JPH03228405A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH03228405A JPH03228405A JP2432790A JP2432790A JPH03228405A JP H03228405 A JPH03228405 A JP H03228405A JP 2432790 A JP2432790 A JP 2432790A JP 2432790 A JP2432790 A JP 2432790A JP H03228405 A JPH03228405 A JP H03228405A
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- Japan
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- magnetostatic wave
- thin film
- base
- ground conductor
- wave device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばスペーサを
介してフェリ磁性基体の主面上にトランスデユーサが形
成された静磁波装置に関する。
介してフェリ磁性基体の主面上にトランスデユーサが形
成された静磁波装置に関する。
（従来技術）
第３図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。この静磁波装置１は接地導体２を
含む、接地導体２上には、絶縁体としてアルミナ基板３
が形成される。アルミナ基板３上には、間隔を隔てて２
つのトランスデユーサ４ａ、４ｂが形成される。
を示す斜視図である。この静磁波装置１は接地導体２を
含む、接地導体２上には、絶縁体としてアルミナ基板３
が形成される。アルミナ基板３上には、間隔を隔てて２
つのトランスデユーサ４ａ、４ｂが形成される。
これらのトランスデユーサ４ａ、４ｂ上には、スペーサ
５が形成される。さらに、スペーサ５上には、フェリ磁
性基体としてのＹＩＧ（イツトリウム、アイアン、ガー
ネット）薄膜６が形成される。したがって、ＹＩＧ薄膜
６の一方主面上に、スペーサ５を介してトランスデユー
サ４ａ、４ｂが形成されている。さらに、ｙｔＧｆｊｌ
膜６上には、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガー
ネット）層７が形成される。
５が形成される。さらに、スペーサ５上には、フェリ磁
性基体としてのＹＩＧ（イツトリウム、アイアン、ガー
ネット）薄膜６が形成される。したがって、ＹＩＧ薄膜
６の一方主面上に、スペーサ５を介してトランスデユー
サ４ａ、４ｂが形成されている。さらに、ｙｔＧｆｊｌ
膜６上には、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガー
ネット）層７が形成される。
この静磁波装置１を使用するには、たとえばＹＩＧ薄膜
６の主面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そ
して、一方のトランスデユーサ４ａに入力信号が入力さ
れると、Ｙ Ｉ ｃｉｌ膜６に静磁波が励起され、この
静磁波が他方のトランスデユーサ４ｂに伝搬される。伝
搬された静磁波は他方のトランスデユーサ４ｂで受信さ
れ、出力信号として出力される。
６の主面に直交する方向に、直流磁界が印加される。そ
して、一方のトランスデユーサ４ａに入力信号が入力さ
れると、Ｙ Ｉ ｃｉｌ膜６に静磁波が励起され、この
静磁波が他方のトランスデユーサ４ｂに伝搬される。伝
搬された静磁波は他方のトランスデユーサ４ｂで受信さ
れ、出力信号として出力される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来の静磁波装置は多層に形
成されているため、その厚みが太き（、大型であった。
成されているため、その厚みが太き（、大型であった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、従来のものに比
べて小型化することができる静磁波装置を提供すること
である。
べて小型化することができる静磁波装置を提供すること
である。
（課題を解決するための手段）
この発明は、接地導体と、接地導体上に形成される台と
、台上に形成されるフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体
上に形成されるスペーサと、スペーサ上に形成されるト
ランスデユーサとを含む、静磁波装置である。
、台上に形成されるフェリ磁性基体と、フェリ磁性基体
上に形成されるスペーサと、スペーサ上に形成されるト
ランスデユーサとを含む、静磁波装置である。
（作用）
接地導体上に形成された台が、従来の静磁波装置のＧＧ
Ｇ層と絶縁体としてのアルミナ基板との両方の役割を果
たす。
Ｇ層と絶縁体としてのアルミナ基板との両方の役割を果
たす。
（発明の効果）
この発明によれば、従来の静磁波装置に比べて、アルミ
ナ基板を省略することができる。したがって、この発明
の静磁波装置は、従来のものに比べて、その厚みを小さ
くすることができ、小型化す、ることができる。
ナ基板を省略することができる。したがって、この発明
の静磁波装置は、従来のものに比べて、その厚みを小さ
くすることができ、小型化す、ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、第２
図はその平面図である。静磁波装置１０は接地導体１２
を含む。接地導体１２は、たとえば金属板などで矩形に
形成される。接地導体１２上には、台としての０００層
１４が形成される。
図はその平面図である。静磁波装置１０は接地導体１２
を含む。接地導体１２は、たとえば金属板などで矩形に
形成される。接地導体１２上には、台としての０００層
１４が形成される。
０００層１４は、たとえば接地導体１２の幅より小さい
幅を有する矩形状に形成される。
幅を有する矩形状に形成される。
さらに、０００層１４上には、その全面にフェリ磁性基
体としてのＹＩＧ薄膜１６が形成される。
体としてのＹＩＧ薄膜１６が形成される。
０００層１４は、ＹＩＧ薄膜１６の台として働くととも
に、接地導体１２とＹＩＧ薄膜１６との間の絶縁体とし
ても働く。
に、接地導体１２とＹＩＧ薄膜１６との間の絶縁体とし
ても働く。
Ｙ Ｉ Ｇｆｉｔ膜１６上には、その全面にスペーサ１
８が形成される。さらに、スペーサ１８上には、その長
平方向に間隔を隔てて、２つのトランスデユーサ２０ａ
および２０ｂが形成される。これらのトランスデユーサ
２０ａ、２０ｂは、スペーサ１８の幅方向に延びるよう
に形成され、それぞれの一端がはんだ付けなどによって
接地導体１２に接続される。
８が形成される。さらに、スペーサ１８上には、その長
平方向に間隔を隔てて、２つのトランスデユーサ２０ａ
および２０ｂが形成される。これらのトランスデユーサ
２０ａ、２０ｂは、スペーサ１８の幅方向に延びるよう
に形成され、それぞれの一端がはんだ付けなどによって
接地導体１２に接続される。
ＹＩＧ薄膜１６には、たとえば磁石（図示せず）などに
よって、その主面に直交する方向に直流磁界が印加され
る。そして、一方のトランスデユーサ２Ｑａに入力信号
が入力される。それによって、ＹＩＧ薄膜１６上に体積
前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起され、その体積前進静
磁波がＹＩＧ薄膜１６上を伝搬して、他方のトランスデ
ユーサ２０ｂで受信される。そして、このトランスデユ
ーサ２０ｂから、出力信号として出力される。
よって、その主面に直交する方向に直流磁界が印加され
る。そして、一方のトランスデユーサ２Ｑａに入力信号
が入力される。それによって、ＹＩＧ薄膜１６上に体積
前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起され、その体積前進静
磁波がＹＩＧ薄膜１６上を伝搬して、他方のトランスデ
ユーサ２０ｂで受信される。そして、このトランスデユ
ーサ２０ｂから、出力信号として出力される。
この静磁波装置１０では、０００層１４がＹＩＧ薄膜１
６の台として働くとともに、接地導体１２とＹＩＧ薄膜
１６との間の絶縁体として働くため、従来の静磁波装置
のように絶縁体としてのアルミナ基板を形成する必要が
ない。したがって、この静磁波装置１０は、従来の静磁
波装置に比べてその厚みを小さくすることができ、小型
化することができる。また、高次モードが抑圧されるこ
とが確かめられた。
６の台として働くとともに、接地導体１２とＹＩＧ薄膜
１６との間の絶縁体として働くため、従来の静磁波装置
のように絶縁体としてのアルミナ基板を形成する必要が
ない。したがって、この静磁波装置１０は、従来の静磁
波装置に比べてその厚みを小さくすることができ、小型
化することができる。また、高次モードが抑圧されるこ
とが確かめられた。
なお、ＹＩＧ薄膜１６に印加する直流磁界の方向は、任
意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１６の主面
に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１６上には
、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、Ｙ
ＩＧ薄膜１６の主面に平行でかつ静磁波の伝搬方向と平
行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧｆ
ｉｌ膜１６上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝
搬される。
意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１６の主面
に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１６上には
、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、Ｙ
ＩＧ薄膜１６の主面に平行でかつ静磁波の伝搬方向と平
行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧｆ
ｉｌ膜１６上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝
搬される。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図に示す静磁波装置の平面図である。
第３図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 図において、１０は静磁波装置、１２は接地導体、１４
はＧＧＧ層、１６はＹＩＧｖｉＩ膜、１８はスペーサ、
２０ａおよび２０ｂはトランスデユーサを示す。
を示す斜視図である。 図において、１０は静磁波装置、１２は接地導体、１４
はＧＧＧ層、１６はＹＩＧｖｉＩ膜、１８はスペーサ、
２０ａおよび２０ｂはトランスデユーサを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 接地導体、 前記接地導体上に形成される台、 前記台上に形成されるフェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体上に形成されるスペーサ、および 前記スペーサ上に形成されるトランスデューサを含む、
静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2432790A JPH03228405A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2432790A JPH03228405A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228405A true JPH03228405A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12135087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2432790A Pending JPH03228405A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03259602A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143819A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface magnetostatic wave device |
| JPH01233822A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波共振器 |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2432790A patent/JPH03228405A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143819A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface magnetostatic wave device |
| JPH01233822A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波共振器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03259602A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
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