JP3419056B2 - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- magnetostatic wave
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
に、たとえばフィルタとして用いられる静磁波装置に関
する。 【０００２】 【従来の技術】図３は静磁波装置の従来例を示す断面図
である。この静磁波装置１は、下地基板としてＧＧＧ基
板２を含む。ＧＧＧ基板２の両主面には、単結晶の引き
上げによって、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜３ａお
よび３ｂが形成される。一方のＹＩＧ薄膜３ａの表面に
は、単線状のストリップラインからなる２つのトランス
デューサ４ａおよび４ｂが、互いに間隔を隔てて平行に
形成される。これらのトランスデューサ４ａおよび４ｂ
は、それらの一端が接地され、それらの他端に入出力端
子（図示せず）がそれぞれ接続される。 【０００３】図３に示す静磁波装置１には、ＹＩＧ薄膜
３ａおよび３ｂの主面に平行しかつトランスデューサ４
ａおよび４ｂに平行する方向に、直流磁界が印加され
る。そして、たとえば、一方の入出力端子から一方のト
ランスデューサ４ａに高周波信号を入力すれば、このト
ランスデューサ４ａを流れる高周波電流によって、この
トランスデューサ４ａの周囲に高周波磁界が発生し、Ｙ
ＩＧ薄膜３ａおよび３ｂ中に表面静磁波が励振される。
この表面静磁波は、一方のトランスデューサ４ａから他
方のトランスデューサ４ｂに伝搬される。そして、その
表面静磁波は、他方のトランスデューサ４ｂで受信さ
れ、他方の入出力端子から所定の高周波信号として出力
される。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】図３に示す静磁波装置
１では、ＧＧＧ基板２の両主面にＹＩＧ薄膜３ａおよび
３ｂが形成され、トランスデューサ４ａおよび４ｂとは
逆側のＹＩＧ薄膜３ｂが不要に働くので、その周波数特
性を図４に示すように、リップルが大きい。 【０００５】図５はそのようなリップルを防ぐために考
えられた静磁波装置の従来例を示す断面図である。図５
に示す従来例では、図３に示す従来例と比べて、トラン
スデューサ４ａおよび４ｂとは逆側のＹＩＧ薄膜３ｂ
（図３）が研摩され除去されている。 【０００６】ところが、図５に示す静磁波装置１では、
ＧＧＧ基板の片面のＹＩＧ薄膜を研摩して除去するの
で、生産性がわるい。 【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、リ
ップルが小さくしかも生産性のよい、静磁波装置を提供
することである。 【０００８】 【課題を解決するための手段】この発明は、下地基板
と、下地基板の両主面に形成されるそれぞれのフェリ磁
性基体と、一方のフェリ磁性基体の表面に形成されるト
ランスデューサと、他方のフェリ磁性基体の表面に塗布
される電磁波吸収体とを含む、静磁波装置である。 【０００９】 【作用】電磁波吸収体は、トランスデューサとは逆側の
フェリ磁性基体中を伝搬する不要な静磁波を吸収し、抑
制する。 【００１０】また、下地基板の両主面にフェリ磁性基体
をたとえば単結晶の引き上げによって形成すればよく、
下地基板の片面のフェリ磁性基体を研摩して除去する必
要がない。 【００１１】 【発明の効果】この発明によれば、不要な静磁波が抑制
されしかも下地基板の片面のフェリ磁性基体を研摩する
必要がないので、リップルが小さくしかも生産性のよ
い、静磁波装置が得られる。 【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。 【００１３】 【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。この静磁波装置１０は、下地基板としてたとえば短
冊状のＧＧＧ基板１２を含む。ＧＧＧ基板１２の両主面
には、単結晶の引き上げによって、フェリ磁性基体とし
てＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂがそれぞれ形成され
る。 【００１４】一方のＹＩＧ薄膜１４ａの表面には、たと
えば単線状のストリップラインからなる２つのトランス
デューサ１６ａおよび１６ｂが、互いに間隔を隔てて平
行に形成される。これらのトランデューサ１６ａおよび
１６ｂの一端は接地される。また、これらのトランスデ
ューサ１６ａおよび１６ｂの他端は、入出力端子（図示
せず）にそれぞれ接続される。 【００１５】他方のＹＩＧ薄膜１４ｂの表面全面には、
たとえばカルボニル鉄からなる電磁波吸収体１８が塗布
される。この電磁波吸収体１８は、ＹＩＧ薄膜１４ｂに
励振される不要な静磁波を抑制するためのものである。
なお、電磁波吸収体１８は、その塗布厚を厚くする程、
不要な静磁波を抑制する効果が高まるが、その塗布厚を
任意に変更してもよい。 【００１６】この静磁波装置１０には、ＹＩＧ薄膜１４
ａおよび１４ｂの主面に平行しかつトランスデューサ１
６ａおよび１６ｂに平行する方向に、直流磁界が印加さ
れる。そして、たとえば、一方の入出力端子から一方の
トランスデューサ１６ａに高周波信号を入力すれば、こ
のトランスデューサ１６ａを流れる高周波電流によっ
て、このトランスデューサ１６ａの周囲に高周波磁界が
発生し、ＹＩＧ薄膜中に表面静磁波が励振される。この
表面静磁波は、一方のトランスデューサ１６ａから他方
のトランスデューサ１６ｂに伝搬されるが、ＹＩＧ薄膜
１４ｂに励振した表面静磁波は、トランスデューサ１６
ｂへ伝搬中、電磁波吸収体１８によりほとんど吸収さ
れ、ＹＩＧ薄膜１４ａを伝搬する表面静磁波に影響を及
ぼさない。そして、ＹＩＧ薄膜１４ａを伝搬する表面静
磁波が、他方のトランスデューサ１６ｂで受信され、他
方の入出力端子から所定の高周波信号として出力され
る。 【００１７】この静磁波装置１０では、ＹＩＧ薄膜１４
ｂに発生した不要な静磁波が抑制されるので、その周波
数特性を図２に示すように、図３に示す従来例と比べ
て、リップルが小さくなる。 【００１８】また、この静磁波装置１０では、図５に示
す従来例と比べて、ＧＧＧ基板１２の片面のＹＩＧ薄膜
を研摩して除去する必要がないので生産性がよい。 【００１９】なお、上述の実施例では単線状のトランス
デューサが用いられているが、この発明では、複線状の
トランスデューサが用いられてもよい。このように複線
状のトランスデューサを用いれば、挿入損失が小さくな
る。 【００２０】また、静磁波装置には、フェリ磁性基体の
主面に平行しかつトランスデューサに平行する方向に限
らずどの方向から直流磁界が印加されてもよい。なお、
静磁波装置には、フェリ磁性基体の主面に直交する方向
に直流磁界を印加すれば、フェリ磁性基体に体積前進静
磁波が励振され、フェリ磁性基体の主面に平行しかつト
ランスデューサに直交する方向に直流磁界を印加すれ
ば、フェリ磁性基体に体積後退静磁波が励振される。
に、たとえばフィルタとして用いられる静磁波装置に関
する。 【０００２】 【従来の技術】図３は静磁波装置の従来例を示す断面図
である。この静磁波装置１は、下地基板としてＧＧＧ基
板２を含む。ＧＧＧ基板２の両主面には、単結晶の引き
上げによって、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜３ａお
よび３ｂが形成される。一方のＹＩＧ薄膜３ａの表面に
は、単線状のストリップラインからなる２つのトランス
デューサ４ａおよび４ｂが、互いに間隔を隔てて平行に
形成される。これらのトランスデューサ４ａおよび４ｂ
は、それらの一端が接地され、それらの他端に入出力端
子（図示せず）がそれぞれ接続される。 【０００３】図３に示す静磁波装置１には、ＹＩＧ薄膜
３ａおよび３ｂの主面に平行しかつトランスデューサ４
ａおよび４ｂに平行する方向に、直流磁界が印加され
る。そして、たとえば、一方の入出力端子から一方のト
ランスデューサ４ａに高周波信号を入力すれば、このト
ランスデューサ４ａを流れる高周波電流によって、この
トランスデューサ４ａの周囲に高周波磁界が発生し、Ｙ
ＩＧ薄膜３ａおよび３ｂ中に表面静磁波が励振される。
この表面静磁波は、一方のトランスデューサ４ａから他
方のトランスデューサ４ｂに伝搬される。そして、その
表面静磁波は、他方のトランスデューサ４ｂで受信さ
れ、他方の入出力端子から所定の高周波信号として出力
される。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】図３に示す静磁波装置
１では、ＧＧＧ基板２の両主面にＹＩＧ薄膜３ａおよび
３ｂが形成され、トランスデューサ４ａおよび４ｂとは
逆側のＹＩＧ薄膜３ｂが不要に働くので、その周波数特
性を図４に示すように、リップルが大きい。 【０００５】図５はそのようなリップルを防ぐために考
えられた静磁波装置の従来例を示す断面図である。図５
に示す従来例では、図３に示す従来例と比べて、トラン
スデューサ４ａおよび４ｂとは逆側のＹＩＧ薄膜３ｂ
（図３）が研摩され除去されている。 【０００６】ところが、図５に示す静磁波装置１では、
ＧＧＧ基板の片面のＹＩＧ薄膜を研摩して除去するの
で、生産性がわるい。 【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、リ
ップルが小さくしかも生産性のよい、静磁波装置を提供
することである。 【０００８】 【課題を解決するための手段】この発明は、下地基板
と、下地基板の両主面に形成されるそれぞれのフェリ磁
性基体と、一方のフェリ磁性基体の表面に形成されるト
ランスデューサと、他方のフェリ磁性基体の表面に塗布
される電磁波吸収体とを含む、静磁波装置である。 【０００９】 【作用】電磁波吸収体は、トランスデューサとは逆側の
フェリ磁性基体中を伝搬する不要な静磁波を吸収し、抑
制する。 【００１０】また、下地基板の両主面にフェリ磁性基体
をたとえば単結晶の引き上げによって形成すればよく、
下地基板の片面のフェリ磁性基体を研摩して除去する必
要がない。 【００１１】 【発明の効果】この発明によれば、不要な静磁波が抑制
されしかも下地基板の片面のフェリ磁性基体を研摩する
必要がないので、リップルが小さくしかも生産性のよ
い、静磁波装置が得られる。 【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。 【００１３】 【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。この静磁波装置１０は、下地基板としてたとえば短
冊状のＧＧＧ基板１２を含む。ＧＧＧ基板１２の両主面
には、単結晶の引き上げによって、フェリ磁性基体とし
てＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂがそれぞれ形成され
る。 【００１４】一方のＹＩＧ薄膜１４ａの表面には、たと
えば単線状のストリップラインからなる２つのトランス
デューサ１６ａおよび１６ｂが、互いに間隔を隔てて平
行に形成される。これらのトランデューサ１６ａおよび
１６ｂの一端は接地される。また、これらのトランスデ
ューサ１６ａおよび１６ｂの他端は、入出力端子（図示
せず）にそれぞれ接続される。 【００１５】他方のＹＩＧ薄膜１４ｂの表面全面には、
たとえばカルボニル鉄からなる電磁波吸収体１８が塗布
される。この電磁波吸収体１８は、ＹＩＧ薄膜１４ｂに
励振される不要な静磁波を抑制するためのものである。
なお、電磁波吸収体１８は、その塗布厚を厚くする程、
不要な静磁波を抑制する効果が高まるが、その塗布厚を
任意に変更してもよい。 【００１６】この静磁波装置１０には、ＹＩＧ薄膜１４
ａおよび１４ｂの主面に平行しかつトランスデューサ１
６ａおよび１６ｂに平行する方向に、直流磁界が印加さ
れる。そして、たとえば、一方の入出力端子から一方の
トランスデューサ１６ａに高周波信号を入力すれば、こ
のトランスデューサ１６ａを流れる高周波電流によっ
て、このトランスデューサ１６ａの周囲に高周波磁界が
発生し、ＹＩＧ薄膜中に表面静磁波が励振される。この
表面静磁波は、一方のトランスデューサ１６ａから他方
のトランスデューサ１６ｂに伝搬されるが、ＹＩＧ薄膜
１４ｂに励振した表面静磁波は、トランスデューサ１６
ｂへ伝搬中、電磁波吸収体１８によりほとんど吸収さ
れ、ＹＩＧ薄膜１４ａを伝搬する表面静磁波に影響を及
ぼさない。そして、ＹＩＧ薄膜１４ａを伝搬する表面静
磁波が、他方のトランスデューサ１６ｂで受信され、他
方の入出力端子から所定の高周波信号として出力され
る。 【００１７】この静磁波装置１０では、ＹＩＧ薄膜１４
ｂに発生した不要な静磁波が抑制されるので、その周波
数特性を図２に示すように、図３に示す従来例と比べ
て、リップルが小さくなる。 【００１８】また、この静磁波装置１０では、図５に示
す従来例と比べて、ＧＧＧ基板１２の片面のＹＩＧ薄膜
を研摩して除去する必要がないので生産性がよい。 【００１９】なお、上述の実施例では単線状のトランス
デューサが用いられているが、この発明では、複線状の
トランスデューサが用いられてもよい。このように複線
状のトランスデューサを用いれば、挿入損失が小さくな
る。 【００２０】また、静磁波装置には、フェリ磁性基体の
主面に平行しかつトランスデューサに平行する方向に限
らずどの方向から直流磁界が印加されてもよい。なお、
静磁波装置には、フェリ磁性基体の主面に直交する方向
に直流磁界を印加すれば、フェリ磁性基体に体積前進静
磁波が励振され、フェリ磁性基体の主面に平行しかつト
ランスデューサに直交する方向に直流磁界を印加すれ
ば、フェリ磁性基体に体積後退静磁波が励振される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す実施例の周波数特性を示すグラフで
ある。 【図３】従来の静磁波装置の一例を示す断面図である。 【図４】図３に示す静磁波装置の周波数特性を示すグラ
フである。 【図５】従来の静磁波装置の他の例を示す断面図であ
る。 【符号の説明】 １０ 静磁波装置 １２ ＧＧＧ基板 １４ａ，１４ｂ ＹＩＧ薄膜 １６ａ，１６ｂ トランスデューサ １８ 電磁波吸収体
ある。 【図３】従来の静磁波装置の一例を示す断面図である。 【図４】図３に示す静磁波装置の周波数特性を示すグラ
フである。 【図５】従来の静磁波装置の他の例を示す断面図であ
る。 【符号の説明】 １０ 静磁波装置 １２ ＧＧＧ基板 １４ａ，１４ｂ ＹＩＧ薄膜 １６ａ，１６ｂ トランスデューサ １８ 電磁波吸収体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 市 口 真 一 郎
京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株
式会社 村田製作所内
(56)参考文献 特開 平５−199015（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−123502（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−13803（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−77503（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 1/215
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 下地基板、 前記下地基板の両主面に形成されるそれぞれのフェリ磁
性基体、 一方の前記フェリ磁性基体の表面に形成されるトランス
デューサ、および他方の前記フェリ磁性基体の表面に塗
布される電磁波吸収体を含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34352593A JP3419056B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34352593A JP3419056B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170113A JPH07170113A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3419056B2 true JP3419056B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=18362196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34352593A Expired - Fee Related JP3419056B2 (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3419056B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP34352593A patent/JP3419056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07170113A (ja) | 1995-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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