JPH02186801A - 静磁波装置 - Google Patents
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- JPH02186801A JPH02186801A JP640589A JP640589A JPH02186801A JP H02186801 A JPH02186801 A JP H02186801A JP 640589 A JP640589 A JP 640589A JP 640589 A JP640589 A JP 640589A JP H02186801 A JPH02186801 A JP H02186801A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にＹＩＧ薄膜とそれに
磁界を印加するための磁石とを含み、たとえば静磁波フ
ィルタとして用いられる、静磁波装置に関する。
磁界を印加するための磁石とを含み、たとえば静磁波フ
ィルタとして用いられる、静磁波装置に関する。
（従来技術）
第９図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。
この静磁波装置１では、ＹＩＧ（イツトリウム、アイア
ン、ガーネット）薄膜２がＧＧＧ（ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）基板３の一方主面上に形成され、こ
のＧＧＧ基板３がケース４内の下部に取り付けられてい
る。さらに、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜２に磁界を印加するための
永久磁石５が、ケース４内の上部に取り付けられている
。
ン、ガーネット）薄膜２がＧＧＧ（ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）基板３の一方主面上に形成され、こ
のＧＧＧ基板３がケース４内の下部に取り付けられてい
る。さらに、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜２に磁界を印加するための
永久磁石５が、ケース４内の上部に取り付けられている
。
（発明が解決しようとする課題）
このような従来の静磁波装置では、ＹＩＧ薄膜に対する
永久磁石の位置決めが難しいので、生産性がよくない。
永久磁石の位置決めが難しいので、生産性がよくない。
さらに、ＹＩＧ薄膜と永久磁石との間にギャップを有し
、しかも、そのようなギャップのために大型の永久磁石
が用いられるので、全体が大型になってしまう。
、しかも、そのようなギャップのために大型の永久磁石
が用いられるので、全体が大型になってしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、生産性のよい小
型の静磁波装置を提供することである。
型の静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＹＩＧ薄膜と、ｙ ＩＧｉ膜に乾式メッキ
法で形成されＹＩＧ薄膜に磁界を印加するための磁石と
を含む、静磁波装置である。
法で形成されＹＩＧ薄膜に磁界を印加するための磁石と
を含む、静磁波装置である。
（作用）
ＹＩＧ薄膜に磁界を印加するための磁石がＹＩＧ薄膜に
乾式メッキ法で形成されるため、ＹＩＧ薄膜に対する磁
石の位置決めが容易となる。しかも、ＹＩＧ薄膜と磁石
との間にギャップが生じない。
乾式メッキ法で形成されるため、ＹＩＧ薄膜に対する磁
石の位置決めが容易となる。しかも、ＹＩＧ薄膜と磁石
との間にギャップが生じない。
（発明の効果）
この発明によれば、ＹＩＧ薄膜に対する磁石の位置決め
が容易となるので、静磁波装置の生産性がよくなる。し
かも、ＹＩＧ薄膜と磁石との間にギャップが生じないの
で、磁石を小型にすることができるとともに、静磁波装
置を小型にすることができる。
が容易となるので、静磁波装置の生産性がよくなる。し
かも、ＹＩＧ薄膜と磁石との間にギャップが生じないの
で、磁石を小型にすることができるとともに、静磁波装
置を小型にすることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１Ａ図および第１Ｂ図は、それぞれこの発明の一実施
例を示し、第１Ａ図はその平面図であり、第１Ｂ図は第
１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図である。
例を示し、第１Ａ図はその平面図であり、第１Ｂ図は第
１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図である。
この静磁波袋？＆１０は、矩形状のＹＩＧ （イツトリ
ウム、アイアン、ガーネット）薄膜１２を含み、このＹ
ＩＧ薄膜１２は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、
ガーネット）基板１４の一方主面上に全面に形成される
。
ウム、アイアン、ガーネット）薄膜１２を含み、このＹ
ＩＧ薄膜１２は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、
ガーネット）基板１４の一方主面上に全面に形成される
。
ＹＩＧ薄膜１２の一方主面上には、特に第２図に示すよ
うに、その長手方向の一端および他端に、入力アンテナ
１６および出力アンテナ１８がそれぞれ形成される。
うに、その長手方向の一端および他端に、入力アンテナ
１６および出力アンテナ１８がそれぞれ形成される。
さらに、人力アンテナ１６と出力アンテナ１８との間で
ＹＩＧ薄膜１２の一方主面上には、２つの円板状の電極
２０ａおよび２０ｂが、ＹＩＧ薄膜１２の長手方向に間
隔を隔てて形成される。これらの電極２０ａおよび２０
ｂは、入力アンテナ１６および出力アンテナ１８ととも
に、ＹＩＧ薄膜１２の一方主面上に金属などの導体材料
を蒸着することによって形成される。これらの電極２０
ａおよび２０ｂは、この静磁波装置１０の共振周波数で
のＱ値を大きくし、かつ、そのスプリアスモードのセパ
レージタンをよくするためのものであって、その数や形
状は任意に変更されてもよく、あるいは形成されなくて
もよい。
ＹＩＧ薄膜１２の一方主面上には、２つの円板状の電極
２０ａおよび２０ｂが、ＹＩＧ薄膜１２の長手方向に間
隔を隔てて形成される。これらの電極２０ａおよび２０
ｂは、入力アンテナ１６および出力アンテナ１８ととも
に、ＹＩＧ薄膜１２の一方主面上に金属などの導体材料
を蒸着することによって形成される。これらの電極２０
ａおよび２０ｂは、この静磁波装置１０の共振周波数で
のＱ値を大きくし、かつ、そのスプリアスモードのセパ
レージタンをよくするためのものであって、その数や形
状は任意に変更されてもよく、あるいは形成されなくて
もよい。
さらに、Ｙ Ｉ Ｇｉ膜１２の一方主面上には、特に第
１Ｂ図、第３Ａ図および第３Ｂ図に示すように、入力ア
ンテナ１６．出力アンテナ１８．電極２０ａおよび２０
ｂを覆うようにして、たとえばフェライト磁石、希土類
コバルト磁石などの永久磁石２２ａが、乾式メッキ法と
してたとえば蒸着することによって薄膜状に形成される
。同様に、ＧＧＧ基板１４の他方主面上にも、永久磁石
２２ｂが、蒸着することによって形成される。この場合
、これらの永久磁石２２ａおよび２２ｂは、ＹＩＧ薄膜
１２の厚み方向に磁界が印加されるように形成される。
１Ｂ図、第３Ａ図および第３Ｂ図に示すように、入力ア
ンテナ１６．出力アンテナ１８．電極２０ａおよび２０
ｂを覆うようにして、たとえばフェライト磁石、希土類
コバルト磁石などの永久磁石２２ａが、乾式メッキ法と
してたとえば蒸着することによって薄膜状に形成される
。同様に、ＧＧＧ基板１４の他方主面上にも、永久磁石
２２ｂが、蒸着することによって形成される。この場合
、これらの永久磁石２２ａおよび２２ｂは、ＹＩＧ薄膜
１２の厚み方向に磁界が印加されるように形成される。
したがって、この実施例では、入力アンテナ１６に信号
を入力すれば、その信号が体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ
）として励起されＹＩＧ薄膜１４上で入力アンテナ１６
から出力アンテナ１８側に伝搬される。それから、伝搬
された体積前進静磁波は、出力アンテナ１８で受信され
る。
を入力すれば、その信号が体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ
）として励起されＹＩＧ薄膜１４上で入力アンテナ１６
から出力アンテナ１８側に伝搬される。それから、伝搬
された体積前進静磁波は、出力アンテナ１８で受信され
る。
さらに、永久磁石２２ａおよび２２ｂなどの全体の周囲
には、たとえば鉄などの磁気シールド材からなるケース
２４が形成される。また、このケース２４の対向する側
面には、同軸コネクタ２６および２８がそれぞれ形成さ
れる。そして、一方の同軸コネクタ２６の中心導体が入
力アンテナ１６に接続され、他方の同軸コネクタ２８の
中心導体が出力アンテナ１８に接続される。
には、たとえば鉄などの磁気シールド材からなるケース
２４が形成される。また、このケース２４の対向する側
面には、同軸コネクタ２６および２８がそれぞれ形成さ
れる。そして、一方の同軸コネクタ２６の中心導体が入
力アンテナ１６に接続され、他方の同軸コネクタ２８の
中心導体が出力アンテナ１８に接続される。
この実施例では、入力アンテナ１６．出力アンテナ１８
．電極２０ａおよび２０ｂ、永久磁石２２ａおよび２２
ｂが蒸着することによって形成されるので、特に永久磁
石２２ａおよび２２ｂが蒸着することによって形成され
るので、第９図に示す従来例に比べて、生産性がよくな
る。
．電極２０ａおよび２０ｂ、永久磁石２２ａおよび２２
ｂが蒸着することによって形成されるので、特に永久磁
石２２ａおよび２２ｂが蒸着することによって形成され
るので、第９図に示す従来例に比べて、生産性がよくな
る。
しかも、この実施例では、ＹＩＧ薄膜と永久磁石との間
にギャップが存在しないので、第９図に示す従来例に比
べて、薄型すなわち小型になる。
にギャップが存在しないので、第９図に示す従来例に比
べて、薄型すなわち小型になる。
また、この実施例では、永久磁石２２ａおよび２２ｂが
ＹＩＧ薄膜１２などと一体的に形成されているので、そ
れをたとえばＭＩＣ（マルチチップＩＣ）の１チツプと
して用いることができる。
ＹＩＧ薄膜１２などと一体的に形成されているので、そ
れをたとえばＭＩＣ（マルチチップＩＣ）の１チツプと
して用いることができる。
さらに、この実施例では、永久磁石２２ａおよび２２ｂ
の厚さを調整することによって、ＹＩＧ薄膜１２に印加
する磁界の大きさをコントロールすることができ、その
ため、伝搬される静磁波の周波数を調整することができ
る。この場合、部分的に磁界の大きさを変えれば、静磁
波装置のたとえばフィルタ特性を変化することができる
。
の厚さを調整することによって、ＹＩＧ薄膜１２に印加
する磁界の大きさをコントロールすることができ、その
ため、伝搬される静磁波の周波数を調整することができ
る。この場合、部分的に磁界の大きさを変えれば、静磁
波装置のたとえばフィルタ特性を変化することができる
。
第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、第１Ａ図および
第１Ｂ図に示す実施例の変形例を示し、第４Ａ図はその
要部平面図であり、第４Ｂ図は第４Ａ図の線■Ｂ−ＩＶ
Ｂにおける断面図である。この実施例では、特に、永久
磁石２２ａおよび２２ｂが、ＹＩＧ薄膜１２およびＧＧ
Ｇ基板１４の幅方向の一端面および他端面に、それぞれ
蒸着されている。したがって、この実施例では、ＹＩＧ
薄膜１２に対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して
垂直な方向に磁界が印加される。そのため、ＹＩＧ薄膜
１２上には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が入力アンテナ１
６から出力アンテナ１８側に伝搬される。
第１Ｂ図に示す実施例の変形例を示し、第４Ａ図はその
要部平面図であり、第４Ｂ図は第４Ａ図の線■Ｂ−ＩＶ
Ｂにおける断面図である。この実施例では、特に、永久
磁石２２ａおよび２２ｂが、ＹＩＧ薄膜１２およびＧＧ
Ｇ基板１４の幅方向の一端面および他端面に、それぞれ
蒸着されている。したがって、この実施例では、ＹＩＧ
薄膜１２に対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して
垂直な方向に磁界が印加される。そのため、ＹＩＧ薄膜
１２上には、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が入力アンテナ１
６から出力アンテナ１８側に伝搬される。
第５Ａ図および第５Ｂ図は、それぞれ、第１Ａ図および
第１Ｂ図に示す実施例の他の変形例を示し、第５Ａ図は
その要部平面図であり、第５Ｂ図はその要部正面図であ
る。この実施例では、ＹＩＧ薄膜１２およびＧＧＧ基板
１４の長手方向の一端面および他端面に、永久磁石２２
ａおよび２２ｂが蒸着されている。したがって、この実
施例では、ＹＩＧ薄膜１２に対して平行でかつ静磁波の
伝搬方向に対して平行な方向に磁界が印加される。
第１Ｂ図に示す実施例の他の変形例を示し、第５Ａ図は
その要部平面図であり、第５Ｂ図はその要部正面図であ
る。この実施例では、ＹＩＧ薄膜１２およびＧＧＧ基板
１４の長手方向の一端面および他端面に、永久磁石２２
ａおよび２２ｂが蒸着されている。したがって、この実
施例では、ＹＩＧ薄膜１２に対して平行でかつ静磁波の
伝搬方向に対して平行な方向に磁界が印加される。
そのため、ＹＩＧ薄膜１２上には、体積後退静磁波（Ｍ
ＳＢＶＷ）が入力アンテナ１６から出力アンテナ１８側
に伝搬される。
ＳＢＶＷ）が入力アンテナ１６から出力アンテナ１８側
に伝搬される。
第４Ａ図および第４Ｂ図に示す実施例あるいは第５Ａ図
および第５Ｂ図に示す実施例のように、ＹＩＧ薄膜１２
の端面に永久磁石２２ａおよび２２ｂが蒸着されてもよ
い。なお、ＹＩＧ薄膜１２に磁界を印加するための磁石
は、ＹＩＧ薄膜１２の１つの主面のみにあるいは１つの
端面のみに蒸着されてもよい。
および第５Ｂ図に示す実施例のように、ＹＩＧ薄膜１２
の端面に永久磁石２２ａおよび２２ｂが蒸着されてもよ
い。なお、ＹＩＧ薄膜１２に磁界を印加するための磁石
は、ＹＩＧ薄膜１２の１つの主面のみにあるいは１つの
端面のみに蒸着されてもよい。
第６Ａ図および第６Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第６Ａ図その要部平面図であり、第６Ｂ
図はその要部正面図である。この実施例では、特に、入
力アンテナ１６および出力アンテナ１８が、ＧＧＧ基板
１４の他方主面の幅方向の中央に間隔を隔てて形成され
ている。この場合、入力アンテナ１６は、ＧＧＧ基板１
４の長手方向の一端から略中夫に延びて形成され、出力
アンテナ１８は、ＧＧＧ基板の長手方向の他端から略中
夫に延びて形成される。また、入力アンテナ１６および
出力アンテナ１８は、それらの対向する端部が幅細に形
成されている。
実施例を示し、第６Ａ図その要部平面図であり、第６Ｂ
図はその要部正面図である。この実施例では、特に、入
力アンテナ１６および出力アンテナ１８が、ＧＧＧ基板
１４の他方主面の幅方向の中央に間隔を隔てて形成され
ている。この場合、入力アンテナ１６は、ＧＧＧ基板１
４の長手方向の一端から略中夫に延びて形成され、出力
アンテナ１８は、ＧＧＧ基板の長手方向の他端から略中
夫に延びて形成される。また、入力アンテナ１６および
出力アンテナ１８は、それらの対向する端部が幅細に形
成されている。
さらに、ｙＩＧｉ膜１２の一方主面の中央には、リング
状の永久磁石２２が蒸着されている。この場合、永久磁
石２２は、その一部分が人力アンテナ１６および出力ア
ンテナ１８の幅細の端部に対向するように蒸着されてい
る。
状の永久磁石２２が蒸着されている。この場合、永久磁
石２２は、その一部分が人力アンテナ１６および出力ア
ンテナ１８の幅細の端部に対向するように蒸着されてい
る。
この実施例のように、リング状の磁石を入力アンテナお
よび出力アンテナに対向するように形成すれば、静磁波
装置ＩＯを共振器として用いることができる。
よび出力アンテナに対向するように形成すれば、静磁波
装置ＩＯを共振器として用いることができる。
第７図はこの発明のさらに他の実施例を示す要部平面図
である。この実施例では、ＹＩＧ薄膜１２の一方主面に
、入力アンテナ１６および出力アンテナ１８が間隔を隔
てて平行に形成され１、さらに、入力アンテナ１６およ
び出力アンテナ１８の中央部分を覆うようにして、ミア
ングライン状に永久磁石２２が蒸着されている。通常、
静磁波は磁石の存在するところを伝搬するので、この実
施例のように、磁石をミアングライン状に形成すれば、
静磁波装置１０を長遅延時間の遅延線として用いること
ができる。
である。この実施例では、ＹＩＧ薄膜１２の一方主面に
、入力アンテナ１６および出力アンテナ１８が間隔を隔
てて平行に形成され１、さらに、入力アンテナ１６およ
び出力アンテナ１８の中央部分を覆うようにして、ミア
ングライン状に永久磁石２２が蒸着されている。通常、
静磁波は磁石の存在するところを伝搬するので、この実
施例のように、磁石をミアングライン状に形成すれば、
静磁波装置１０を長遅延時間の遅延線として用いること
ができる。
第８図はこの発明の別の実施例を示す図解図である。こ
の実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２の主面上の永久磁
石２２ａの外側およびＧＧＧ基板１４の主面上の永久磁
石２２ｂの外側に、電磁石３０ａおよび３０ｂがそれぞ
れ配置されている。
の実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２の主面上の永久磁
石２２ａの外側およびＧＧＧ基板１４の主面上の永久磁
石２２ｂの外側に、電磁石３０ａおよび３０ｂがそれぞ
れ配置されている。
したがって、この実施例では、永久磁石２２ａおよび２
２ｂと電磁石３０ａおよび３０ｂとで、ＹＩＧ薄膜Ｉ２
に磁界が印加される。そのため、この実施例では、電磁
石３０ａおよび３０ｂによって、ＹＩＧｉ膜１２に印加
される磁界の大きさを変えることができ、それをたとえ
ば静磁波フィル夕として使用する場合に使用する周波数
帯域を変えることができる。
２ｂと電磁石３０ａおよび３０ｂとで、ＹＩＧ薄膜Ｉ２
に磁界が印加される。そのため、この実施例では、電磁
石３０ａおよび３０ｂによって、ＹＩＧｉ膜１２に印加
される磁界の大きさを変えることができ、それをたとえ
ば静磁波フィル夕として使用する場合に使用する周波数
帯域を変えることができる。
なお、上述の各実施例では、永久磁石が蒸着することに
よって形成されているが、この発明では、永久磁石は、
蒸着以外の乾式メッキ法たとえばスパッタリングやイオ
ンブレーティングなどによって形成されてもよい。そし
て、この場合も、静磁波装置は、従来例に比べて、その
生産性がよくなりかつ小型にできる。
よって形成されているが、この発明では、永久磁石は、
蒸着以外の乾式メッキ法たとえばスパッタリングやイオ
ンブレーティングなどによって形成されてもよい。そし
て、この場合も、静磁波装置は、従来例に比べて、その
生産性がよくなりかつ小型にできる。
第１Ａ図および第１Ｂ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第１Ａ図はその平面図であり、第１Ｂ図は
第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図である。 第２図および第３Ａ図ないし第３Ｂ図は、それぞれ、第
１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例の製造工程を示し、
第２図は永久磁石を蒸着する前の状態を示す斜視図であ
り、第３Ａ図は永久磁石を蒸着した後の状態を示す平面
図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図のｍＢ−ｍＢにおける断
面図である。 第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、第１Ａ図および
第１Ｂ図に示す実施例の変形例を示し、第４Ａ図はその
要部平面図であり、第４Ｂ図は第４Ａ図のＩＶＢ−ＩＶ
Ｂにおける断面図である。 第５Ａ図および第５Ｂ図は、それぞれ、第１Ａ図および
第１Ｂ図に示す実施例の他の変形例を示し、第５Ａ図は
その要部平面図であり、第５Ｂ図はその要部正面図であ
る。 第６Ａ図および第６Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第６Ａ図はその要部平面図であり、第６
Ｂ図はその要部正面図である。 第７図はこの発明のさらに他の実施例を示す要部平面図
である。 第８図はこの発明の別の実施例を示す図解図である。 第９図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。 図において、１０は静磁波装置、１２はＹＩＧ薄膜、１
４はＧＧＧ基板、１６は入力アンテナ、１８は出力アン
テナ、２２，２２ａおよび２２ｂは永久磁石を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１Ａ図 Ｑ 田 Ｎ Ｎｉ
施例を示し、第１Ａ図はその平面図であり、第１Ｂ図は
第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図である。 第２図および第３Ａ図ないし第３Ｂ図は、それぞれ、第
１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例の製造工程を示し、
第２図は永久磁石を蒸着する前の状態を示す斜視図であ
り、第３Ａ図は永久磁石を蒸着した後の状態を示す平面
図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図のｍＢ−ｍＢにおける断
面図である。 第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、第１Ａ図および
第１Ｂ図に示す実施例の変形例を示し、第４Ａ図はその
要部平面図であり、第４Ｂ図は第４Ａ図のＩＶＢ−ＩＶ
Ｂにおける断面図である。 第５Ａ図および第５Ｂ図は、それぞれ、第１Ａ図および
第１Ｂ図に示す実施例の他の変形例を示し、第５Ａ図は
その要部平面図であり、第５Ｂ図はその要部正面図であ
る。 第６Ａ図および第６Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第６Ａ図はその要部平面図であり、第６
Ｂ図はその要部正面図である。 第７図はこの発明のさらに他の実施例を示す要部平面図
である。 第８図はこの発明の別の実施例を示す図解図である。 第９図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。 図において、１０は静磁波装置、１２はＹＩＧ薄膜、１
４はＧＧＧ基板、１６は入力アンテナ、１８は出力アン
テナ、２２，２２ａおよび２２ｂは永久磁石を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１Ａ図 Ｑ 田 Ｎ Ｎｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＹＩＧ薄膜、および 前記ＹＩＧ薄膜に乾式メッキ法で形成され前記ＹＩＧ薄
膜に磁界を印加するための磁石を含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP640589A JPH02186801A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP640589A JPH02186801A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186801A true JPH02186801A (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=11637460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP640589A Pending JPH02186801A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02186801A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839009A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 永久磁石膜パタ−ンの形成方法 |
| JPS61194635A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 薄膜永久磁石 |
| JPS62224101A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波フイルタバンク |
| JPS63275201A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP640589A patent/JPH02186801A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839009A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 永久磁石膜パタ−ンの形成方法 |
| JPS61194635A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 薄膜永久磁石 |
| JPS62224101A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波フイルタバンク |
| JPS63275201A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
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