JP2018525688A - プラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法及び反射防止表面が形成された基板 - Google Patents
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Abstract
Description
一具体例において、プラズマ乾式エッチングは、例えば、20秒〜1時間、好ましくは30秒〜50分の間行われてもよい。
下記表1に記載された通りの工程を行い、構造1〜構造3の反射防止層を有する実施例1〜3の反射防止基板を製造した。下記表1の「エッチング」は、プラズマエッチングを行った時間を意味し、「SiO2(Å)」は、SiO2粒子が蒸着された厚さを意味する。実施例1〜3のベース基板は、ポリエチレンテレフタレート(PET)基板を用い、保護層形成のためにF−Oil系列化合物であるTop Clean Safe(Ceko社製)を用いた。
製造された実施例1〜3の反射防止基板と比較例の基板(ハードコーティング処理されたPET基板)の光透過度を測定し、図6に示した。図6に示されるように、本発明の反射防止基板は、同じ波長で比較例の基板に比べて、優れた光透過度を示すことを確認することができた。
下記表2に記載されたプラズマ乾式エッチング工程[前記ステップi)]条件及び表3に記載された無機物粒子蒸着工程[前記ステップii)]条件で反射防止基板を製造した(ベース基板:PET)。サンプル番号1〜4は、それぞれ実施例4〜7を示し、サンプル番号5〜7は、それぞれ比較例1〜3を示す。
Claims (24)
- i)プラズマ乾式エッチングを用いて、ベース基板の表面に凹凸を形成するステップ;
ii)無機物粒子の蒸着により、前記凹凸上に光の反射を防止することができる反射防止構造体を形成し、前記ベース基板の表面に反射防止層を形成するステップ;及び
iii)前記ステップi)又はii)を、独立して、1回又は複数回さらに行うステップ;
を含み、
前記ステップi)において、前記プラズマ乾式エッチングが、5×10−3〜5×10−2torrの初期圧力条件下で開始され、5×10−2〜5×10−1torrの工程圧力条件下で進むことを特徴とするプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。 - 前記プラズマ乾式エッチングに用いられる単位面積当たりの電力が、0.2〜17W/cm2であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記プラズマ乾式エッチングが、20秒〜1時間行われることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記プラズマ乾式エッチングの結果から得られるパターン幅が10〜300nmであり、パターン高さが10〜200nmであり、パターン間の間隔が10〜200nmであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ベース基板が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート又はポリメチルメタクリレートの素材の基板であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ステップi)が、Ar、O2、H2、He及びN2から選ばれる少なくともいずれか一つの気体の存在下で、前記プラズマ乾式エッチングすることにより行われることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記気体の投入口と前記ベース基板との距離が、200mm以下であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記気体の流量が、10sccm〜200sccmであることを特徴とする請求項6に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ステップii)の前記無機物粒子が、Al、Ba、Be、Ca、Cr、Cu、Cd、Dy、Ga、Ge、Hf、In、Lu、Mg、Mo、Ni、Rb、Sc、Si、Sn、Ta、Te、Ti、W、Zn、Zr、Yb及びこれらの組み合わせから選ばれる金属の酸化物、窒化物、酸窒化物(oxynitride)並びにフッ化物から選ばれる少なくともいずれか一つを含んでなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ステップii)における初期圧力条件が、1×10−3〜5×10−2torrであり、工程圧力条件が、1×10−3〜5×10−1torrであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記無機物粒子が蒸着された反射防止層の最終厚さが10〜500nmであり、前記無機物粒子が蒸着された反射防止構造体の最終幅が10〜500nmであり、前記無機物粒子が蒸着された反射防止構造体の最終高さが10〜400nmであり、前記無機物粒子が蒸着された反射防止構造体間の最終間隔が10〜200nmであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ステップii)が、物理的蒸気蒸着法、化学的蒸気蒸着法又はイオン補助蒸着法により行われることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ステップiii)の後に、
iv)前記ベース基板の前記反射防止層が形成された面の他面に保護層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。 - 前記ステップiv)において、Si−Oil系化合物又はF−Oil系化合物を蒸着して、前記保護層を形成することを特徴とする請求項13に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 前記ステップiii)において、前記ステップi)及びii)を1〜20回さらに行った後、最終的に、前記ステップi)を行っており、
各ステップii)で蒸着される前記無機物粒子の厚さが次第に減少されるように行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。 - 前記ステップiii)において、前記ステップii)を1〜20回さらに行っており、
各ステップii)で蒸着される前記無機物粒子の厚さが同様になるように行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。 - 前記ステップiii)において、前記ステップi)及びii)を、順次に同じ方法で1〜20回さらに行うことを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法。
- 表面に凹凸が形成されたベース基板;及び
前記凹凸上に形成され、無機物粒子の蒸着により形成される反射防止構造体を含み、前記ベース基板の表面に形成される反射防止層;
を含み、
前記反射防止層が、断面が台形状である複数の反射防止構造体、内部に空気層を含み、断面が逆台形状である複数の反射防止構造体又は断面が三角形状である複数の反射防止構造体を含んでおり、
前記凹凸が、5×10−3〜5×10−2torrの初期圧力条件下で開始され、5×10−2〜5×10−1torrの工程圧力条件下で進むプラズマ乾式エッチングによって前記ベース基板の表面に形成されたものであることを特徴とする反射防止基板。 - 前記プラズマ乾式エッチングの結果から得られるパターン幅が10〜300nmであり、パターン高さが10〜200nmであり、パターン間の間隔が10〜200nmであることを特徴とする請求項18に記載の反射防止基板。
- 前記反射防止層の厚さが、10〜500nmであり、前記反射防止構造体の幅が10〜500nmであり、前記反射防止構造体の高さが10〜400nmであり、前記反射防止構造体間の間隔が10〜200nmであることを特徴とする請求項18に記載の反射防止基板。
- 前記ベース基板が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート又はポリメチルメタクリレートの素材の基板であることを特徴とする請求項18に記載の反射防止基板。
- 前記無機物粒子が、Al、Ba、Be、Ca、Cr、Cu、Cd、Dy、Ga、Ge、Hf、In、Lu、Mg、Mo、Ni、Rb、Sc、Si、Sn、Ta、Te、Ti、W、Zn、Zr、Yb及びこれらの組み合わせから選ばれる金属の、酸化物、窒化物、酸窒化物(oxynitride)及びフッ化物から選ばれる少なくともいずれか一つを含んでなることを特徴とする請求項18に記載の反射防止基板。
- 前記ベース基板の前記反射防止層が形成された面の他面に保護層をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の反射防止基板。
- 前記保護層が、Si−Oil系化合物又はF−Oil系化合物を含むことを特徴とする請求項23に記載の反射防止基板。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020184002A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法、光学素子、撮像装置、および光学機器 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101965343B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2019-04-03 | 와이아이테크(주) | 결정질 태양전지용 플라즈마 텍스처링 방법 |
DE102018109884B4 (de) * | 2018-04-24 | 2023-07-27 | Webasto SE | Sensoranordnung mit Blendenelement und Verfahren zur Herstellung des Blendenelements |
CN112531124A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示屏和终端 |
CN115806775A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-03-17 | 武汉光鹿科技发展有限公司 | 镜片用有色保护膜及其制备方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61174636A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
JPH11172448A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Tadahiro Omi | 光学部品の製造法 |
JP2011150154A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Showa Shinku:Kk | 薄膜、及び、薄膜の形成方法 |
WO2012020295A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 6/6Università Degli Studi Di Bari | Optical elements having long-lasting hydrophilic and anti-fog properties and method for their preparation |
JP2012203267A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 低反射構造を成型するための原版並びにその製造方法 |
KR101205006B1 (ko) * | 2012-05-03 | 2012-11-27 | 한국기계연구원 | 투명전도성 기판 및 그 제조 방법 |
KR101244889B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2013-03-18 | 한국기계연구원 | 보호층이 구비된 반사 방지 기판 및 그 제조 방법 |
WO2014202375A1 (de) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Verfahren zur herstellung einer entspiegelungsschicht |
JP2015003510A (ja) * | 2013-05-20 | 2015-01-08 | 尾池工業株式会社 | 積層体 |
CN104386645A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-04 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6800378B2 (en) | 1998-02-19 | 2004-10-05 | 3M Innovative Properties Company | Antireflection films for use with displays |
KR100624308B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2006-09-19 | 제일모직주식회사 | 반사방지 필름의 고굴절층 코팅용 조성물 |
US8771532B2 (en) * | 2009-03-31 | 2014-07-08 | Corning Incorporated | Glass having anti-glare surface and method of making |
KR101081499B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2011-11-08 | 광주과학기술원 | 무반사 나노구조의 제조방법 |
KR101235834B1 (ko) * | 2010-12-08 | 2013-02-21 | 한국기계연구원 | 폴리머층을 식각 보호층으로 이용한 돌기 패턴의 형성 방법 |
KR20120114975A (ko) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 주식회사 엘지화학 | 반사방지 필름 제조용 주형의 제조방법, 및 그 주형을 이용한 반사방지 필름의 제조방법 |
JP5686070B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2015-03-18 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止フィルムの製造方法 |
JP5840448B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2016-01-06 | 株式会社タムロン | 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法 |
KR101205004B1 (ko) * | 2012-05-03 | 2012-11-27 | 한국기계연구원 | 투명전도성 기판 및 그 제조 방법 |
US10371416B2 (en) * | 2012-05-04 | 2019-08-06 | The Regents Of The University Of California | Spectrally selective coatings for optical surfaces |
JP6516972B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-05-22 | 王子ホールディングス株式会社 | 光学部材用の凹凸パターン形成シートの製造方法 |
JP6160186B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2017-07-12 | 三菱ケミカル株式会社 | 微細凹凸構造体、加飾シート、および加飾樹脂成形体、並びに微細凹凸構造体、および加飾樹脂成形体の製造方法 |
KR20140074874A (ko) * | 2014-05-07 | 2014-06-18 | (주)에스이피 | 광투과성 및 내구성이 향상된 반사방지 표면의 제조방법 및 반사방지 표면이 형성된 기판 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61174636A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
JPH11172448A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Tadahiro Omi | 光学部品の製造法 |
JP2011150154A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Showa Shinku:Kk | 薄膜、及び、薄膜の形成方法 |
WO2012020295A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | 6/6Università Degli Studi Di Bari | Optical elements having long-lasting hydrophilic and anti-fog properties and method for their preparation |
JP2012203267A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 低反射構造を成型するための原版並びにその製造方法 |
KR101244889B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2013-03-18 | 한국기계연구원 | 보호층이 구비된 반사 방지 기판 및 그 제조 방법 |
KR101205006B1 (ko) * | 2012-05-03 | 2012-11-27 | 한국기계연구원 | 투명전도성 기판 및 그 제조 방법 |
JP2015003510A (ja) * | 2013-05-20 | 2015-01-08 | 尾池工業株式会社 | 積層体 |
WO2014202375A1 (de) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Verfahren zur herstellung einer entspiegelungsschicht |
CN104386645A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-04 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020184002A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法、光学素子、撮像装置、および光学機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR20170023396A (ko) | 2017-03-03 |
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