JPH03214901A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH03214901A JPH03214901A JP2011004A JP1100490A JPH03214901A JP H03214901 A JPH03214901 A JP H03214901A JP 2011004 A JP2011004 A JP 2011004A JP 1100490 A JP1100490 A JP 1100490A JP H03214901 A JPH03214901 A JP H03214901A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2/00—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
- H03H2/001—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00 comprising magnetostatic wave network elements
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特に、たとえばＹＩＧ薄
膜などのフェリ磁性基体を有し、たとえばフィルタとし
て用いられる静磁波装置に関する。
膜などのフェリ磁性基体を有し、たとえばフィルタとし
て用いられる静磁波装置に関する。
（従来技術）
第４図は、この発明の背景となる従来の静磁波装置の一
例として、株式会社日立製作所の木下等が１９８７年の
υｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｐ．ｐ
． ２１３−２１６に発表した静磁波共振器を示す斜視
図である。
例として、株式会社日立製作所の木下等が１９８７年の
υｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｐ．ｐ
． ２１３−２１６に発表した静磁波共振器を示す斜視
図である。
この静磁波共振器ｌは、ＧＧＧ （ガドリニウム．ガリ
ウム．ガーネソト）基板２を含み、ＧＧＧ基板２には、
その一方主面にＹＩＧ （イソトリウム，アイアン．ガ
ーネット）薄膜３が形成され、その他方主面に接地導体
４が形成されている。
ウム．ガーネソト）基板２を含み、ＧＧＧ基板２には、
その一方主面にＹＩＧ （イソトリウム，アイアン．ガ
ーネット）薄膜３が形成され、その他方主面に接地導体
４が形成されている。
また、ＹＩＧｍ膜３上には、その長手方向に間隔を隔て
て、矩形状の人力電極５および出力電極６が形成されて
いる。さらに、ＹＩＧＩ膜３上には、５つの細長いフィ
ンガ電極７，７，・・が、幅方向に微小な間隔を隔てて
形成されている。この場合、これらのフィンガ電極７．
７，・・は、それらの一端が入力電極５に接続され、そ
れらの他端が出力電極６に接続されている。
て、矩形状の人力電極５および出力電極６が形成されて
いる。さらに、ＹＩＧＩ膜３上には、５つの細長いフィ
ンガ電極７，７，・・が、幅方向に微小な間隔を隔てて
形成されている。この場合、これらのフィンガ電極７．
７，・・は、それらの一端が入力電極５に接続され、そ
れらの他端が出力電極６に接続されている。
さらに、入力電極５と接地導体４とには入力端子が接続
され、出力電極６と接地導体４とには出力端子が接続さ
れている。
され、出力電極６と接地導体４とには出力端子が接続さ
れている。
そして、ＹＩＧ薄膜３には、第４図の矢印Ｈ０で示すよ
うに、その主面に平行しかつフィンガ電極７に平行する
方向に、直流磁界が印加されている。
うに、その主面に平行しかつフィンガ電極７に平行する
方向に、直流磁界が印加されている。
この静磁波共振器１では、入力端子に信号を入力すれば
、出力端子から所定の信号が出力される。
、出力端子から所定の信号が出力される。
この場合、ＹＩＧ薄膜３には、フィンガ電極７の幅方向
に、表面静磁波（Ｍ Ｓ Ｓ Ｗ）が励起される。
に、表面静磁波（Ｍ Ｓ Ｓ Ｗ）が励起される。
この静磁波共振器１の周波数特性を第５図に示す。
第６図は従来の静磁波装置の他の例として、三菱電機株
式会社の浅尾等が昭和６３年電子情報通信学会春季全国
大会のＣ−６８８に発表した静磁波共振器を示す斜視図
である。この静磁波共振器１では、第４図に示す共振器
と比べて、特に、ＹＩＧ薄膜３上に、幅広のストリソブ
ライン８が形成される。そして、ストリップライン８の
一端と接地導体４とに入力端子が接続され、ストリップ
ライン８の他端と接地導体４とに出力端子が接続され、
出力端子どうしが短絡されている。また、ＹＩＧ薄膜３
には、第６図の矢印Ｈ０で示すように、その主面に直交
する方向に、直流磁界が印加される。
式会社の浅尾等が昭和６３年電子情報通信学会春季全国
大会のＣ−６８８に発表した静磁波共振器を示す斜視図
である。この静磁波共振器１では、第４図に示す共振器
と比べて、特に、ＹＩＧ薄膜３上に、幅広のストリソブ
ライン８が形成される。そして、ストリップライン８の
一端と接地導体４とに入力端子が接続され、ストリップ
ライン８の他端と接地導体４とに出力端子が接続され、
出力端子どうしが短絡されている。また、ＹＩＧ薄膜３
には、第６図の矢印Ｈ０で示すように、その主面に直交
する方向に、直流磁界が印加される。
この静磁波共振器１でも、その入力端子に信号を入力す
れば、短絡された出力端子から反射された信号が入力端
子に現れる。この場合、ＹＩＧ薄膜３には、ストリップ
ライン８の幅方向に体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励
起される。
れば、短絡された出力端子から反射された信号が入力端
子に現れる。この場合、ＹＩＧ薄膜３には、ストリップ
ライン８の幅方向に体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励
起される。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、第４図に示す静磁波共振器では、その周波数
特性を第５図に示すように、最大遮断域阻止量すなわち
最も大きい減衰量が高々２２〜２３ｄＢであって、リッ
プルが大きい。
特性を第５図に示すように、最大遮断域阻止量すなわち
最も大きい減衰量が高々２２〜２３ｄＢであって、リッ
プルが大きい。
また、第６図に示す静磁波共振器でも、最大遮断域阻止
量が少なく、リップルが大きい。
量が少なく、リップルが大きい。
それゆえに、この発明の主たる目的は、最大遮断域阻止
量が改善されかつリソプルが低減された、静磁波装置を
提供することである。
量が改善されかつリソプルが低減された、静磁波装置を
提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、フェリ磁性基体と、このフェリ磁性基体上
に形成され、その一端が入力端子に接続されその他端が
出力端子に接続されるストリップラインと、フェリ磁性
基体に磁界を印加するための磁石とを含み、フェリ磁性
基体は、その主面に平行する方向およびその主面に直交
する方向がそれぞれ磁石の磁力線の方向に対して非平行
状態になるように配置される、静磁波装置である。
に形成され、その一端が入力端子に接続されその他端が
出力端子に接続されるストリップラインと、フェリ磁性
基体に磁界を印加するための磁石とを含み、フェリ磁性
基体は、その主面に平行する方向およびその主面に直交
する方向がそれぞれ磁石の磁力線の方向に対して非平行
状態になるように配置される、静磁波装置である。
（作用）
その主面に平行する方向およびその主面に直交する方向
がそれぞれ磁石の磁力線の方向に対して非平行状態にな
るようにフェリ磁性基体を配置することによって、フェ
リ磁性基体での静磁波の損失が大きくなる。その結果、
良好な最大遮断域阻止量が得られる。さらに、この場合
、遮断阻止帯域幅が狭くなるので、リップルも小さくな
る。
がそれぞれ磁石の磁力線の方向に対して非平行状態にな
るようにフェリ磁性基体を配置することによって、フェ
リ磁性基体での静磁波の損失が大きくなる。その結果、
良好な最大遮断域阻止量が得られる。さらに、この場合
、遮断阻止帯域幅が狭くなるので、リップルも小さくな
る。
（発明の効果）
この発明によれば、最大遮断域阻止量が改善されかつリ
ソプルが低減された、静磁波装置が得られる。
ソプルが低減された、静磁波装置が得られる。
また、この発明にがかる静磁波装置は、構造が簡単であ
るため、生産性がよい。
るため、生産性がよい。
この発明の上述の目的．その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。この
静磁波装Ｍ１０は、台としてたとえば幅１０ｍｍ，長さ
２０ｍｍ，厚さ４００μｍのＧＧＧ基板１２を含む。
静磁波装Ｍ１０は、台としてたとえば幅１０ｍｍ，長さ
２０ｍｍ，厚さ４００μｍのＧＧＧ基板１２を含む。
ＧＧＧ基板ｌ２の一方主面には、フェリ磁性基体として
たとえば厚さ２０μｍのＹＩＧ薄膜１４が形成される。
たとえば厚さ２０μｍのＹＩＧ薄膜１４が形成される。
また、ＧＧＧ基板１２の他方主面には、接地導体１６が
形成される。
形成される。
さらに、ＹＩＧ薄膜ｌ４上には、その幅方向の中央に、
たとえば幅０．７ｍｍのストリップラインｌ８が形成さ
れる。
たとえば幅０．７ｍｍのストリップラインｌ８が形成さ
れる。
そして、このストリップライン１８の一端および接地導
体１６には、入力端子としてたとえば同軸コネクタ（図
示せず）が接続され、ストリップライン１８の他端およ
び接地導体ｌ６には、出力端子として同軸コネクタ（図
示せず）が接続される。
体１６には、入力端子としてたとえば同軸コネクタ（図
示せず）が接続され、ストリップライン１８の他端およ
び接地導体ｌ６には、出力端子として同軸コネクタ（図
示せず）が接続される。
さらに、ＹＩＧ薄膜ｌ４の近傍には、ＹＩＧ薄膜１４に
直流磁界を印加するための磁石（図示せず）が配置され
る。この実施例では、ＹＩＧ薄膜１４の主面に直交する
方向をＸとし、ストリップライン１８の長手力向をＹと
し、ストリップラインｌ８の幅方向をＺとした場合、磁
力線がＸ−Ｚ平面内で方向Ｚから角度θを有する方向お
よびＹＺ千面内で方向Ｚから角度φを有する方向（矢印
μ。Ｈ．で示す方向）に向くように、磁石が配置される
。
直流磁界を印加するための磁石（図示せず）が配置され
る。この実施例では、ＹＩＧ薄膜１４の主面に直交する
方向をＸとし、ストリップライン１８の長手力向をＹと
し、ストリップラインｌ８の幅方向をＺとした場合、磁
力線がＸ−Ｚ平面内で方向Ｚから角度θを有する方向お
よびＹＺ千面内で方向Ｚから角度φを有する方向（矢印
μ。Ｈ．で示す方向）に向くように、磁石が配置される
。
第２図はこの実施例の周波数特性を示すグラフである。
第２図のグラフには、矢印μ。■｛。で示す方向の磁束
密度を３．４ｋＧａｕｓｓにしがっ上述の角度φをＯ度
にし角度θをθ度，１０度，３０度あるいは４５度にし
たときのそれぞれの周波数特性を示す。
密度を３．４ｋＧａｕｓｓにしがっ上述の角度φをＯ度
にし角度θをθ度，１０度，３０度あるいは４５度にし
たときのそれぞれの周波数特性を示す。
第２図に示すグラフから明らかなように、この静６１波
装Ｗ１０では、挿入損失が２ｄＢ以下と小さく、かつ、
上述の角度θを０度から４５度の範囲で大きくするに従
って、最大遮断域阻止量が大きくなるとともにリップル
が小さくなることがわかる。
装Ｗ１０では、挿入損失が２ｄＢ以下と小さく、かつ、
上述の角度θを０度から４５度の範囲で大きくするに従
って、最大遮断域阻止量が大きくなるとともにリップル
が小さくなることがわかる。
このように最大遮断域阻止量が大きくなるのは、次の理
由による。
由による。
一般にＹＩＧ薄膜のようなフェリ磁性基体では、ＴＥモ
ードおよびＴＥＭモードは縮退することが知られている
。また、フェリ磁性基体を基板としてその表面にストリ
ップラインを形成した静磁波装置では、構造上の要因を
含めて上述の両モードは複雑に結合する。
ードおよびＴＥＭモードは縮退することが知られている
。また、フェリ磁性基体を基板としてその表面にストリ
ップラインを形成した静磁波装置では、構造上の要因を
含めて上述の両モードは複雑に結合する。
しかしながら、フェリ磁性基体をストリップラインの幅
方向に磁化し、かつストリップラインの幅方向に波動が
依存しないものと考えると、この結合の問題を箇単に評
価できる。すなわち、ＴＥモ一ドは、フェリ磁性基体の
透磁率の影響を受けるが、ＴＥＭモードはその影響を受
けない。この条件で、この系の分散曲線を求めて図示す
ると、第３図に示すようになる。
方向に磁化し、かつストリップラインの幅方向に波動が
依存しないものと考えると、この結合の問題を箇単に評
価できる。すなわち、ＴＥモ一ドは、フェリ磁性基体の
透磁率の影響を受けるが、ＴＥＭモードはその影響を受
けない。この条件で、この系の分散曲線を求めて図示す
ると、第３図に示すようになる。
第３図には、磁束密度を１．０ｋＧａｕｓｓとしフェリ
磁性基体としてのｙＩｃｌ膜の厚さを４０μｍとしかつ
ＧＧＧ基板の厚さｄを４００μｍとしたときのＴＥＭモ
ードの分散曲線と、ＴＥモードの最低次（静磁波モード
）の分散曲線とが示されている。第３図から明らかなよ
うに、ＴＥモードとＴＥＭモードとの分散曲線は、伝搬
定数が約４００ｍ−’の値で縮退（一敗）することがわ
かる。また、縮退点の周波数株進行波β゛と後退波β−
とで異なり、それらが非可逆を示すこともわかる。
磁性基体としてのｙＩｃｌ膜の厚さを４０μｍとしかつ
ＧＧＧ基板の厚さｄを４００μｍとしたときのＴＥＭモ
ードの分散曲線と、ＴＥモードの最低次（静磁波モード
）の分散曲線とが示されている。第３図から明らかなよ
うに、ＴＥモードとＴＥＭモードとの分散曲線は、伝搬
定数が約４００ｍ−’の値で縮退（一敗）することがわ
かる。また、縮退点の周波数株進行波β゛と後退波β−
とで異なり、それらが非可逆を示すこともわかる。
そして、フェリ磁性基体に印加する磁界の磁力線の方向
をこの実施例のように傾けると、縮退点でＴＥＭモード
とＴＥモードとの間に強い結合が生じる。この結合によ
って生じるＴＥモード（静磁波モード）の分散曲線は負
の群速度特性を示し、遅延時間が長くなる。そのために
静磁波の損失が大きくなり、良好な最大遮断域阻止量が
得られる。
をこの実施例のように傾けると、縮退点でＴＥＭモード
とＴＥモードとの間に強い結合が生じる。この結合によ
って生じるＴＥモード（静磁波モード）の分散曲線は負
の群速度特性を示し、遅延時間が長くなる。そのために
静磁波の損失が大きくなり、良好な最大遮断域阻止量が
得られる。
また、この実施例において、角度θを大きくすれば、リ
ソプルが小さくなるのは、ＴＥモードの分散曲線の帯域
が狭まり、結果として遮断阻止帯域幅が狭くなるためで
ある。
ソプルが小さくなるのは、ＴＥモードの分散曲線の帯域
が狭まり、結果として遮断阻止帯域幅が狭くなるためで
ある。
なお、この実施例において、角度θにより遮断中心周波
数が異なるのは、角度θにより縮退点が低い周波数に移
動することと、ＹＩＧ薄膜１４の内部磁界の大きさが変
わるためである。すなわち、角度θを大きくすれば、Ｙ
ＩＧ薄膜ｌ４の内部磁界が小さくなり、遮断中心周波数
が低くなるからである。
数が異なるのは、角度θにより縮退点が低い周波数に移
動することと、ＹＩＧ薄膜１４の内部磁界の大きさが変
わるためである。すなわち、角度θを大きくすれば、Ｙ
ＩＧ薄膜ｌ４の内部磁界が小さくなり、遮断中心周波数
が低くなるからである。
上述の実施例では、磁石の磁力線の方向として、ストリ
ップラインの幅方向からＹＩＧ薄膜の主面に直交する方
向に角度θを持たせたが、この発明では、磁石の磁力線
の方向は、ＹＩＧ薄膜の主面に平行する方向およびその
主面に直交する方向とそれぞれ非交差状態にあればよい
。
ップラインの幅方向からＹＩＧ薄膜の主面に直交する方
向に角度θを持たせたが、この発明では、磁石の磁力線
の方向は、ＹＩＧ薄膜の主面に平行する方向およびその
主面に直交する方向とそれぞれ非交差状態にあればよい
。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図に示す実施例の周波数特性を示すグラフ
である。 第３図は静磁波装置の分散曲線を示すグラフである。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 第５図は第４図に示す従来例の周波数特性を示すグラフ
である。 第６図は従来の静磁波装置の他の例を示す斜視図である
． 図において、ｌＯは静磁波装置、１４はＹＩＧ薄膜、１
８はストリップライン、μ。Ｈ０は磁石の磁力線の方向
を示す。
である。 第３図は静磁波装置の分散曲線を示すグラフである。 第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。 第５図は第４図に示す従来例の周波数特性を示すグラフ
である。 第６図は従来の静磁波装置の他の例を示す斜視図である
． 図において、ｌＯは静磁波装置、１４はＹＩＧ薄膜、１
８はストリップライン、μ。Ｈ０は磁石の磁力線の方向
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体上に形成され、その一端が入力端子
に接続されその他端が出力端子に接続されるストリップ
ライン、および 前記フェリ磁性基体に磁界を印加するための磁石を含み
、 前記フェリ磁性基体は、その主面に平行する方向および
その主面に直交する方向がそれぞれ前記磁石の磁力線の
方向に対して非平行状態になるように配置される、静磁
波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011004A JP2570675B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 静磁波装置 |
| US07/641,040 US5191308A (en) | 1990-01-19 | 1991-01-14 | Magnetostrictive wave device having a higher maximum cut-off band elimination filter |
| EP91100423A EP0438124B1 (en) | 1990-01-19 | 1991-01-15 | Magnetostatic wave device |
| DE69110482T DE69110482T2 (de) | 1990-01-19 | 1991-01-15 | Magnetostatische Wellenanordnung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011004A JP2570675B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214901A true JPH03214901A (ja) | 1991-09-20 |
| JP2570675B2 JP2570675B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=11765979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011004A Expired - Fee Related JP2570675B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 静磁波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5191308A (ja) |
| EP (1) | EP0438124B1 (ja) |
| JP (1) | JP2570675B2 (ja) |
| DE (1) | DE69110482T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5880651A (en) * | 1996-08-23 | 1999-03-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflection-type S/N enhancer |
| US5883555A (en) * | 1996-08-23 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magnetostatic wave device |
| US6232850B1 (en) | 1996-05-23 | 2001-05-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magnetostatic wave device with specified angles relating the transducer, magnetic thin film, and bias magnetic field |
| US7205869B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-04-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetostatic wave device based on thin metal films, method for making same and application to devices for processing microwave signals |
Families Citing this family (5)
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| JP3258357B2 (ja) * | 1992-03-02 | 2002-02-18 | ユニデン株式会社 | Ｓ／ｎエンハンサ |
| JP2909363B2 (ja) * | 1993-09-28 | 1999-06-23 | 日立金属株式会社 | 静磁波マイクロ波装置 |
| WO1998052202A1 (fr) * | 1997-05-15 | 1998-11-19 | Tdk Corporation | Dispositif a ondes magnetostatiques et son procede de fabrication |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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