JPH0227810B2 - Eikyujishakumakupataannokeiseihoho - Google Patents
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- JPH0227810B2 JPH0227810B2 JP13896981A JP13896981A JPH0227810B2 JP H0227810 B2 JPH0227810 B2 JP H0227810B2 JP 13896981 A JP13896981 A JP 13896981A JP 13896981 A JP13896981 A JP 13896981A JP H0227810 B2 JPH0227810 B2 JP H0227810B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は永久磁石膜パターンの形成方法に関す
る。さらに詳しくは、本発明は基材上にFe3O4ま
たはγ−Fe2O3からなり、パターン表面に凹凸の
みられない永久磁石膜パターンの形成方法に関す
る。
る。さらに詳しくは、本発明は基材上にFe3O4ま
たはγ−Fe2O3からなり、パターン表面に凹凸の
みられない永久磁石膜パターンの形成方法に関す
る。
集積回路には微細パターンを有する薄膜機能素
子が用いられるが、永久磁石膜パターンを有する
薄膜機能素子は強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用
した磁束応答形の磁気抵抗効果形ヘツドにおける
バイアス磁界印加のためのバイアス膜などの分野
で用いられている。
子が用いられるが、永久磁石膜パターンを有する
薄膜機能素子は強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用
した磁束応答形の磁気抵抗効果形ヘツドにおける
バイアス磁界印加のためのバイアス膜などの分野
で用いられている。
従来から採用されている永久磁石膜パターンの
形成方法を、各工程ごとの基材の部分断面の概略
図を表わす第１図にしたがつて説明する。すなわ
ち、 (i) 基材１の表面にメツキなどによつてCo−Ni
−Ｐ永久磁石膜２をコーテイングし、 (ii) 所望のパターンに応じてレジスト３のパター
ンを永久磁石膜の表面に形成させ、 (iii) 種々のエツチング方法により、前記レジスト
３でマスクされなかつた部分の永久磁石膜を除
去し、ついで (iv) レジスト３を剥離液などに浸漬することによ
つて除去して所望の永久磁石膜パターン４をえ
ている。
形成方法を、各工程ごとの基材の部分断面の概略
図を表わす第１図にしたがつて説明する。すなわ
ち、 (i) 基材１の表面にメツキなどによつてCo−Ni
−Ｐ永久磁石膜２をコーテイングし、 (ii) 所望のパターンに応じてレジスト３のパター
ンを永久磁石膜の表面に形成させ、 (iii) 種々のエツチング方法により、前記レジスト
３でマスクされなかつた部分の永久磁石膜を除
去し、ついで (iv) レジスト３を剥離液などに浸漬することによ
つて除去して所望の永久磁石膜パターン４をえ
ている。
従来の永久磁石膜パターンの形成方法は叙上の
方法によつているため、つぎの欠点を有してい
る。まず第１の欠点として、永久磁石膜パターン
４の表面と基材１の間に永久磁石膜２の膜厚にほ
ぼ等しい段差の凹凸を生じることがあげられる。
とくに最近の薄膜機能素子は多層化されて用いら
れる傾向にあり、このような凹凸を有する永久磁
石膜パターンからなる素子が下層に用いられるば
あい、上層に積層される薄膜素子を平担に保つこ
とができなくなる。第２の欠点としては永久磁石
膜が酸化物磁石体であるばあい、エツチングが容
易でないことである。
方法によつているため、つぎの欠点を有してい
る。まず第１の欠点として、永久磁石膜パターン
４の表面と基材１の間に永久磁石膜２の膜厚にほ
ぼ等しい段差の凹凸を生じることがあげられる。
とくに最近の薄膜機能素子は多層化されて用いら
れる傾向にあり、このような凹凸を有する永久磁
石膜パターンからなる素子が下層に用いられるば
あい、上層に積層される薄膜素子を平担に保つこ
とができなくなる。第２の欠点としては永久磁石
膜が酸化物磁石体であるばあい、エツチングが容
易でないことである。
本発明はかかる従来の欠点に鑑みなされたもの
であり、従来の永久磁石膜パターン形成方法とは
かなり異なる方法によりパターン表面上に凹凸が
生じることなく、かつ永久磁石膜自体のエツチン
グが不要な永久磁石膜パターンを形成する方法を
提供することを目的とする。
であり、従来の永久磁石膜パターン形成方法とは
かなり異なる方法によりパターン表面上に凹凸が
生じることなく、かつ永久磁石膜自体のエツチン
グが不要な永久磁石膜パターンを形成する方法を
提供することを目的とする。
すなわち本発明は、
(イ) 基材表面にα−Fe2O3膜を形成する工程、
(ロ) α−Fe2O3膜の表面に水素と反応しない材料
からなるマスクパターンを形成する工程、 (ハ) マスクパターンでマスクされなかつた部分の
α−Fe2O3膜をFe3O4膜に還元する工程、およ
び (ニ) マスクパターンを除去する工程 からなるか、またはさらに前記工程に加えて (ホ) Fe3O4膜をγ−Fe2O3膜に酸化する工程 からなる永久磁石膜パターンの形成方法に関す
る。
からなるマスクパターンを形成する工程、 (ハ) マスクパターンでマスクされなかつた部分の
α−Fe2O3膜をFe3O4膜に還元する工程、およ
び (ニ) マスクパターンを除去する工程 からなるか、またはさらに前記工程に加えて (ホ) Fe3O4膜をγ−Fe2O3膜に酸化する工程 からなる永久磁石膜パターンの形成方法に関す
る。
α−Fe2O3膜は非磁性体であるが、それを還元
してえられるFe3O4およびFe3O4を酸化してえら
れるγ−Fe2O3は永久磁石体である。本発明はこ
れら酸化鉄の種類のちがいによる磁石体としての
性質の違いを利用したものである。
してえられるFe3O4およびFe3O4を酸化してえら
れるγ−Fe2O3は永久磁石体である。本発明はこ
れら酸化鉄の種類のちがいによる磁石体としての
性質の違いを利用したものである。
前記工程(イ)の基材表面にα−Fe2O3膜を形成す
る方法としてはα−Fe2O3をターゲツトとしてス
パツタリングで形成する方法、Feをターゲツト
としAr＋O2中でリアクテイブスパツタリングに
より形成する方法、Feを基板上に蒸着し酸化す
る方法などの従来から行なわれている方法があげ
られるが、とくにリアクテイブスパツタリングに
よる方法が好ましい。
る方法としてはα−Fe2O3をターゲツトとしてス
パツタリングで形成する方法、Feをターゲツト
としAr＋O2中でリアクテイブスパツタリングに
より形成する方法、Feを基板上に蒸着し酸化す
る方法などの従来から行なわれている方法があげ
られるが、とくにリアクテイブスパツタリングに
よる方法が好ましい。
前記工程(ロ)の水素と反応しない材料はとくに限
定されないが、マスクパターンの形成の容易さ、
のちの除去の工程などを考慮したばあい、クロー
ムまたはアルミニウムが好ましい。クロームまた
はアルミニウムのばあいマスクパターンはフオト
エツチングにより容易に形成される。
定されないが、マスクパターンの形成の容易さ、
のちの除去の工程などを考慮したばあい、クロー
ムまたはアルミニウムが好ましい。クロームまた
はアルミニウムのばあいマスクパターンはフオト
エツチングにより容易に形成される。
前記工程(ハ)の還元は、たとえば基材を水素雰囲
気中、約270〜320℃で加熱することによつて行な
われる。温度を270℃よりも低くすると還元が進
行せず320℃よりも高くすると還元過多となつて
金属鉄（Fe）が形成されるため好ましくない。
還元の時間はα−Fe2O3膜の厚さ、還元温度を考
慮して適宜決定される。
気中、約270〜320℃で加熱することによつて行な
われる。温度を270℃よりも低くすると還元が進
行せず320℃よりも高くすると還元過多となつて
金属鉄（Fe）が形成されるため好ましくない。
還元の時間はα−Fe2O3膜の厚さ、還元温度を考
慮して適宜決定される。
前記工程(ニ)のマスクパターンの除去はマスク材
料の種類によつて異なるが、たとえばクロームま
たはアルミニウムであるばあい、水100ｇに赤血
塩30ｇとKOH5ｇを溶かしたエツチング液に浸漬
する方法によつて行なわれる。
料の種類によつて異なるが、たとえばクロームま
たはアルミニウムであるばあい、水100ｇに赤血
塩30ｇとKOH5ｇを溶かしたエツチング液に浸漬
する方法によつて行なわれる。
前記工程(イ)〜(ニ)によつて、基材表面上のα−
Fe2O3膜内にFe3O4膜からなる永久磁石膜パター
ンを形成させることができるが、本発明によれば
さらにそれらの工程に加えて、Fe3O4膜をγ−
Fe2O3膜に酸化する工程(ホ)を施してα−Fe2O3膜
内にγ−Fe2O3膜からなる永久磁石膜パターンを
形成させることができる。
Fe2O3膜内にFe3O4膜からなる永久磁石膜パター
ンを形成させることができるが、本発明によれば
さらにそれらの工程に加えて、Fe3O4膜をγ−
Fe2O3膜に酸化する工程(ホ)を施してα−Fe2O3膜
内にγ−Fe2O3膜からなる永久磁石膜パターンを
形成させることができる。
前記工程(ホ)の酸化は、たとえば空気中、約300
〜350℃で加熱することによつて容易に行ないう
る。酸化の時間はFe3O4膜の膜厚、温度などを考
慮して適宜決定される。
〜350℃で加熱することによつて容易に行ないう
る。酸化の時間はFe3O4膜の膜厚、温度などを考
慮して適宜決定される。
つぎに本発明の永久磁石膜パターンの形成方法
の一実施例を、各工程ごとの基材の部分断面の概
略図を表わす第２図にしたがつて説明する。
の一実施例を、各工程ごとの基材の部分断面の概
略図を表わす第２図にしたがつて説明する。
まずセラミツク基材５の表面に鉄をターゲツト
としてアルゴン、プラズマ、酸素雰囲気下のリア
クテイブスパツタリングによつてα−Fe2O3膜６
を膜厚0.2〜0.5μｍで形成させた。（工程(イ)）。つ
ぎにクローム皮膜をα−Fe2O3膜上に形成させさ
らにフオトエツチング法によつてマスクパターン
７を形成させた（工程(ロ)）。このものをつぎに水
素を流入しながら加熱が可能な水素還元炉中約
300℃で約１時間加熱し、マスクパターン７でマ
スクされていない部分のα−Fe2O3膜をFe3O4膜
８に還元した（工程(ハ)）。マスクパターン７は赤
血塩のアリカリ水溶液でエツチングして除いた
（工程(ニ)）。
としてアルゴン、プラズマ、酸素雰囲気下のリア
クテイブスパツタリングによつてα−Fe2O3膜６
を膜厚0.2〜0.5μｍで形成させた。（工程(イ)）。つ
ぎにクローム皮膜をα−Fe2O3膜上に形成させさ
らにフオトエツチング法によつてマスクパターン
７を形成させた（工程(ロ)）。このものをつぎに水
素を流入しながら加熱が可能な水素還元炉中約
300℃で約１時間加熱し、マスクパターン７でマ
スクされていない部分のα−Fe2O3膜をFe3O4膜
８に還元した（工程(ハ)）。マスクパターン７は赤
血塩のアリカリ水溶液でエツチングして除いた
（工程(ニ)）。
かくしてα−Fe2O3膜６内にFe3O4膜８からな
る永久磁石膜パターンをうることができた。
る永久磁石膜パターンをうることができた。
このものはさらに大気中、約350℃で１時間加
熱してFe3O4膜８をγ−Fe2O3膜９に酸化し、α
−Fe2O3膜６内にγ−Fe2O3膜９からなる永久磁
石膜パターンをえた（工程(ホ)）。
熱してFe3O4膜８をγ−Fe2O3膜９に酸化し、α
−Fe2O3膜６内にγ−Fe2O3膜９からなる永久磁
石膜パターンをえた（工程(ホ)）。
このようにしてえられた永久磁石膜パターンは
10000倍の触針式膜厚計でそのパターンの表面を
観察したところ、表面には殆んど凹凸がみられな
かつた。
10000倍の触針式膜厚計でそのパターンの表面を
観察したところ、表面には殆んど凹凸がみられな
かつた。
第１図は従来の永久磁石膜パターンの形成方法
における各工程ごとの基材の部分断面の概略図、
第２図は本発明の永久磁石膜パターンの形成方法
における各工程ごとの基材の部分断面の概略図で
ある。 （図面の主要符号）、６：α−Fe2O3膜、７：
マスクパターン、８：Fe3O4膜、９：γ−Fe2O3
膜。
における各工程ごとの基材の部分断面の概略図、
第２図は本発明の永久磁石膜パターンの形成方法
における各工程ごとの基材の部分断面の概略図で
ある。 （図面の主要符号）、６：α−Fe2O3膜、７：
マスクパターン、８：Fe3O4膜、９：γ−Fe2O3
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (イ) 基材表面にα−Fe2O3膜を形成する工
程、 (ロ) α−Fe2O3膜の表面に水素と反応しない材料
からなるマスクパターンを形成する工程、 (ハ) マスクパターンでマスクされなかつた部分の
α−Fe2O3膜をFe3O4膜に還元する工程、およ
び (ニ) マスクパターンを除去する工程 からなるか、またはさらに前記工程に加えて (ホ) Fe3O4膜をγ−Fe2O3膜に酸化する工程 からなる永久磁石膜パターンの形成方法。 ２ 前記工程(イ)のα−Fe2O3膜の形成がリアクテ
イブスパツタリングによつて行なわれる特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ３ 前記工程(ロ)の水素と反応しない材料がクロー
ムまたはアルミニウムである特許請求の範囲第１
項または第２項記載の方法。 ４ 前記工程(ロ)のマスクパターンの形成がフオト
エツチング法によつて行なわれる特許請求の範囲
第３項記載の方法。 ５ 前記工程(ハ)の還元が水素雰囲気中、約270〜
320℃で約0.5〜1.5時間加熱することによつて行
なわれる特許請求の範囲第１項、第２項、第３項
または第４項記載の方法。 ６ 前記工程(ニ)のマスクパターンの除去がエツチ
ングによつて行なわれる特許請求の範囲第３項ま
たは第４項記載の方法。 ７ 前記工程(ホ)の酸化が空気中、約300〜350℃で
約１〜５時間加熱することによつて行なわれる特
許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、
第５項または第６項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13896981A JPH0227810B2 (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | Eikyujishakumakupataannokeiseihoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13896981A JPH0227810B2 (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | Eikyujishakumakupataannokeiseihoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839009A JPS5839009A (ja) | 1983-03-07 |
| JPH0227810B2 true JPH0227810B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=15234402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13896981A Expired - Lifetime JPH0227810B2 (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | Eikyujishakumakupataannokeiseihoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227810B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02186801A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
| US7378028B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-05-27 | Seagate Technology Llc | Method for fabricating patterned magnetic recording media |
| USD825184S1 (en) | 2017-02-22 | 2018-08-14 | Yeti Coolers, Llc | Bag |
| US10954055B2 (en) | 2017-03-08 | 2021-03-23 | Yeti Coolers, Llc | Container with magnetic closure |
| CA3054439A1 (en) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Yeti Coolers, Llc | Container with magnetic closure |
| US11076666B2 (en) | 2017-03-08 | 2021-08-03 | Yeti Coolers, Llc | Container with magnetic closure |
| USD935175S1 (en) | 2019-03-08 | 2021-11-09 | Yeti Coolers, Llc | Bag |
| USD909063S1 (en) | 2019-03-08 | 2021-02-02 | Yeti Coolers, Llc | Bag |
| USD957200S1 (en) | 2020-06-03 | 2022-07-12 | Yeti Coolers, Llc | Bag |
| US11992104B2 (en) | 2022-02-16 | 2024-05-28 | Yeti Coolers, Llc | Container with resealable closure |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13896981A patent/JPH0227810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5839009A (ja) | 1983-03-07 |
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