JPH07170111A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH07170111A JPH07170111A JP5343126A JP34312693A JPH07170111A JP H07170111 A JPH07170111 A JP H07170111A JP 5343126 A JP5343126 A JP 5343126A JP 34312693 A JP34312693 A JP 34312693A JP H07170111 A JPH07170111 A JP H07170111A
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- Japan
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- magnetostatic wave
- wave device
- ferrimagnetic
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2/00—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
- H03H2/001—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00 comprising magnetostatic wave network elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- External Artificial Organs (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で、製造コストの低い静磁波装置を得
る。 【構成】 静磁波装置１０は、誘電体基板１２を含む。
誘電体基板１２の両面にアース電極とストリップライン
電極１６，１８とを形成することによって、トランスデ
ューサとしてのマイクロストリップラインを形成する。
ストリップライン電極１６，１８上に、ＧＧＧ基板上に
ＹＩＧ薄膜を形成したフェリ磁性基体２０を配置する。
フェリ磁性基体２０は、ストリップライン電極１６，１
８部分から外側に向かって傾斜するように形成される。
このフェリ磁性基体２０を、最小長さとなるように設定
する。
る。 【構成】 静磁波装置１０は、誘電体基板１２を含む。
誘電体基板１２の両面にアース電極とストリップライン
電極１６，１８とを形成することによって、トランスデ
ューサとしてのマイクロストリップラインを形成する。
ストリップライン電極１６，１８上に、ＧＧＧ基板上に
ＹＩＧ薄膜を形成したフェリ磁性基体２０を配置する。
フェリ磁性基体２０は、ストリップライン電極１６，１
８部分から外側に向かって傾斜するように形成される。
このフェリ磁性基体２０を、最小長さとなるように設定
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
にたとえば、フィルタなどとして用いられる静磁波装置
に関する。
にたとえば、フィルタなどとして用いられる静磁波装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の静磁波装置の一例を示す図
解図である。静磁波装置１は、誘電体基板２を含む。誘
電体基板２の両面には、図８に示すように、アース電極
３とストリップライン電極４とが形成される。これらの
アース電極３とストリップライン電極４とで、トランス
デューサとしてのマイクロストリップラインが形成され
る。２つのストリップライン電極４の一端は、誘電体基
板２の端面を通ってアース電極３に接続される。そし
て、２つのストリップライン電極４の他端が、それぞれ
入力端および出力端として用いられる。さらに、ストリ
ップライン電極４上には、フェリ磁性基体５が配置され
る。フェリ磁性基体５は、ＧＧＧ（ガドリニウム−ガリ
ウム−ガーネット）基板６上にＹＩＧ（イットリウム−
鉄−ガーネット）薄膜７を形成したものである。そし
て、ＹＩＧ薄膜７がストリップライン電極４側となるよ
うに、フェリ磁性基体５が配置される。
解図である。静磁波装置１は、誘電体基板２を含む。誘
電体基板２の両面には、図８に示すように、アース電極
３とストリップライン電極４とが形成される。これらの
アース電極３とストリップライン電極４とで、トランス
デューサとしてのマイクロストリップラインが形成され
る。２つのストリップライン電極４の一端は、誘電体基
板２の端面を通ってアース電極３に接続される。そし
て、２つのストリップライン電極４の他端が、それぞれ
入力端および出力端として用いられる。さらに、ストリ
ップライン電極４上には、フェリ磁性基体５が配置され
る。フェリ磁性基体５は、ＧＧＧ（ガドリニウム−ガリ
ウム−ガーネット）基板６上にＹＩＧ（イットリウム−
鉄−ガーネット）薄膜７を形成したものである。そし
て、ＹＩＧ薄膜７がストリップライン電極４側となるよ
うに、フェリ磁性基体５が配置される。
【０００３】このような静磁波装置１を使用する場合、
フェリ磁性基体５に磁界が印加され、入力側のストリッ
プライン電極４に信号が与えられる。この入力信号によ
って静磁波が励起され、この静磁波がＹＩＧ薄膜７を伝
播する。そして、伝達された静磁波を受信することによ
って、出力側のストリップライン電極４から出力信号が
得られる。この静磁波フィルタ１では、たとえば図９に
示すような帯域通過特性が得られる。
フェリ磁性基体５に磁界が印加され、入力側のストリッ
プライン電極４に信号が与えられる。この入力信号によ
って静磁波が励起され、この静磁波がＹＩＧ薄膜７を伝
播する。そして、伝達された静磁波を受信することによ
って、出力側のストリップライン電極４から出力信号が
得られる。この静磁波フィルタ１では、たとえば図９に
示すような帯域通過特性が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静磁波装置は大型であり、最近の小型化の要請に応える
ことができない。また、静磁波装置が大型であるため
に、フェリ磁性基体などの材料の使用量が多く、製造コ
ストが高くなってしまう。
静磁波装置は大型であり、最近の小型化の要請に応える
ことができない。また、静磁波装置が大型であるため
に、フェリ磁性基体などの材料の使用量が多く、製造コ
ストが高くなってしまう。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型で、製造コストの低い静磁波装置を提供することであ
る。
型で、製造コストの低い静磁波装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、フェリ磁性
基体と、フェリ磁性基体の主面上に間隔を隔てて形成さ
れる２つのトランスデューサとを含み、トランスデュー
サより外側のフェリ磁性基体部分を短くした、静磁波装
置である。
基体と、フェリ磁性基体の主面上に間隔を隔てて形成さ
れる２つのトランスデューサとを含み、トランスデュー
サより外側のフェリ磁性基体部分を短くした、静磁波装
置である。
【０００７】
【作用】フェリ磁性基体の端部をトランスデューサに対
して傾斜させたり、トランスデューサの外側のフェリ磁
性基体部分に静磁波吸収体を塗布することによって、フ
ェリ磁性基体の端部で反射する静磁波を減衰させること
ができる。このような構造を有していれば、フェリ磁性
基体のトランスデューサより外側の部分を従来より短く
しても、特性の劣化のないことが確認された。
して傾斜させたり、トランスデューサの外側のフェリ磁
性基体部分に静磁波吸収体を塗布することによって、フ
ェリ磁性基体の端部で反射する静磁波を減衰させること
ができる。このような構造を有していれば、フェリ磁性
基体のトランスデューサより外側の部分を従来より短く
しても、特性の劣化のないことが確認された。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、フェリ磁性基体のト
ランスデューサより外側の部分を短くすることができる
ため、静磁波装置を小型化することができる。また、静
磁波装置を小型化することができるため、フェリ磁性基
体などの材料の使用量を少なくすることができ、コスト
ダウンを図ることができる。
ランスデューサより外側の部分を短くすることができる
ため、静磁波装置を小型化することができる。また、静
磁波装置を小型化することができるため、フェリ磁性基
体などの材料の使用量を少なくすることができ、コスト
ダウンを図ることができる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す平面図であ
り、図２はその側面図である。静磁波装置１０は、誘電
体基板１２を含む。誘電体基板１２は、たとえば誘電体
セラミックなどで矩形板状に形成される。誘電体基板１
２の一方主面の全面に、アース電極１４が形成される。
さらに、誘電体基板１２の他方主面上には、２つのスト
リップライン電極１６，１８が形成される。ストリップ
ライン電極１６，１８は、誘電体基板１２の対向する端
部から中央方向へ延び、それぞれ同じ方向に折れ曲がっ
て誘電体基板１２の同じ端部に導かれる。そして、この
端部から誘電体基板１２の端面を通って、ストリップラ
イン電極１６，１８がアース電極１４に接続される。こ
れらのストリップライン電極１６，１８とアース電極１
４とで、トランスデューサとしてのマイクロストリップ
ラインが形成される。
り、図２はその側面図である。静磁波装置１０は、誘電
体基板１２を含む。誘電体基板１２は、たとえば誘電体
セラミックなどで矩形板状に形成される。誘電体基板１
２の一方主面の全面に、アース電極１４が形成される。
さらに、誘電体基板１２の他方主面上には、２つのスト
リップライン電極１６，１８が形成される。ストリップ
ライン電極１６，１８は、誘電体基板１２の対向する端
部から中央方向へ延び、それぞれ同じ方向に折れ曲がっ
て誘電体基板１２の同じ端部に導かれる。そして、この
端部から誘電体基板１２の端面を通って、ストリップラ
イン電極１６，１８がアース電極１４に接続される。こ
れらのストリップライン電極１６，１８とアース電極１
４とで、トランスデューサとしてのマイクロストリップ
ラインが形成される。
【００１１】ストリップライン電極１６，１８上には、
フェリ磁性基体２０が配置される。フェリ磁性基体２０
は、ＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基
板２２を含む。このＧＧＧ基板２２上に、ＹＩＧ（イッ
トリウム−鉄−ガーネット）薄膜２４が形成されてい
る。そして、ストリップライン電極１６，１８側には、
ＹＩＧ薄膜２４側が配置される。フェリ磁性基体２０の
長手方向の両端は、それぞれ傾斜するように形成され
る。ストリップライン電極１６側では、フェリ磁性基体
２０がストリップライン電極１６部分の外側端部から外
側に向かって傾斜するように形成される。同様に、スト
リップライン電極１８側では、フェリ磁性基体２０がス
トリップライン電極１８部分の外側端部から外側に向か
って傾斜するように形成される。
フェリ磁性基体２０が配置される。フェリ磁性基体２０
は、ＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基
板２２を含む。このＧＧＧ基板２２上に、ＹＩＧ（イッ
トリウム−鉄−ガーネット）薄膜２４が形成されてい
る。そして、ストリップライン電極１６，１８側には、
ＹＩＧ薄膜２４側が配置される。フェリ磁性基体２０の
長手方向の両端は、それぞれ傾斜するように形成され
る。ストリップライン電極１６側では、フェリ磁性基体
２０がストリップライン電極１６部分の外側端部から外
側に向かって傾斜するように形成される。同様に、スト
リップライン電極１８側では、フェリ磁性基体２０がス
トリップライン電極１８部分の外側端部から外側に向か
って傾斜するように形成される。
【００１２】さらに、たとえばフェリ磁性基体２０の幅
方向に、直流磁界が印加される。直流磁界は、たとえば
フェリ磁性基体２０の幅方向の両側に永久磁石を配置す
ることによって印加される。この状態で、ストリップラ
イン電極１６に信号が入力されると、ストリップライン
電極１６の周囲に磁界が発生する。この磁界によって静
磁波が発生し、この静磁波が表面静磁波としてＹＩＧ薄
膜２４を伝播する。そして、伝達された表面静磁波が受
信されると、ストリップライン電極１８から出力信号が
得られる。
方向に、直流磁界が印加される。直流磁界は、たとえば
フェリ磁性基体２０の幅方向の両側に永久磁石を配置す
ることによって印加される。この状態で、ストリップラ
イン電極１６に信号が入力されると、ストリップライン
電極１６の周囲に磁界が発生する。この磁界によって静
磁波が発生し、この静磁波が表面静磁波としてＹＩＧ薄
膜２４を伝播する。そして、伝達された表面静磁波が受
信されると、ストリップライン電極１８から出力信号が
得られる。
【００１３】この静磁波装置１０では、フェリ磁性基体
２０の端部に傾斜が形成されていることにより、フェリ
磁性基体２０の端部で反射した静磁波が減衰する。した
がって、反射波による静磁波装置１０の特性の劣化を防
ぐことができる。この静磁波装置１０では、フェリ磁性
基体２０はストリップライン電極１６，１８部分から外
側に向かって傾斜しているが、従来のようにストリップ
ライン電極の外側に大きい余裕をとっていた静磁波装置
に比べても、特性の劣化が少ないことがわかった。図１
に示す静磁波装置１０の帯域通過特性を図３に示す。図
３と図９とを比較しても、ほぼ同等の帯域通過特性を得
ていることがわかる。
２０の端部に傾斜が形成されていることにより、フェリ
磁性基体２０の端部で反射した静磁波が減衰する。した
がって、反射波による静磁波装置１０の特性の劣化を防
ぐことができる。この静磁波装置１０では、フェリ磁性
基体２０はストリップライン電極１６，１８部分から外
側に向かって傾斜しているが、従来のようにストリップ
ライン電極の外側に大きい余裕をとっていた静磁波装置
に比べても、特性の劣化が少ないことがわかった。図１
に示す静磁波装置１０の帯域通過特性を図３に示す。図
３と図９とを比較しても、ほぼ同等の帯域通過特性を得
ていることがわかる。
【００１４】また、図４および図５に示すように、フェ
リ磁性基体２０の端部に傾斜を設けずに、静磁波吸収体
２６を塗布してもよい。このような静磁波装置１０にお
いても、フェリ磁性基体２０の端部で反射した静磁波を
減衰させることができ、良好な周波数特性を得ることが
できる。また、ストリップライン電極１６，１８の外側
のフェリ磁性基体２０部分は、従来の静磁波装置に比べ
て短くすることができる。なお、フェリ磁性基体２０の
長さは、図６に示すように、ストリップライン電極１
６，１８の外側間の距離Ｌと反射波を防ぐ部分の長さｋ
との合計であるが、長さｋは最低１ｍｍ必要であること
がわかった。したがって、フェリ磁性基体２０の最小長
さは、Ｌ＋２（ｍｍ）である。
リ磁性基体２０の端部に傾斜を設けずに、静磁波吸収体
２６を塗布してもよい。このような静磁波装置１０にお
いても、フェリ磁性基体２０の端部で反射した静磁波を
減衰させることができ、良好な周波数特性を得ることが
できる。また、ストリップライン電極１６，１８の外側
のフェリ磁性基体２０部分は、従来の静磁波装置に比べ
て短くすることができる。なお、フェリ磁性基体２０の
長さは、図６に示すように、ストリップライン電極１
６，１８の外側間の距離Ｌと反射波を防ぐ部分の長さｋ
との合計であるが、長さｋは最低１ｍｍ必要であること
がわかった。したがって、フェリ磁性基体２０の最小長
さは、Ｌ＋２（ｍｍ）である。
【００１５】このように、この発明によれば、フェリ磁
性基体２０の長さを必要最小限にしているため、静磁波
装置１０を小型化することができる。さらに、静磁波装
置１０を小型化できるため、フェリ磁性基体２０などの
材料の使用量を最小限に抑えることができ、コストダウ
ンを図ることができる。
性基体２０の長さを必要最小限にしているため、静磁波
装置１０を小型化することができる。さらに、静磁波装
置１０を小型化できるため、フェリ磁性基体２０などの
材料の使用量を最小限に抑えることができ、コストダウ
ンを図ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１に示す静磁波装置の側面図である。
【図３】図１に示す静磁波装置の帯域通過特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】この発明の他の実施例を示す平面図である。
【図５】図４に示す静磁波装置の側面図である。
【図６】この発明の静磁波装置に用いられるフェリ磁性
基体の長さを説明するための図解図である。
基体の長さを説明するための図解図である。
【図７】従来の静磁波装置の一例を示す平面図である。
【図８】図７に示す従来の静磁波装置の側面図である。
【図９】図７に示す従来の静磁波装置の帯域通過特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ 静磁波装置 １２ 誘電体基板 １４ アース電極 １６ ストリップライン電極 １８ ストリップライン電極 ２０ フェリ磁性基体 ２２ ＧＧＧ基板 ２４ ＹＩＧ薄膜 ２６ 静磁波吸収体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市 口 真 一 郎 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 フェリ磁性基体、および前記フェリ磁性
基体の主面上に間隔を隔てて形成される２つのトランス
デューサを含み、 前記トランスデューサより外側の前記フェリ磁性基体部
分を短くした、静磁波装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343126A JPH07170111A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 静磁波装置 |
| DE69426688T DE69426688T2 (de) | 1993-12-14 | 1994-12-07 | Vorrichtung mit magnetostatischen Wellen |
| EP94119347A EP0658978B1 (en) | 1993-12-14 | 1994-12-07 | Magnetostatic wave device |
| US08/352,260 US5663698A (en) | 1993-12-14 | 1994-12-08 | Magnetostatic wave device having slanted end portions |
| KR1019940033578A KR100331047B1 (ko) | 1993-12-14 | 1994-12-10 | 정자파장치 |
| TW083111615A TW270258B (ja) | 1993-12-14 | 1994-12-13 | |
| CN94119311A CN1038627C (zh) | 1993-12-14 | 1994-12-13 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343126A JPH07170111A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170111A true JPH07170111A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18359125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5343126A Pending JPH07170111A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 静磁波装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5663698A (ja) |
| EP (1) | EP0658978B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07170111A (ja) |
| KR (1) | KR100331047B1 (ja) |
| CN (1) | CN1038627C (ja) |
| DE (1) | DE69426688T2 (ja) |
| TW (1) | TW270258B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19532780A1 (de) * | 1995-09-06 | 1997-03-13 | Pates Tech Patentverwertung | Dielektrischer Wellenleiter |
| KR100329369B1 (ko) | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
| KR100396922B1 (ko) | 2000-12-19 | 2003-09-02 | 한국전자통신연구원 | 정자파 필터 |
| CN107190321A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-22 | 电子科技大学 | 非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途 |
| US11349185B1 (en) * | 2019-05-10 | 2022-05-31 | Metamagnetics, Inc. | FSL having a free standing YIG film |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2458901A1 (fr) * | 1979-06-06 | 1981-01-02 | Thomson Csf | Dispositif a ondes magnetostatiques comportant des moyens attenuateurs et son procede de fabrication |
| US4675682A (en) * | 1984-10-18 | 1987-06-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Magnetostatic delay line with improved delay linearity |
| JPS63132503A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-06-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 静磁気波アイソレーター |
| JPH0224404A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-26 | Yoshio Yamashita | 路上標識保持装置 |
| US5017895A (en) * | 1989-09-11 | 1991-05-21 | Westinghouse Electric Corp. | Magnetostatic wave (MSW) filter with sharp upper cut-off frequency and channelizer formed therefrom |
| JP2636580B2 (ja) * | 1991-07-29 | 1997-07-30 | 株式会社村田製作所 | 静磁波装置 |
| JPH06196904A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Fujitsu General Ltd | 静磁波フィルタ |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP5343126A patent/JPH07170111A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-07 DE DE69426688T patent/DE69426688T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-07 EP EP94119347A patent/EP0658978B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-08 US US08/352,260 patent/US5663698A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-10 KR KR1019940033578A patent/KR100331047B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-12-13 CN CN94119311A patent/CN1038627C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-13 TW TW083111615A patent/TW270258B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0658978A1 (en) | 1995-06-21 |
| DE69426688T2 (de) | 2001-06-28 |
| EP0658978B1 (en) | 2001-02-14 |
| CN1110009A (zh) | 1995-10-11 |
| TW270258B (ja) | 1996-02-11 |
| US5663698A (en) | 1997-09-02 |
| DE69426688D1 (de) | 2001-03-22 |
| KR950021863A (ko) | 1995-07-26 |
| KR100331047B1 (ko) | 2002-08-08 |
| CN1038627C (zh) | 1998-06-03 |
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