JP2013225657A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013225657A5 JP2013225657A5 JP2013025016A JP2013025016A JP2013225657A5 JP 2013225657 A5 JP2013225657 A5 JP 2013225657A5 JP 2013025016 A JP2013025016 A JP 2013025016A JP 2013025016 A JP2013025016 A JP 2013025016A JP 2013225657 A5 JP2013225657 A5 JP 2013225657A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing container
- supplying
- thin film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 16
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 4
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylhydrazine Chemical compound CNN(C)C NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)CC(C)C IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NJBCRXCAPCODGX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CNCC(C)C NJBCRXCAPCODGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- -1 alkylamine salt Chemical class 0.000 claims 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 claims 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WHRIKZCFRVTHJH-UHFFFAOYSA-N ethylhydrazine Chemical compound CCNN WHRIKZCFRVTHJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013025016A JP6035161B2 (ja) | 2012-03-21 | 2013-02-12 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| TW102109193A TWI515792B (zh) | 2012-03-21 | 2013-03-15 | A semiconductor device manufacturing method, a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a recording medium |
| KR1020130027720A KR101384191B1 (ko) | 2012-03-21 | 2013-03-15 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| TW104104708A TWI601209B (zh) | 2012-03-21 | 2013-03-15 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium |
| US13/847,018 US9218959B2 (en) | 2012-03-21 | 2013-03-19 | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium |
| CN201310103396.8A CN103325676B (zh) | 2012-03-21 | 2013-03-20 | 半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 |
| KR1020140017634A KR101440449B1 (ko) | 2012-03-21 | 2014-02-17 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
| US14/939,901 US9460916B2 (en) | 2012-03-21 | 2015-11-12 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012064466 | 2012-03-21 | ||
| JP2012064466 | 2012-03-21 | ||
| JP2013025016A JP6035161B2 (ja) | 2012-03-21 | 2013-02-12 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013225657A JP2013225657A (ja) | 2013-10-31 |
| JP2013225657A5 true JP2013225657A5 (enExample) | 2016-07-14 |
| JP6035161B2 JP6035161B2 (ja) | 2016-11-30 |
Family
ID=49194352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013025016A Active JP6035161B2 (ja) | 2012-03-21 | 2013-02-12 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9218959B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6035161B2 (enExample) |
| KR (2) | KR101384191B1 (enExample) |
| CN (1) | CN103325676B (enExample) |
| TW (2) | TWI601209B (enExample) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6035161B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| CN103839893A (zh) * | 2014-03-17 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善闪存高温氧化处理的方法 |
| US9580801B2 (en) * | 2014-09-04 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancing electrical property and UV compatibility of ultrathin blok barrier film |
| JP5941589B1 (ja) * | 2015-09-14 | 2016-06-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| KR102412614B1 (ko) | 2015-10-22 | 2022-06-23 | 삼성전자주식회사 | 물질막, 이를 포함하는 반도체 소자, 및 이들의 제조 방법 |
| JP6594768B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-10-23 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 |
| US10297439B2 (en) * | 2016-02-25 | 2019-05-21 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming system |
| JP6561001B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、ガス供給系およびプログラム |
| JP6568508B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2019-08-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP6814057B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2021-01-13 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP6857503B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-04-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6920082B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-08-18 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6602332B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2019-11-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| US10483118B2 (en) | 2017-05-11 | 2019-11-19 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
| JP7071850B2 (ja) * | 2017-05-11 | 2022-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6842988B2 (ja) | 2017-05-19 | 2021-03-17 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6653308B2 (ja) * | 2017-11-15 | 2020-02-26 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP6806721B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2021-01-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラム |
| CN108428623B (zh) * | 2018-04-09 | 2020-07-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件加工方法 |
| JP6843298B2 (ja) | 2018-04-27 | 2021-03-17 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7113670B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2022-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Ald成膜方法およびald成膜装置 |
| US11024523B2 (en) * | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| JP7156605B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2022-10-19 | 株式会社東芝 | 処理装置及び処理方法 |
| JP7138130B2 (ja) | 2020-03-04 | 2022-09-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP7174016B2 (ja) * | 2020-07-16 | 2022-11-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| CN120666312A (zh) * | 2025-06-10 | 2025-09-19 | 北京集成电路装备创新中心有限公司 | SiOCN薄膜的制备方法及半导体工艺设备 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001023904A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜方法及び装置 |
| JP4205107B2 (ja) * | 2001-02-07 | 2009-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置 |
| KR100560654B1 (ko) * | 2004-01-08 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법 |
| US20060019032A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Yaxin Wang | Low thermal budget silicon nitride formation for advance transistor fabrication |
| US8486845B2 (en) | 2005-03-21 | 2013-07-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| JP2006351582A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP4245012B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2009-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びこのクリーニング方法 |
| JP5064296B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置 |
| JP5280964B2 (ja) | 2008-09-04 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP5518499B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2014-06-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 |
| JP5312996B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-10-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP5467007B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2011134781A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| WO2011125395A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| US9611544B2 (en) * | 2010-04-15 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
| JP5751895B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2015-07-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| JP6049395B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-12-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6039996B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP5951443B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6035161B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2013
- 2013-02-12 JP JP2013025016A patent/JP6035161B2/ja active Active
- 2013-03-15 TW TW104104708A patent/TWI601209B/zh active
- 2013-03-15 TW TW102109193A patent/TWI515792B/zh active
- 2013-03-15 KR KR1020130027720A patent/KR101384191B1/ko active Active
- 2013-03-19 US US13/847,018 patent/US9218959B2/en active Active
- 2013-03-20 CN CN201310103396.8A patent/CN103325676B/zh active Active
-
2014
- 2014-02-17 KR KR1020140017634A patent/KR101440449B1/ko active Active
-
2015
- 2015-11-12 US US14/939,901 patent/US9460916B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013225657A5 (enExample) | ||
| JP2014165395A5 (enExample) | ||
| JP2016058676A5 (enExample) | ||
| JP2015138913A5 (enExample) | ||
| JP2014208883A5 (enExample) | ||
| JP2015109419A5 (enExample) | ||
| JP2015082525A5 (enExample) | ||
| JP2015053445A5 (enExample) | ||
| JP2011168881A5 (enExample) | ||
| EP3931863A4 (en) | Large area metrology and process control for anisotropic chemical etching | |
| JP2018512738A5 (enExample) | ||
| JP2015185825A5 (enExample) | ||
| JP2018536572A5 (enExample) | ||
| SG10201808148QA (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and program | |
| JP2013513949A5 (enExample) | ||
| JP2014082324A5 (enExample) | ||
| EP2863259A3 (en) | Method for manufacturing photomask blank | |
| JP2014150202A5 (enExample) | ||
| JP2019186322A5 (enExample) | ||
| JP2014067877A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP2014175509A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP2013080907A5 (enExample) | ||
| JP2007531306A5 (enExample) | ||
| TW201614101A (en) | Film forming apparatus, susceptor, and film forming method | |
| JP2016044361A5 (enExample) |