JP2508677Y2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JP2508677Y2 JP2508677Y2 JP1990023957U JP2395790U JP2508677Y2 JP 2508677 Y2 JP2508677 Y2 JP 2508677Y2 JP 1990023957 U JP1990023957 U JP 1990023957U JP 2395790 U JP2395790 U JP 2395790U JP 2508677 Y2 JP2508677 Y2 JP 2508677Y2
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- Japan
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- magnetostatic wave
- thin film
- transducer
- wave device
- transducers
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特にフェリ磁性基体と
フェリ磁性基体の一方主面上に間隔を隔てて形成される
入出力用トランスデューサとを有し、たとえばフィルタ
として用いられる、静磁波装置に関する。
フェリ磁性基体の一方主面上に間隔を隔てて形成される
入出力用トランスデューサとを有し、たとえばフィルタ
として用いられる、静磁波装置に関する。
（従来技術） 第８図は従来の静電波装置の一例を示す要部平面図で
ある。この静磁波装置１は、フェリ磁性基体として帯状
のYIG薄膜２を含み、このYIG薄膜２上には、その長手方
向に直交する方向に、２とのトランスデューサ3aおよび
3bが間隔を隔てて平行に形成されている。また、一方の
トランスデューサ3aの一端および他方のトランスデュー
サ3bの他端は、それぞれ接地される。さらに、YIG薄膜
２には、磁界が印加される。
ある。この静磁波装置１は、フェリ磁性基体として帯状
のYIG薄膜２を含み、このYIG薄膜２上には、その長手方
向に直交する方向に、２とのトランスデューサ3aおよび
3bが間隔を隔てて平行に形成されている。また、一方の
トランスデューサ3aの一端および他方のトランスデュー
サ3bの他端は、それぞれ接地される。さらに、YIG薄膜
２には、磁界が印加される。
第９図は従来の静磁波装置の他の例を示す平面図であ
る。第８図の従来例と比べて、特に、YIG薄膜２が矩形
状に形成され、２つのトランスデューサ3aおよび3bは、
それぞれ、YIG薄膜２の長手方向における端部と平行に
配置されている。
る。第８図の従来例と比べて、特に、YIG薄膜２が矩形
状に形成され、２つのトランスデューサ3aおよび3bは、
それぞれ、YIG薄膜２の長手方向における端部と平行に
配置されている。
第８図の従来例および第９図の従来例では、それぞ
れ、一方のトランスデューサ3aに入力信号を与えれば、
YIG薄膜２に静磁波が励起され、その静磁波が他方のト
ランスデューサ3bで受信され、そのトランスデューサ3b
から出力信号が得られる。
れ、一方のトランスデューサ3aに入力信号を与えれば、
YIG薄膜２に静磁波が励起され、その静磁波が他方のト
ランスデューサ3bで受信され、そのトランスデューサ3b
から出力信号が得られる。
（考案が解決しようとする課題） ところが、第８図の従来例では、YIG薄膜２の静磁波
のそれぞれの通路において２つのトランスデューサ3aお
よび3b間での反射によって生じるそれぞれのTTE（Tripl
e Transit Echo）を略同じ時間にトランスデューサ3bが
受信する。たとえば、静磁波の３つの通路P1，P2および
P3についてみると、それらの通路の長さが等しいので、
それらの通路において、静磁波の伝搬時間t1，t2および
t3が等しく、TTEの伝搬時間3t1，3t2および3t3も等し
い。そのため、TTEレベルが大きく、TTEによるリップル
も大きい。
のそれぞれの通路において２つのトランスデューサ3aお
よび3b間での反射によって生じるそれぞれのTTE（Tripl
e Transit Echo）を略同じ時間にトランスデューサ3bが
受信する。たとえば、静磁波の３つの通路P1，P2および
P3についてみると、それらの通路の長さが等しいので、
それらの通路において、静磁波の伝搬時間t1，t2および
t3が等しく、TTEの伝搬時間3t1，3t2および3t3も等し
い。そのため、TTEレベルが大きく、TTEによるリップル
も大きい。
また、第９図の従来例では、YIG薄膜２の長手方向に
おける端部からのそれぞれの反射波を略同じ時間にトラ
ンスデューサ3bが受信するため、反射波によるリップル
が大きい。
おける端部からのそれぞれの反射波を略同じ時間にトラ
ンスデューサ3bが受信するため、反射波によるリップル
が大きい。
それゆえに、この考案の主たる目的は、リップルの小
さい、静磁波装置を提供することである。
さい、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この考案にかかる静磁波装置は、静磁波を伝搬させる
ためのフェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体の一方主
面上に間隔を隔てて形成される入出力用トランスデュー
サとを含み、入出力用トランスデューサの少なくとも一
方が静磁波の伝搬方向に非直交状態になるようにすると
ともに、入出用トランスデューサを互いに非平行状態に
配置した、静磁波装置である。
ためのフェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体の一方主
面上に間隔を隔てて形成される入出力用トランスデュー
サとを含み、入出力用トランスデューサの少なくとも一
方が静磁波の伝搬方向に非直交状態になるようにすると
ともに、入出用トランスデューサを互いに非平行状態に
配置した、静磁波装置である。
この考案にかかる静磁波装置は、静磁波を伝搬させる
ための矩形状のフェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体
の一方主面上に間隔を隔てて形成される入出力用トラン
スデューサとを含み、入出力用トランスデューサの少な
くとも一方をフェリ磁性基体の長手方向における端部と
非平行状態に配置した、静磁波装置である。
ための矩形状のフェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体
の一方主面上に間隔を隔てて形成される入出力用トラン
スデューサとを含み、入出力用トランスデューサの少な
くとも一方をフェリ磁性基体の長手方向における端部と
非平行状態に配置した、静磁波装置である。
（作用） この考案にかかる静磁波装置では、入出力用トランス
デューサの少なくとも一方が静磁波の伝搬方向に非直交
状態になるようにするとともに、入出力用トランスデュ
ーサが互いに非平行状態に配置されているので、それら
の入出力用トランスデューサ間での反射によって生じる
TTEに、時間のばらつきが生じる。そのため、TTEが減衰
し、TTEによるリップルが低減する。
デューサの少なくとも一方が静磁波の伝搬方向に非直交
状態になるようにするとともに、入出力用トランスデュ
ーサが互いに非平行状態に配置されているので、それら
の入出力用トランスデューサ間での反射によって生じる
TTEに、時間のばらつきが生じる。そのため、TTEが減衰
し、TTEによるリップルが低減する。
また、この考案にかかる他の静磁波装置では、入出力
用トランスデューサの少なくとも一方がフェリ磁性基体
の長手方向における端部と非平行状態に配置されている
ので、フェリ磁性基体の端部からの反射波に、時間のば
らつきが生じる。そのため、反射波によるリップルが低
減する。
用トランスデューサの少なくとも一方がフェリ磁性基体
の長手方向における端部と非平行状態に配置されている
ので、フェリ磁性基体の端部からの反射波に、時間のば
らつきが生じる。そのため、反射波によるリップルが低
減する。
（考案の効果） この考案によれば、リップルの小さい、静磁波装置が
得られる。
得られる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す要部平面図であ
る。この静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえ
ば帯状のYIG薄膜12を含む。
る。この静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえ
ば帯状のYIG薄膜12を含む。
このYIG薄膜12の一方主面上には、その長手方向に間
隔を隔てて、２つの入出力用のトランスデューサ14aお
よび14bが、それぞれ形成される。この場合、一方のト
ランスデューサ14aは、YIG薄膜12の長手方向に直交する
方向に形成され、他方のトランスデューサ14bは、YIG薄
膜12の長手方向と非直交方向に形成される。したがっ
て、これらのトランスデューサ14aおよび14bは、互いに
非平行状態に配置されることになる。
隔を隔てて、２つの入出力用のトランスデューサ14aお
よび14bが、それぞれ形成される。この場合、一方のト
ランスデューサ14aは、YIG薄膜12の長手方向に直交する
方向に形成され、他方のトランスデューサ14bは、YIG薄
膜12の長手方向と非直交方向に形成される。したがっ
て、これらのトランスデューサ14aおよび14bは、互いに
非平行状態に配置されることになる。
さらに、一方のトランスデューサ14aの一端および他
方のトランスデューサ14bの他端は、それぞれ接地され
る。
方のトランスデューサ14bの他端は、それぞれ接地され
る。
また、YIG薄膜12には、たとえば、その主面に直交す
る方向に磁界が印加される。
る方向に磁界が印加される。
この静磁波装置10では、たとえば一方のトランスデュ
ーサ14aに入力信号を与えれば、YIG薄膜12に体積前進静
磁波（MSFVW）が励起され、その静磁波が他方のトラン
スデューサ14bで受信され、そのトランスデューサ14bか
ら信号として出力される。この場合、この静磁波装置10
では、第８図の従来例と比べて、２つのトランスデュー
サ14aおよび14bが非平行状態に配置されているので、そ
れらのトランスデューサ14aおよび14b間での反射によっ
て生じるそれぞれのTTEの伝搬時間のばらつきが生じ
る。たとえば、静磁波の３つの通路P1，P2およびP3につ
いてみると、それらの通路の長さが互いに異なるので、
それらの通路において、静磁波の伝搬時間t1，t2および
t3が互いに異なり、TTEの伝搬時間3t1，3t2および3t3も
互いに異なる。そのため、TTEが減衰し、TTEによるリッ
プルも減衰する。
ーサ14aに入力信号を与えれば、YIG薄膜12に体積前進静
磁波（MSFVW）が励起され、その静磁波が他方のトラン
スデューサ14bで受信され、そのトランスデューサ14bか
ら信号として出力される。この場合、この静磁波装置10
では、第８図の従来例と比べて、２つのトランスデュー
サ14aおよび14bが非平行状態に配置されているので、そ
れらのトランスデューサ14aおよび14b間での反射によっ
て生じるそれぞれのTTEの伝搬時間のばらつきが生じ
る。たとえば、静磁波の３つの通路P1，P2およびP3につ
いてみると、それらの通路の長さが互いに異なるので、
それらの通路において、静磁波の伝搬時間t1，t2および
t3が互いに異なり、TTEの伝搬時間3t1，3t2および3t3も
互いに異なる。そのため、TTEが減衰し、TTEによるリッ
プルも減衰する。
すなわち、第８図の従来例およびこの実施例の時間−
挿入損失特性を第２図に点線および実線で示すように、
第８図の従来例では、TTEが大きいのに対して、この実
施例ではTTEが減衰しリップルも低減する。
挿入損失特性を第２図に点線および実線で示すように、
第８図の従来例では、TTEが大きいのに対して、この実
施例ではTTEが減衰しリップルも低減する。
第３図は第１図の実施例の変形例を示す要部平面図で
ある。第３図の実施例では、第１図の実施例と比べて、
トランスデューサ14aも、YIG薄膜12の長手方向に非直交
状態に配置される。この場合、そのトランスデューサ14
aは、他方のトランスデューサ14bと逆に傾斜するように
配置される。
ある。第３図の実施例では、第１図の実施例と比べて、
トランスデューサ14aも、YIG薄膜12の長手方向に非直交
状態に配置される。この場合、そのトランスデューサ14
aは、他方のトランスデューサ14bと逆に傾斜するように
配置される。
第３図の実施例でも、それらのトランスデューサ14a
および14bが非平行状態に配置されるので、それらのト
ランスデューサ14aおよび14b間での反射によるTTEが減
衰し、TTEによるリップルも低減する。
および14bが非平行状態に配置されるので、それらのト
ランスデューサ14aおよび14b間での反射によるTTEが減
衰し、TTEによるリップルも低減する。
第４図はこの考案の他の実施例を示す平面図である。
この静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえば矩
形状のYIG薄膜12を含む。
この静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえば矩
形状のYIG薄膜12を含む。
このYIG薄膜12の長手方向の一端部の一方主面上に
は、一方のトランスデューサ14aが形成される。この場
合、そのトランスデューサ14aは、YIG薄膜12の長手方向
における一端部と平行に配置される。
は、一方のトランスデューサ14aが形成される。この場
合、そのトランスデューサ14aは、YIG薄膜12の長手方向
における一端部と平行に配置される。
さらに、YIG薄膜12の他端部の一方主面上には、他方
のトランスデューサ14bが形成される。この場合、その
トランスデューサ14bは、YIG薄膜12の長手方向における
他端部と非平行状態に配置される。
のトランスデューサ14bが形成される。この場合、その
トランスデューサ14bは、YIG薄膜12の長手方向における
他端部と非平行状態に配置される。
また、この実施例でも、上述の各実施例と同様に、YI
G薄膜12には、たとえばその主面に直交する方向に磁界
が印加される。
G薄膜12には、たとえばその主面に直交する方向に磁界
が印加される。
この静磁波装置10では、第９図の従来例と比べて、ト
ランスデューサ14bがYIG薄膜12の他端部と非平行状態に
配置されているので、YIG薄膜12の端部での反射波に時
間のばらつきが生じ、反射波によるリップルが低減す
る。
ランスデューサ14bがYIG薄膜12の他端部と非平行状態に
配置されているので、YIG薄膜12の端部での反射波に時
間のばらつきが生じ、反射波によるリップルが低減す
る。
すなわち、第９図の従来例およびこの実施例の時間−
挿入損失特性を第５図に点線および実線で示すように、
第９図の従来例では、リップルが大きいのに対して、こ
の実施例では、リップルが低減する。
挿入損失特性を第５図に点線および実線で示すように、
第９図の従来例では、リップルが大きいのに対して、こ
の実施例では、リップルが低減する。
第６図は第４図の実施例の変形例を示す平面図であ
る。第６図の実施例では、第４図の実施例と比べて、一
方のトランスデューサ14aもYIG薄膜12の長手方向の一端
部に非平行状態に配置される。なお、第６図の実施例で
は、２つのトランスデューサ14aおよび14bは平行に配置
されるが、これらのトランスデューサ14aおよび14bは非
平行状態に配置されてもよい。
る。第６図の実施例では、第４図の実施例と比べて、一
方のトランスデューサ14aもYIG薄膜12の長手方向の一端
部に非平行状態に配置される。なお、第６図の実施例で
は、２つのトランスデューサ14aおよび14bは平行に配置
されるが、これらのトランスデューサ14aおよび14bは非
平行状態に配置されてもよい。
第６図の実施例でも、トランスデューサ14aおよび14b
の少なくとも一方がYIG薄膜12の端部に非平行状態に配
置されるため、YIG薄膜12の端部での反射波によるリッ
プルが低減される。
の少なくとも一方がYIG薄膜12の端部に非平行状態に配
置されるため、YIG薄膜12の端部での反射波によるリッ
プルが低減される。
第７図は第４図の実施例の他の変形例を示す平面図で
ある。第７図の実施例では、２つのトランスデューサ14
aおよび14bが互いに逆に傾斜するように配置される。こ
の実施例でも、トランスデューサ14aおよび14bの少なく
とも一方がYIG薄膜12の端部に非平行状態に配置される
ため、YIG薄膜12の端部での反射波によるリップルが低
減される。
ある。第７図の実施例では、２つのトランスデューサ14
aおよび14bが互いに逆に傾斜するように配置される。こ
の実施例でも、トランスデューサ14aおよび14bの少なく
とも一方がYIG薄膜12の端部に非平行状態に配置される
ため、YIG薄膜12の端部での反射波によるリップルが低
減される。
なお、上述の各実施例では、一方のトランスデューサ
14aを入力側として用い、他方のトランスデューサ14bを
出力側として用いたが、これらのトランスデューサを逆
に用いてもよい。
14aを入力側として用い、他方のトランスデューサ14bを
出力側として用いたが、これらのトランスデューサを逆
に用いてもよい。
また、YIG薄膜12には、その主面に平行する幅方向に
磁界を印加してもよい。この場合、YIG薄膜12には、表
面静磁波（MSSW）が励起される。あるいは、YIG薄膜12
には、その主面に平行する長手方向に磁界を印加しても
よい。この場合、YIG薄膜12には、体積後退静磁波（MSB
VW）が励起される。
磁界を印加してもよい。この場合、YIG薄膜12には、表
面静磁波（MSSW）が励起される。あるいは、YIG薄膜12
には、その主面に平行する長手方向に磁界を印加しても
よい。この場合、YIG薄膜12には、体積後退静磁波（MSB
VW）が励起される。
第１図はこの考案の一実施例を示す要部平面図である。 第２図はこの考案の一実施例および従来の一例の時間−
挿入損失特性を示すグラフである。 第３図は第１図の実施例の変形例を示す要部平面図であ
る。 第４図はこの考案の他の実施例を示す平面図である。 第５図はこの考案の他の実施例および従来の他の例の時
間−挿入損失特性を示すグラフである。 第６図は第４図の実施例の変形例を示す平面図である。 第７図は第４図の実施例の他の変形例を示す平面図であ
る。 第８図は従来の静磁波装置の一例を示す要部平面図であ
る。 第９図は従来の静磁波装置の他の例を示す平面図であ
る。 図において、10は静磁波装置、12はYIG薄膜、14aおよび
14bはトランスデューサを示す。
挿入損失特性を示すグラフである。 第３図は第１図の実施例の変形例を示す要部平面図であ
る。 第４図はこの考案の他の実施例を示す平面図である。 第５図はこの考案の他の実施例および従来の他の例の時
間−挿入損失特性を示すグラフである。 第６図は第４図の実施例の変形例を示す平面図である。 第７図は第４図の実施例の他の変形例を示す平面図であ
る。 第８図は従来の静磁波装置の一例を示す要部平面図であ
る。 第９図は従来の静磁波装置の他の例を示す平面図であ
る。 図において、10は静磁波装置、12はYIG薄膜、14aおよび
14bはトランスデューサを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 新村 悟 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)考案者 鎌土 恭秀 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平１−236723（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−107744（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−75361（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−4019（ＪＰ，Ｕ) 1989年電子情報通信学会秋期全国大会 ＳＣ−９−５
Claims (2)
- 【請求項１】静磁波を伝搬させるためのフェリ磁性基
体、および 前記フェリ磁性基体の一方主面上に間隔を隔てて形成さ
れる入出力用トランスデューサを含み、 前記入出力用トランスデューサの少なくとも一方が静磁
波の伝搬方向に非直交状態になるようにするとともに、
前記入出用トランスデューサを互いに非平行状態に配置
した、静磁波装置。 - 【請求項２】静磁波を伝搬させるための矩形状のフェリ
磁性基体、および 前記フェリ磁性基体の一方主面上に間隔を隔てて形成さ
れる入出力用トランスデューサを含み、 前記入出力用トランスデューサの少なくとも一方を前記
フェリ磁性基体の長手方向における端部と非平行状態に
配置した、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990023957U JP2508677Y2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990023957U JP2508677Y2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03115404U JPH03115404U (ja) | 1991-11-28 |
| JP2508677Y2 true JP2508677Y2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=31526936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990023957U Expired - Lifetime JP2508677Y2 (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508677Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8662776B2 (en) | 2007-02-08 | 2014-03-04 | Avon Products, Inc | Multi-unit cosmetic applicator |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604019U (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-12 | 三菱電機株式会社 | フイルタバンク |
| US4782312A (en) * | 1987-10-22 | 1988-11-01 | Hewlett-Packard Company | Mode selective magnetostatic wave resonators |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP1990023957U patent/JP2508677Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９８９年電子情報通信学会秋期全国大会ＳＣ−９−５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03115404U (ja) | 1991-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |