JPH03154501A - 静磁波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は静磁波装置に関し、特に、たとえばＹＩＧｉ
膜などのフェリ磁性基体を有し、たとえばフィルタとし
て用いられる静磁波装置に関する。

（従来技術） 第６図は従来の静磁波装置の一例を示す要部回解図であ
る。この静磁波装置ｌでは、ＧＧＧ基板２上のＹＩＧ薄
膜３上に、入出力アンテナ４ａおよび４ｂが間隔を隔て
て設けられ、それらのアンテナ４ａおよび４ｂ間にたと
えば円板状の３つの導体５が形成されている。

この静磁波装置工では、導体５によって、高次モードが
抑圧されリップルが低減される。

（発明が解決しようとする課題） ところが、第６図に示す静磁波装置では、その通過帯域
幅が狭い。

それゆえに、この発明の主たる目的は、高次モードが抑
圧されてリップルが小さく、かつ通過帯域幅が広い、静
磁波装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） この発明は、フェリ磁性基体と、フェリ磁性基体上に間
隔を隔てて形成されるアンテナと、アンテナ間でフェリ
磁性基体上に形成される複数の導体と、複数の導体上に
形成される誘電体とを含む、静磁波装置である。

（作用） アンテナ間に形成される導体によって、高次モードが抑
圧されてリップルが低減される。

また、誘電体によって、導体間の結合が強められるため
、通過帯域幅が広がる。

（発明の効果） この発明によれば、高次モードが抑圧されてリフプルが
小さく、かつ通過帯域幅が広い、静磁波装置が得られる
。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例） 第１Ａ図はこの発明の一実施例を示す平面図解図であり
、第１Ｂ図はその正面図解図である。

この静磁波装置１０は、たとえば中空直方体状の金属か
らなるケース１２を含む。このケース１２内には、フェ
リ磁性基体としてたとえば短冊状のＹＩＧ薄膜１４が配
置される。このＹＩＧ薄膜１４は、台としてのＧＧＧ基
板１６の一方主面にＹＩＧをたとえば液相エピタキシャ
ル（Ｌ　Ｐ　Ｅ）成長させることによって形成される。

そして、このＧＧＧ基板１６は、ケース１２内底の中央
に固着される。

さらに、Ｙ　ｒ　Ｇｌ膜１４上には、その長手方向の一
端部および他端部を横切るようにして、たとえば平行ス
トリップラインからなる入力アンテナ１８ａおよび出力
アンテナ１８ｂが、それぞれ設けられる。そして、入力
アンテナ１８ａは、その一端がケースＩ２に接地され、
その他端がケース１２の幅方向の一方壁に貫通する入力
用の同軸コネクタ２０ａの中心導体に接続される。また
、出力アンテナ１８ｂは、その一端がケース１２に接地
され、その他端がケース１２の幅方向の他方壁に貫通す
る出力用の同軸コネクタ２０ｂの中心導体に接続される
。

また、ｙ＋Ｇｉ膜１４上には、入力アンテナ１８ａおよ
び出力アンテナ１８ｂ間に、たとえば円板状の３つの導
体２２が形成される。これらの導体２２は、たとえば、
入力アンテナ１８ａおよび出力アンテナ１８ｂとともに
導電材料を印刷することによって同時に形成され得る。

これらの導体２２は、高次モードを抑圧してす・７プル
を低減するためのものである。

さらに、ＹＩＧ薄膜１４の長手方向の中央部上には、こ
れらの導体２２を覆うようにして、たとえばアルミナな
どの誘電体からなるたとえば厚さ０．５ｍｍの誘電体層
２４が形成される。この誘電体層２４は、導体２２間の
結合を強めて通過帯域幅を広げるためのものである。

この静磁波装置ｌＯには、たとえばＹＩＧ薄膜１４の主
面に直交する方向に、直流磁界が印加される。その状態
で、入力用の同軸コネクタ２０ａに信号を入力すれば、
入力アンテナ１８ａから発生する電磁波などによって、
体積１１ｊ進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起される。また
、この体積前進静磁波は、ＹＩＧ薄膜１４上で出力アン
テナ１８ｂ側に伝搬される。そして、その体積前進静磁
波は出力アンテナ１８ｂで受信され、出力用の同軸コネ
クタ２０ｂから信号として出力される。

この静磁波装置１０では、入力アンテナ１８ａおよび出
力アンテナ１８ｂ間でＹＩＧ薄膜１４上に導体２２が形
成されているため、高次モードが抑圧されてリップルが
低減される。

さらに、この静磁波装置ｌＯでは、誘電体層２４によっ
てそれらの導体２２間の結合が強められるため、通過帯
域幅が広がる。すなわち、この静磁波装置１０の周波数
特性を第２図に示し、誘電体層を設けていない第６図に
示す静磁波装置の周波数特性を第７図に示すように、こ
の静磁波装置１０では、誘電体層が設けられていない静
磁波装置と比べて、その通過帯域幅が広がる。

なお、この実施例では、入力アンテナ１８ａおよび出力
アンテナ１８ｂ間において、ケース１２に仕切板２６が
設けられているため、人力アンテナ１８ａから出力アン
テナ１８ｂへの不要な直達波を弱めることができる。

第３図はこの発明の他の実施例を示す要部図解図である
。この静磁波装置１０では、誘電体層２４が、導体２２
を覆うようにして、ＹＴＧｉ膜１４の一方主面全面に形
成されている。そのため、入力アンテナ１８ａおよび出
力アンテナ１８ｂは、その誘電体＠２４上に形成されて
いる。このｎ　ｔｉｌ波装置１０は、ＹＩＧ薄膜１４上
に扉体２２となる導電材料を印刷し、入力アンテナ１８
ａおよび出力アンテナ１８ｂとなる導電材料を誘電体層
２４上に印刷し、その誘電体層２４をＹＩＧ薄膜１４上
に配置することによって形成され得る。

第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す要部図解図
である。この静磁波装置１０では、誘電体層２４が、導
体２２を覆うようにして、ＹＩＧ薄膜１４の長手方向の
中央部上に形成されている。

また、ＹＩＧ薄膜１４の長手方向の両端部上には、それ
ぞれ、別の誘電体層２８ａおよび２８ｂが形成され、こ
れらの別の誘電体層２８ａおよび２８ｂ上に、入力アン
テナ１８ａおよび出力アンテナ１８ｂが、それぞれ形成
されている。この静磁波装置１０は、導体２２上に誘電
体層２４を配置するとともに、別の誘電体層２８ａおよ
び２８ｂ上に入力アンテナ１８ａおよび出力アンテナ１
８ｂとなる導電材料を印刷し、それらの別の誘電体層２
８ａおよび２８ｂをＹＩＧ薄膜１４上に配置することに
よって形成される。

第５図はこの発明の別の実施例を示す要部図解図である
。この実施例では、誘電体層２４が、たとえばドライメ
ツキで導体２２を覆うようにしてＹＴＧ薄膜１４の一方
主面全面に形成されている。

そのため、この実施例では、導体２２の上と入出力アン
テナの下とにある誘電体層を同時に作成できるため、生
産性がよい。そして、この誘電体層２４の長手方向の両
端部上に導電材料を印刷することによって、入力アンテ
ナ１８ａおよび出力アンテナ１８ｂが形成されている。

第３図、第４図および第５図に示す各実施例でも、第１
Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例と同様に、高次モード
が抑圧されてリップルが低減されるとともに通過帯域幅
が広がる。

なお、上述の各実施例では、アンテナとして平行ストリ
ップラインが用いられているが、この発明では、アンテ
ナとして他の形状のラインが用いられてもよい。

また、ＹＩＣ；薄膜１４に印加する直流磁界の方向を、
任意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１４の主
面に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に
磁界を印加してもよい。この場合、ＹｆＧ＠膜１４主１
４上表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、
Ｙ　Ｉ　ＧＷｌ膜１４の主面と平行でかつ静磁波の伝搬
方向と平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、
ＹＩＧ薄膜１４には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が
伝搬される。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図はこの発明の一実施例を示す平面図解図であり
、第１Ｂ図はその正面図解図である。 第２図は第１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例の周波数
特性を示すグラフである。 第３図はこの発明の他の実施例を示す要部図解図である
。 第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す要部図解図
である。 第５図はこの発明の別の実施例を示す要部図解図である
。 第６図は従来の静磁波装置の一例を示す要部図解図であ
る。 第７図は第６図に示す従来例の周波数特性を示すグラフ
である。 図において、１０は静磁波装置、１４はＹＩＧ薄膜、１
８ａは入力アンテナ、１８ｂは出力アンテナ、２２は導
体、２４は誘電体層を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体上に間隔を隔てて形成されるアンテ
   ナ、 前記アンテナ間で前記フェリ磁性基体上に形成される複
   数の導体、および 前記複数の導体上に形成される誘電体を含む、静磁波装
   置。