JPH09326613A - 静磁波遅延素子 - Google Patents
静磁波遅延素子Info
- Publication number
- JPH09326613A JPH09326613A JP14130896A JP14130896A JPH09326613A JP H09326613 A JPH09326613 A JP H09326613A JP 14130896 A JP14130896 A JP 14130896A JP 14130896 A JP14130896 A JP 14130896A JP H09326613 A JPH09326613 A JP H09326613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetostatic wave
- transducer
- sides
- yig film
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】寸法のあまり大きくないＹＩＧ膜内に静磁波の
伝搬路を高密度に構成して、伝搬長ｌをより長くするこ
とができる静磁波遅延素子を提供する。 【解決手段】ＹＩＧ膜２と、このＹＩＧ膜２に垂直な直
流磁界を印加する磁界発生手段と、ＹＩＧ膜２上に配置
した入力トランスジューサ３および出力トランスジュー
サ８とを備え、入力トランスジューサ３に高周波信号を
入力して励振した静磁波を、ＹＩＧ膜２の相対向する一
対の辺１２，１３の一方に入射することにより、静磁波
が一対の辺１２，１３間で交互に入反射を繰り返して出
力トランスジューサ８に到達するように、一対の辺１
２，１３の形状を形成している。
伝搬路を高密度に構成して、伝搬長ｌをより長くするこ
とができる静磁波遅延素子を提供する。 【解決手段】ＹＩＧ膜２と、このＹＩＧ膜２に垂直な直
流磁界を印加する磁界発生手段と、ＹＩＧ膜２上に配置
した入力トランスジューサ３および出力トランスジュー
サ８とを備え、入力トランスジューサ３に高周波信号を
入力して励振した静磁波を、ＹＩＧ膜２の相対向する一
対の辺１２，１３の一方に入射することにより、静磁波
が一対の辺１２，１３間で交互に入反射を繰り返して出
力トランスジューサ８に到達するように、一対の辺１
２，１３の形状を形成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波回路、特
にマイクロ波回路に用いられる静磁波を利用した静磁波
遅延素子に関するものである。
にマイクロ波回路に用いられる静磁波を利用した静磁波
遅延素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、遅延素子は圧電体の表面弾性
波を用いた素子が主であって、ＹＩＧのようなガーネッ
ト材料を用いた素子は早くから研究開発が行われていた
が、実用の場が多くなく、一部マイクロ波の計測器や軍
事関係の通信機などに用いられていた程度であった。ま
た用いられているＹＩＧは球状でその製法および素子化
が難しく、更にはこの素子を必要とする機器が多くない
ことから実用化が少なかった。
波を用いた素子が主であって、ＹＩＧのようなガーネッ
ト材料を用いた素子は早くから研究開発が行われていた
が、実用の場が多くなく、一部マイクロ波の計測器や軍
事関係の通信機などに用いられていた程度であった。ま
た用いられているＹＩＧは球状でその製法および素子化
が難しく、更にはこの素子を必要とする機器が多くない
ことから実用化が少なかった。
【０００３】一方、機器の回路部品の面実装化が要望さ
れるようになり、いろいろな部品がこれに対応するな
か、ＹＩＧもセラミックの平板やＬＰＥ単結晶膜、更に
は多結晶膜などが作製され、面実装形の素子化の検討が
行われるようになった。また通信機器も移動体通信や衛
星通信などが民生機器の領域に入ってきて、最近ではＹ
ＩＧを材料に用いたいろいろな部品が用いられるように
なった。
れるようになり、いろいろな部品がこれに対応するな
か、ＹＩＧもセラミックの平板やＬＰＥ単結晶膜、更に
は多結晶膜などが作製され、面実装形の素子化の検討が
行われるようになった。また通信機器も移動体通信や衛
星通信などが民生機器の領域に入ってきて、最近ではＹ
ＩＧを材料に用いたいろいろな部品が用いられるように
なった。
【０００４】ＹＩＧを用いた遅延素子もその１つで、そ
の構造は入力トランスジューサおよび出力トランスジュ
ーサの分離型素子（例えば電子通信学会誌１２／’９
１、Ｐ１２９６）、入力トランスジューサに高周波を入
力することにより発生した静磁波を正方形をしたＹＩＧ
膜の４辺で反射させて出力トランスジューサより出力信
号として取り出す干渉型静磁波ディレイライン素子（例
えば、ＭＷ８９−１８）、およびマイクロストリップ形
素子（電子情報通信学会誌’９６／１ Ｖｏｌ．Ｊ７９
−Ｃ−Ｉ Ｎｏ．１）などがある。
の構造は入力トランスジューサおよび出力トランスジュ
ーサの分離型素子（例えば電子通信学会誌１２／’９
１、Ｐ１２９６）、入力トランスジューサに高周波を入
力することにより発生した静磁波を正方形をしたＹＩＧ
膜の４辺で反射させて出力トランスジューサより出力信
号として取り出す干渉型静磁波ディレイライン素子（例
えば、ＭＷ８９−１８）、およびマイクロストリップ形
素子（電子情報通信学会誌’９６／１ Ｖｏｌ．Ｊ７９
−Ｃ−Ｉ Ｎｏ．１）などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、遅延素子にお
いては、第１に遅延時間をできる限り長くすることであ
り、第２に伝搬損失の低減である。遅延時間τは、ｋを
静磁波の伝搬定数、ｌを静磁波の伝搬長（入出力トラン
スジューサ間の距離）、φを出力側での位相とすると、
φ＝ｋｌであるから遅延時間τは τ＝ｄφ／ｄω ＝（ｄφ／ｄｋ）（ｄｋ／ｄω） ＝（ｄφ／ｄｋ）ｖg -1 ＝ｌ・ｖg -1 で表され、ｌをできる限り長くすることが一つの手法で
ある。ここでｖg は静磁波の伝搬速度である。
いては、第１に遅延時間をできる限り長くすることであ
り、第２に伝搬損失の低減である。遅延時間τは、ｋを
静磁波の伝搬定数、ｌを静磁波の伝搬長（入出力トラン
スジューサ間の距離）、φを出力側での位相とすると、
φ＝ｋｌであるから遅延時間τは τ＝ｄφ／ｄω ＝（ｄφ／ｄｋ）（ｄｋ／ｄω） ＝（ｄφ／ｄｋ）ｖg -1 ＝ｌ・ｖg -1 で表され、ｌをできる限り長くすることが一つの手法で
ある。ここでｖg は静磁波の伝搬速度である。
【０００６】従来の遅延素子においては、入力トランス
ジューサと出力トランスジューサが分離型で、その間の
距離が伝搬長ｌであり、遅延時間も長くは得られなかっ
た。伝搬長ｌをより長くした前記干渉型静磁波ディレイ
ライン（ＭＷ８９−１８）があるが、正方形のＹＩＧ膜
面積を大きくすれば素子が大きくなり素子の小型化を考
えた場合不都合であり、また思うほど伝搬長は長くなら
なく、より長い伝搬長からなる素子が望まれた。
ジューサと出力トランスジューサが分離型で、その間の
距離が伝搬長ｌであり、遅延時間も長くは得られなかっ
た。伝搬長ｌをより長くした前記干渉型静磁波ディレイ
ライン（ＭＷ８９−１８）があるが、正方形のＹＩＧ膜
面積を大きくすれば素子が大きくなり素子の小型化を考
えた場合不都合であり、また思うほど伝搬長は長くなら
なく、より長い伝搬長からなる素子が望まれた。
【０００７】この発明は、この課題を解決するもので、
寸法のあまり大きくないＹＩＧ膜内に静磁波の伝搬路を
高密度に構成して、伝搬長ｌをより長くすることができ
る静磁波遅延素子を提供するものである。
寸法のあまり大きくないＹＩＧ膜内に静磁波の伝搬路を
高密度に構成して、伝搬長ｌをより長くすることができ
る静磁波遅延素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の静磁波遅
延素子は、ＹＩＧ膜と、このＹＩＧ膜に垂直な直流磁界
を印加する磁界発生手段と、ＹＩＧ膜上に配置した入力
トランスジューサおよび出力トランスジューサとを備
え、入力トランスジューサに高周波信号を入力して励振
した静磁波を、ＹＩＧ膜の相対向する一対の辺の一方に
入射することにより、静磁波が一対の辺間で交互に入反
射を繰り返して前記出力トランスジューサに到達するよ
うに、一対の辺の形状を形成したことを特徴とするもの
である。
延素子は、ＹＩＧ膜と、このＹＩＧ膜に垂直な直流磁界
を印加する磁界発生手段と、ＹＩＧ膜上に配置した入力
トランスジューサおよび出力トランスジューサとを備
え、入力トランスジューサに高周波信号を入力して励振
した静磁波を、ＹＩＧ膜の相対向する一対の辺の一方に
入射することにより、静磁波が一対の辺間で交互に入反
射を繰り返して前記出力トランスジューサに到達するよ
うに、一対の辺の形状を形成したことを特徴とするもの
である。
【０００９】請求項１記載の静磁波遅延素子によれば、
静磁波がＹＩＧ膜の一対の辺間で入反射を繰り返すこと
により、素子の寸法を大きくすることなく静磁波の伝搬
長をより長くすることができ、静磁波の進路を高密度化
することができる。したがって、小型化を図りながら遅
延時間を長くすることができる。請求項２記載の静磁波
遅延素子は、請求項１において、ＹＩＧ膜の一対の辺の
各々が、入射する静磁波をこれと直角に反射する第１の
斜面と、この第１の斜面を反射して第１の斜面に入射す
る方向と平行で反対向きに反射する第２の斜面からなる
山形を前記辺に沿って複数形成したものである。
静磁波がＹＩＧ膜の一対の辺間で入反射を繰り返すこと
により、素子の寸法を大きくすることなく静磁波の伝搬
長をより長くすることができ、静磁波の進路を高密度化
することができる。したがって、小型化を図りながら遅
延時間を長くすることができる。請求項２記載の静磁波
遅延素子は、請求項１において、ＹＩＧ膜の一対の辺の
各々が、入射する静磁波をこれと直角に反射する第１の
斜面と、この第１の斜面を反射して第１の斜面に入射す
る方向と平行で反対向きに反射する第２の斜面からなる
山形を前記辺に沿って複数形成したものである。
【００１０】請求項２記載の静磁波遅延素子によれば、
請求項１と同効果がある。請求項３記載の静磁波遅延素
子は、請求項１において、入力トランスジューサより励
振した静磁波が、ＹＩＧ膜の一対の辺で入反射を繰り返
して一方向に進行し出力トランスジューサに到達する部
分を入力トランスジューサおよび出力トランスジューサ
の一方の側にのみ構成したものである。
請求項１と同効果がある。請求項３記載の静磁波遅延素
子は、請求項１において、入力トランスジューサより励
振した静磁波が、ＹＩＧ膜の一対の辺で入反射を繰り返
して一方向に進行し出力トランスジューサに到達する部
分を入力トランスジューサおよび出力トランスジューサ
の一方の側にのみ構成したものである。
【００１１】請求項３記載の静磁波遅延素子によれば、
請求項１と同効果がある。請求項４記載の静磁波遅延素
子は、請求項３において、入力トランスジューサおよび
出力トランスジューサの他方の側に静磁波を吸収する金
属膜をＹＩＧ膜上に形成したものである。請求項４記載
の静磁波遅延素子によれば、請求項３の効果のほか、入
力トランスジューサおよび出力トランスジューサの静磁
波の伝搬路と反対側の端面では静磁波が反射し、正規の
伝搬路を伝搬してきた静磁波との位相が異なり、それが
原因となり出力トランスジューサに現れる信号のリップ
ルとなる。よって金属膜を反対側の端面に設けて到達し
た静磁波を吸収し、反射波を除去することができる。
請求項１と同効果がある。請求項４記載の静磁波遅延素
子は、請求項３において、入力トランスジューサおよび
出力トランスジューサの他方の側に静磁波を吸収する金
属膜をＹＩＧ膜上に形成したものである。請求項４記載
の静磁波遅延素子によれば、請求項３の効果のほか、入
力トランスジューサおよび出力トランスジューサの静磁
波の伝搬路と反対側の端面では静磁波が反射し、正規の
伝搬路を伝搬してきた静磁波との位相が異なり、それが
原因となり出力トランスジューサに現れる信号のリップ
ルとなる。よって金属膜を反対側の端面に設けて到達し
た静磁波を吸収し、反射波を除去することができる。
【００１２】請求項５記載の静磁波遅延素子は、請求項
１において、入力トランスジューサより励振した静磁波
が、ＹＩＧ膜の一対の辺で入反射を繰り返して一方向に
進行し出力トランスジューサに到達する部分を入力トラ
ンスジューサおよび出力トランスジューサの両側に構成
したものである。請求項５記載の静磁波遅延素子によれ
ば、請求項１の効果のほか、例えば入力トランスジュー
サで励振した静磁波は一方側のＹＩＧ膜内をその辺で入
反射して進み、出力トランスジューサに到達するが、さ
らに反対側のＹＩＧ膜内に入射し、その辺で入反射を繰
り返してのち一方のＹＩＧ膜に再び入射し、出力トラン
スジューサに到達する。このように両側のＹＩＧ膜に繰
り返し伝搬しながら出力側に到達する静磁波間で多重に
干渉する条件を満たせば、多重に干渉しない構成の片側
構成の場合に比べてより大きな遅延時間が得られる。
１において、入力トランスジューサより励振した静磁波
が、ＹＩＧ膜の一対の辺で入反射を繰り返して一方向に
進行し出力トランスジューサに到達する部分を入力トラ
ンスジューサおよび出力トランスジューサの両側に構成
したものである。請求項５記載の静磁波遅延素子によれ
ば、請求項１の効果のほか、例えば入力トランスジュー
サで励振した静磁波は一方側のＹＩＧ膜内をその辺で入
反射して進み、出力トランスジューサに到達するが、さ
らに反対側のＹＩＧ膜内に入射し、その辺で入反射を繰
り返してのち一方のＹＩＧ膜に再び入射し、出力トラン
スジューサに到達する。このように両側のＹＩＧ膜に繰
り返し伝搬しながら出力側に到達する静磁波間で多重に
干渉する条件を満たせば、多重に干渉しない構成の片側
構成の場合に比べてより大きな遅延時間が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態につ
いて、図１および図２を用いて説明する。図１はこの発
明の第１の実施の形態を示したもので、１は基板、２は
ＹＩＧ膜、３は入力トランスジューサ、８は出力トラン
スジューサである。いま入力トランスジューサ３および
出力トランスジューサ８を、基板１上に形成したＹＩＧ
膜２の相対する一対の辺１２，１３の延び方向に平行に
なるように、ＹＩＧ膜２に接近して設けておき、永久磁
石等の磁界発生手段によりＹＩＧ膜２の膜面に垂直に直
流磁界を印加して、入力トランスジューサ３に高周波を
入力すると、ＹＩＧ膜２内に静磁波が励振され、入力ト
ランスジューサ３に垂直な方向に矢印の付いた点線で示
したようにジグザグ状に進む。
いて、図１および図２を用いて説明する。図１はこの発
明の第１の実施の形態を示したもので、１は基板、２は
ＹＩＧ膜、３は入力トランスジューサ、８は出力トラン
スジューサである。いま入力トランスジューサ３および
出力トランスジューサ８を、基板１上に形成したＹＩＧ
膜２の相対する一対の辺１２，１３の延び方向に平行に
なるように、ＹＩＧ膜２に接近して設けておき、永久磁
石等の磁界発生手段によりＹＩＧ膜２の膜面に垂直に直
流磁界を印加して、入力トランスジューサ３に高周波を
入力すると、ＹＩＧ膜２内に静磁波が励振され、入力ト
ランスジューサ３に垂直な方向に矢印の付いた点線で示
したようにジグザグ状に進む。
【００１４】すなわち、入力トランスジューサ３に高周
波信号を入力して励振した静磁波が、ＹＩＧ膜２の相対
向する一対の辺１２，１３の一方１２に入射することに
より、静磁波が一対の辺１２，１３間で交互に入反射を
繰り返して出力トランスジューサ８に到達するように、
一対の辺１２，１３の形状を形成している。この場合、
ＹＩＧ膜２の一対の辺１２，１３の各々は、入射する静
磁波をこれと直角に反射する第１の斜面４，６と、この
第１の斜面４，６を反射して第１の斜面４，６に入射す
る方向と平行で反対向きに反射する第２の斜面５，７か
らなる山形を、辺１２，１３に沿って複数形成してい
る。実施の形態において、静磁波をＹＩＧ膜２の相対す
る平行な一対の辺１２，１３のうちの辺１２の第１の斜
面４と第２の斜面５で入反射させるように第１の斜面４
に入射した静磁波の伝搬する進路を９０度変更し、しか
も出力トランスジュ−サ８側に向くよう辺１２の延び方
向に対し４５度の傾斜面を形成し、第２の斜面５は第１
の斜面４からきた静磁波の伝搬する進路をさらに９０度
変更し、第１の斜面４への入射路と逆平行で辺１３に向
き進むように第１の斜面４に対し第１の斜面４とは逆向
きに４５度傾斜した。次に反射した静磁波を他方の辺１
３の第１の斜面６および第２の斜面７で入反射させる
が、これらは第１の斜面４および第２の斜面５に形成し
たと同様な傾斜面に形成して、辺１３より辺１２に向き
進むように静磁波の進路を変える。このようにして静磁
波はその進路の変更を複数回繰り返しながら出力トラン
スジューサ８に到達し、出力トランスジューサ８に出力
信号が得られる。
波信号を入力して励振した静磁波が、ＹＩＧ膜２の相対
向する一対の辺１２，１３の一方１２に入射することに
より、静磁波が一対の辺１２，１３間で交互に入反射を
繰り返して出力トランスジューサ８に到達するように、
一対の辺１２，１３の形状を形成している。この場合、
ＹＩＧ膜２の一対の辺１２，１３の各々は、入射する静
磁波をこれと直角に反射する第１の斜面４，６と、この
第１の斜面４，６を反射して第１の斜面４，６に入射す
る方向と平行で反対向きに反射する第２の斜面５，７か
らなる山形を、辺１２，１３に沿って複数形成してい
る。実施の形態において、静磁波をＹＩＧ膜２の相対す
る平行な一対の辺１２，１３のうちの辺１２の第１の斜
面４と第２の斜面５で入反射させるように第１の斜面４
に入射した静磁波の伝搬する進路を９０度変更し、しか
も出力トランスジュ−サ８側に向くよう辺１２の延び方
向に対し４５度の傾斜面を形成し、第２の斜面５は第１
の斜面４からきた静磁波の伝搬する進路をさらに９０度
変更し、第１の斜面４への入射路と逆平行で辺１３に向
き進むように第１の斜面４に対し第１の斜面４とは逆向
きに４５度傾斜した。次に反射した静磁波を他方の辺１
３の第１の斜面６および第２の斜面７で入反射させる
が、これらは第１の斜面４および第２の斜面５に形成し
たと同様な傾斜面に形成して、辺１３より辺１２に向き
進むように静磁波の進路を変える。このようにして静磁
波はその進路の変更を複数回繰り返しながら出力トラン
スジューサ８に到達し、出力トランスジューサ８に出力
信号が得られる。
【００１５】またこの実施の形態は、入力トランスジュ
ーサ３より励振した静磁波が、ＹＩＧ膜２の一対の辺１
２，１３で入反射を繰り返して一方向に進行し出力トラ
ンスジューサに到達する部分を、入力トランスジューサ
３および出力トランスジューサ８の一方の側にのみ構成
している。この場合、入力トランスジューサ３および出
力トランスジューサ８の他方の側、すなわち、入力トラ
ンスジューサ３および出力トランスジューサ８に対し、
ＹＩＧ膜２内を静磁波が繰り返し入反射しながら進行す
る側とは反対にあるＹＩＧ膜２に励起した静磁波の吸収
用金属膜９を形成している。
ーサ３より励振した静磁波が、ＹＩＧ膜２の一対の辺１
２，１３で入反射を繰り返して一方向に進行し出力トラ
ンスジューサに到達する部分を、入力トランスジューサ
３および出力トランスジューサ８の一方の側にのみ構成
している。この場合、入力トランスジューサ３および出
力トランスジューサ８の他方の側、すなわち、入力トラ
ンスジューサ３および出力トランスジューサ８に対し、
ＹＩＧ膜２内を静磁波が繰り返し入反射しながら進行す
る側とは反対にあるＹＩＧ膜２に励起した静磁波の吸収
用金属膜９を形成している。
【００１６】図２は、裏面に接地用導電膜１１を設けた
基板たとえばアルミナ基板１０上に、図１の第１の実施
の形態の構成体をＹＩＧ膜２および入力トランスジュー
サ３および出力トランスジューサ８を内側にして取りつ
けて素子としたものである。第１の実施の形態によれ
ば、静磁波がＹＩＧ膜２の一対の辺１２，１３間で入反
射を繰り返すことにより、素子の寸法を大きくすること
なく静磁波の伝搬長をより長くすることができ、静磁波
の進路を高密度化することができる。したがって、小型
化を図りながら遅延時間を長くすることができる。
基板たとえばアルミナ基板１０上に、図１の第１の実施
の形態の構成体をＹＩＧ膜２および入力トランスジュー
サ３および出力トランスジューサ８を内側にして取りつ
けて素子としたものである。第１の実施の形態によれ
ば、静磁波がＹＩＧ膜２の一対の辺１２，１３間で入反
射を繰り返すことにより、素子の寸法を大きくすること
なく静磁波の伝搬長をより長くすることができ、静磁波
の進路を高密度化することができる。したがって、小型
化を図りながら遅延時間を長くすることができる。
【００１７】また、入力トランスジューサ３および出力
トランスジューサ８の静磁波の伝搬路と反対側の端面で
は静磁波が反射し、正規の伝搬路を伝搬してきた静磁波
との位相が異なり、それが原因となり出力トランスジュ
ーサ８に現れる信号のリップルとなる。よって金属膜９
を反対側の端面に設けて到達した静磁波を吸収し、反射
波を除去することができる。
トランスジューサ８の静磁波の伝搬路と反対側の端面で
は静磁波が反射し、正規の伝搬路を伝搬してきた静磁波
との位相が異なり、それが原因となり出力トランスジュ
ーサ８に現れる信号のリップルとなる。よって金属膜９
を反対側の端面に設けて到達した静磁波を吸収し、反射
波を除去することができる。
【００１８】この発明の第２の実施の形態を図３および
図４に示す。図３は基板１上に形成した第２の実施の形
態を示したもので、入力トランスジューサ３より励振し
た静磁波が、ＹＩＧ膜２の一対の辺１２，１３で入反射
を繰り返して一方向に進行し出力トランスジューサ８に
到達する部分を、入力トランスジューサ３および出力ト
ランスジューサ８の両側に構成している。図では共通部
分に同一符号にダッシュを付しているが、実施の形態で
は図１で示した構造のＹＩＧ膜２を入力トランスジュ−
サ３および出力トランスジュ−サ８の両側に対称に設け
て構成している。
図４に示す。図３は基板１上に形成した第２の実施の形
態を示したもので、入力トランスジューサ３より励振し
た静磁波が、ＹＩＧ膜２の一対の辺１２，１３で入反射
を繰り返して一方向に進行し出力トランスジューサ８に
到達する部分を、入力トランスジューサ３および出力ト
ランスジューサ８の両側に構成している。図では共通部
分に同一符号にダッシュを付しているが、実施の形態で
は図１で示した構造のＹＩＧ膜２を入力トランスジュ−
サ３および出力トランスジュ−サ８の両側に対称に設け
て構成している。
【００１９】入力トランスジューサ３で励振した静磁波
は、ＹＩＧ膜２内を図１と同じ方法で各々の辺１２，１
２′の第１の斜面４，４′および第２の斜面５，５′を
入反射して進路を折返し、辺１３，１３′の第１の斜面
６，６′および第２の斜面７，７′を入反射して進路を
折返し、それ以降の各斜面でそれぞれ入反射を繰り返し
て、入力トランスジューサ３の両側から図３中の矢印の
付いた点線で示したように進み、出力トランスジューサ
８に到達する。その他の構成は第１の実施の形態と同様
であり、たとえばＹＩＧ膜２には膜面に垂直な方向に直
流磁界を印加している。
は、ＹＩＧ膜２内を図１と同じ方法で各々の辺１２，１
２′の第１の斜面４，４′および第２の斜面５，５′を
入反射して進路を折返し、辺１３，１３′の第１の斜面
６，６′および第２の斜面７，７′を入反射して進路を
折返し、それ以降の各斜面でそれぞれ入反射を繰り返し
て、入力トランスジューサ３の両側から図３中の矢印の
付いた点線で示したように進み、出力トランスジューサ
８に到達する。その他の構成は第１の実施の形態と同様
であり、たとえばＹＩＧ膜２には膜面に垂直な方向に直
流磁界を印加している。
【００２０】図４は、裏面に接地用導電膜１１を設けた
アルミナ基板１０上に、図３に示す第２の実施の形態の
構成体をＹＩＧ膜２、入力トランスジュ−サ３および出
力トランスジューサ８を内側にして取りつけて素子とし
たものである。例えば入力トランスジューサ３で励振し
た静磁波は一方側のＹＩＧ膜２内をその辺で入反射して
進み、出力トランスジューサ８に到達するが、さらに反
対側のＹＩＧ膜２内に入射し、その辺で入反射を繰り返
してのち一方のＹＩＧ膜２に再び入射し、出力トランス
ジューサ８に到達する。このように両側のＹＩＧ膜２に
繰り返し伝搬しながら出力側に到達する静磁波間で多重
に干渉する条件を満たせば、多重に干渉しない構成の片
側構成の場合に比べてより大きな遅延時間が得られる。
アルミナ基板１０上に、図３に示す第２の実施の形態の
構成体をＹＩＧ膜２、入力トランスジュ−サ３および出
力トランスジューサ８を内側にして取りつけて素子とし
たものである。例えば入力トランスジューサ３で励振し
た静磁波は一方側のＹＩＧ膜２内をその辺で入反射して
進み、出力トランスジューサ８に到達するが、さらに反
対側のＹＩＧ膜２内に入射し、その辺で入反射を繰り返
してのち一方のＹＩＧ膜２に再び入射し、出力トランス
ジューサ８に到達する。このように両側のＹＩＧ膜２に
繰り返し伝搬しながら出力側に到達する静磁波間で多重
に干渉する条件を満たせば、多重に干渉しない構成の片
側構成の場合に比べてより大きな遅延時間が得られる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の静磁波遅延素子によれ
ば、静磁波がＹＩＧ膜の一対の辺間で入反射を繰り返す
ことにより、素子の寸法を大きくすることなく静磁波の
伝搬長をより長くすることができ、静磁波の進路を高密
度化することができる。したがって、小型化を図りなが
ら遅延時間を長くすることができる。
ば、静磁波がＹＩＧ膜の一対の辺間で入反射を繰り返す
ことにより、素子の寸法を大きくすることなく静磁波の
伝搬長をより長くすることができ、静磁波の進路を高密
度化することができる。したがって、小型化を図りなが
ら遅延時間を長くすることができる。
【００２２】請求項２記載の静磁波遅延素子によれば、
請求項１と同効果がある。請求項３記載の静磁波遅延素
子によれば、請求項１と同効果がある。請求項４記載の
静磁波遅延素子によれば、請求項３の効果のほか、入力
トランスジューサおよび出力トランスジューサの静磁波
の伝搬路と反対側の端面では静磁波が反射し、正規の伝
搬路を伝搬してきた静磁波との位相が異なり、それが原
因となり出力トランスジューサに現れる信号のリップル
となる。よって金属膜を反対側の端面に設けて到達した
静磁波を吸収し、反射波を除去することができる。
請求項１と同効果がある。請求項３記載の静磁波遅延素
子によれば、請求項１と同効果がある。請求項４記載の
静磁波遅延素子によれば、請求項３の効果のほか、入力
トランスジューサおよび出力トランスジューサの静磁波
の伝搬路と反対側の端面では静磁波が反射し、正規の伝
搬路を伝搬してきた静磁波との位相が異なり、それが原
因となり出力トランスジューサに現れる信号のリップル
となる。よって金属膜を反対側の端面に設けて到達した
静磁波を吸収し、反射波を除去することができる。
【００２３】請求項５記載の静磁波遅延素子によれば、
請求項１の効果のほか、例えば入力トランスジューサで
励振した静磁波は一方側のＹＩＧ膜内をその辺で入反射
して進み、出力トランスジューサに到達するが、さらに
反対側のＹＩＧ膜内に入射し、その辺で入反射を繰り返
してのち一方のＹＩＧ膜に再び入射し、出力トランスジ
ューサに到達する。このように両側のＹＩＧ膜に繰り返
し伝搬しながら出力側に到達する静磁波間で多重に干渉
する条件を満たせば、多重に干渉しない構成の片側構成
の場合に比べてより大きな遅延時間が得られる。
請求項１の効果のほか、例えば入力トランスジューサで
励振した静磁波は一方側のＹＩＧ膜内をその辺で入反射
して進み、出力トランスジューサに到達するが、さらに
反対側のＹＩＧ膜内に入射し、その辺で入反射を繰り返
してのち一方のＹＩＧ膜に再び入射し、出力トランスジ
ューサに到達する。このように両側のＹＩＧ膜に繰り返
し伝搬しながら出力側に到達する静磁波間で多重に干渉
する条件を満たせば、多重に干渉しない構成の片側構成
の場合に比べてより大きな遅延時間が得られる。
【図１】この発明の第１の実施の形態による入出力トラ
ンスジューサの片側に静磁波の伝搬路を形成してなる静
磁波遅延素子の基本部分の構成図である。
ンスジューサの片側に静磁波の伝搬路を形成してなる静
磁波遅延素子の基本部分の構成図である。
【図２】裏面に接地用導電膜を設けたアルミナ基板上に
第１の実施の形態の静磁波遅延素子のＹＩＧ膜および入
出力トランスジューサを内側にして取りつけ素子の概略
斜視図である。
第１の実施の形態の静磁波遅延素子のＹＩＧ膜および入
出力トランスジューサを内側にして取りつけ素子の概略
斜視図である。
【図３】第２の実施の形態による入出力トランスジュ−
サの片側に静磁波の伝搬路を形成してなる静磁波遅延素
子の基本部分の構成図である。
サの片側に静磁波の伝搬路を形成してなる静磁波遅延素
子の基本部分の構成図である。
【図４】裏面に接地用導電膜を設けたアルミナ基板上に
第２の実施の形態の静磁波遅延素子のＹＩＧ膜および入
出力トランスジューサを内側にして取りつけ素子の概略
斜視図である。
第２の実施の形態の静磁波遅延素子のＹＩＧ膜および入
出力トランスジューサを内側にして取りつけ素子の概略
斜視図である。
１ 基板 ２ ＹＩＧ膜 ３ 入力トランスジューサ ４，４′ 第１の斜面 ６，６′ 第１の斜面 ５，５′ 第２の斜面 ７，７′ 第２の斜面 ８ 出力トランスジューサ ９ 金属膜 １０ アルミナ基板 １１ 接地用導電膜
Claims (5)
- 【請求項１】 ＹＩＧ膜と、このＹＩＧ膜に垂直な直流
磁界を印加する磁界発生手段と、前記ＹＩＧ膜上に配置
した入力トランスジューサおよび出力トランスジューサ
とを備え、前記入力トランスジューサに高周波信号を入
力して励振した静磁波を、前記ＹＩＧ膜の相対向する一
対の辺の一方に入射することにより、前記静磁波が前記
一対の辺間で交互に入反射を繰り返して前記出力トラン
スジューサに到達するように、前記一対の辺の形状を形
成したことを特徴とする静磁波遅延素子。 - 【請求項２】 ＹＩＧ膜の一対の辺の各々が、入射する
静磁波をこれと直角に反射する第１の斜面と、この第１
の斜面を反射して前記第１の斜面に入射する方向と平行
で反対向きに反射する第２の斜面からなる山形を前記辺
に沿って複数形成したものである請求項１記載の静磁波
遅延素子。 - 【請求項３】 入力トランスジューサより励振した静磁
波が、ＹＩＧ膜の一対の辺で入反射を繰り返して一方向
に進行し出力トランスジューサに到達する部分を入力ト
ランスジューサおよび出力トランスジューサの一方の側
にのみ構成した請求項１記載の静磁波遅延素子。 - 【請求項４】 入力トランスジューサおよび出力トラン
スジューサの他方の側に静磁波を吸収する金属膜をＹＩ
Ｇ膜上に形成した請求項３記載の静磁波遅延素子。 - 【請求項５】 入力トランスジューサより励振した静磁
波が、ＹＩＧ膜の一対の辺で入反射を繰り返して一方向
に進行し出力トランスジューサに到達する部分を入力ト
ランスジューサおよび出力トランスジューサの両側に構
成した請求項１記載の静磁波遅延素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130896A JPH09326613A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 静磁波遅延素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130896A JPH09326613A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 静磁波遅延素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326613A true JPH09326613A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15288879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14130896A Pending JPH09326613A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 静磁波遅延素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326613A (ja) |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP14130896A patent/JPH09326613A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940006926B1 (ko) | 표면 음파 장치 및 그 형성 방법 | |
| US6215375B1 (en) | Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression | |
| US2839731A (en) | Multi-facet ultrasonic delay line | |
| JPH0336326B2 (ja) | ||
| US4314214A (en) | Magnetostatic-wave device comprising a conducting strip exchange structure | |
| JPH08288788A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| US3387233A (en) | Signal dispersion system | |
| US4309679A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| KR20010022225A (ko) | 에칭된 표면 음파 단방향 변환기 | |
| JP2508400B2 (ja) | 導波管方向性結合器 | |
| US3680009A (en) | Acoustic surface wave delay line | |
| US5185548A (en) | Surface acoustic wave device with reflected wave at side edges on waveguide suppressed and communication system using the same | |
| JPS60143003A (ja) | 磁気共鳴器 | |
| JPH09326613A (ja) | 静磁波遅延素子 | |
| US4777462A (en) | Edge coupler magnetostatic wave structures | |
| US3725827A (en) | High coupling low diffraction acoustic surface wave delay line | |
| US4369390A (en) | Symmetric beam width compression multistrip coupler | |
| JP2636580B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| US3789327A (en) | Micro-acoustic waveguide | |
| JPH07170111A (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0728724Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| CA1163333A (en) | Magnetostatic-wave device comprising a conducting- strip exchange structure | |
| JPS58197910A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH0213008A (ja) | 周波数可変発振器 | |
| JPS5999810A (ja) | 弾性表面波装置 |