JPS61174636A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS61174636A JPS61174636A JP1474885A JP1474885A JPS61174636A JP S61174636 A JPS61174636 A JP S61174636A JP 1474885 A JP1474885 A JP 1474885A JP 1474885 A JP1474885 A JP 1474885A JP S61174636 A JPS61174636 A JP S61174636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- film
- thickness
- gas pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000033641 Ring chromosome 5 syndrome Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は微細パターン形成方法に関するものである。
（従来の技術）
反応性イオンエツチングは現在、半導体の高密度集積回
路に必要な微細寸法パターンを加工する最も重要な方法
の一つ゛となっている。すなわち、有機レジストマスク
を用いて８ｉ０．、 Ｓｉ、Ｎ、、シリコンや金属等の
エツチング加工を行なう。また、マスクとしての有機レ
ジストも一定膜厚と矩形性及び寸法制御性が要求され、
反応性イオンエツチングで加工することが行なわれてい
る。この様に微細寸法の矩形性の要求される工程に反応
性イオンエツチングが盛んに導入されるようＫなってき
た。
路に必要な微細寸法パターンを加工する最も重要な方法
の一つ゛となっている。すなわち、有機レジストマスク
を用いて８ｉ０．、 Ｓｉ、Ｎ、、シリコンや金属等の
エツチング加工を行なう。また、マスクとしての有機レ
ジストも一定膜厚と矩形性及び寸法制御性が要求され、
反応性イオンエツチングで加工することが行なわれてい
る。この様に微細寸法の矩形性の要求される工程に反応
性イオンエツチングが盛んに導入されるようＫなってき
た。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、反応性イオンエツチングにおいては１反
応性ガスの性質はイオン性とプラズマ性が共存しており
複雑であるため、パターン形状の制御は経験的になされ
ているのが現状である。そのため、微細寸法幅のパター
ンをマスクパターン幅よりも更に小さな所定幅に制御し
て形成しようとすると１例えば第３図（ａ）〜（Ｃ）の
断面模式図に示した様に下層基板１１上のエツチング層
１２がマスク１３のネックでくびれる等の問題が従来あ
った。一方、マスクパターン幅そのものを微細寸法にす
ることはリング５フイ技術から制御され、容易ではない
難点が従来あった。
応性ガスの性質はイオン性とプラズマ性が共存しており
複雑であるため、パターン形状の制御は経験的になされ
ているのが現状である。そのため、微細寸法幅のパター
ンをマスクパターン幅よりも更に小さな所定幅に制御し
て形成しようとすると１例えば第３図（ａ）〜（Ｃ）の
断面模式図に示した様に下層基板１１上のエツチング層
１２がマスク１３のネックでくびれる等の問題が従来あ
った。一方、マスクパターン幅そのものを微細寸法にす
ることはリング５フイ技術から制御され、容易ではない
難点が従来あった。
（本発明の目的）
本発明の目的は反応性イオンエツチングによるエツチン
グ層の微細パターンを、エツチング層パターンｓｒマス
クパターンの幅よりも更に小さｈ所定幅〈容易に制御し
て形成することである。
グ層の微細パターンを、エツチング層パターンｓｒマス
クパターンの幅よりも更に小さｈ所定幅〈容易に制御し
て形成することである。
（発明の構成）
本発明によれば、反応性イオンエツチングによるエツチ
ング層のパターン形成方法において、エツチング層の膜
厚に、マスク層のパターン幅の／雪 未満の所望の値を加えた膜厚のエツチング１と同材料の
膜をレファレンス膜として試料近傍に置き、前記エツチ
ング層の膜厚分のエツチングをエツチングガス圧の近い
イオン性の強い条件で最初に行ｂ１次いでエツチングガ
ス圧を増加させプラズマ性の強い条件で前記レファレン
ス膜エツチング終了までエツチングすること全特徴とす
る反応性イオンエツチング微細パターン形成方法が得ら
れる。
ング層のパターン形成方法において、エツチング層の膜
厚に、マスク層のパターン幅の／雪 未満の所望の値を加えた膜厚のエツチング１と同材料の
膜をレファレンス膜として試料近傍に置き、前記エツチ
ング層の膜厚分のエツチングをエツチングガス圧の近い
イオン性の強い条件で最初に行ｂ１次いでエツチングガ
ス圧を増加させプラズマ性の強い条件で前記レファレン
ス膜エツチング終了までエツチングすること全特徴とす
る反応性イオンエツチング微細パターン形成方法が得ら
れる。
（実施例）
以上に本発明の実施例を図によって説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を示す断面概
略図である。第１図において、基板１１上にエツチング
層１２（ここでは膜厚０．７μｍのＰＭＭＡ膜とマスク
パターン１３（ここでは塗布シリカ膜）を設けた試料２
１の近傍のターゲット基板１０上にエツチング層１２ノ
Ｉ［厚０．７μｍにマスクパターン１３の各未満の厚さ
たとえば０．３ｔｔｍを力ａえた１、９ｔｔｔｎのＰＭ
Ｍ人嗅であるレファレンス層１４が形成されたレファレ
ンス２２ヲ置いて反応性イオンエツチングを行う。レフ
ァレンス層１４とエツチング層１２の厚さの差だけエツ
チング層ｔオー）（−エツチングするわけである。ここ
では酸素ガスによる反応性イオンエツチングの例につい
て以下説明する。第１図（鴫は酸素ガス圧が例えば１５
ｍＴｏ ｒ ｒ （約２Ｐａ）のイオン性の強い条件で
エツチング層をエツチングした結果を示す。次いで第１
図（Ｃ）は、酸素が例えば１２０ｍＴＯｒｒ（約１６Ｐ
ａ） のプラズマ性の強い条件でレファレンス層１４
ヲエッチングし終えた結果を示す。
略図である。第１図において、基板１１上にエツチング
層１２（ここでは膜厚０．７μｍのＰＭＭＡ膜とマスク
パターン１３（ここでは塗布シリカ膜）を設けた試料２
１の近傍のターゲット基板１０上にエツチング層１２ノ
Ｉ［厚０．７μｍにマスクパターン１３の各未満の厚さ
たとえば０．３ｔｔｍを力ａえた１、９ｔｔｔｎのＰＭ
Ｍ人嗅であるレファレンス層１４が形成されたレファレ
ンス２２ヲ置いて反応性イオンエツチングを行う。レフ
ァレンス層１４とエツチング層１２の厚さの差だけエツ
チング層ｔオー）（−エツチングするわけである。ここ
では酸素ガスによる反応性イオンエツチングの例につい
て以下説明する。第１図（鴫は酸素ガス圧が例えば１５
ｍＴｏ ｒ ｒ （約２Ｐａ）のイオン性の強い条件で
エツチング層をエツチングした結果を示す。次いで第１
図（Ｃ）は、酸素が例えば１２０ｍＴＯｒｒ（約１６Ｐ
ａ） のプラズマ性の強い条件でレファレンス層１４
ヲエッチングし終えた結果を示す。
エツチング終了は例えば第２図の様にチェンバ器に光学
窓２４ヲ設はレーザー干渉による膜厚変化の検出系２５
を用す比。膜厚検出精度はＯ−１ｔａｍ以下である。こ
の様にして、第１図（Ｃ）の様に矩形性が良好でかつ０
．１μＴｎあるいはそれ以下の有機レジスト細線パター
ンを制御性よく容嬰忙形成することができた。
窓２４ヲ設はレーザー干渉による膜厚変化の検出系２５
を用す比。膜厚検出精度はＯ−１ｔａｍ以下である。こ
の様にして、第１図（Ｃ）の様に矩形性が良好でかつ０
．１μＴｎあるいはそれ以下の有機レジスト細線パター
ンを制御性よく容嬰忙形成することができた。
また、ＣＦ、ｆｒ、含んだガスを用いる８ｉ０．層等の
反応性イオンエツチングの場合もマスク層に用いる有機
レジスト層耐性からくるマスクパターン幅後退の寄与を
考慮すれば、同様に、矩形性のよ騒微細寸法パターンの
形成することができた。
反応性イオンエツチングの場合もマスク層に用いる有機
レジスト層耐性からくるマスクパターン幅後退の寄与を
考慮すれば、同様に、矩形性のよ騒微細寸法パターンの
形成することができた。
これらのパターンはそれ自身でその後の工程のマスクと
して用いる他に、微細金属パターンのりフトオフパター
ンとしても有用である・ （発明の効果） 以上説明した様に本発明の反応性イオンエツチング微細
パターン形成方法によれば、エツチング層パターン＠を
マスクパターンの幅よジも更に小さくしかも約０．１μ
ｍ以下の所定幅に容易に制御して形成することができる
効果を有するものである。
して用いる他に、微細金属パターンのりフトオフパター
ンとしても有用である・ （発明の効果） 以上説明した様に本発明の反応性イオンエツチング微細
パターン形成方法によれば、エツチング層パターン＠を
マスクパターンの幅よジも更に小さくしかも約０．１μ
ｍ以下の所定幅に容易に制御して形成することができる
効果を有するものである。
第１図は本発明の実施例を示す概略膜断面図、第２図は
本発明の実施例に用いる装置概略図、第３図は従来の反
応性イオンエツチング〈おける問題点を示す概略膜断面
図である。 １０・・・・・・ターゲット基板、１１・・・・・・下
層基板、１２・・・・・・エツチング層、 １３・・・
・・・マスクパターン％１４・・・・・・し７アレンス
／ｉ、 ２１・・・・・・試ａ、 ２２・・・・・・レ
ファレンス％器・・・・・・チェンバー、Ｕ・・・・・
・光学窓、３・・・・・・しオ １ 図 オ ２ 図
本発明の実施例に用いる装置概略図、第３図は従来の反
応性イオンエツチング〈おける問題点を示す概略膜断面
図である。 １０・・・・・・ターゲット基板、１１・・・・・・下
層基板、１２・・・・・・エツチング層、 １３・・・
・・・マスクパターン％１４・・・・・・し７アレンス
／ｉ、 ２１・・・・・・試ａ、 ２２・・・・・・レ
ファレンス％器・・・・・・チェンバー、Ｕ・・・・・
・光学窓、３・・・・・・しオ １ 図 オ ２ 図
Claims (1)
- 反応性イオンエッチングによるエッチング層のパター
ン形成方法において、エッチング層の膜厚にマスク層の
パターン幅の１／２未満の所望の値を加えた膜厚のエッ
チング層と同材料の膜をレファレンス膜として試料近傍
に置き、前記エッチング層の膜厚分のエッチングをエッ
チングガス圧の低いイオン性の強い条件で最初に行い、
次いでエッチングガス圧を増加させプラズマ性の強い条
件で前記レファレンス膜エッチング終了までエッチング
することを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1474885A JPH0644561B2 (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1474885A JPH0644561B2 (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174636A true JPS61174636A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0644561B2 JPH0644561B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=11869731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1474885A Expired - Lifetime JPH0644561B2 (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644561B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107949901A (zh) * | 2015-08-21 | 2018-04-20 | 株式会社世可 | 利用等离子体蚀刻的防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1474885A patent/JPH0644561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107949901A (zh) * | 2015-08-21 | 2018-04-20 | 株式会社世可 | 利用等离子体蚀刻的防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板 |
| JP2018525688A (ja) * | 2015-08-21 | 2018-09-06 | セコ コーポレイション リミテッド | プラズマエッチングを用いた反射防止表面の製造方法及び反射防止表面が形成された基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644561B2 (ja) | 1994-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4533624A (en) | Method of forming a low temperature multilayer photoresist lift-off pattern | |
| US4202914A (en) | Method of depositing thin films of small dimensions utilizing silicon nitride lift-off mask | |
| JPS61174636A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| CA1159577A (en) | Removing hardened organic materials during fabrication of integrated circuits | |
| JPH0227810B2 (ja) | Eikyujishakumakupataannokeiseihoho | |
| JPS6425419A (en) | Etching | |
| JPH04348030A (ja) | 傾斜エッチング法 | |
| JPS5819476A (ja) | クロム系膜のドライエツチング法 | |
| JPS61232620A (ja) | 半導体基板エツチング方法 | |
| JPS58152241A (ja) | 高精度マスクの製造方法 | |
| JPS5822382A (ja) | クロム系金属膜のドライエツチング方法 | |
| GB2207395A (en) | Producing a pattern in a material | |
| JPS62167869A (ja) | 金属膜のパタ−ン化方法 | |
| JPS6057511B2 (ja) | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 | |
| JPH04364726A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS60200253A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS62231414A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| US7642098B2 (en) | Ferromagnetic or ferrimagnetic layer, method for the production thereof, and use thereof | |
| JPH01194424A (ja) | 自己整合パターン形成方法 | |
| JPS6074532A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS6218029A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5649525A (en) | Formation of thin film pattern | |
| JPS5626440A (en) | Method for fine pattern formation | |
| JPS5635774A (en) | Dry etching method | |
| JPS6374109A (ja) | めつき膜を用いた薄膜の窓開け法 |