JP2504976Y2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JP2504976Y2 JP2504976Y2 JP14475189U JP14475189U JP2504976Y2 JP 2504976 Y2 JP2504976 Y2 JP 2504976Y2 JP 14475189 U JP14475189 U JP 14475189U JP 14475189 U JP14475189 U JP 14475189U JP 2504976 Y2 JP2504976 Y2 JP 2504976Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetostatic wave
- wave device
- thin film
- yig thin
- dielectric line
- Prior art date
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- Waveguides (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は静磁波装置に関し、特に、たとえばYIG
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜などのフ
ェリ磁性基体を有し、たとえばフィルタとして用いられ
る静磁波装置に関する。
（イットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜などのフ
ェリ磁性基体を有し、たとえばフィルタとして用いられ
る静磁波装置に関する。
（従来技術） 第３図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図であ
る。この静磁波装置１では、YIG薄膜２がGGG（ガドリニ
ウム，ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YI
G薄膜２上には、入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が、間隔を隔てて平行に形成されている。
る。この静磁波装置１では、YIG薄膜２がGGG（ガドリニ
ウム，ガリウム，ガーネット）基板３上に形成され、YI
G薄膜２上には、入力アンテナ４と出力アンテナ５と
が、間隔を隔てて平行に形成されている。
この静磁波装置１では、たとえばYIG薄膜２の主面に
直交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力ア
ンテナ４に信号を入力すれば、入力アンテナ４の周囲に
集中して磁界が発生し、YIG薄膜２に体積前進静磁波（M
SFVW）が励起される。この体積前進静磁波は、出力アン
テナ５側に伝搬され、出力アンテナ５で受信され、出力
アンテナ５から所定の信号として出力される。
直交する方向に直流磁界が印加される。そして、入力ア
ンテナ４に信号を入力すれば、入力アンテナ４の周囲に
集中して磁界が発生し、YIG薄膜２に体積前進静磁波（M
SFVW）が励起される。この体積前進静磁波は、出力アン
テナ５側に伝搬され、出力アンテナ５で受信され、出力
アンテナ５から所定の信号として出力される。
（考案が解決しようとする課題） ところが、このような従来の静磁波装置では、信号に
よる磁界が入力アンテナおよび出力アンテナの周囲に集
中して発生し外部に漏れるので、入力アンテナおよび出
力アンテナとYIG薄膜とのそれぞれの結合が弱く、挿入
損失が大きい。
よる磁界が入力アンテナおよび出力アンテナの周囲に集
中して発生し外部に漏れるので、入力アンテナおよび出
力アンテナとYIG薄膜とのそれぞれの結合が弱く、挿入
損失が大きい。
それゆえに、この考案の主たる目的は、挿入損失が小
さい、静磁波装置を提供することである。
さい、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） この考案は、フェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体
の主面に平行する一方向の両端にそれぞれ設けられる誘
電体線路とを含む、静磁波装置である。
の主面に平行する一方向の両端にそれぞれ設けられる誘
電体線路とを含む、静磁波装置である。
（作用） この考案にかかる静磁波装置では、フェリ磁性基体に
直流磁界を印加して一方の誘電体線路に信号を入力すれ
ば、その誘電体線路内に広がるように磁界が発生し、フ
ェリ磁性基体に静磁波が励起される。この静磁波は、他
方の誘電体線路側に伝搬され、その誘電体線路で受信さ
れ、その誘電体線路から所定の信号として出力される。
直流磁界を印加して一方の誘電体線路に信号を入力すれ
ば、その誘電体線路内に広がるように磁界が発生し、フ
ェリ磁性基体に静磁波が励起される。この静磁波は、他
方の誘電体線路側に伝搬され、その誘電体線路で受信さ
れ、その誘電体線路から所定の信号として出力される。
また、この考案にかかる静磁波装置では、信号による
磁界が一方の誘電体線路および他方の誘電体線路内に広
がるように発生し外部に漏れにくくなるので、それらの
誘電体線路とフェリ磁性基体とのそれぞれの結合が強
く、挿入損失が小さくなる。
磁界が一方の誘電体線路および他方の誘電体線路内に広
がるように発生し外部に漏れにくくなるので、それらの
誘電体線路とフェリ磁性基体とのそれぞれの結合が強
く、挿入損失が小さくなる。
（考案の効果） この考案によれば、挿入損失が小さい静磁波装置が得
られる。
られる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例） 第1A図はこの考案の一実施例を示す要部斜視図であ
り、第1B図は第1A図の線IB−IBにおける断面図である。
り、第1B図は第1A図の線IB−IBにおける断面図である。
この静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえば
短冊状のYIG薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、台として
たとえばGGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）
基板14の一方主面上に、たとえば液相法などの方法でYI
G単結晶をエピタキシャル成長させることによって形成
される。
短冊状のYIG薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、台として
たとえばGGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）
基板14の一方主面上に、たとえば液相法などの方法でYI
G単結晶をエピタキシャル成長させることによって形成
される。
さらに、YIG薄膜12およびGGG基板14の長手方向の両端
には、たとえば横断面矩形の誘電体線路16aおよび16b
が、それぞれ設けられる。一方の誘電体線路16aは、た
とえばセラミックスからなり、その端部にYIG薄膜12お
よびGGG基板14の厚みよりやや広い幅を有する溝18aが形
成されている。そして、その誘電体線路16aの溝18aに、
YIG薄膜12およびGGG基板14の長手方向の一端部が、挿入
され固着されている。同様に、他方の誘電体線路16b
も、その端部に溝18bが形成されていて、その溝18bに、
YIG薄膜12およびGGG基板14の長手方向の他端部が、挿入
され固着されている。
には、たとえば横断面矩形の誘電体線路16aおよび16b
が、それぞれ設けられる。一方の誘電体線路16aは、た
とえばセラミックスからなり、その端部にYIG薄膜12お
よびGGG基板14の厚みよりやや広い幅を有する溝18aが形
成されている。そして、その誘電体線路16aの溝18aに、
YIG薄膜12およびGGG基板14の長手方向の一端部が、挿入
され固着されている。同様に、他方の誘電体線路16b
も、その端部に溝18bが形成されていて、その溝18bに、
YIG薄膜12およびGGG基板14の長手方向の他端部が、挿入
され固着されている。
この静磁波装置10には、たとえば、第1B図の矢印H0で
示すように、YIG薄膜12の主面に直交する方向に、直流
磁界が印加される。そして、たとえば一方の誘電体線路
16aに信号を入力すれば、YIG薄膜12に所定の帯域の体積
前進静磁波（MSFVW）が励起される。この体積前進静磁
波は、YIG薄膜12上で他方の誘電体線路16b側に伝搬され
る。伝搬された体積前進静磁波は、他方の誘電体線路16
bで受信され、その誘電体線路16bから所定の信号として
出力される。
示すように、YIG薄膜12の主面に直交する方向に、直流
磁界が印加される。そして、たとえば一方の誘電体線路
16aに信号を入力すれば、YIG薄膜12に所定の帯域の体積
前進静磁波（MSFVW）が励起される。この体積前進静磁
波は、YIG薄膜12上で他方の誘電体線路16b側に伝搬され
る。伝搬された体積前進静磁波は、他方の誘電体線路16
bで受信され、その誘電体線路16bから所定の信号として
出力される。
この静磁波装置10では、一方の誘電体線路16aでYIG薄
膜12に静磁波を励起し、その静磁波を他方の誘電体線路
16bで受信する際、信号による磁界がそれらの誘電体線
路16aおよび16b内に広がるように発生し外部に漏れにく
くなるので、それらの誘電体線路16aおよび16bとYIG薄
膜12とのそれぞれの結合が強く、第３図に示す静磁波装
置と比べて、挿入損失が小さくなる。
膜12に静磁波を励起し、その静磁波を他方の誘電体線路
16bで受信する際、信号による磁界がそれらの誘電体線
路16aおよび16b内に広がるように発生し外部に漏れにく
くなるので、それらの誘電体線路16aおよび16bとYIG薄
膜12とのそれぞれの結合が強く、第３図に示す静磁波装
置と比べて、挿入損失が小さくなる。
第２図は第1A図および第1B図に示す実施例の変形例を
示す要部断面図である。この実施例では、特に、YIG薄
膜12,GGG基板14,誘電体線路16aおよび16bが、導波管20
内に設けられる。この導波管20のYIG薄膜12と対向する
中間部分は、その内径が狭いカットオフ部22として形成
される。このカットオフ部22は、この静磁波装置10の減
衰域を含む帯域にカットオフ周波数領域を有する大きさ
に形成される。したがって、この実施例では、挿入損失
が小さくなるとともに、不要な電磁波を抑圧することが
できる。
示す要部断面図である。この実施例では、特に、YIG薄
膜12,GGG基板14,誘電体線路16aおよび16bが、導波管20
内に設けられる。この導波管20のYIG薄膜12と対向する
中間部分は、その内径が狭いカットオフ部22として形成
される。このカットオフ部22は、この静磁波装置10の減
衰域を含む帯域にカットオフ周波数領域を有する大きさ
に形成される。したがって、この実施例では、挿入損失
が小さくなるとともに、不要な電磁波を抑圧することが
できる。
上述の各実施例では、横断面矩形の誘電体線路を用い
たが、この考案では、横断面円形の誘電体線路を用いて
もよく、誘電体線路の形状を任意に変更してもよい。
たが、この考案では、横断面円形の誘電体線路を用いて
もよく、誘電体線路の形状を任意に変更してもよい。
また、静磁波装置10には、たとえば、導波管20の外部
あるいは内部に磁石を配置して、YIG薄膜12に対して平
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印
加してもよい。この場合、YIG薄膜12上には、表面静磁
波（MSSW）が伝搬される。あるいは、YIG薄膜12に対し
て平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、YIG薄膜12上には、体
積後退静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静
磁波装置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよ
い。
あるいは内部に磁石を配置して、YIG薄膜12に対して平
行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角方向に磁界を印
加してもよい。この場合、YIG薄膜12上には、表面静磁
波（MSSW）が伝搬される。あるいは、YIG薄膜12に対し
て平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁
界を印加してもよい。この場合、YIG薄膜12上には、体
積後退静磁波（MSBVW）が伝搬される。このように、静
磁波装置10に印加する磁界の方向を任意に変更してもよ
い。
第1A図はこの考案の一実施例を示す要部斜視図であり、
第1B図は第1A図の線IB−IBにおける断面図である。 第２図は第1A図および第1B図に示す実施例の変形例を示
す要部断面図である。 第３図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12はYIG薄膜、16aおよび
16bは誘電体線路を示す。
第1B図は第1A図の線IB−IBにおける断面図である。 第２図は第1A図および第1B図に示す実施例の変形例を示
す要部断面図である。 第３図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 図において、10は静磁波装置、12はYIG薄膜、16aおよび
16bは誘電体線路を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】フェリ磁性基体、および 前記フェリ磁性基体の主面に平行する一方向の両端にそ
れぞれ設けられる誘電体線路を含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14475189U JP2504976Y2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14475189U JP2504976Y2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382905U JPH0382905U (ja) | 1991-08-23 |
| JP2504976Y2 true JP2504976Y2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=31691430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14475189U Expired - Lifetime JP2504976Y2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504976Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3340371A1 (en) * | 2016-12-23 | 2018-06-27 | TE Connectivity Nederland B.V. | Connection arrangement |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP14475189U patent/JP2504976Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0382905U (ja) | 1991-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |