JP5195394B2 - エッチング液の再生方法 - Google Patents
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SiO:酸化ケイ素,
HF:フッ化水素酸,
SiF:ヘキサフルオロケイ酸,
Si:ケイ素,
F:フッ素,
F/Si:フッ素とケイ素のモル比。
[エッチング液Aの調製]
脱イオン水に濃硫酸を加え、66重量%硫酸水を調製した。これをエッチング液Aとする。
脱イオン水に濃硫酸、SiF、HFを加え、200重量ppmのHF、80重量ppmのSiF、34重量%の水を含む硫酸水を調製した。これをエッチング液Bとする。
100gのエッチング液A及び100gのエッチング液Bをテフロン(登録商標)製の容器に入れ、エッチング液の温度が160℃になるまで加熱した。エッチング液Aを100g/時で、エッチング液Bを100g/時で、連続的にテフロン(登録商標)製容器の下部から供給した。一方、エッチング液の液面の高さが一定となるよう、容器の上部からエッチング液を除去した。
上記容器の上部からエッチング液を抜き出し、Si濃度についてはICP−AES法で、F濃度については比色法(JIS K 0102−34.1)でそれぞれ測定したところ、Siが5.5重量ppm、Fが40.0重量ppmとなっていた[F/Si=10.7(モル比)]。このエッチング液を、再生用エッチング液Cとする。
加熱も減圧もしていない再生用エッチング液Cに、含水率が34重量%となるように水を加えた。これをエッチング液A(硫酸水)として用いた以外は、調製例3と同様に、SiNのエッチングを行った。その結果、SiNエッチング速度 4.8nm/分、 SiOエッチング速度 0.011nm/分となり、エッチング速度が変化した。
SiNをエッチング後、Siを15.5重量ppm、硫酸を66重量%、HFを66重量ppm含むエッチング液[残部は水、F/Si=6.0(モル比)]200gをテフロン(登録商標)製の容器に入れ、150℃で1時間加熱した。実施例1と同様にして、この液を分析したところ、Siは1.5重量ppm、Fは2.3ppmに減少していた。
SiNをエッチング後、Siを20重量ppm、硫酸を66重量%、HFを66重量ppm含むエッチング液[残部は水、F/Si=4.6(モル比)]200gをテフロン(登録商標)製の容器に入れ、80℃、85kPaで1時間減圧した。実施例1と同様にして、この液を分析したところ、Siは0.3重量ppm、Fは1.0ppmに減少していた。
Claims (7)
- 硫酸、フッ化物及び水を含有するエッチング液で窒化ケイ素及び/又は窒化酸化ケイ素をエッチングした後のエッチング液の組成において、フッ化物とケイ素化合物の比が、フッ素とケイ素のモル比(F/Si)で、4を超えるエッチング液を加熱及び/又は減圧して、エッチングにより生じたケイ素化合物を除去するエッチング液の再生方法。
- フッ化物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液の再生方法。
- エッチング液中のフッ化物の濃度が、当該エッチング液に対して、1重量ppm〜0.1重量%であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエッチング液の再生方法。
- エッチング液中の水の濃度が、当該エッチング液に対して、1〜70重量%であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエッチング液の再生方法。
- 加熱時の温度が100〜200℃の範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のエッチング液の再生方法。
- 減圧時の圧力が1〜90kPaの範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のエッチング液の再生方法。
- エッチングした後のエッチング液を加熱及び/又は減圧して、当該エッチング液中のケイ素化合物の濃度を、当該エッチング液に対して、50重量ppm以下にすることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のエッチング液の再生方法。
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