JPH0310414A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH0310414A JPH0310414A JP14467189A JP14467189A JPH0310414A JP H0310414 A JPH0310414 A JP H0310414A JP 14467189 A JP14467189 A JP 14467189A JP 14467189 A JP14467189 A JP 14467189A JP H0310414 A JPH0310414 A JP H0310414A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetostatic wave
- dielectric layer
- wave device
- antenna
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特に、たとえばＹＩＧ（
イツトリウム、アイアン、ガーネッ日薄膜などのフェリ
磁性薄膜とアンテナとの間に誘電体が介在し、スプリア
スが抑圧されかつリップルが低減される、静磁波装置に
関する。
イツトリウム、アイアン、ガーネッ日薄膜などのフェリ
磁性薄膜とアンテナとの間に誘電体が介在し、スプリア
スが抑圧されかつリップルが低減される、静磁波装置に
関する。
（従来技術）
この種の従来の静磁波装置の一例が、米国特許筒４．１
４９，７３７号明細書に開示されている。
４９，７３７号明細書に開示されている。
第５図はこのような従来の静磁波装置の一例を示す要部
断面図である。この静磁波装置１では、ＧＧＧ基板２の
一方主面上のＹＩＧ薄膜３と絶縁体基板４の一方主面上
のアンテナ５との間に、誘電体スペーサ６が設けられて
いる。
断面図である。この静磁波装置１では、ＧＧＧ基板２の
一方主面上のＹＩＧ薄膜３と絶縁体基板４の一方主面上
のアンテナ５との間に、誘電体スペーサ６が設けられて
いる。
この静磁波装置ｌでは、ＹＩＧ薄膜３とアンテナ５との
間に誘電体スペーサ６（誘電体）が介在するため、その
ような誘電体のない静磁波装置に比べて、スプリアスが
抑圧されかつリップルが低減される。
間に誘電体スペーサ６（誘電体）が介在するため、その
ような誘電体のない静磁波装置に比べて、スプリアスが
抑圧されかつリップルが低減される。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、この従来例では、誘電体スペーサを形成する
際に誘電体をＹＩＧ薄膜の大きさに合わせてカットした
り所望の厚さに研磨したりしなければならないので、そ
の生産性が悪い。
際に誘電体をＹＩＧ薄膜の大きさに合わせてカットした
り所望の厚さに研磨したりしなければならないので、そ
の生産性が悪い。
しかも、この従来例では、アンテナを形成する際にそれ
を支持するための絶縁体基板が必要であるため、その構
造が複雑である。
を支持するための絶縁体基板が必要であるため、その構
造が複雑である。
それゆえに、この発明の主たる目的は、スプリアスが抑
圧されかつリップルが低減されしかも生産性がよく構造
が簡単である、静磁波装置を提供することである。
圧されかつリップルが低減されしかも生産性がよく構造
が簡単である、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、フェリ磁性薄膜と、フェリ磁性薄膜の一方
主面に誘電体を蒸着することによって形成される誘電体
層と、誘電体層の表面に形成されるアンテナとを含む、
静磁波装置である。
主面に誘電体を蒸着することによって形成される誘電体
層と、誘電体層の表面に形成されるアンテナとを含む、
静磁波装置である。
（作用）
フェリ磁性薄膜とアンテナとの間に誘電体層が介在する
ため、それらの間に誘電体のない静磁波装置に比べて、
スプリアスが抑圧されかつリップルが低減される。
ため、それらの間に誘電体のない静磁波装置に比べて、
スプリアスが抑圧されかつリップルが低減される。
誘電体を蒸着することによって誘電体層が形成されるた
め、誘電体をカットしたり研磨したりする手間が要らな
い。
め、誘電体をカットしたり研磨したりする手間が要らな
い。
アンテナが誘電体層の表面に直接形成されるため、アン
テナを支持するための絶縁体基板が不要となり、部品点
数が減る。
テナを支持するための絶縁体基板が不要となり、部品点
数が減る。
（発明の効果）
この発明によれば、スプリアスが抑圧されかつリップル
が低減されしかも生産性がよく構造が簡単である、静磁
波装置が得られる。
が低減されしかも生産性がよく構造が簡単である、静磁
波装置が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。この
静磁波装置１０は、たとえば矩形板状のＧＧＧ基板１２
を含み、このＧＧＧ基板１２の一方主面にはフェリ磁性
薄膜としてのＹＩＧ薄膜１４が形成される。
静磁波装置１０は、たとえば矩形板状のＧＧＧ基板１２
を含み、このＧＧＧ基板１２の一方主面にはフェリ磁性
薄膜としてのＹＩＧ薄膜１４が形成される。
さらに、Ｙ Ｉ Ｇｇ膜１４の一方主面には、誘電体層
１６が形成される。
１６が形成される。
この誘電体層１６の表面には、その長手方向の一端側お
よび他端側でそれを横切るようにして、複数の入力アン
テナ１８ａおよび複数の出力アンテナ１８ｂがそれぞれ
形成される。この場合、それらのアンテナ１８ａおよび
１８ｂは、間隔を隔てて平行に形成される。なお、入力
アンテナおよび出力アンテナは、それぞれ１つずつ形成
されてもよく、その構造を任意に変更してもよい。
よび他端側でそれを横切るようにして、複数の入力アン
テナ１８ａおよび複数の出力アンテナ１８ｂがそれぞれ
形成される。この場合、それらのアンテナ１８ａおよび
１８ｂは、間隔を隔てて平行に形成される。なお、入力
アンテナおよび出力アンテナは、それぞれ１つずつ形成
されてもよく、その構造を任意に変更してもよい。
この静磁波装置１０を製造するためには、第２Ａ図に示
すように、まず、ＧＧＧ基板１２の一方主面に、たとえ
ば液相法などの方法でＹＩＧ単結晶をエピタキシャル成
長させることによって、ＹＩＧ薄膜１４が形成ないし準
備される。
すように、まず、ＧＧＧ基板１２の一方主面に、たとえ
ば液相法などの方法でＹＩＧ単結晶をエピタキシャル成
長させることによって、ＹＩＧ薄膜１４が形成ないし準
備される。
そして、第２Ｂ図に示すように、ＹＩＧ薄膜１４の一方
主面に、たとえばＳ ｊｏｇ 、 Ｓ ｉｚ Ｎａな
どの誘電体を蒸着することによって、誘電体層１６が形
成される。
主面に、たとえばＳ ｊｏｇ 、 Ｓ ｉｚ Ｎａな
どの誘電体を蒸着することによって、誘電体層１６が形
成される。
それから、誘電体層１６の表面に、たとえばＡｇ、Ａｌ
などの導電材料を印刷することによって、人力アンテナ
１８ａおよび１８ｂが形成される。
などの導電材料を印刷することによって、人力アンテナ
１８ａおよび１８ｂが形成される。
なお、これらのアンテナ１８ａおよび１８ｂは、たとえ
ばフォトエツチングなどの方法で誘電体層１６の表面に
直接形成されてもよい。
ばフォトエツチングなどの方法で誘電体層１６の表面に
直接形成されてもよい。
この静磁波袋２１０は、たとえば、ＹＩＧ薄膜１４の主
面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そして、
入力アンテナ１８ａに信号を入力すれば、その入力アン
テナ１８ａから発生する電磁波などによって、体積前進
静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起される。また、この体積前
進静磁波は、出力アンテナ１８ｂ側に伝搬される。それ
から、伝搬された体積前進静磁波は、出力アンテナ１８
ｂで受信され、その出力アンテナ１８ｂから信号として
出力される。
面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そして、
入力アンテナ１８ａに信号を入力すれば、その入力アン
テナ１８ａから発生する電磁波などによって、体積前進
静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起される。また、この体積前
進静磁波は、出力アンテナ１８ｂ側に伝搬される。それ
から、伝搬された体積前進静磁波は、出力アンテナ１８
ｂで受信され、その出力アンテナ１８ｂから信号として
出力される。
この静磁波装置ｌＯの周波数特性を第３図に示す。また
、この静磁波装置１０に比べて誘電体層のない静磁波装
置の周波数特性を第４図に示す。
、この静磁波装置１０に比べて誘電体層のない静磁波装
置の周波数特性を第４図に示す。
第３図および第４図に示す周波数特性から明らかなよう
に、この静磁波装置ｌＯでは、誘電体層のない静磁波装
置に比べて、スプリアスが抑圧される。このようにスプ
リアスが抑圧されるのは、ＹＩＧ薄１１１４とアンテナ
１８ａおよび１８ｂとの間に誘電体層１６が介在するた
めである。
に、この静磁波装置ｌＯでは、誘電体層のない静磁波装
置に比べて、スプリアスが抑圧される。このようにスプ
リアスが抑圧されるのは、ＹＩＧ薄１１１４とアンテナ
１８ａおよび１８ｂとの間に誘電体層１６が介在するた
めである。
また、この静磁波装置１０では、誘電体層のない静磁波
装置に比べて、リップルが低減される。
装置に比べて、リップルが低減される。
これは、誘電体層１６によって、出力アンテナ１８ｂか
らの反射波が減少するからである。
らの反射波が減少するからである。
さらに、この静磁波装置１０では、ＹＩＧ薄膜１４の一
方主面に誘電体を蒸着することによって誘電体層１６が
形成されるため、誘電体をカットしたり研磨したりする
手間が省け、そのため、その生産性がよい。
方主面に誘電体を蒸着することによって誘電体層１６が
形成されるため、誘電体をカットしたり研磨したりする
手間が省け、そのため、その生産性がよい。
また、この静磁波装置１０では、誘電体層１６の表面に
アンテナ１８ａおよび１８ｂが直接形成されるので、ア
ンテナを支持するための絶縁体基板が不要となり、その
構造が簡単になる。
アンテナ１８ａおよび１８ｂが直接形成されるので、ア
ンテナを支持するための絶縁体基板が不要となり、その
構造が簡単になる。
なお、静磁波装置１０には、ＹＩＧ薄膜１４に対して平
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印
加してもよい、この場合、ＹＩＧ薄膜１４上には、表面
静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、ＹＩＧ薄
膜１４に対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して平
行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄
膜１４上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬さ
れる。このように、静磁波装置１０に印加する磁界の方
向を任意に変更してもよい。
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印
加してもよい、この場合、ＹＩＧ薄膜１４上には、表面
静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、ＹＩＧ薄
膜１４に対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して平
行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄
膜１４上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬さ
れる。このように、静磁波装置１０に印加する磁界の方
向を任意に変更してもよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。
第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、第１図に示す静
磁波装置の製造工程を示す図解図である。 第３図は第１図に示す静磁波装置の周波数特性を示すグ
ラフであり、横軸に周波数を示し、縦軸に挿入損失を示
す。 第４図は誘電体層のない静磁波装置の周波数特性を示す
グラフであり、横軸に周波数を示し、縦軸に挿入損失を
示す。 第５図は従来の静磁波装置の一例を示す要部断面図ある
。 図において、ｌＯは静磁波装置、１４はＹＩＧ薄膜、１
６は誘電体層、１８ａは入力アンテナ、１８ｂは出力ア
ンテナを示す。
磁波装置の製造工程を示す図解図である。 第３図は第１図に示す静磁波装置の周波数特性を示すグ
ラフであり、横軸に周波数を示し、縦軸に挿入損失を示
す。 第４図は誘電体層のない静磁波装置の周波数特性を示す
グラフであり、横軸に周波数を示し、縦軸に挿入損失を
示す。 第５図は従来の静磁波装置の一例を示す要部断面図ある
。 図において、ｌＯは静磁波装置、１４はＹＩＧ薄膜、１
６は誘電体層、１８ａは入力アンテナ、１８ｂは出力ア
ンテナを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フェリ磁性薄膜、 前記フェリ磁性薄膜の一方主面に誘電体を蒸着すること
によって形成される誘電体層、および前記誘電体層の表
面に形成されるアンテナを含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14467189A JPH0310414A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14467189A JPH0310414A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310414A true JPH0310414A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15367531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14467189A Pending JPH0310414A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05199015A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-08-06 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130602A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | フエリ磁性体薄膜共振器 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP14467189A patent/JPH0310414A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130602A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | フエリ磁性体薄膜共振器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05199015A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-08-06 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波素子 |
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