JPH10135709A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH10135709A JPH10135709A JP30098696A JP30098696A JPH10135709A JP H10135709 A JPH10135709 A JP H10135709A JP 30098696 A JP30098696 A JP 30098696A JP 30098696 A JP30098696 A JP 30098696A JP H10135709 A JPH10135709 A JP H10135709A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性が良くしかも動作周波数帯域の広い、静
磁波装置を提供する。 【解決手段】 フェリ磁性素子２の幅方向の両側には、
磁界印加装置１２が配置される。フェリ磁性素子２の幅
方向両側には、所定の間隔をおいて、一対の永久磁石１
４が互いに平行に配置される。そして、永久磁石１４の
フェリ磁性素子２と対向した側面には、三角柱状のポー
ルピース１６が一体的に形成される。ポールピース１６
のＹＩＧ薄膜４に対向した面は、ＭＳＳＷの伝搬方向に
対して斜めに延びて形成される。
磁波装置を提供する。 【解決手段】 フェリ磁性素子２の幅方向の両側には、
磁界印加装置１２が配置される。フェリ磁性素子２の幅
方向両側には、所定の間隔をおいて、一対の永久磁石１
４が互いに平行に配置される。そして、永久磁石１４の
フェリ磁性素子２と対向した側面には、三角柱状のポー
ルピース１６が一体的に形成される。ポールピース１６
のＹＩＧ薄膜４に対向した面は、ＭＳＳＷの伝搬方向に
対して斜めに延びて形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は静磁波装置に関
し、特に、広い動作周波数帯域を必要とするもの、たと
えば静磁波フィルタやＳ／Ｎエンハンサなどに関する。
し、特に、広い動作周波数帯域を必要とするもの、たと
えば静磁波フィルタやＳ／Ｎエンハンサなどに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の静磁波装置の一例を示す
図解図である。静磁波装置１Ａは、フェリ磁性素子２を
含む。フェリ磁性素子２は、平面から見て矩形状のＧＧ
Ｇ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基板３の上
にフェリ磁性基体としてのＹＩＧ（イットリウム−アイ
アン−ガーネット）薄膜４を積層して形成される。ＹＩ
Ｇ薄膜４の主面上には、入力用トランスデューサ５ａお
よび出力用トランスデューサ５ｂが互いに間隔を隔てて
平行に形成される。表面静磁波は、入力用トランスデュ
ーサ５ａから出力用トランスデューサ５ｂへ向かって、
ＹＩＧ薄膜４の長手方向へ伝搬する。図中において、Ｌ
はＹＩＧ薄膜４の幅長を示し、ｄは厚みを示す。
図解図である。静磁波装置１Ａは、フェリ磁性素子２を
含む。フェリ磁性素子２は、平面から見て矩形状のＧＧ
Ｇ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネット）基板３の上
にフェリ磁性基体としてのＹＩＧ（イットリウム−アイ
アン−ガーネット）薄膜４を積層して形成される。ＹＩ
Ｇ薄膜４の主面上には、入力用トランスデューサ５ａお
よび出力用トランスデューサ５ｂが互いに間隔を隔てて
平行に形成される。表面静磁波は、入力用トランスデュ
ーサ５ａから出力用トランスデューサ５ｂへ向かって、
ＹＩＧ薄膜４の長手方向へ伝搬する。図中において、Ｌ
はＹＩＧ薄膜４の幅長を示し、ｄは厚みを示す。
【０００３】フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜４に
は、外部磁界Ｈｅｘが、ＹＩＧ薄膜４に平行で、かつ表
面静磁波（以下、ＭＳＳＷという）の伝搬方向と垂直な
方向へ印加される。この場合、外部磁界Ｈｅｘは、図９
に示すように、ＹＩＧ薄膜４の両側に互いに平行に配置
された永久磁石６により均一に印加される。そして、入
力用トランスデューサ５ａに高周波信号が入力される
と、ＭＳＳＷが励起される。励起されたＭＳＳＷは、Ｙ
ＩＧ薄膜４中を伝搬する。伝搬したＭＳＳＷは、出力用
トランスデューサ５ｂにより受信され、再び高周波信号
として出力される。
は、外部磁界Ｈｅｘが、ＹＩＧ薄膜４に平行で、かつ表
面静磁波（以下、ＭＳＳＷという）の伝搬方向と垂直な
方向へ印加される。この場合、外部磁界Ｈｅｘは、図９
に示すように、ＹＩＧ薄膜４の両側に互いに平行に配置
された永久磁石６により均一に印加される。そして、入
力用トランスデューサ５ａに高周波信号が入力される
と、ＭＳＳＷが励起される。励起されたＭＳＳＷは、Ｙ
ＩＧ薄膜４中を伝搬する。伝搬したＭＳＳＷは、出力用
トランスデューサ５ｂにより受信され、再び高周波信号
として出力される。
【０００４】しかし、図６に示す静磁波装置１Ａでは、
飽和出力特性や周波数特性などのフィルタ特性が悪かっ
た。そこで、実開平３−３９９２５号や実開平３−４４
９２２号において、図７や図８に示すような静磁波装置
が提案された。これらの静磁波装置では、図１に示した
ものに比べてフィルタ特性が改善される。
飽和出力特性や周波数特性などのフィルタ特性が悪かっ
た。そこで、実開平３−３９９２５号や実開平３−４４
９２２号において、図７や図８に示すような静磁波装置
が提案された。これらの静磁波装置では、図１に示した
ものに比べてフィルタ特性が改善される。
【０００５】図７は、この発明の背景となる従来の静磁
波装置の一例を示す図解図である。図７に示す静磁波装
置１Ｂは、図６に示す静磁波装置の特性を改善するため
に、ＹＩＧ薄膜４の形状を平面から見てくさび形状に形
成したものである。すなわち、静磁波装置１Ｂでは、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜４の幅長が一方のトラ
ンスデューサ５ａ側から他方のトランスデューサ５ｂ側
へ向かって徐々に減るように形成されている。
波装置の一例を示す図解図である。図７に示す静磁波装
置１Ｂは、図６に示す静磁波装置の特性を改善するため
に、ＹＩＧ薄膜４の形状を平面から見てくさび形状に形
成したものである。すなわち、静磁波装置１Ｂでは、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜４の幅長が一方のトラ
ンスデューサ５ａ側から他方のトランスデューサ５ｂ側
へ向かって徐々に減るように形成されている。
【０００６】また、図８は、この発明の背景となる従来
の静磁波装置の他の例を示す図解図である。図８に示す
静磁波装置１Ｃは、図６に示す静磁波装置の特性を改善
するために、ＹＩＧ薄膜４の形状を側面から見てくさび
形状に形成したものである。すなわち、静磁波装置１Ｃ
では、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜４の厚みが一
方のトランスデューサ５ａ側から他方のトランスデュー
サ５ｂ側へ向かって徐々に減るように形成されている。
の静磁波装置の他の例を示す図解図である。図８に示す
静磁波装置１Ｃは、図６に示す静磁波装置の特性を改善
するために、ＹＩＧ薄膜４の形状を側面から見てくさび
形状に形成したものである。すなわち、静磁波装置１Ｃ
では、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜４の厚みが一
方のトランスデューサ５ａ側から他方のトランスデュー
サ５ｂ側へ向かって徐々に減るように形成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７や
図８に示す静磁波装置１Ｂおよび１Ｃでは、図９に示す
ように、磁界印加手段としての永久磁石が、フェリ磁性
素子２を挟んで互いに平行に配置されていた。そのた
め、ＹＩＧ薄膜４に印加される外部磁界Ｈｅｘは、磁力
線が均一に分布したものであった。ところが、図７およ
び図８に示すＹＩＧ薄膜４の形状では、反磁界係数に分
布が生じる。そのため、均一な外部磁界Ｈｅｘが印加さ
れた場合には、ＹＩＧ薄膜４の内部において、磁力線の
分布が不均一になる。したがって、図９に併せて示すグ
ラフに示すように、ＹＩＧ薄膜４の内部において、内部
磁界の強いところと弱いところが生じる。この場合、次
のような不都合がある。すなわち、図１０において、Ｆ
1 は従来の静磁波装置１Ｂおよび１Ｃを用いた静磁波フ
ィルタの内部磁界の強い部分での動作周波数帯域を示
し、Ｆ2 は内部磁界の弱い部分での動作周波数帯域を示
す。そして、Ｆ3 は、静磁波フィルタ全体としての動作
周波数帯域を示す。Ｆ3 は、Ｆ1 とＦ2 の重複した範囲
であり、Ｆ1 またはＦ2 のみの範囲に比べて狭い。この
ように、この発明の背景となる従来の静磁波装置１Ｂお
よび１Ｃでは、図６に示した静磁波装置１Ａに比べて、
特性は向上するものの、動作周波数帯域が狭くなるとい
う不都合があった。
図８に示す静磁波装置１Ｂおよび１Ｃでは、図９に示す
ように、磁界印加手段としての永久磁石が、フェリ磁性
素子２を挟んで互いに平行に配置されていた。そのた
め、ＹＩＧ薄膜４に印加される外部磁界Ｈｅｘは、磁力
線が均一に分布したものであった。ところが、図７およ
び図８に示すＹＩＧ薄膜４の形状では、反磁界係数に分
布が生じる。そのため、均一な外部磁界Ｈｅｘが印加さ
れた場合には、ＹＩＧ薄膜４の内部において、磁力線の
分布が不均一になる。したがって、図９に併せて示すグ
ラフに示すように、ＹＩＧ薄膜４の内部において、内部
磁界の強いところと弱いところが生じる。この場合、次
のような不都合がある。すなわち、図１０において、Ｆ
1 は従来の静磁波装置１Ｂおよび１Ｃを用いた静磁波フ
ィルタの内部磁界の強い部分での動作周波数帯域を示
し、Ｆ2 は内部磁界の弱い部分での動作周波数帯域を示
す。そして、Ｆ3 は、静磁波フィルタ全体としての動作
周波数帯域を示す。Ｆ3 は、Ｆ1 とＦ2 の重複した範囲
であり、Ｆ1 またはＦ2 のみの範囲に比べて狭い。この
ように、この発明の背景となる従来の静磁波装置１Ｂお
よび１Ｃでは、図６に示した静磁波装置１Ａに比べて、
特性は向上するものの、動作周波数帯域が狭くなるとい
う不都合があった。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、特
性が良くしかも動作周波数帯域の広い、静磁波装置を提
供することである。
性が良くしかも動作周波数帯域の広い、静磁波装置を提
供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の静磁波
装置は、静磁波を伝搬させるためのフェリ磁性基体と、
フェリ磁性基体上に間隔を隔てて形成される２つのトラ
ンスデューサと、フェリ磁性基体に磁界を与えるための
磁界印加手段とを含み、フェリ磁性基体の厚みおよび／
または幅長が、一方のトランスデューサ側から他方のト
ランスデューサ側へ向かって徐々に減るよう形成された
静磁波装置であって、フェリ磁性基体の内部磁界を均一
にするために、磁界印加手段によって、フェリ磁性基体
に対し不均一な外部磁界を印加することを特徴とする、
静磁波装置である。
装置は、静磁波を伝搬させるためのフェリ磁性基体と、
フェリ磁性基体上に間隔を隔てて形成される２つのトラ
ンスデューサと、フェリ磁性基体に磁界を与えるための
磁界印加手段とを含み、フェリ磁性基体の厚みおよび／
または幅長が、一方のトランスデューサ側から他方のト
ランスデューサ側へ向かって徐々に減るよう形成された
静磁波装置であって、フェリ磁性基体の内部磁界を均一
にするために、磁界印加手段によって、フェリ磁性基体
に対し不均一な外部磁界を印加することを特徴とする、
静磁波装置である。
【００１０】請求項２に記載の静磁波装置は、磁界印加
手段が、フェリ磁性基体の周囲に配置される永久磁石を
含み、永久磁石は、少なくともフェリ磁性基体に対向し
た面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びる、請求項
１に記載の静磁波装置である。
手段が、フェリ磁性基体の周囲に配置される永久磁石を
含み、永久磁石は、少なくともフェリ磁性基体に対向し
た面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びる、請求項
１に記載の静磁波装置である。
【００１１】請求項３に記載の静磁波装置は、磁界印加
手段が、フェリ磁性基体の周囲に配置される永久磁石
と、永久磁石と一体的に形成され、少なくともフェリ磁
性基体に対向した面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに
延びるポールピースとを含む、請求項１に記載の静磁波
装置である。
手段が、フェリ磁性基体の周囲に配置される永久磁石
と、永久磁石と一体的に形成され、少なくともフェリ磁
性基体に対向した面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに
延びるポールピースとを含む、請求項１に記載の静磁波
装置である。
【００１２】請求項４に記載の静磁波装置は、磁界印加
手段が、フェリ磁性基体の周囲に配置される永久磁石
と、磁力線の分布を変化させるためのヨークとを含み、
ヨークは、フェリ磁性基体の一方のトランスデューサ側
に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の静磁
波装置である。
手段が、フェリ磁性基体の周囲に配置される永久磁石
と、磁力線の分布を変化させるためのヨークとを含み、
ヨークは、フェリ磁性基体の一方のトランスデューサ側
に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の静磁
波装置である。
【００１３】
【作用】磁界印加手段によって、フェリ磁性基体に対し
不均一な外部磁界を印加することにより、フェリ磁性基
体の形状に基づく反磁界係数の分布が打ち消される。そ
のため、フェリ磁性基体の内部磁界が均一になる。フェ
リ磁性基体の内部磁界を均一にすることにより、静磁波
装置の動作周波数帯域が狭くなることが防止される。
不均一な外部磁界を印加することにより、フェリ磁性基
体の形状に基づく反磁界係数の分布が打ち消される。そ
のため、フェリ磁性基体の内部磁界が均一になる。フェ
リ磁性基体の内部磁界を均一にすることにより、静磁波
装置の動作周波数帯域が狭くなることが防止される。
【００１４】この場合、少なくともフェリ磁性基体に対
向した面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びるよう
永久磁石を配置することにより、フェリ磁性基体に対し
て不均一な外部磁界が印加される。
向した面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びるよう
永久磁石を配置することにより、フェリ磁性基体に対し
て不均一な外部磁界が印加される。
【００１５】また、少なくともフェリ磁性基体に対向し
た面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びるようにポ
ールピースを形成することにより、フェリ磁性基体に対
して不均一な外部磁界が印加される。
た面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びるようにポ
ールピースを形成することにより、フェリ磁性基体に対
して不均一な外部磁界が印加される。
【００１６】また、フェリ磁性基体の一方のトランスデ
ューサ側にヨークを配置することにより、ヨークを配置
した側に磁力線が増える。そのため、フェリ磁性基体に
対して不均一な外部磁界が印加される。
ューサ側にヨークを配置することにより、ヨークを配置
した側に磁力線が増える。そのため、フェリ磁性基体に
対して不均一な外部磁界が印加される。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、特性が良くしかも動
作周波数帯域の広い、静磁波装置を得ることができる。
作周波数帯域の広い、静磁波装置を得ることができる。
【００１８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１９】
【実施例】図１は、この発明の一実施例を示す平面図解
図である。図１に示す静磁波装置１０は、図７を参照し
ながら説明した上述のものと同様のフェリ磁性素子２を
含む。フェリ磁性素子２は、フェリ磁性基体としてＹＩ
Ｇ薄膜４を含む。このＹＩＧ薄膜４の幅長は、一方のト
ランスデューサ５ａ側から他方のトランスデューサ５ｂ
側へ向かって、徐々に減るように形成されている。
図である。図１に示す静磁波装置１０は、図７を参照し
ながら説明した上述のものと同様のフェリ磁性素子２を
含む。フェリ磁性素子２は、フェリ磁性基体としてＹＩ
Ｇ薄膜４を含む。このＹＩＧ薄膜４の幅長は、一方のト
ランスデューサ５ａ側から他方のトランスデューサ５ｂ
側へ向かって、徐々に減るように形成されている。
【００２０】フェリ磁性素子２の幅方向の両側には、磁
界印加装置１２が配置される。磁界印加装置１２は、外
部磁界ＨｅｘをＹＩＧ薄膜４に平行でかつＭＳＳＷの伝
搬方向と垂直な方向へ印加するためのものである。
界印加装置１２が配置される。磁界印加装置１２は、外
部磁界ＨｅｘをＹＩＧ薄膜４に平行でかつＭＳＳＷの伝
搬方向と垂直な方向へ印加するためのものである。
【００２１】この磁界印加装置１２は、平面矩形状の一
対の永久磁石１４を含む。一対の永久磁石１４は、フェ
リ磁性素子２の幅方向両側に所定の間隔をおいて、互い
に平行に配置される。そして、永久磁石１４のフェリ磁
性素子２と対向した側面には、三角柱状のポールピース
１６が一体的に形成される。
対の永久磁石１４を含む。一対の永久磁石１４は、フェ
リ磁性素子２の幅方向両側に所定の間隔をおいて、互い
に平行に配置される。そして、永久磁石１４のフェリ磁
性素子２と対向した側面には、三角柱状のポールピース
１６が一体的に形成される。
【００２２】ポールピース１６は、磁性体からなる。こ
のポールピース１６の厚みは、ＹＩＧ薄膜４の幅長が広
い側において薄く、ＹＩＧ薄膜４の幅長が狭い側におい
て厚く形成され、すなわち、厚みが一端側から他端側へ
向かって徐々に増えていくように形成される。したがっ
て、この実施例のポールピース１６のＹＩＧ薄膜４に対
向した面は、ＭＳＳＷの伝搬方向に対して斜めに延びて
いる。ポールピース１６をこのように形成することで、
対向した磁界印加装置１２間に広狭が生じる。そのた
め、間隔の狭い領域では磁力線が密に分布し、広い領域
では磁力線が疎に分布することになる。この不均一な外
部磁界ＨｅｘをＹＩＧ薄膜４に印加することにより、Ｙ
ＩＧ薄膜４の形状に基づく反磁界係数の分布が打ち消さ
れ、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一になる。
のポールピース１６の厚みは、ＹＩＧ薄膜４の幅長が広
い側において薄く、ＹＩＧ薄膜４の幅長が狭い側におい
て厚く形成され、すなわち、厚みが一端側から他端側へ
向かって徐々に増えていくように形成される。したがっ
て、この実施例のポールピース１６のＹＩＧ薄膜４に対
向した面は、ＭＳＳＷの伝搬方向に対して斜めに延びて
いる。ポールピース１６をこのように形成することで、
対向した磁界印加装置１２間に広狭が生じる。そのた
め、間隔の狭い領域では磁力線が密に分布し、広い領域
では磁力線が疎に分布することになる。この不均一な外
部磁界ＨｅｘをＹＩＧ薄膜４に印加することにより、Ｙ
ＩＧ薄膜４の形状に基づく反磁界係数の分布が打ち消さ
れ、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一になる。
【００２３】図２は、不均一な外部磁界Ｈｅｘが印加さ
れた際の、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界の分布状況および強
さを示す図解図である。図２に示すように、この実施例
によれば、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一になる。その
ため、図２に併せて示すグラフに示すように、ＹＩＧ薄
膜４（フェリ磁性基体）内部における内部磁界の強さが
均一になる。そして、入力用トランスデューサ５ａに高
周波信号が入力されると、ＭＳＳＷが励起される。励起
されたＭＳＳＷは、ＹＩＧ薄膜４中を伝搬する。伝搬し
たＭＳＳＷは、出力用トランスデューサ５ｂにより受信
され、再び高周波信号として出力される。
れた際の、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界の分布状況および強
さを示す図解図である。図２に示すように、この実施例
によれば、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一になる。その
ため、図２に併せて示すグラフに示すように、ＹＩＧ薄
膜４（フェリ磁性基体）内部における内部磁界の強さが
均一になる。そして、入力用トランスデューサ５ａに高
周波信号が入力されると、ＭＳＳＷが励起される。励起
されたＭＳＳＷは、ＹＩＧ薄膜４中を伝搬する。伝搬し
たＭＳＳＷは、出力用トランスデューサ５ｂにより受信
され、再び高周波信号として出力される。
【００２４】図３は、図１に示す静磁波装置の動作周波
数帯域を従来のものと比較して示すグラフである。図３
において、Ｆは、この実施例の静磁波装置１０を静磁波
フィルタとして用いた際の動作周波数帯域を示す。一
方、Ｆ0 は、従来の静磁波装置１Ｂまたは１Ｃを静磁波
フィルタとして用いた際の動作周波数帯域を示す。図３
に示すように、この実施例の動作周波数帯域Ｆは、従来
例の動作周波数帯域Ｆ0よりも広い。このようにＹＩＧ
薄膜４の内部磁界を均一にすることにより、静磁波装置
１０の動作周波数帯域が狭くなることが防止され、動作
周波数帯域の広い静磁波フィルタとして用いることが可
能になる。しかも、この実施例の静磁波装置１０のＹＩ
Ｇ薄膜４は、幅長が一方のトランスデューサ５ａ側から
他方のトランスデューサ５ｂ側へ向かって徐々に減るよ
うに形成されているので、従来の静磁波装置１Ａに比べ
て静磁波フィルタとしての特性が良い。また、動作周波
数帯域は、温度により変化するが、広い動作周波数帯域
を得ることで、一定周波数帯域が使える温度範囲も拡が
る。
数帯域を従来のものと比較して示すグラフである。図３
において、Ｆは、この実施例の静磁波装置１０を静磁波
フィルタとして用いた際の動作周波数帯域を示す。一
方、Ｆ0 は、従来の静磁波装置１Ｂまたは１Ｃを静磁波
フィルタとして用いた際の動作周波数帯域を示す。図３
に示すように、この実施例の動作周波数帯域Ｆは、従来
例の動作周波数帯域Ｆ0よりも広い。このようにＹＩＧ
薄膜４の内部磁界を均一にすることにより、静磁波装置
１０の動作周波数帯域が狭くなることが防止され、動作
周波数帯域の広い静磁波フィルタとして用いることが可
能になる。しかも、この実施例の静磁波装置１０のＹＩ
Ｇ薄膜４は、幅長が一方のトランスデューサ５ａ側から
他方のトランスデューサ５ｂ側へ向かって徐々に減るよ
うに形成されているので、従来の静磁波装置１Ａに比べ
て静磁波フィルタとしての特性が良い。また、動作周波
数帯域は、温度により変化するが、広い動作周波数帯域
を得ることで、一定周波数帯域が使える温度範囲も拡が
る。
【００２５】図４は、この発明の他の実施例を示す平面
図解図である。図４に示す静磁波装置２０は、図１に示
した静磁波装置１０と比べて、磁界印加装置の構造が相
違する。静磁波装置２０の磁界印加手段２２は、一対の
永久磁石１４を含む。一対の永久磁石１４は、フェリ磁
性素子２の幅方向両側に所定の間隔をおいて、かつ、Ｍ
ＳＳＷの伝搬方向に対して斜めに延びるように配置され
る。この場合の一対の永久磁石１４間の間隔は、ＹＩＧ
薄膜４の幅長が広い側において広く、ＹＩＧ薄膜４の幅
長が狭い側において狭く形成される。そのため、永久磁
石１４間の間隔の狭い領域では磁力線が密に分布し、広
い領域では磁力線が疎に分布することになる。この不均
一な外部磁界ＨｅｘがＹＩＧ薄膜４に印加されると、Ｙ
ＩＧ薄膜４の形状に基づく反磁界係数の分布が打ち消さ
れ、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一になる。したがっ
て、図４に示す静磁波装置２０でも、図１に示した静磁
波装置１０と同様の効果を得ることができる。しかも、
図４の静磁波装置２０では、ポールピースを使用しない
ので、部品点数が削減できる。
図解図である。図４に示す静磁波装置２０は、図１に示
した静磁波装置１０と比べて、磁界印加装置の構造が相
違する。静磁波装置２０の磁界印加手段２２は、一対の
永久磁石１４を含む。一対の永久磁石１４は、フェリ磁
性素子２の幅方向両側に所定の間隔をおいて、かつ、Ｍ
ＳＳＷの伝搬方向に対して斜めに延びるように配置され
る。この場合の一対の永久磁石１４間の間隔は、ＹＩＧ
薄膜４の幅長が広い側において広く、ＹＩＧ薄膜４の幅
長が狭い側において狭く形成される。そのため、永久磁
石１４間の間隔の狭い領域では磁力線が密に分布し、広
い領域では磁力線が疎に分布することになる。この不均
一な外部磁界ＨｅｘがＹＩＧ薄膜４に印加されると、Ｙ
ＩＧ薄膜４の形状に基づく反磁界係数の分布が打ち消さ
れ、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一になる。したがっ
て、図４に示す静磁波装置２０でも、図１に示した静磁
波装置１０と同様の効果を得ることができる。しかも、
図４の静磁波装置２０では、ポールピースを使用しない
ので、部品点数が削減できる。
【００２６】図５は、この発明のさらに他の実施例を示
す平面図解図である。図５に示す静磁波装置３０は、図
１に示した静磁波装置１０と比べて、磁界印加装置の構
造が相違する。静磁波装置３０の磁界印加手段３２は、
一対の永久磁石１４および磁力線の分布を変化させるた
めのヨ−クとしての鉄片１８を含む。一対の永久磁石１
４は、ＹＩＧ薄膜４の幅方向両側に所定の間隔をおい
て、互いに平行に配置される。そして、鉄片１８が、Ｙ
ＩＧ薄膜４の一方のトランスデューサ５ａ側に配置され
る。鉄片１８を配置することにより、ＹＩＧ薄膜４の一
方のトランスデューサ５ａ側に磁力線が増える。そのた
め、ＹＩＧ薄膜４に対して不均一な外部磁界Ｈｅｘが印
加される。不均一な外部磁界ＨｅｘがＹＩＧ薄膜４に印
加されると、ＹＩＧ薄膜４の形状に基づく反磁界係数の
分布が打ち消され、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一にな
る。したがって、図５に示す静磁波装置３０でも、図１
に示した静磁波装置１０と同様の効果を得ることができ
る。また、この実施例では、ポールピースの形成が不要
である。さらに、この実施例では、永久磁石１４の配置
の自由度が高まり、静磁波装置３０の設計が容易にな
る。
す平面図解図である。図５に示す静磁波装置３０は、図
１に示した静磁波装置１０と比べて、磁界印加装置の構
造が相違する。静磁波装置３０の磁界印加手段３２は、
一対の永久磁石１４および磁力線の分布を変化させるた
めのヨ−クとしての鉄片１８を含む。一対の永久磁石１
４は、ＹＩＧ薄膜４の幅方向両側に所定の間隔をおい
て、互いに平行に配置される。そして、鉄片１８が、Ｙ
ＩＧ薄膜４の一方のトランスデューサ５ａ側に配置され
る。鉄片１８を配置することにより、ＹＩＧ薄膜４の一
方のトランスデューサ５ａ側に磁力線が増える。そのた
め、ＹＩＧ薄膜４に対して不均一な外部磁界Ｈｅｘが印
加される。不均一な外部磁界ＨｅｘがＹＩＧ薄膜４に印
加されると、ＹＩＧ薄膜４の形状に基づく反磁界係数の
分布が打ち消され、ＹＩＧ薄膜４の内部磁界が均一にな
る。したがって、図５に示す静磁波装置３０でも、図１
に示した静磁波装置１０と同様の効果を得ることができ
る。また、この実施例では、ポールピースの形成が不要
である。さらに、この実施例では、永久磁石１４の配置
の自由度が高まり、静磁波装置３０の設計が容易にな
る。
【００２７】なお、上述の各実施例において、フェリ磁
性基体としてのＹＩＧ薄膜４は、厚みが、一方のトラン
スデューサ５ａ側から他方のトランスデューサ５ａ側へ
向かって徐々に減るように形成してもよい。
性基体としてのＹＩＧ薄膜４は、厚みが、一方のトラン
スデューサ５ａ側から他方のトランスデューサ５ａ側へ
向かって徐々に減るように形成してもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す平面図解図である。
【図２】不均一な外部磁界Ｈｅｘが印加された際の、Ｙ
ＩＧ薄膜の内部磁界の分布状況および強さを示す図解図
である。
ＩＧ薄膜の内部磁界の分布状況および強さを示す図解図
である。
【図３】図１に示す静磁波装置の動作周波数帯域を従来
のものと比較して示すグラフである。
のものと比較して示すグラフである。
【図４】この発明の他の実施例を示す平面図解図であ
る。
る。
【図５】この発明のさらに他の実施例を示す平面図解図
である。
である。
【図６】従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。
【図７】（Ａ）は、この発明の背景となる従来の静磁波
装置の一例を示す平面図解図であり、（Ｂ）は、その側
面図解図である。
装置の一例を示す平面図解図であり、（Ｂ）は、その側
面図解図である。
【図８】（Ａ）は、この発明の背景となる従来の静磁波
装置の他の例を示す平面図解図であり、（Ｂ）は、その
側面図解図である。
装置の他の例を示す平面図解図であり、（Ｂ）は、その
側面図解図である。
【図９】均一な外部磁界Ｈｅｘが印加された際の、ＹＩ
Ｇ薄膜の内部磁界の分布状況および強さを示す図解図で
ある。
Ｇ薄膜の内部磁界の分布状況および強さを示す図解図で
ある。
【図１０】この発明の背景となる従来の静磁波装置の動
作周波数帯域を示すグラフである。
作周波数帯域を示すグラフである。
１０ 静磁波装置 １２ 磁界印加装置 １４ 永久磁石 １６ ポールピース １８ 鉄片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松 崎 宏 泰 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 静磁波を伝搬させるためのフェリ磁性基
体、 前記フェリ磁性基体上に間隔を隔てて形成される２つの
トランスデューサ、および前記フェリ磁性基体に磁界を
与えるための磁界印加手段を含み、 前記フェリ磁性基体の厚みおよび／または幅長が、一方
のトランスデューサ側から他方のトランスデューサ側へ
向かって徐々に減るよう形成された静磁波装置であっ
て、 前記フェリ磁性基体の内部磁界を均一にするために、前
記磁界印加手段によって、前記フェリ磁性基体に対し不
均一な外部磁界を印加することを特徴とする、静磁波装
置。 - 【請求項２】 前記磁界印加手段は、前記フェリ磁性基
体の周囲に配置される永久磁石を含み、 前記永久磁石は、少なくとも前記フェリ磁性基体に対向
した面が、静磁波伝搬方向に対して斜めに延びる、請求
項１に記載の静磁波装置。 - 【請求項３】 前記磁界印加手段は、前記フェリ磁性基
体の周囲に配置される永久磁石と、 前記永久磁石と一体的に形成され、少なくとも前記フェ
リ磁性基体に対向した面が、静磁波伝搬方向に対して斜
めに延びるポールピースとを含む、請求項１に記載の静
磁波装置。 - 【請求項４】 前記磁界印加手段は、前記フェリ磁性基
体の周囲に配置される永久磁石と、 磁力線の分布を変化させるためのヨークとを含み、 前記ヨークは、前記フェリ磁性基体の一方のトランスデ
ューサ側に配置されることを特徴とする、請求項１に記
載の静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30098696A JPH10135709A (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30098696A JPH10135709A (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135709A true JPH10135709A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17891460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30098696A Pending JPH10135709A (ja) | 1996-10-24 | 1996-10-24 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135709A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
| WO2007037625A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Seoul National University Industry Foundation | Method of generating strong spin waves and spin devices for ultra-high speed information processing using spin waves |
| KR100947582B1 (ko) | 2008-05-28 | 2010-03-15 | 서울대학교산학협력단 | 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자 |
| CN103715478A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-09 | 合肥知常光电科技有限公司 | 一种可调谐的太赫兹波滤波装置及其滤波方法 |
| US10033078B2 (en) * | 2016-05-24 | 2018-07-24 | Imec Vzw | Tunable magnonic crystal device and filtering method |
-
1996
- 1996-10-24 JP JP30098696A patent/JPH10135709A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
| WO2007037625A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Seoul National University Industry Foundation | Method of generating strong spin waves and spin devices for ultra-high speed information processing using spin waves |
| US8164148B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-04-24 | Seoul National University Industry Foundation | Method of generating strong spin waves and spin devices for ultra-high speed information processing using spin waves |
| KR100947582B1 (ko) | 2008-05-28 | 2010-03-15 | 서울대학교산학협력단 | 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자 |
| WO2009145579A3 (ko) * | 2008-05-28 | 2010-03-18 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자 |
| US8487391B2 (en) | 2008-05-28 | 2013-07-16 | Seoul National University Industry Foundation | Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency |
| CN103715478A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-09 | 合肥知常光电科技有限公司 | 一种可调谐的太赫兹波滤波装置及其滤波方法 |
| CN103715478B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-03-02 | 合肥知常光电科技有限公司 | 一种可调谐的太赫兹波滤波装置及其滤波方法 |
| US10033078B2 (en) * | 2016-05-24 | 2018-07-24 | Imec Vzw | Tunable magnonic crystal device and filtering method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040818 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040831 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |