JP2501877Y2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JP2501877Y2 JP2501877Y2 JP1989104937U JP10493789U JP2501877Y2 JP 2501877 Y2 JP2501877 Y2 JP 2501877Y2 JP 1989104937 U JP1989104937 U JP 1989104937U JP 10493789 U JP10493789 U JP 10493789U JP 2501877 Y2 JP2501877 Y2 JP 2501877Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetostatic wave
- thin film
- antenna
- wave device
- yig thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特にYIG（イットリウ
ム，アイアン，ガーネット）薄膜などのように静磁波を
伝搬するためのフェリ磁性基体を有し、たとえばフィル
タとして用いられる、静磁波装置に関する。
ム，アイアン，ガーネット）薄膜などのように静磁波を
伝搬するためのフェリ磁性基体を有し、たとえばフィル
タとして用いられる、静磁波装置に関する。
（従来技術） 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図であ
る。この静磁波装置１では、YIG薄膜２がGGG（ガドリニ
ウム，ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YI
G薄膜２上には、入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が、間隔を隔てて平行に形成されている。
る。この静磁波装置１では、YIG薄膜２がGGG（ガドリニ
ウム，ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YI
G薄膜２上には、入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が、間隔を隔てて平行に形成されている。
この静磁波装置１では、たとえばYIG薄膜２の主面に
直交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力ア
ンテナ４に信号を入力すれば、その信号が体積前進静磁
波（MSFVW）として励起され、その体積前進静磁波が、Y
IG薄膜２上に伝搬され出力アンテナ５で受信される。
直交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力ア
ンテナ４に信号を入力すれば、その信号が体積前進静磁
波（MSFVW）として励起され、その体積前進静磁波が、Y
IG薄膜２上に伝搬され出力アンテナ５で受信される。
（考案が解決しようとする課題） ところが、この静磁波装置１では、高次モードのピー
クが高く、その周波数特性がフィルタ特性として好まし
くない。
クが高く、その周波数特性がフィルタ特性として好まし
くない。
また、高次モードを抑圧するために全体のモードを抑
圧することは、基本モ−ドが抑圧されるので、好ましく
ない。
圧することは、基本モ−ドが抑圧されるので、好ましく
ない。
それゆえに、この考案の主たる目的は、基本モードを
ほとんど抑圧することなく、高次モードを抑圧すること
ができる、静磁波装置を提供することである。
ほとんど抑圧することなく、高次モードを抑圧すること
ができる、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この考案にかかる静磁波装置は、静磁波を伝搬するた
めのフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体上に間隔を隔て
て形成される２つのアンテナとを含み、フェリ磁性基体
の厚みを一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に従っ
て徐々に薄くした、静磁波装置である。
めのフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体上に間隔を隔て
て形成される２つのアンテナとを含み、フェリ磁性基体
の厚みを一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に従っ
て徐々に薄くした、静磁波装置である。
この考案にかかる他の静磁波装置は、静磁波を伝搬す
るためのフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体上に間隔を
隔てて形成される２つのアンテナとを含み、フェリ磁性
基体の厚みを一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に
従って段階的に薄くした、静磁波装置である。
るためのフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体上に間隔を
隔てて形成される２つのアンテナとを含み、フェリ磁性
基体の厚みを一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に
従って段階的に薄くした、静磁波装置である。
（作用） この考案にかかる静磁波装置では、フェリ磁性基体の
厚みが一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に従って
徐々に薄くなるので、基本モードがほとんど抑圧される
ことなく、フェリ磁性基体の厚み方向に発生する高次モ
ードが分散されて抑圧される。
厚みが一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に従って
徐々に薄くなるので、基本モードがほとんど抑圧される
ことなく、フェリ磁性基体の厚み方向に発生する高次モ
ードが分散されて抑圧される。
また、この考案にかかる他の静磁波装置では、フェリ
磁性基体の厚みが一方のアンテナ側から他方のアンテナ
側に従って段階的に薄くなるので、基本モードがほとん
ど抑圧されることなく、フェリ磁性基体の厚み方向に発
生する高次モードが分散されて抑圧される。
磁性基体の厚みが一方のアンテナ側から他方のアンテナ
側に従って段階的に薄くなるので、基本モードがほとん
ど抑圧されることなく、フェリ磁性基体の厚み方向に発
生する高次モードが分散されて抑圧される。
（考案の効果） この考案によれば、基本モードをほとんど抑圧するこ
となく、高次モードを抑圧することができる、静磁波装
置が得られる。
となく、高次モードを抑圧することができる、静磁波装
置が得られる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す図解図である。こ
の静磁波装置10は、台としてたとえば矩形板状のGGG基
板12を含む。
の静磁波装置10は、台としてたとえば矩形板状のGGG基
板12を含む。
このGGG基板12の一方主面には、フェリ磁性基体とし
てのYIG薄膜14が形成される。この実施例では、YIG薄膜
14は、その長手方向の一端側からその他端側に従ってそ
の厚みが徐々に薄くなるようにテーパ状に形成される。
すなわち、このYIG薄膜14は、その長手方向の一端の厚
みd1がその他端の厚みd2よりも厚く形成され、かつ、そ
の両主面が平面に形成される。このYIG薄膜14は、たと
えばYIG薄膜材料を研磨することなどによって形成され
る。
てのYIG薄膜14が形成される。この実施例では、YIG薄膜
14は、その長手方向の一端側からその他端側に従ってそ
の厚みが徐々に薄くなるようにテーパ状に形成される。
すなわち、このYIG薄膜14は、その長手方向の一端の厚
みd1がその他端の厚みd2よりも厚く形成され、かつ、そ
の両主面が平面に形成される。このYIG薄膜14は、たと
えばYIG薄膜材料を研磨することなどによって形成され
る。
さらに、YIG薄膜14上には、その長手方向の一端側お
よび他端側に、たとえば直線状の入力アンテナ16および
出力アンテナ18がそれぞれ形成される。入力アンテナ16
および出力アンテナ18は、それらの一端が接地され、そ
れらの他端が入力端子（図示せず）および出力端子（図
示せず）にそれぞれ接続される。
よび他端側に、たとえば直線状の入力アンテナ16および
出力アンテナ18がそれぞれ形成される。入力アンテナ16
および出力アンテナ18は、それらの一端が接地され、そ
れらの他端が入力端子（図示せず）および出力端子（図
示せず）にそれぞれ接続される。
この静磁波装置10は、たとえはYIG薄膜14の主面に直
交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力端子
すなわち入力アンテナ16に信号を入力すれば、体積前進
静磁波が励起され、その体積前進静磁波は、YIG薄膜14
上で入力アンテナ16から出力アンテナ18側に伝搬され
る。それから、伝搬された体積前進静磁波は、出力アン
テナ18で受信され、出力端子から信号として出力され
る。
交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力端子
すなわち入力アンテナ16に信号を入力すれば、体積前進
静磁波が励起され、その体積前進静磁波は、YIG薄膜14
上で入力アンテナ16から出力アンテナ18側に伝搬され
る。それから、伝搬された体積前進静磁波は、出力アン
テナ18で受信され、出力端子から信号として出力され
る。
この実施例では、YIG薄膜がほぼ均一な厚みｄに形成
されている第４図に示す従来例に比べて、YIG薄膜14の
厚みが一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に従って
薄くなるので、基本モードがほとんど抑圧されることな
く、YIG薄膜14の厚み方向に生じる高次モードが分散さ
れて抑圧される。
されている第４図に示す従来例に比べて、YIG薄膜14の
厚みが一方のアンテナ側から他方のアンテナ側に従って
薄くなるので、基本モードがほとんど抑圧されることな
く、YIG薄膜14の厚み方向に生じる高次モードが分散さ
れて抑圧される。
すなわち、第４図に示す従来例では、その周波数特性
を第５図に示すように、第３の高次モードなどの高次モ
ードが大きい。
を第５図に示すように、第３の高次モードなどの高次モ
ードが大きい。
それに対して、この実施例では、その周波数特性を第
２図に示すように、第３の高次モードなどの高次モード
が抑圧され小さい。
２図に示すように、第３の高次モードなどの高次モード
が抑圧され小さい。
また、第２図および第５図のグラフから明らかなよう
に、この実施例では、第４図に示す従来例に比べて、通
過帯域が不要に拡がらずしかも急峻な特性を有する。
に、この実施例では、第４図に示す従来例に比べて、通
過帯域が不要に拡がらずしかも急峻な特性を有する。
なお、静磁波装置10には、YIG薄膜12の主面に平行し
かつ静磁波の伝搬方向に直交する方向に、直流磁界を印
加してもよい。この場合、YIG薄膜12には、表面静磁波
（MSSW）が伝搬される。あるいは、YIG薄膜12の主面に
平行しかつ静磁波の伝搬方向に平行する方向に、直流磁
界を印加してもよい。この場合、YIG薄膜12には、体積
後退静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁
波装置10に印加する直流磁界の方向を任意に変更しても
よい。
かつ静磁波の伝搬方向に直交する方向に、直流磁界を印
加してもよい。この場合、YIG薄膜12には、表面静磁波
（MSSW）が伝搬される。あるいは、YIG薄膜12の主面に
平行しかつ静磁波の伝搬方向に平行する方向に、直流磁
界を印加してもよい。この場合、YIG薄膜12には、体積
後退静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静磁
波装置10に印加する直流磁界の方向を任意に変更しても
よい。
第３図は第１図に示す実施例の変形例を示す図解図で
ある。この実施例では、第３図に示す実施例に比べて、
特に、フェリ磁性基体としてのYIG薄膜14が階段状に形
成されている。この実施例におけるYIG薄膜14は、たと
えばYIG薄膜材料をエッチングすることなどによって形
成される。
ある。この実施例では、第３図に示す実施例に比べて、
特に、フェリ磁性基体としてのYIG薄膜14が階段状に形
成されている。この実施例におけるYIG薄膜14は、たと
えばYIG薄膜材料をエッチングすることなどによって形
成される。
第３図に示す実施例でも、第１図に示す実施例と同様
に、YIG薄膜14の厚みが、一方のアンテナ側から他方の
アンテナ側に従って薄くなるので、基本モードがほとん
ど抑圧されることなく、第３の高次モードなどの高次モ
ードが抑圧される。
に、YIG薄膜14の厚みが、一方のアンテナ側から他方の
アンテナ側に従って薄くなるので、基本モードがほとん
ど抑圧されることなく、第３の高次モードなどの高次モ
ードが抑圧される。
なお、上述の各実施例では、入力アンテナ16および出
力アンテナ18をYIG薄膜14に接するように形成したが、
入力アンテナ16および出力アンテナ18は、YIG薄膜14か
ら距離を隔てて形成されてもよい。
力アンテナ18をYIG薄膜14に接するように形成したが、
入力アンテナ16および出力アンテナ18は、YIG薄膜14か
ら距離を隔てて形成されてもよい。
また、入力アンテナ16および出力アンテナ18の形状
は、直線状に限らず平行ストリップライン状，ミアンダ
ライン状あるいはインタデジタルライン状など任意の形
状に形成されてもよい。
は、直線状に限らず平行ストリップライン状，ミアンダ
ライン状あるいはインタデジタルライン状など任意の形
状に形成されてもよい。
さらに、入力アンテナ16と出力アンテナ18とは、逆の
位置に設けられてもよい。すなわち、フェリ磁性基体の
厚みの薄い側に入力アンテナを設け、その厚みの厚い側
に出力アンテナを設けてもよい。
位置に設けられてもよい。すなわち、フェリ磁性基体の
厚みの薄い側に入力アンテナを設け、その厚みの厚い側
に出力アンテナを設けてもよい。
第１図はこの考案の実施例を示す図解図である。 第２図は第１図に示す実施例の周波数特性を示すグラフ
である。 第３図は第１図に示す実施例の変形例を示す図解図であ
る。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。 第５図は第４図に示す従来例の周波数特性を示すグラフ
である。 図において、10は静磁波装置、12はGGG基板、14はYIG薄
膜、16は入力アンテナ、18は出力アンテナを示す。
である。 第３図は第１図に示す実施例の変形例を示す図解図であ
る。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。 第５図は第４図に示す従来例の周波数特性を示すグラフ
である。 図において、10は静磁波装置、12はGGG基板、14はYIG薄
膜、16は入力アンテナ、18は出力アンテナを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭47−12610（ＪＰ，Ａ) 1989年電子情報通信学会春季全国大会 講演論文集Ｃ−778
Claims (2)
- 【請求項１】静磁波を伝搬するためのフェリ磁性基体、
および 前記フェリ磁性基体上に間隔を隔てて形成される２つの
アンテナを含み、 前記フェリ磁性基体の厚みを一方のアンテナ側から他方
のアンテナ側に従って徐々に薄くした、静磁波装置。 - 【請求項２】静磁波を伝搬するためのフェリ磁性基体、
および 前記フェリ磁性基体上に間隔を隔てて形成される２つの
アンテナを含み、 前記フェリ磁性基体の厚みを一方のアンテナ側から他方
のアンテナ側に従って段階的に薄くした、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989104937U JP2501877Y2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989104937U JP2501877Y2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344922U JPH0344922U (ja) | 1991-04-25 |
| JP2501877Y2 true JP2501877Y2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=31653715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989104937U Expired - Lifetime JP2501877Y2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501877Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU210763U1 (ru) * | 2021-12-03 | 2022-04-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Спин-волновой концентратор свч-мощности |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1989104937U patent/JP2501877Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９８９年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集Ｃ−７７８ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU210763U1 (ru) * | 2021-12-03 | 2022-04-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Спин-волновой концентратор свч-мощности |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344922U (ja) | 1991-04-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |