JPH0728724Y2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH0728724Y2 JPH0728724Y2 JP14547788U JP14547788U JPH0728724Y2 JP H0728724 Y2 JPH0728724 Y2 JP H0728724Y2 JP 14547788 U JP14547788 U JP 14547788U JP 14547788 U JP14547788 U JP 14547788U JP H0728724 Y2 JPH0728724 Y2 JP H0728724Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yig thin
- magnetostatic wave
- thin film
- wave device
- thin films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特にたとえばMSWフィル
タなどとして用いられる静磁波装置に関する。
タなどとして用いられる静磁波装置に関する。
（従来技術） 第５図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。この静磁波装置１では、GGG（ガ
ドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板２の両主面上
に、YIG（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜3
aおよび3bが形成され、一方のYIG薄膜3a上には、アンテ
ナ4aおよび4bが間隔を隔てて配置され、これらのアンテ
ナ4aおよび4bの端部は、他方のYIG薄膜3bの主面上の接
地導体５に接続されている。
を示す斜視図である。この静磁波装置１では、GGG（ガ
ドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板２の両主面上
に、YIG（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜3
aおよび3bが形成され、一方のYIG薄膜3a上には、アンテ
ナ4aおよび4bが間隔を隔てて配置され、これらのアンテ
ナ4aおよび4bの端部は、他方のYIG薄膜3bの主面上の接
地導体５に接続されている。
第６図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す図解図である。この静磁波装置１では、GGG基板
２の一方主面上にYIG薄膜３が形成され、このYIG薄膜３
上に、アンテナ4aおよび4bが配置され、これらのアンテ
ナ4aおよび4bの端部は、GGG基板２の他方主面上の接地
導体５が接続されている。
を示す図解図である。この静磁波装置１では、GGG基板
２の一方主面上にYIG薄膜３が形成され、このYIG薄膜３
上に、アンテナ4aおよび4bが配置され、これらのアンテ
ナ4aおよび4bの端部は、GGG基板２の他方主面上の接地
導体５が接続されている。
（考案が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、実質的に
１枚のYIG薄膜にしか静磁波が励起されないので、挿入
損失が大きかった。
１枚のYIG薄膜にしか静磁波が励起されないので、挿入
損失が大きかった。
それゆえに、この考案の主たる目的は、挿入損失が小さ
い、静磁波装置を提供することである。
い、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この考案は、積層的に設けられる２つのYIG薄膜と、２
つのYIG薄膜のうちの一方のYIG薄膜の主面に対向するよ
うに配置される部分と前記２つのYIG薄膜のうちの他方
のYIG薄膜の主面に対向するように配置される他の部分
とを有するアンテナとを含む、静磁波装置である。
つのYIG薄膜のうちの一方のYIG薄膜の主面に対向するよ
うに配置される部分と前記２つのYIG薄膜のうちの他方
のYIG薄膜の主面に対向するように配置される他の部分
とを有するアンテナとを含む、静磁波装置である。
（作用） ２つのYIG薄膜にアンテナが対向するので、実質的に２
つのYIG薄膜に静磁波が励起される。
つのYIG薄膜に静磁波が励起される。
（考案の効果） この考案によれば、２つのYIG薄膜に静磁波が励起され
るので、挿入損失を小さくすることができる。
るので、挿入損失を小さくすることができる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例） 第1A図ないし第1C図は、それぞれ、この考案の一実施例
を示し、第1A図はその斜視図であり、第1B図はその側面
図解図であり、第1C図はその縦断面図解図である。
を示し、第1A図はその斜視図であり、第1B図はその側面
図解図であり、第1C図はその縦断面図解図である。
この静磁波装置10は、GGG（ガドリニウム，ガリウム，
ガーネット）基板12を含み、GGG基板12の一方主面上お
よび他方主面上には、それぞれ、YIG（イットリウム，
アイアン，ガーネット）薄膜14aおよび14bが形成され
る。この実施例では、YIG薄膜14aおよび14bは、同じ飽
和磁化（４πMS）を有する材料で形成され、しかも、そ
れらに励起される静磁波の位相が合うように形成されて
いる。
ガーネット）基板12を含み、GGG基板12の一方主面上お
よび他方主面上には、それぞれ、YIG（イットリウム，
アイアン，ガーネット）薄膜14aおよび14bが形成され
る。この実施例では、YIG薄膜14aおよび14bは、同じ飽
和磁化（４πMS）を有する材料で形成され、しかも、そ
れらに励起される静磁波の位相が合うように形成されて
いる。
さらに、２つのYIG薄膜14aおよび14bの主面に対向する
ように、たとえば導線からなる２つのアンテナ16および
18が間隔を隔てて配置される。すなわち、アンテナ16
は、２つの直線状のプローブ16aおよび16bを含み、一方
のプローブ16aが一方のYIG薄膜14aに対向するように配
置され、他方のプローブ16bが他方のYIG薄膜14bに対向
するように配置されている。そして、プローブ16aおよ
び16bは、それらの一端が入出力端に接続され、それら
の他端が接地されている。同様に、アンテナ18は、２つ
の直線状のプローブ18aおよび18bを含み、プローブ18a
および18bは、YIG薄膜14aおよび14bにそれぞれ対向する
ように配置され、それらの一端が別の入出力端に接続さ
れ、かつ、それらの他端が接地されている。
ように、たとえば導線からなる２つのアンテナ16および
18が間隔を隔てて配置される。すなわち、アンテナ16
は、２つの直線状のプローブ16aおよび16bを含み、一方
のプローブ16aが一方のYIG薄膜14aに対向するように配
置され、他方のプローブ16bが他方のYIG薄膜14bに対向
するように配置されている。そして、プローブ16aおよ
び16bは、それらの一端が入出力端に接続され、それら
の他端が接地されている。同様に、アンテナ18は、２つ
の直線状のプローブ18aおよび18bを含み、プローブ18a
および18bは、YIG薄膜14aおよび14bにそれぞれ対向する
ように配置され、それらの一端が別の入出力端に接続さ
れ、かつ、それらの他端が接地されている。
この静磁波装置10では、たとえば、YIG薄膜14aおよび14
bの主面に直交する方向に、直流磁界が印加されて使用
される。そして、たとえばアンテナ16に信号を入力すれ
ば、２つのYIG薄膜14aおよび14b上に体積前進静磁波（M
SFVW）が励起され、この体積前進静磁波は、アンテナ16
から18側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進
静磁波は、アンテナ18で受信される。したがって、この
静磁波装置10では、第５図および第６図に示す従来例に
比べて、実質的に２つのYIG薄膜に静磁波が励起される
ので、挿入損失が小さくなるとともにＱ値が大きくな
る。
bの主面に直交する方向に、直流磁界が印加されて使用
される。そして、たとえばアンテナ16に信号を入力すれ
ば、２つのYIG薄膜14aおよび14b上に体積前進静磁波（M
SFVW）が励起され、この体積前進静磁波は、アンテナ16
から18側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進
静磁波は、アンテナ18で受信される。したがって、この
静磁波装置10では、第５図および第６図に示す従来例に
比べて、実質的に２つのYIG薄膜に静磁波が励起される
ので、挿入損失が小さくなるとともにＱ値が大きくな
る。
さらに、この静磁波装置10では、YIG薄膜の実効的な幅
が１つのYIG薄膜の幅の約２倍となるので、従来例に比
べて小型になる。
が１つのYIG薄膜の幅の約２倍となるので、従来例に比
べて小型になる。
また、第５図に示す従来例では、アンテナから各YIG薄
膜までの距離が異なり、接地導体から各YIG薄膜までの
距離が異なるので、各YIG薄膜において、静磁波の伝搬
速度および位相が異なり、そのため、不要モードがあら
われる。それに対して、この静磁波装置10では、アンテ
ナから各YIG薄膜までの距離がほぼ等しくなるため、そ
のような不要モードを低減することができる。
膜までの距離が異なり、接地導体から各YIG薄膜までの
距離が異なるので、各YIG薄膜において、静磁波の伝搬
速度および位相が異なり、そのため、不要モードがあら
われる。それに対して、この静磁波装置10では、アンテ
ナから各YIG薄膜までの距離がほぼ等しくなるため、そ
のような不要モードを低減することができる。
さらに、この実施例の静磁波装置10では、GGG基板12に
対向するYIG薄膜14aおよび14bの両面を使用するため、Y
IG薄膜14aおよび14bの片面を研磨する必要がなく製造時
における作業性がよい。
対向するYIG薄膜14aおよび14bの両面を使用するため、Y
IG薄膜14aおよび14bの片面を研磨する必要がなく製造時
における作業性がよい。
第2A図および第2B図は、それぞれ、この考案の他の実施
例を示し、第2A図はその側面図解図であり、第2B図はそ
の縦断面図解図である。上述の実施例では、２つのYIG
薄膜14aおよび14bが１つのGGG基板12の両主面上に形成
されているが、この実施例では、２つのYIG薄膜14aおよ
び14bが、たとえば金属板からなる接地導体11と２つのG
GG基板12aおよび12bとからなる積層物の両主面上に形成
されている。すなわち、この実施例では、接地導体11を
含み、接地導体11の一方主面上および他方主面上には、
GGG基板12aおよび12bが形成される。この場合、２つのG
GG基板12aおよび12bは、接地導体11の一端部が露出する
ように形成される。そして、一方のGGG基板12aの主面上
に一方のYIG薄膜14aが形成され、他方のGGG基板12bの主
面上に他方のYIG薄膜14bが形成される。
例を示し、第2A図はその側面図解図であり、第2B図はそ
の縦断面図解図である。上述の実施例では、２つのYIG
薄膜14aおよび14bが１つのGGG基板12の両主面上に形成
されているが、この実施例では、２つのYIG薄膜14aおよ
び14bが、たとえば金属板からなる接地導体11と２つのG
GG基板12aおよび12bとからなる積層物の両主面上に形成
されている。すなわち、この実施例では、接地導体11を
含み、接地導体11の一方主面上および他方主面上には、
GGG基板12aおよび12bが形成される。この場合、２つのG
GG基板12aおよび12bは、接地導体11の一端部が露出する
ように形成される。そして、一方のGGG基板12aの主面上
に一方のYIG薄膜14aが形成され、他方のGGG基板12bの主
面上に他方のYIG薄膜14bが形成される。
さらに、この実施例では、アンテナ16および18の各プロ
ーブ16a,16b,18aおよび18bの他端が、接地導体11の一端
部に接続されている。
ーブ16a,16b,18aおよび18bの他端が、接地導体11の一端
部に接続されている。
この実施例でも、２つのYIG薄膜14aおよび14bに静磁波
が励起されるので、挿入損失が小さくなりかつＱ値が大
きくなる。しかも、アンテナ16および18から各YIG薄膜1
4aおよび14bまでの距離がほぼ等しく、かつ、接地導体
から各YIG薄膜14aおよび14bまでの距離がほぼ等しいの
で、各YIG薄膜14aおよび14bにおける静磁波の伝搬速度
および位相がほぼ等しくなり、そのため、不要モードを
低減することができる。
が励起されるので、挿入損失が小さくなりかつＱ値が大
きくなる。しかも、アンテナ16および18から各YIG薄膜1
4aおよび14bまでの距離がほぼ等しく、かつ、接地導体
から各YIG薄膜14aおよび14bまでの距離がほぼ等しいの
で、各YIG薄膜14aおよび14bにおける静磁波の伝搬速度
および位相がほぼ等しくなり、そのため、不要モードを
低減することができる。
なお、上述の各実施例では、YIG薄膜14aおよび14bが同
じ飽和磁化（４πMS）を有する材料で形成されている
が、この考案では、YIG薄膜14aおよび14bを飽和磁化
（４πMS）の異なった材料で形成してもよい。このよう
にYIG薄膜14aおよび14bの飽和磁化（４πMS）を異なら
せれば、一方のYIG薄膜14aによる周波数特性と他方のYI
G薄膜14bによる周波数特性は、たとえば第３図の実線お
よび点線で示すように通過帯域の周波数がずれた形とな
り、静磁波装置全体としては、第４図に示すように広帯
域となる。
じ飽和磁化（４πMS）を有する材料で形成されている
が、この考案では、YIG薄膜14aおよび14bを飽和磁化
（４πMS）の異なった材料で形成してもよい。このよう
にYIG薄膜14aおよび14bの飽和磁化（４πMS）を異なら
せれば、一方のYIG薄膜14aによる周波数特性と他方のYI
G薄膜14bによる周波数特性は、たとえば第３図の実線お
よび点線で示すように通過帯域の周波数がずれた形とな
り、静磁波装置全体としては、第４図に示すように広帯
域となる。
また、上述の各実施例では、アンテナ16および18が導線
で形成されているが、アンテナ16および18は、YIG薄膜1
4aおよび14bの表面などにたとえば蒸着，エッチングな
どの方法によって形成されてもよい。
で形成されているが、アンテナ16および18は、YIG薄膜1
4aおよび14bの表面などにたとえば蒸着，エッチングな
どの方法によって形成されてもよい。
第1A図ないし第1C図は、それぞれ、この考案の一実施例
を示し、第1A図はその斜視図であり、第1B図はその側面
図解図であり、第1C図はその縦断面図解図である。 第2A図および第2B図は、それぞれ、この考案の他の実施
例を示し、第2A図はその側面図解図であり、第2B図はそ
の縦断面図解図である。 第３図は飽和磁化（４πMS）の異なった２つのYIG薄膜
によるそれぞれの周波数特性を示すグラフである。 第４図は飽和磁化（４πMS）の異なった２つのYIG薄膜
による周波数特性を示すグラフである。 第５図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 第６図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の他の
例を示す側面図解図である。 図において、10は静磁波装置、14aおよび14bはYIG薄
膜、16および18はアンテナを示す。
を示し、第1A図はその斜視図であり、第1B図はその側面
図解図であり、第1C図はその縦断面図解図である。 第2A図および第2B図は、それぞれ、この考案の他の実施
例を示し、第2A図はその側面図解図であり、第2B図はそ
の縦断面図解図である。 第３図は飽和磁化（４πMS）の異なった２つのYIG薄膜
によるそれぞれの周波数特性を示すグラフである。 第４図は飽和磁化（４πMS）の異なった２つのYIG薄膜
による周波数特性を示すグラフである。 第５図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 第６図はこの考案の背景となる従来の静磁波装置の他の
例を示す側面図解図である。 図において、10は静磁波装置、14aおよび14bはYIG薄
膜、16および18はアンテナを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】積層的に設けられる２つのYIG薄膜、およ
び 前記２つのYIG薄膜のうちの一方のYIG薄膜の主面に対向
するように配置される部分と前記２つのYIG薄膜のうち
の他方のYIG薄膜の主面に対向するように配置される他
の部分とを有するアンテナを含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14547788U JPH0728724Y2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14547788U JPH0728724Y2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266025U JPH0266025U (ja) | 1990-05-18 |
| JPH0728724Y2 true JPH0728724Y2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=31414103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14547788U Expired - Lifetime JPH0728724Y2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728724Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP14547788U patent/JPH0728724Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0266025U (ja) | 1990-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3019008B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| US4782312A (en) | Mode selective magnetostatic wave resonators | |
| JPH0728724Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| US4777462A (en) | Edge coupler magnetostatic wave structures | |
| US5663698A (en) | Magnetostatic wave device having slanted end portions | |
| JP2636580B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH089925Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPS59175201A (ja) | フイルタ装置 | |
| EP0713290B1 (en) | Magnetostatic wave device having disk shape | |
| JPH0760965B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPS62224101A (ja) | 静磁波フイルタバンク | |
| JP2501877Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0727683Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2504976Y2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP3279159B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP3215874B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH03259601A (ja) | 静磁波装置 | |
| JP3419056B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JPH0756922B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2630109B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH03228405A (ja) | 静磁波装置 | |
| Wallin et al. | Suppression of magnetostatic backward volume wave end reflections via field gradients | |
| JPH06120709A (ja) | 静磁波共振器 | |
| JPH0758523A (ja) | Ｓ／ｎエンハンサ | |
| JPH04105401A (ja) | 静磁波フィルタ |