JPH01318402A - Ｍｓｗチャネライザ - Google Patents
ＭｓｗチャネライザInfo
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- JPH01318402A JPH01318402A JP15260088A JP15260088A JPH01318402A JP H01318402 A JPH01318402 A JP H01318402A JP 15260088 A JP15260088 A JP 15260088A JP 15260088 A JP15260088 A JP 15260088A JP H01318402 A JPH01318402 A JP H01318402A
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- antenna
- channelizer
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- msw
- antennas
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Links
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 16
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- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＭＳＷチャネライザに関し、特に複数の周波
数の信号を合成または分波するためのＭＳＷチャネライ
ザに関する。
数の信号を合成または分波するためのＭＳＷチャネライ
ザに関する。
（従来技術）
第７図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷチャネライ
ザの一例を示す図解図である。このＭＳＷチャネライザ
ｌは複数のＹＩＧ薄膜２を含む。
ザの一例を示す図解図である。このＭＳＷチャネライザ
ｌは複数のＹＩＧ薄膜２を含む。
これらのＹＩＧ薄膜２の一端には、各ＹＩＧ薄膜２に共
通の第１のアンテナ３が形成される。これらのＹＩＣＢ
３４膜２は、第１のアンテナ３の両側に交互に配置され
る。さらに、それぞれのＹＩＧ薄膜２の他端には、第２
のアンテナ４が形成される。
通の第１のアンテナ３が形成される。これらのＹＩＣＢ
３４膜２は、第１のアンテナ３の両側に交互に配置され
る。さらに、それぞれのＹＩＧ薄膜２の他端には、第２
のアンテナ４が形成される。
これらのＹＩＧ薄膜２上には、磁石（図示せず）が配置
される。この磁石によって、Ｙ Ｉ ｃ、’ＲＲ２Ｏ面
と垂直方向に磁界が印加される。これらの複数のＹＩＧ
薄膜２には、それぞれ異なる強さの磁界が印加される。
される。この磁石によって、Ｙ Ｉ ｃ、’ＲＲ２Ｏ面
と垂直方向に磁界が印加される。これらの複数のＹＩＧ
薄膜２には、それぞれ異なる強さの磁界が印加される。
こうすることによって、各ＹＩＧ薄膜２には異なった周
波数の静磁波（ＭＳＷ）が伝播する。したがって、第１
のアンテナ３にマイクロ波などの入力信号を供給すると
、それぞれの第２のアンテナ４から異なった周波数の出
力信号を得ることができる。つまり、各ＹＩＧ薄膜２に
異なる強さの磁界を印加することによって、複数チャン
ネルのフィルタが形成される。
波数の静磁波（ＭＳＷ）が伝播する。したがって、第１
のアンテナ３にマイクロ波などの入力信号を供給すると
、それぞれの第２のアンテナ４から異なった周波数の出
力信号を得ることができる。つまり、各ＹＩＧ薄膜２に
異なる強さの磁界を印加することによって、複数チャン
ネルのフィルタが形成される。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
しかしながら、従来のＭＳＷチャネライザでは、それぞ
れのＹＩＧ薄膜を近づけても、第８図に示すように、Ｙ
ＩＧＩ膜間に隙間が生じてしまう。
れのＹＩＧ薄膜を近づけても、第８図に示すように、Ｙ
ＩＧＩ膜間に隙間が生じてしまう。
そのため、ＭＳＷチャネライザを小型化することができ
ない。さらに、これらのＹＩＧ薄膜は個別に形成される
ため、このようなＭＳＷチャネライザの生産性が悪い。
ない。さらに、これらのＹＩＧ薄膜は個別に形成される
ため、このようなＭＳＷチャネライザの生産性が悪い。
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化すること
ができ、かつその生産性のよい、ＭＳＷチャネライザを
提供することである。
ができ、かつその生産性のよい、ＭＳＷチャネライザを
提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＹＩＧ薄膜と、ＹＩＧ薄膜の表面に形成さ
れる第１のアンテナと、ＹＩＧ薄膜の表面に第１のアン
テナと相互に間隔を隔てて形成される複数の第２のアン
テナと、ＹＩＧｉｌ膜に磁界を印加するための磁石とを
含むＭＳＷチャネライザであって、第１のアンテナとそ
れぞれの第２のアンテナとの間のｙ ｒ ＧＴＲ膜に異
なった強さの磁界が印加される、ＭＳＷチャネライザで
ある。
れる第１のアンテナと、ＹＩＧ薄膜の表面に第１のアン
テナと相互に間隔を隔てて形成される複数の第２のアン
テナと、ＹＩＧｉｌ膜に磁界を印加するための磁石とを
含むＭＳＷチャネライザであって、第１のアンテナとそ
れぞれの第２のアンテナとの間のｙ ｒ ＧＴＲ膜に異
なった強さの磁界が印加される、ＭＳＷチャネライザで
ある。
（作用）
第１のアンテナと複数の第２のアンテナとの間のＹＩＧ
薄膜に異なる強さの磁界が印加されることによって、１
つのＹＩＧ薄膜上に異なる通過周波数帯域を有する複数
のフィルタが形成される。
薄膜に異なる強さの磁界が印加されることによって、１
つのＹＩＧ薄膜上に異なる通過周波数帯域を有する複数
のフィルタが形成される。
（発明の効果）
この発明によれば、１つのＹＩＧ薄膜上に複数のフィル
タが形成されるため、ＭＳＷチャネライザを小型化する
ことができる。さらに、複数のＹｉｃ薄膜を個別に作製
する必要がなく、その生産性が向上する。
タが形成されるため、ＭＳＷチャネライザを小型化する
ことができる。さらに、複数のＹｉｃ薄膜を個別に作製
する必要がなく、その生産性が向上する。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。この
ＭＳＷチャネライザＩＯはＹＩＧ基板１２を含む。ＹＩ
Ｇ基板１２は、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ （イツ
トリウム、アイアン、ガーネット）薄膜１４を含む。こ
のＹＩＧＩ膜１４は、台としてのＧＧＧ （ガドリニウ
ム、ガリウム、ガーネット）基板１６の一方主面上の全
面に形成される。
ＭＳＷチャネライザＩＯはＹＩＧ基板１２を含む。ＹＩ
Ｇ基板１２は、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ （イツ
トリウム、アイアン、ガーネット）薄膜１４を含む。こ
のＹＩＧＩ膜１４は、台としてのＧＧＧ （ガドリニウ
ム、ガリウム、ガーネット）基板１６の一方主面上の全
面に形成される。
ＹＩＧ薄膜１４の中央には、一端から他端に向かって第
１のアンテナ１Ｂが形成される。さらに、ＹＩＧｆ！膜
１４の膜端４には、それぞれ３個の第２のアンテナ２０
が形成される。これらの第２のアンテナ２０は、それぞ
れ第１のアンテナ１８と対向するように形成される。こ
れらの第１のアンテナ１８および第２のアンテナ２０は
、ＹＩＧ薄膜１４上にたとえば電極材料を印刷すること
によって形成される。さらに、ＹＩＧ薄膜１４上には、
磁石２２が配置される。
１のアンテナ１Ｂが形成される。さらに、ＹＩＧｆ！膜
１４の膜端４には、それぞれ３個の第２のアンテナ２０
が形成される。これらの第２のアンテナ２０は、それぞ
れ第１のアンテナ１８と対向するように形成される。こ
れらの第１のアンテナ１８および第２のアンテナ２０は
、ＹＩＧ薄膜１４上にたとえば電極材料を印刷すること
によって形成される。さらに、ＹＩＧ薄膜１４上には、
磁石２２が配置される。
この磁石２２の下面は、たとえば第２図に示すように、
階段状に形成される。この磁石２２は、その中央部を境
として、その−入側においては一端から他端に向かうに
従って薄くなるように階段状に形成され、さらに他方側
においては他端から一端に向かうに従って薄くなるよう
に階段状に形成される。このような磁石２２をＹＩＧ薄
膜１４上に配置することによって、ＹＩＧ薄膜１４の第
１のアンテナ１８とそれぞれの第２のアンテナ２０間に
異なった強さの磁界が印加される。
階段状に形成される。この磁石２２は、その中央部を境
として、その−入側においては一端から他端に向かうに
従って薄くなるように階段状に形成され、さらに他方側
においては他端から一端に向かうに従って薄くなるよう
に階段状に形成される。このような磁石２２をＹＩＧ薄
膜１４上に配置することによって、ＹＩＧ薄膜１４の第
１のアンテナ１８とそれぞれの第２のアンテナ２０間に
異なった強さの磁界が印加される。
このＭＳＷチャネライザ１０を使用する場合、第１のア
ンテナ１８および第２のアンテナ２０の一端が接地され
る。そして、第１のアンテナ１８の他端から、たとえば
マイクロ波などの入力信号が供給される。この入力信号
によって、ｙＩＧＦｔ膜１４には、第１のアンテナ１８
からそれぞれの第２のアンテナ２０に向かって静磁波（
ＭＳＷ）が伝播する。このとき、ＹＩＧ薄膜１４の第１
のアンテナ１８とそれぞれの第２のアンテナ２０間には
異なる強さの磁界が印加されているため、第１のアンテ
ナ１８からそれぞれの第２のアンテナ２０に向かって異
なった周波数の静磁波が伝播する。したがって、それぞ
れの第２のアンテナ２０からは、異なった周波数の出力
信号が得られる。
ンテナ１８および第２のアンテナ２０の一端が接地され
る。そして、第１のアンテナ１８の他端から、たとえば
マイクロ波などの入力信号が供給される。この入力信号
によって、ｙＩＧＦｔ膜１４には、第１のアンテナ１８
からそれぞれの第２のアンテナ２０に向かって静磁波（
ＭＳＷ）が伝播する。このとき、ＹＩＧ薄膜１４の第１
のアンテナ１８とそれぞれの第２のアンテナ２０間には
異なる強さの磁界が印加されているため、第１のアンテ
ナ１８からそれぞれの第２のアンテナ２０に向かって異
なった周波数の静磁波が伝播する。したがって、それぞ
れの第２のアンテナ２０からは、異なった周波数の出力
信号が得られる。
このようにして、第１のアンテナ１８に供給された人力
信号は、異なった周波数の信号に分波されてそれぞれの
第２のアンテナ２０から出力される。
信号は、異なった周波数の信号に分波されてそれぞれの
第２のアンテナ２０から出力される。
つまり、このＭＳＷチャネライザ１０では、１つのＹＩ
Ｇ薄膜１４ｈに複数のフィルタが形成された状態になる
。
Ｇ薄膜１４ｈに複数のフィルタが形成された状態になる
。
このようなＭＳＷチャネライザ１０では、１つのＹＩＧ
薄膜１４上に複数のフィルタが形成された状態であるた
め、各フィルタ間に隙間が生じたすせず、ＭＳＷチャネ
ライザ１０を小型化することができる。さらに、このＭ
ＳＷチャネライザ１０では、複数のＹＩＧ薄膜を形成す
る必要がなく、その生産性を向上することができる。
薄膜１４上に複数のフィルタが形成された状態であるた
め、各フィルタ間に隙間が生じたすせず、ＭＳＷチャネ
ライザ１０を小型化することができる。さらに、このＭ
ＳＷチャネライザ１０では、複数のＹＩＧ薄膜を形成す
る必要がなく、その生産性を向上することができる。
なお、上述の実施例では、第１のアンテナ１８を入力端
とし、第２のアンテナ２０を出力端として用いたが、第
２のアンテナ２０を入力端とし、第１のアンテナ１８を
出力端として用いれば、異なる周波数の信号を合成する
ことができる。
とし、第２のアンテナ２０を出力端として用いたが、第
２のアンテナ２０を入力端とし、第１のアンテナ１８を
出力端として用いれば、異なる周波数の信号を合成する
ことができる。
また、第１図実施例では、第２のアンテナ２０を６個形
成することによって６チヤンネルのＭＳＷチャネライザ
としているが、第２のアンテナ２０の数は任意に変更可
能である。このＭＳＷチャネライザ１０では、１立方イ
ンチ当たり５０個以上のチャンネルフィルタを形成する
ことができる。
成することによって６チヤンネルのＭＳＷチャネライザ
としているが、第２のアンテナ２０の数は任意に変更可
能である。このＭＳＷチャネライザ１０では、１立方イ
ンチ当たり５０個以上のチャンネルフィルタを形成する
ことができる。
また、上述の実施例では、ＹＩＧ薄膜１４上に第１のア
ンテナ１８および第２のアンテナ２０を形成したが、第
３図に示すように、誘電体基板２４の上面に第１のアン
テナ１８および第２のアンテナ２０を形成し、これらの
アンテナの上にＹＩＧａ膜（図示せず）を形成してもよ
い。さらに、誘電体基板２４の下面に第１のアンテナ１
Ｂおよび第２のアンテナ２０を形成し、これらのアンテ
ナの下面にＹＩＧ薄膜を形成してもよい。
ンテナ１８および第２のアンテナ２０を形成したが、第
３図に示すように、誘電体基板２４の上面に第１のアン
テナ１８および第２のアンテナ２０を形成し、これらの
アンテナの上にＹＩＧａ膜（図示せず）を形成してもよ
い。さらに、誘電体基板２４の下面に第１のアンテナ１
Ｂおよび第２のアンテナ２０を形成し、これらのアンテ
ナの下面にＹＩＧ薄膜を形成してもよい。
さらに、磁石２２は、第４図に示すように、中央部を境
としてその両側で一端から他端に向かって薄くなるよう
に階段状に形成してもよい。また、磁石１８は、第５図
に示すように、中央部を境としてその両側で逆方向の傾
斜を有するテーパ状に形成してもよいし、第６図に示す
ように、同し方向の傾斜を有するテーパ状に形成しても
よい。さらに、このような形状の磁芯を用いた電磁石を
形成すれば、ｙ＋ｃ薄膜に印加する磁界の強さを変える
ことができる。したがって、このような電磁石を用いれ
ば、ＹＩＧ薄膜上に形成されるフィルタの通過周波数帯
域を変えることができる。
としてその両側で一端から他端に向かって薄くなるよう
に階段状に形成してもよい。また、磁石１８は、第５図
に示すように、中央部を境としてその両側で逆方向の傾
斜を有するテーパ状に形成してもよいし、第６図に示す
ように、同し方向の傾斜を有するテーパ状に形成しても
よい。さらに、このような形状の磁芯を用いた電磁石を
形成すれば、ｙ＋ｃ薄膜に印加する磁界の強さを変える
ことができる。したがって、このような電磁石を用いれ
ば、ＹＩＧ薄膜上に形成されるフィルタの通過周波数帯
域を変えることができる。
また、上述の実施例では、第１のアンテナ１８および第
２のアンテナ２０を印刷によって形成したが、これらの
アンテナは真空蒸着やフォトエツチングによって形成し
てもよい。
２のアンテナ２０を印刷によって形成したが、これらの
アンテナは真空蒸着やフォトエツチングによって形成し
てもよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図実施例に用いられる磁石の一例を示す斜
視図である。 第３図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
ＹＩＧ基板の他の例を示す平面図である。 第４図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
磁石の変形例を示す斜視図である。 第５図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
磁石の他の変形例を示す斜視図である。 第６図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
磁石の別の変形例を示す斜視図である。 第７図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷチャネライ
ザの一例を示す平面図である。 第８図は第７図に示す従来のＭＳＷチャネライザの変形
例を示す平面図である。 図において、１０はＭＳＷチャネライザ、１４はＹＩＧ
薄膜、１８は第１のアンテナ、２０は第２のアンテナ、
２２は磁石を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１図 １０ 第３図 第４図 η 第５図 第６図 ７大１． １〜、 ；゛＼１、 〜、 〜、 第７図 第８図
視図である。 第３図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
ＹＩＧ基板の他の例を示す平面図である。 第４図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
磁石の変形例を示す斜視図である。 第５図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
磁石の他の変形例を示す斜視図である。 第６図は第１図に示すＭＳＷチャネライザに用いられる
磁石の別の変形例を示す斜視図である。 第７図はこの発明の背景となる従来のＭＳＷチャネライ
ザの一例を示す平面図である。 第８図は第７図に示す従来のＭＳＷチャネライザの変形
例を示す平面図である。 図において、１０はＭＳＷチャネライザ、１４はＹＩＧ
薄膜、１８は第１のアンテナ、２０は第２のアンテナ、
２２は磁石を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１図 １０ 第３図 第４図 η 第５図 第６図 ７大１． １〜、 ；゛＼１、 〜、 〜、 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＹＩＧ薄膜、 前記ＹＩＧ薄膜の表面に形成される第１のアンテナ、 前記ＹＩＧ薄膜の表面に前記第１のアンテナと相互に間
隔を隔てて形成される複数の第２のアンテナ、および 前記ＹＩＧ薄膜に磁界を印加するための磁石を含むＭＳ
Ｗチャネライザであって、 前記第１のアンテナとそれぞれの前記第２のアンテナと
の間の前記ＹＩＧ薄膜に異なった強さの磁界が印加され
る、ＭＳＷチャネライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15260088A JPH01318402A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Ｍｓｗチャネライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15260088A JPH01318402A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Ｍｓｗチャネライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318402A true JPH01318402A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15543961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15260088A Pending JPH01318402A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | Ｍｓｗチャネライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01318402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472702U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-26 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105514A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 弾性表面波フイルタバンク |
| JPS62224101A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波フイルタバンク |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15260088A patent/JPH01318402A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105514A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 弾性表面波フイルタバンク |
| JPS62224101A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波フイルタバンク |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472702U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-26 |
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