JPH0597107U - 静磁波フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 帯域の狭い静磁波フィルタを提供する。 【構成】 静磁波フィルタ１０は、入力端子１１を含
む。入力端子１１は、静磁波素子１２の入力端２２に接
続される。静磁波素子１２の出力端２４は、能動素子と
してのアンプ２６の入力端２８に接続される。アンプ２
６の出力端３０は、カップラー３２を介して、出力端子
３４と位相シフター３６の入力端３８とにそれぞれ接続
される。位相シフター３６の出力端４０は、静磁波素子
１２の入力端２２に接続される。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は静磁波フィルタに関し、特にたとえばＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性 体を含む静磁波素子を有する、静磁波フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、静磁波素子を用いてたとえば１．５ＧＨｚにおいて３ｄＢの帯域幅が１ ２．５ｋＨｚの静磁波フィルタを作成する場合、Ｑ_L が１２００００必要である 。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、静磁波素子のみからなる静磁波フィルタでは、Ｑ_L が２０００ 程度しかないため、そのような帯域の狭いフィルタを構成することができなかっ た。

【０００４】 それゆえに、この考案の主たる目的は、帯域の狭い静磁波フィルタを提供する ことである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

この考案は、静磁波素子と、この静磁波素子に結合される能動素子とを含む、 静磁波フィルタである。

【０００６】

【作用】

能動素子によって、Ｑ_L が大きくなる。そのため、静磁波フィルタの帯域が狭 くなる。

【０００７】

【発明の効果】

この考案によれば、帯域の狭い静磁波フィルタが得られる。

【０００８】 この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行 う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【０００９】

【実施例】

図１はこの考案の一実施例を示す回路図である。この静磁波フィルタ１０は、 入力端子１１を含み、この入力端子１１には、静磁波素子１２が接続される。

【００１０】 静磁波素子１２は、図２に示すように、フェリ磁性体としてのＹＩＧ薄膜１４ を含む。このＹＩＧ薄膜１４は、台としてのＧＧＧ基板１６上に形成される。さ らに、ＹＩＧ薄膜１４の上には、たとえば導線からなる２つのトランスデューサ １８および２０が、間隔を隔てて平行に設けられる。これらのトランスデューサ １８および２０は、それらの一端が接地される。そして、たとえば、一方のトラ ンスデューサ１８の他端が入力端２２として用いられ、他方のトランスデューサ ２０の他端が出力端２４として用いられる。

【００１１】 そして、静磁波素子１２の入力端２２が、図１に示すように、入力端子１１に 接続される。

【００１２】 また、この静磁波素子１２のＹＩＧ薄膜１４には、図２に示すように、たとえ ばその主面に直交する矢印Ｈ₀ で示す方向に直流磁界が印加される。したがって 、この静磁波素子１２の入力端２２に信号を入力すれば、入力側のトランスデュ ーサ１８から出力側のトランスデューサ２０に向かってＹＩＧ薄膜１４に体積前 進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起され、その静磁波が他方のトランスデューサ２０ で所定の信号に変換されて出力される。

【００１３】 なお、ＹＩＧ薄膜１４に、その主面に平行しかつトランスデューサに直交する 方向に直流磁界を印加すれば、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が励起される。ま た、ＹＩＧ薄膜１４に、その主面に平行しかつトランスデューサに平行する方向 に直流磁界を印加すれば、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が励起される。

【００１４】 この静磁波素子１２には、図１に示すように、能動素子としてアンプ２６が結 合される。この場合、静磁波素子１２は、その出力端２４がアンプ２６の入力端 ２８に接続される。

【００１５】 さらに、アンプ２６の出力端３０は、カップラー３２を介して、出力端子３４ と位相シフター３６の入力端３８とにそれぞれ接続される。このカップラー３６ としては、アンプ２６の出力端３０と出力端子３４と位相シフター３６の入力端 ３８とがそれぞれ接続される３つの電極を、絶縁基板上でギャップ容量を介して 互いに結合したものが用いられる。

【００１６】 さらに、位相シフター３６の出力端４０は、静磁波素子１２の入力端２２に接 続される。この位相シフター３６は、アンプ２６から出力される信号を、入力端 子１１から静磁波素子１２への入力信号の位相と同相になるようにシフトし、か つ、発振する直前のレベルで静磁波素子１２の入力端２２に帰還するためのもの である。したがって、この実施例では位相シフター３６などで正帰還ループが構 成される。

【００１７】 この実施例の静磁波フィルタ１０では、位相シフター３６などで正帰還ループ が構成され、静磁波素子１２に能動素子としてのアンプ２６が結合されるので、 静磁波素子のみからなる静磁波フィルタと比べて、Ｑ_l が大きくなり帯域が狭く なる。

【００１８】 図３はこの考案の他の実施例を示す回路図である。この実施例では、静磁波素 子１２が、特に、２つの入力端と１つの出力端とを有するアンプ２６に結合され る。すなわち、アンプ２６の一方の入力端２８ａには、入力端子１１と静磁波素 子１２の出力端２４とが接続される。

【００１９】 また、このアンプ２６の他方の入力端２８ｂは接地される。さらに、アンプ２ ６の出力端３０は、カップラー３２を介して、出力端子３４と位相シフター３６ の入力端３８とにそれぞれ接続される。そして、位相シフター３６の出力端４０ は、静磁波素子１２の入力端２２に接続される。したがって、この実施例では、 静磁波素子１２および位相シフター３６などで正帰還ループが構成される。

【００２０】 この静磁波フィルタ１０でも、位相シフター３６などで正帰還ループが構成さ れ、静磁波素子１２に能動素子としてのアンプ２６が結合されるので、静磁波素 子のみからなる静磁波フィルタと比べて、Ｑ_l が大きくなり帯域が狭くなる。

【００２１】 なお、上述の各実施例において、静磁波素子１２に結合される能動素子として は、たとえばたとえばＦＥＴなどのトランジスタが用いられてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の一実施例を示す回路図である。

【図２】図１に示す実施例に用いられる静磁波素子の一
例を示す斜視図である。

【図３】この考案の他の実施例を示す回路図である。

【符合の説明】

１０ 静磁波フィルタ １１ 入力端 １２ 静磁波素子 ２６ アンプ ３２ カップラー ３４ 出力端子 ３６ 位相シフター

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 静磁波素子、および前記静磁波素子に結
   合される能動素子を含む、静磁波フィルタ。