JP2636561B2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- dielectric substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
に、たとえばＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性基体とそのフ
ェリ磁性基体が固定される誘電体基板とを有する静磁波
装置に関する。
に、たとえばＹＩＧ薄膜などのフェリ磁性基体とそのフ
ェリ磁性基体が固定される誘電体基板とを有する静磁波
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の静磁波装置を示す断面図で
ある。この静磁波装置１は、たとえば矩形のＧＧＧ基板
２を含み、ＧＧＧ基板２の一方主面には、ＹＩＧ薄膜３
が形成されている。このＧＧＧ基板２およびＹＩＧ薄膜
３は、ＧＧＧ基板の一方主面にＹＩＧ薄膜をＬＰＥ法
（液層エピタキシャル法）で成長し、それをたとえばダ
イシングソーなどで矩形に切断することによって形成さ
れる。また、誘電体基板４の一方主面に、２つのトラン
スデューサ５ａおよび５ｂが、間隔を隔てて形成され
る。そして、ＹＩＧ薄膜３の表面全面が、誘電体基板４
の一方主面に接着剤６で接着される。
ある。この静磁波装置１は、たとえば矩形のＧＧＧ基板
２を含み、ＧＧＧ基板２の一方主面には、ＹＩＧ薄膜３
が形成されている。このＧＧＧ基板２およびＹＩＧ薄膜
３は、ＧＧＧ基板の一方主面にＹＩＧ薄膜をＬＰＥ法
（液層エピタキシャル法）で成長し、それをたとえばダ
イシングソーなどで矩形に切断することによって形成さ
れる。また、誘電体基板４の一方主面に、２つのトラン
スデューサ５ａおよび５ｂが、間隔を隔てて形成され
る。そして、ＹＩＧ薄膜３の表面全面が、誘電体基板４
の一方主面に接着剤６で接着される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す従来の静磁
波装置１では、ＹＩＧ薄膜３とトランスデューサ５ａお
よび５ｂとの間に接着剤６が存在し、この接着剤６の誘
電体損が誘電体基板４の誘電体損よりも大きいため、誘
電体損が大きいという問題があった。
波装置１では、ＹＩＧ薄膜３とトランスデューサ５ａお
よび５ｂとの間に接着剤６が存在し、この接着剤６の誘
電体損が誘電体基板４の誘電体損よりも大きいため、誘
電体損が大きいという問題があった。
【０００４】また、この静磁波装置１では、ＹＩＧ薄膜
３の表面全体が誘電体基板４に接着され、ＹＩＧ薄膜３
と誘電体基板４との熱膨張係数が異なるため、温度変化
によってＹＩＧ薄膜３に誘電体基板４から応力が加わ
る。この応力と異方性磁界との関係は、異方性磁界をＨ
a で、応力をσで、磁歪定数をλで、飽和磁化を４πＭ
s で示すと、Ｈa ＝−３σλ／４πＭs で表される。こ
のとき、ＹＩＧ薄膜３に加わる応力は、その内部におい
て均一にならないため、異方性磁界も、ＹＩＧ薄膜３の
内部において均一にならない。一方、ＹＩＧ薄膜３にお
いて、磁気共鳴周波数ｆは、磁気回転比をγで、外部印
加磁界をＨexで、反磁場係数をＮで、飽和磁化を４πＭ
s で、異方性磁界をＨa で示すと、ｆ＝γ（Ｈex−Ｎ・
４πＭs ＋Ｈa ）で表され、異方性磁界Ｈa が異なれ
ば、磁気共鳴周波数ｆも異なる。したがって、ＹＩＧ薄
膜３の内部において、磁気共鳴周波数が均一にならな
い。そのため、この静磁波装置１では、不要共振が大き
い。
３の表面全体が誘電体基板４に接着され、ＹＩＧ薄膜３
と誘電体基板４との熱膨張係数が異なるため、温度変化
によってＹＩＧ薄膜３に誘電体基板４から応力が加わ
る。この応力と異方性磁界との関係は、異方性磁界をＨ
a で、応力をσで、磁歪定数をλで、飽和磁化を４πＭ
s で示すと、Ｈa ＝−３σλ／４πＭs で表される。こ
のとき、ＹＩＧ薄膜３に加わる応力は、その内部におい
て均一にならないため、異方性磁界も、ＹＩＧ薄膜３の
内部において均一にならない。一方、ＹＩＧ薄膜３にお
いて、磁気共鳴周波数ｆは、磁気回転比をγで、外部印
加磁界をＨexで、反磁場係数をＮで、飽和磁化を４πＭ
s で、異方性磁界をＨa で示すと、ｆ＝γ（Ｈex−Ｎ・
４πＭs ＋Ｈa ）で表され、異方性磁界Ｈa が異なれ
ば、磁気共鳴周波数ｆも異なる。したがって、ＹＩＧ薄
膜３の内部において、磁気共鳴周波数が均一にならな
い。そのため、この静磁波装置１では、不要共振が大き
い。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、誘
電体損が小さくかつ不要共振が小さい、静磁波装置を提
供することである。
電体損が小さくかつ不要共振が小さい、静磁波装置を提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる静磁波
装置は、フェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体が固定
される誘電体基板と、この誘電体基板の表面に形成され
るトランスデューサとを含み、フェリ磁性基体と誘電体
基板とを、誘電体基板の表面におけるトランスデューサ
を除く部分の一点で、接着固定した、静磁波装置であ
る。この発明にかかる他の静磁波装置は、フェリ磁性基
体と、誘電体基板と、この誘電体基板の表面に形成され
るトランスデューサと、その誘電体基板に固着される別
の誘電体基板とを含み、フェリ磁性基体とその別の誘電
体基板とを、その別の誘電体基板の表面におけるトラン
スデューサを除く部分の一点で、接着固定した、静磁波
装置である。 なお、トランスデューサは、誘電体基板に
おいてフェリ磁性基体を固定する側の主面あるいは固定
しない側の主面に形成されてもよい。
装置は、フェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体が固定
される誘電体基板と、この誘電体基板の表面に形成され
るトランスデューサとを含み、フェリ磁性基体と誘電体
基板とを、誘電体基板の表面におけるトランスデューサ
を除く部分の一点で、接着固定した、静磁波装置であ
る。この発明にかかる他の静磁波装置は、フェリ磁性基
体と、誘電体基板と、この誘電体基板の表面に形成され
るトランスデューサと、その誘電体基板に固着される別
の誘電体基板とを含み、フェリ磁性基体とその別の誘電
体基板とを、その別の誘電体基板の表面におけるトラン
スデューサを除く部分の一点で、接着固定した、静磁波
装置である。 なお、トランスデューサは、誘電体基板に
おいてフェリ磁性基体を固定する側の主面あるいは固定
しない側の主面に形成されてもよい。
【０００７】
【作用】誘電体基板または別の誘電体基板とフェリ磁性
基体とが、その誘電体基板またはその別の誘電体基板の
表面におけるトランスデューサを除く部分の一点で接着
固定されるため、フェリ磁性基体とトランスデューサと
の間に誘電体損の大きい接着剤が存在しない。また、誘
電体基板または別の誘電体基板とフェリ磁性基体とが、
その誘電体基板またはその別の誘電体基板の表面におけ
るトランスデューサを除く部分の一点で接着固定される
ので、温度変化によって誘電体基板からフェリ磁性基体
に加わる応力が小さくなる。そのため、フェリ磁性基体
の内部において、異方性磁界がほとんど変化せず、磁気
共鳴周波数もほとんど変化しない。
基体とが、その誘電体基板またはその別の誘電体基板の
表面におけるトランスデューサを除く部分の一点で接着
固定されるため、フェリ磁性基体とトランスデューサと
の間に誘電体損の大きい接着剤が存在しない。また、誘
電体基板または別の誘電体基板とフェリ磁性基体とが、
その誘電体基板またはその別の誘電体基板の表面におけ
るトランスデューサを除く部分の一点で接着固定される
ので、温度変化によって誘電体基板からフェリ磁性基体
に加わる応力が小さくなる。そのため、フェリ磁性基体
の内部において、異方性磁界がほとんど変化せず、磁気
共鳴周波数もほとんど変化しない。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、フェリ磁性基体とト
ランスデューサとの間に誘電体損の大きい接着剤が存在
しないため、静磁波装置の誘電体損が小さくなる。さら
に、フェリ磁性基体の内部において磁気共鳴周波数がほ
とんど変化しないため、静磁波装置の不要共振が小さく
なる。
ランスデューサとの間に誘電体損の大きい接着剤が存在
しないため、静磁波装置の誘電体損が小さくなる。さら
に、フェリ磁性基体の内部において磁気共鳴周波数がほ
とんど変化しないため、静磁波装置の不要共振が小さく
なる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。この静磁波装置１０は、たとえば矩形のＧＧＧ基板
１２を含む。このＧＧＧ基板１２の一方主面には、フェ
リ磁性基体としてＹＩＧ薄膜１４が形成される。
る。この静磁波装置１０は、たとえば矩形のＧＧＧ基板
１２を含む。このＧＧＧ基板１２の一方主面には、フェ
リ磁性基体としてＹＩＧ薄膜１４が形成される。
【００１１】また、誘電体基板１６の一方主面には、２
つのトランスデューサ１８ａおよび１８ｂが、間隔を隔
てて平行に形成される。
つのトランスデューサ１８ａおよび１８ｂが、間隔を隔
てて平行に形成される。
【００１２】そして、ＹＩＧ薄膜１４の表面の中央部
は、誘電体基板１６の一方主面において２つのトランス
デューサ１８ａおよび１８ｂの間に、接着剤２０で接着
される。
は、誘電体基板１６の一方主面において２つのトランス
デューサ１８ａおよび１８ｂの間に、接着剤２０で接着
される。
【００１３】この静磁波装置１０では、ＹＩＧ薄膜１４
においてトランスデューサ１８ａおよび１８ｂに対向し
ない一部が誘電体基板１６に接着剤２０で接着され、Ｙ
ＩＧ薄膜１４とトランスデューサ１８ａおよび１８ｂと
の間に誘電体損の大きい接着剤が存在しないため、誘電
体損が小さくなる。
においてトランスデューサ１８ａおよび１８ｂに対向し
ない一部が誘電体基板１６に接着剤２０で接着され、Ｙ
ＩＧ薄膜１４とトランスデューサ１８ａおよび１８ｂと
の間に誘電体損の大きい接着剤が存在しないため、誘電
体損が小さくなる。
【００１４】さらに、この静磁波装置１０では、ＹＩＧ
薄膜１４の一部が、いいかえると一点固定の状態で誘電
体基板１６に接着剤２０で接着されるので、温度変化に
よって誘電体基板１６からＹＩＧ薄膜１４に加わる応力
が小さくなる。そのため、ＹＩＧ薄膜１４の内部におい
て、異方性磁界がほとんど変化せず、磁気共鳴周波数も
ほとんど変化しない。したがって、この静磁波装置１０
では、不要共振が小さくなる。
薄膜１４の一部が、いいかえると一点固定の状態で誘電
体基板１６に接着剤２０で接着されるので、温度変化に
よって誘電体基板１６からＹＩＧ薄膜１４に加わる応力
が小さくなる。そのため、ＹＩＧ薄膜１４の内部におい
て、異方性磁界がほとんど変化せず、磁気共鳴周波数も
ほとんど変化しない。したがって、この静磁波装置１０
では、不要共振が小さくなる。
【００１５】図２はこの発明の他の実施例を示す断面図
てある。図２に示す実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１４
と誘電体基板１６との間に、別の誘電体基板２２が設け
られている。この場合、別の誘電体基板２２は、その一
方主面において両端部および中央部が、誘電体基板１６
の一方主面において２つのトランスデューサ１８ａおよ
び１８ｂの外側および間に、それぞれ接着剤２０で接着
される。また、ＹＩＧ薄膜１４は、その表面の中央部
が、別の誘電体基板２２の他方主面の中央部に接着剤２
０で接着される。
てある。図２に示す実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１４
と誘電体基板１６との間に、別の誘電体基板２２が設け
られている。この場合、別の誘電体基板２２は、その一
方主面において両端部および中央部が、誘電体基板１６
の一方主面において２つのトランスデューサ１８ａおよ
び１８ｂの外側および間に、それぞれ接着剤２０で接着
される。また、ＹＩＧ薄膜１４は、その表面の中央部
が、別の誘電体基板２２の他方主面の中央部に接着剤２
０で接着される。
【００１６】図２に示す実施例でも、ＹＩＧ薄膜１４と
トランスデューサ１８ａおよび１８ｂとの間に接着剤が
存在しないため誘電体損が小さく、ＹＩＧ薄膜１４の一
部が別の誘電体基板２２に接着剤２０で接着されるため
不要共振が小さくなる。
トランスデューサ１８ａおよび１８ｂとの間に接着剤が
存在しないため誘電体損が小さく、ＹＩＧ薄膜１４の一
部が別の誘電体基板２２に接着剤２０で接着されるため
不要共振が小さくなる。
【００１７】図３はこの発明のさらに他の実施例を示す
断面図である。図３に示す実施例では、ＹＩＧ薄膜１４
の表面の中央部が、誘電体基板１６においてトランスデ
ューサ１８ａおよび１８ｂが形成されていない主面に、
接着剤２０で接着される。図３に示す実施例でも、誘電
体損が小さく不要共振も小さくなる。
断面図である。図３に示す実施例では、ＹＩＧ薄膜１４
の表面の中央部が、誘電体基板１６においてトランスデ
ューサ１８ａおよび１８ｂが形成されていない主面に、
接着剤２０で接着される。図３に示す実施例でも、誘電
体損が小さく不要共振も小さくなる。
【００１８】なお、上述の各実施例では、ＹＩＧ薄膜１
４の中央部のみが接着剤２０で接着されているが、ＹＩ
Ｇ薄膜１４を固定するためには、ＹＩＧ薄膜１４の一端
部のみが接着剤で接着されてもよい。
４の中央部のみが接着剤２０で接着されているが、ＹＩ
Ｇ薄膜１４を固定するためには、ＹＩＧ薄膜１４の一端
部のみが接着剤で接着されてもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す断面図てある。
【図３】この発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】従来の静磁波装置の一例を示す断面図である。
１０ 静磁波装置 １２ ＧＧＧ基板 １４ ＹＩＧ薄膜 １６ 誘電体基板 １８ａ，１８ｂ トランスデューサ ２０ 接着剤 ２２ 別の誘電体基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 谷 文 夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (56)参考文献 特開 平４−160913（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体が固定される誘電体基板、および 前記誘電体基板の表面に形成されるトランスデューサを
含み、前記フェリ磁性基体と前記誘電体基板とを、前記誘電体
基板の表面における前記トランスデューサを除く部分の
一点で、接着 固定した、静磁波装置。 - 【請求項２】 フェリ磁性基体、 誘電体基板、 前記誘電体基板の表面に形成されるトランスデューサ、
および 前記誘電体基板に固着される別の誘電体基板を含み、前記フェリ磁性基体と前記別の誘電体基板とを、前記別
の誘電体基板の表面における前記トランスデューサを除
く部分の一点で、接着固定した、 静磁波装置。 - 【請求項３】 前記トランスデューサは、前記誘電体基
板において前記フェリ磁性基体を固定しない側の主面に
形成される、請求項１または請求項２の静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16351491A JP2636561B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16351491A JP2636561B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04361403A JPH04361403A (ja) | 1992-12-15 |
| JP2636561B2 true JP2636561B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=15775314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16351491A Expired - Fee Related JP2636561B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2636561B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5990808B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2016-09-14 | 株式会社Ｉｆｇ | カー効果を利用した表面応力測定装置 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16351491A patent/JP2636561B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04361403A (ja) | 1992-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |