JPH09232814A - 静磁波帯域阻止フィルタ - Google Patents
静磁波帯域阻止フィルタInfo
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- JPH09232814A JPH09232814A JP3649496A JP3649496A JPH09232814A JP H09232814 A JPH09232814 A JP H09232814A JP 3649496 A JP3649496 A JP 3649496A JP 3649496 A JP3649496 A JP 3649496A JP H09232814 A JPH09232814 A JP H09232814A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の静磁波帯域阻止フィルタは、大きな永
久磁石や大電流を流すソレノイドコイルを必要とし、ま
たは、発振器などの外部回路を必要とするなど、小型化
が困難であった。 【解決手段】 基板１０上に配置された入力に従って高
周波磁界を生成する励振電極１と、励振電極上に配置さ
れる磁性薄膜２と、その磁性薄膜に直流磁界を印加する
直流磁界印加手段７，８および９とを少なくとも具え、
静磁波の周波数選択飽和が始まるレベル以下の電力値を
有する電磁波入力に対して、その電磁波を電磁波回路の
インピーダンスと静磁波の放射インピーダンスとの整合
性に依存して静磁波に変換する回路により静磁波帯域阻
止フィルタを構成するとともに、上記直流磁界は、上記
磁性薄膜２の上記励振電極１と接する面に平行で、かつ
上記生成された高周波磁界に対しては斜交しているよう
に構成した。
久磁石や大電流を流すソレノイドコイルを必要とし、ま
たは、発振器などの外部回路を必要とするなど、小型化
が困難であった。 【解決手段】 基板１０上に配置された入力に従って高
周波磁界を生成する励振電極１と、励振電極上に配置さ
れる磁性薄膜２と、その磁性薄膜に直流磁界を印加する
直流磁界印加手段７，８および９とを少なくとも具え、
静磁波の周波数選択飽和が始まるレベル以下の電力値を
有する電磁波入力に対して、その電磁波を電磁波回路の
インピーダンスと静磁波の放射インピーダンスとの整合
性に依存して静磁波に変換する回路により静磁波帯域阻
止フィルタを構成するとともに、上記直流磁界は、上記
磁性薄膜２の上記励振電極１と接する面に平行で、かつ
上記生成された高周波磁界に対しては斜交しているよう
に構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波から静磁波
（ＭＳＷ）を励振する回路を具えてマイクロ波帯などに
おいて使用する帯域阻止フィルタに係わり、特に、その
フィルタを構成する電磁波回路のインピーダンスと静磁
波の放射インピーダンスとの整合性に依存して所望の周
波数において帯域阻止特性を得るようにしたものであ
る。
（ＭＳＷ）を励振する回路を具えてマイクロ波帯などに
おいて使用する帯域阻止フィルタに係わり、特に、その
フィルタを構成する電磁波回路のインピーダンスと静磁
波の放射インピーダンスとの整合性に依存して所望の周
波数において帯域阻止特性を得るようにしたものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の静磁波帯域阻止フィルタは、例え
ば、第１の例として、文献 M.Tsutsumi et al.“Micros
trip Line Filter Using Yttrium Iron Garnet Film
”, IEEETrans. Microwave Theory Tech., MTT-22(2),
400-402('92) 中に、Fig.１として示されるような、電
磁波を静磁波に変換する回路において外部直流磁界の印
加を、静磁後退体積波（ＭＳＢＶＷ）と静磁前進体積波
（ＭＳＦＶＷ）の混成モードの静磁波が励振されるよう
な構成とし、直流磁界の方向をＸ−Ｚ面内で傾けること
により狭帯域化し、また、直流磁界の強度を調整するこ
とで動作周波数を変化させる構成の帯域阻止フィルタが
ある。
ば、第１の例として、文献 M.Tsutsumi et al.“Micros
trip Line Filter Using Yttrium Iron Garnet Film
”, IEEETrans. Microwave Theory Tech., MTT-22(2),
400-402('92) 中に、Fig.１として示されるような、電
磁波を静磁波に変換する回路において外部直流磁界の印
加を、静磁後退体積波（ＭＳＢＶＷ）と静磁前進体積波
（ＭＳＦＶＷ）の混成モードの静磁波が励振されるよう
な構成とし、直流磁界の方向をＸ−Ｚ面内で傾けること
により狭帯域化し、また、直流磁界の強度を調整するこ
とで動作周波数を変化させる構成の帯域阻止フィルタが
ある。
【０００３】また、第２の例として、本願人の出願に係
わる特開平５−９５２０５号公報「妨害波除去方式」に
おいて開示されているような、静磁波フィルタに飽和電
力以上の電磁波を加えた場合、その近傍の周波数に存在
する低い電力の電磁波に対しても振幅制限が行われると
いう性質を利用し、あらかじめ発振器より飽和電力以上
で所望の周波数の電磁波をＭＳＷフィルタに注入するこ
とにより近傍の電磁波も同時に減衰させておき、その後
注入電磁波をキャンセル回路で打ち消すように構成した
帯域阻止フィルタもある。
わる特開平５−９５２０５号公報「妨害波除去方式」に
おいて開示されているような、静磁波フィルタに飽和電
力以上の電磁波を加えた場合、その近傍の周波数に存在
する低い電力の電磁波に対しても振幅制限が行われると
いう性質を利用し、あらかじめ発振器より飽和電力以上
で所望の周波数の電磁波をＭＳＷフィルタに注入するこ
とにより近傍の電磁波も同時に減衰させておき、その後
注入電磁波をキャンセル回路で打ち消すように構成した
帯域阻止フィルタもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の例としての
静磁波帯域阻止フィルタは、ＭＳＢＶＷとＭＳＦＶＷの
混成モードの励振を利用しているため、静磁表面波（Ｍ
ＳＳＷ）を利用したフィルタに比べ同じ動作周波数では
強い直流磁界が必要となる。このため、所望の直流磁界
を与えるためにより大きな永久磁石や、あるいは、より
大きな電流を流すソレノイドコイルが必要となり、デバ
イスの小型化が難しくなる。
静磁波帯域阻止フィルタは、ＭＳＢＶＷとＭＳＦＶＷの
混成モードの励振を利用しているため、静磁表面波（Ｍ
ＳＳＷ）を利用したフィルタに比べ同じ動作周波数では
強い直流磁界が必要となる。このため、所望の直流磁界
を与えるためにより大きな永久磁石や、あるいは、より
大きな電流を流すソレノイドコイルが必要となり、デバ
イスの小型化が難しくなる。
【０００５】また、上記第２の例としての静磁波帯域阻
止フィルタは、フィルタ動作の中心周波数に相当し、静
磁波を飽和させるのに十分な電力の電磁波を発生させる
発振器を必要とし、しかも、この電磁波を伝送信号に重
畳したりキャンセルしたりする外部回路も必要で、この
ため、規模も大きく複雑な構成となる。
止フィルタは、フィルタ動作の中心周波数に相当し、静
磁波を飽和させるのに十分な電力の電磁波を発生させる
発振器を必要とし、しかも、この電磁波を伝送信号に重
畳したりキャンセルしたりする外部回路も必要で、この
ため、規模も大きく複雑な構成となる。
【０００６】本発明の目的は、上述例に見られるような
大きな永久磁石や大電流を流すソレノイドコイルを必要
とせず、また、発振器などの外部回路も必要としない
で、従って、簡単な構造にして小型化することのできる
上述した種類の静磁波帯域阻止フィルタを提供すること
にある。
大きな永久磁石や大電流を流すソレノイドコイルを必要
とせず、また、発振器などの外部回路も必要としない
で、従って、簡単な構造にして小型化することのできる
上述した種類の静磁波帯域阻止フィルタを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明静磁波帯域阻止フィルタは、基板上に配置さ
れ入力に従って高周波磁界を生成する励振電極と、該励
振電極上に配置される磁性薄膜と、該磁性薄膜に直流磁
界を印加する直流磁界印加手段とを少なくとも具え、静
磁波の周波数選択的飽和が始まるレベル以下の電力値を
有する電磁波入力に対して、該電磁波を電磁波回路のイ
ンピーダンスと静磁波の放射インピーダンスとの整合性
に依存して静磁波に変換する回路により静磁波帯域阻止
フィルタを構成するとともに、前記直流磁界は、前記磁
性薄膜の前記励振電極と接する面に平行で、かつ前記生
成された高周波磁界に対しては斜交していることを特徴
とするものである。
め、本発明静磁波帯域阻止フィルタは、基板上に配置さ
れ入力に従って高周波磁界を生成する励振電極と、該励
振電極上に配置される磁性薄膜と、該磁性薄膜に直流磁
界を印加する直流磁界印加手段とを少なくとも具え、静
磁波の周波数選択的飽和が始まるレベル以下の電力値を
有する電磁波入力に対して、該電磁波を電磁波回路のイ
ンピーダンスと静磁波の放射インピーダンスとの整合性
に依存して静磁波に変換する回路により静磁波帯域阻止
フィルタを構成するとともに、前記直流磁界は、前記磁
性薄膜の前記励振電極と接する面に平行で、かつ前記生
成された高周波磁界に対しては斜交していることを特徴
とするものである。
【０００８】また、本発明静磁波帯域阻止フィルタは、
前記励振電極が誘電体基板上に配置されて直線状に延在
するマイクロストリップ線路からなることを特徴とする
ものである。
前記励振電極が誘電体基板上に配置されて直線状に延在
するマイクロストリップ線路からなることを特徴とする
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照し、実施の
形態に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発
明静磁波帯域阻止フィルタの一実施形態を斜視図にて示
している。図１において、１は励振電極、２は磁性薄膜
としてのＹＩＧ薄膜、３は方向性結合器、４は方向性結
合器の入力端子、５は同じく方向性結合器の出、入力端
子、６は同じく方向性結合器の出力端子、７，８は永久
磁石、９はヨーク、および１０は誘電体基板である。
形態に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発
明静磁波帯域阻止フィルタの一実施形態を斜視図にて示
している。図１において、１は励振電極、２は磁性薄膜
としてのＹＩＧ薄膜、３は方向性結合器、４は方向性結
合器の入力端子、５は同じく方向性結合器の出、入力端
子、６は同じく方向性結合器の出力端子、７，８は永久
磁石、９はヨーク、および１０は誘電体基板である。
【００１０】以下、動作につき説明する。外部から供給
され、所望の周波数において帯域阻止特性を得ることを
目的として供給されるマイクロ波の電磁波は、方向性結
合器３の入力端子４に供給される。この電磁波は方向性
結合器の出、入力端子５に現われ、励振電極１に供給さ
れる。一方、励振電極１において方向性結合器３の方向
に反射された電磁波は、方向性結合器３の出、入力端子
５で受信され、その出力端子６に現われる。上記におい
て、出力端子６に現われた電磁波は、入力端子４に供給
された電磁波に対し、本発明によって所望の帯域阻止特
性が得られている。
され、所望の周波数において帯域阻止特性を得ることを
目的として供給されるマイクロ波の電磁波は、方向性結
合器３の入力端子４に供給される。この電磁波は方向性
結合器の出、入力端子５に現われ、励振電極１に供給さ
れる。一方、励振電極１において方向性結合器３の方向
に反射された電磁波は、方向性結合器３の出、入力端子
５で受信され、その出力端子６に現われる。上記におい
て、出力端子６に現われた電磁波は、入力端子４に供給
された電磁波に対し、本発明によって所望の帯域阻止特
性が得られている。
【００１１】なお、上述の動作は、方向性結合器３をサ
ーキュレータに置き換えても全く同様に行えるため、サ
ーキュレータを使用する構成にしてもよい。
ーキュレータに置き換えても全く同様に行えるため、サ
ーキュレータを使用する構成にしてもよい。
【００１２】次に、本発明静磁波帯域阻止フィルタの主
要部分について説明する。ここでは、図１から上述の方
向性結合器の部分を除いた部分、即ち、励振電極１、Ｙ
ＩＧ薄膜２、永久磁石７，８およびヨーク９からなる部
分の上面図を図２に示し、この図をも参照しながら説明
する。
要部分について説明する。ここでは、図１から上述の方
向性結合器の部分を除いた部分、即ち、励振電極１、Ｙ
ＩＧ薄膜２、永久磁石７，８およびヨーク９からなる部
分の上面図を図２に示し、この図をも参照しながら説明
する。
【００１３】励振電極１は、通常誘電体基板１０上に一
端短絡（方向性結合器３との接続点から最も離れた端に
おいて）のマイクロストリップ線路として形成され、そ
の線路の延在する方向は、図２によって明らかなよう
に、永久磁石７，８の向かい合った面に対し斜交する方
向に形成されている。このように励振電極１を磁石の面
に対し斜交（これにより、高周波磁界と直流磁界とが斜
交することになる）させることによって、本発明による
静磁波帯域阻止フィルタは、ＭＳＳＷ／ＭＳＢＶＷ混成
モードで動作することになる。
端短絡（方向性結合器３との接続点から最も離れた端に
おいて）のマイクロストリップ線路として形成され、そ
の線路の延在する方向は、図２によって明らかなよう
に、永久磁石７，８の向かい合った面に対し斜交する方
向に形成されている。このように励振電極１を磁石の面
に対し斜交（これにより、高周波磁界と直流磁界とが斜
交することになる）させることによって、本発明による
静磁波帯域阻止フィルタは、ＭＳＳＷ／ＭＳＢＶＷ混成
モードで動作することになる。
【００１４】なお、上述の磁性薄膜に印加する外部直流
磁界は、また、ＹＩＧ薄膜など磁性薄膜のこれが励振電
極と接する面に平行に印加するものとし、従来技術にお
いて紹介したM. Tsutsumi et al.の文献に見られるよう
な、同文献中のFig.１におけるＸ−Ｚ面内で傾ける（傾
き角θ）のではなく、本発明においては、θ＝０°に構
成する。
磁界は、また、ＹＩＧ薄膜など磁性薄膜のこれが励振電
極と接する面に平行に印加するものとし、従来技術にお
いて紹介したM. Tsutsumi et al.の文献に見られるよう
な、同文献中のFig.１におけるＸ−Ｚ面内で傾ける（傾
き角θ）のではなく、本発明においては、θ＝０°に構
成する。
【００１５】また、ＹＩＧ薄膜２は励振電極１に密着し
て配置され、永久磁石７，８とそれらを磁気的に繋ぐヨ
ーク９によって構成される磁気回路によって外部から直
流磁界が与えられている。ここで、ＹＩＧ薄膜２は他の
磁性薄膜、例えば、ＹＩＧのイットリウムや鉄原子を他
の原子に置換したようなガーネット薄膜や、リチウムフ
ェライト薄膜などに置き換えて利用することもできる。
また、磁気回路もここに例示した永久磁石を用いたもの
のみならず、他の磁界発生装置、例えばソレノイドコイ
ルを用いた磁気回路等も利用することができる。
て配置され、永久磁石７，８とそれらを磁気的に繋ぐヨ
ーク９によって構成される磁気回路によって外部から直
流磁界が与えられている。ここで、ＹＩＧ薄膜２は他の
磁性薄膜、例えば、ＹＩＧのイットリウムや鉄原子を他
の原子に置換したようなガーネット薄膜や、リチウムフ
ェライト薄膜などに置き換えて利用することもできる。
また、磁気回路もここに例示した永久磁石を用いたもの
のみならず、他の磁界発生装置、例えばソレノイドコイ
ルを用いた磁気回路等も利用することができる。
【００１６】本発明静磁波帯域阻止フィルタの動作原理
は、以下のように説明される。すなわち、方向性結合器
３を通り励振電極１に達した電磁波は、磁性薄膜２に静
磁波を励振する。電磁波から静磁波への励振効率は、電
磁波を静磁波に変換する回路の励振電極１の構造やＹＩ
Ｇ薄膜２の材料定数、および外部直流磁界の印加方法か
ら決まる静磁波の放射インピーダンスと電磁波回路のイ
ンピーダンスの整合状態に依存し、従って電磁波の反射
特性が決まることになる。以上から、励振効率の良い、
すなわち整合状態が良好な周波数領域では、入力した電
磁波のほとんどが静磁波に変換され、励振電極１から方
向性結合器３に向かって反射される電磁波は小さい。結
果として、方向性結合器３の端子６から出力される電磁
波は小さくなり、挿入損失は大きくなる。逆に、励振効
率の悪い周波数領域では、入力電磁波のほとんどが励振
電極１から反射され方向性結合器３の端子６から出力さ
れる。結果として、出力電磁波は大きくなり、挿入損失
は小さくなる。
は、以下のように説明される。すなわち、方向性結合器
３を通り励振電極１に達した電磁波は、磁性薄膜２に静
磁波を励振する。電磁波から静磁波への励振効率は、電
磁波を静磁波に変換する回路の励振電極１の構造やＹＩ
Ｇ薄膜２の材料定数、および外部直流磁界の印加方法か
ら決まる静磁波の放射インピーダンスと電磁波回路のイ
ンピーダンスの整合状態に依存し、従って電磁波の反射
特性が決まることになる。以上から、励振効率の良い、
すなわち整合状態が良好な周波数領域では、入力した電
磁波のほとんどが静磁波に変換され、励振電極１から方
向性結合器３に向かって反射される電磁波は小さい。結
果として、方向性結合器３の端子６から出力される電磁
波は小さくなり、挿入損失は大きくなる。逆に、励振効
率の悪い周波数領域では、入力電磁波のほとんどが励振
電極１から反射され方向性結合器３の端子６から出力さ
れる。結果として、出力電磁波は大きくなり、挿入損失
は小さくなる。
【００１７】上述したように、静磁波を励振する高周波
磁界と外部直流磁界とが斜交、すなわち、双方の磁界の
なす角度を０°＜φ＜９０°の範囲で適当な値にするこ
とによりＭＳＳＷ／ＭＳＢＶＷ混成モードが励振される
が、この角度φを変化させることで静磁波の励振効率
（すなわち、電磁波と静磁波の整合状態）が良好になる
周波数およびその帯域幅を可変とすることができ、帯域
阻止フィルタの動作中心周波数およびその阻止帯域幅を
可変とすることができる。
磁界と外部直流磁界とが斜交、すなわち、双方の磁界の
なす角度を０°＜φ＜９０°の範囲で適当な値にするこ
とによりＭＳＳＷ／ＭＳＢＶＷ混成モードが励振される
が、この角度φを変化させることで静磁波の励振効率
（すなわち、電磁波と静磁波の整合状態）が良好になる
周波数およびその帯域幅を可変とすることができ、帯域
阻止フィルタの動作中心周波数およびその阻止帯域幅を
可変とすることができる。
【００１８】図３は、本発明帯域阻止フィルタを図１、
図２に示す実施形態にて構成した場合、図２に示す高周
波磁界と外部直流磁界のなす角度φが１０°，１５°，
２０°，３０°および４０°のそれぞれについての帯域
阻止特性（角度φと帯域阻止特性の関係）を示してい
る。このように、角度φを変化させることによって、本
発明フィルタの阻止周波数等を可変できることが分か
る。
図２に示す実施形態にて構成した場合、図２に示す高周
波磁界と外部直流磁界のなす角度φが１０°，１５°，
２０°，３０°および４０°のそれぞれについての帯域
阻止特性（角度φと帯域阻止特性の関係）を示してい
る。このように、角度φを変化させることによって、本
発明フィルタの阻止周波数等を可変できることが分か
る。
【００１９】角度φを変化させる方法としては、例え
ば、図２において励振電極１、または永久磁石７，８お
よびヨーク９で構成される磁気回路の一方を他方に対し
て機械的に回転させ、あるいは、図４（本例では、励振
電極１がＹＩＧ薄膜２の上面に配置されているが、動作
的には、図１，図２の場合と変わらない）に示すように
Ｙ方向とＺ方向の磁界強度をそれぞれ独立に変化させ
て、Ｙ−Ｚ面内で等価的に角度φを変化させるなどの方
法がある。また、本発明においても、従来のＭＳＷを使
用したフィルタ（ただし、本発明のようなＭＳＳＷ／Ｍ
ＳＢＶＷ混成モードは使用していないフィルタ）と同様
に、外部直流磁界の強度を変化させることによっても、
動作中心周波数（阻止中心周波数）を可変にすることが
でき、これによれば、阻止中心周波数と阻止帯域幅（３
ｄＢダウンの帯域幅）をそれぞれ独立に調整可能な、本
発明による静磁波帯域阻止フィルタを実現することがで
きる。
ば、図２において励振電極１、または永久磁石７，８お
よびヨーク９で構成される磁気回路の一方を他方に対し
て機械的に回転させ、あるいは、図４（本例では、励振
電極１がＹＩＧ薄膜２の上面に配置されているが、動作
的には、図１，図２の場合と変わらない）に示すように
Ｙ方向とＺ方向の磁界強度をそれぞれ独立に変化させ
て、Ｙ−Ｚ面内で等価的に角度φを変化させるなどの方
法がある。また、本発明においても、従来のＭＳＷを使
用したフィルタ（ただし、本発明のようなＭＳＳＷ／Ｍ
ＳＢＶＷ混成モードは使用していないフィルタ）と同様
に、外部直流磁界の強度を変化させることによっても、
動作中心周波数（阻止中心周波数）を可変にすることが
でき、これによれば、阻止中心周波数と阻止帯域幅（３
ｄＢダウンの帯域幅）をそれぞれ独立に調整可能な、本
発明による静磁波帯域阻止フィルタを実現することがで
きる。
【００２０】以上においては、本発明に係わる静磁波帯
域阻止フィルタを図１、図２に示す構成の実施形態に基
づいて説明してきたが、本発明の特徴であるＭＳＳＷ／
ＭＳＢＶＷ混成モードを帯域阻止フィルタに使用すると
いう点をそのまま有して、伝送線路上に磁性薄膜を装荷
した構成をもつ帯域阻止フィルタとして、例えば、図５
に示すように構成してもよい。なお、図５において、そ
れぞれ１１は入力端子、１２は出力端子、１３はマイク
ロストリップ線路、１４はＹＩＧ薄膜、１５はＧＧＧ基
板、１６は導体板、１７は誘電体基板、１８は静磁波吸
収体である。
域阻止フィルタを図１、図２に示す構成の実施形態に基
づいて説明してきたが、本発明の特徴であるＭＳＳＷ／
ＭＳＢＶＷ混成モードを帯域阻止フィルタに使用すると
いう点をそのまま有して、伝送線路上に磁性薄膜を装荷
した構成をもつ帯域阻止フィルタとして、例えば、図５
に示すように構成してもよい。なお、図５において、そ
れぞれ１１は入力端子、１２は出力端子、１３はマイク
ロストリップ線路、１４はＹＩＧ薄膜、１５はＧＧＧ基
板、１６は導体板、１７は誘電体基板、１８は静磁波吸
収体である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、本発明静磁波帯域阻止
フィルタを構成するのに、大きな永久磁石や大電流を流
すソレノイドコイルを必要とせず、また、発振器などの
外部回路も必要としない。従って、簡単な構造にして小
型化された静磁波帯域阻止フィルタを得ることができ
る。
フィルタを構成するのに、大きな永久磁石や大電流を流
すソレノイドコイルを必要とせず、また、発振器などの
外部回路も必要としない。従って、簡単な構造にして小
型化された静磁波帯域阻止フィルタを得ることができ
る。
【００２２】また、本発明によれば、本発明静磁波帯域
阻止フィルタに、外部直流磁界の強さやその印加角度の
調整機構を具えることにより、その外部直流磁界の調整
機構を使って、帯域阻止フィルタの特性を自由に調整す
ることができる。また、上記のように、本発明静磁波帯
域阻止フィルタは所望の周波数に対して必要な直流磁界
を小さくすることができるので、外部直流磁界を作る磁
気回路が小型で安価なものでよく、そのため経済性に富
んだ小型なデバイスを実現することができる。
阻止フィルタに、外部直流磁界の強さやその印加角度の
調整機構を具えることにより、その外部直流磁界の調整
機構を使って、帯域阻止フィルタの特性を自由に調整す
ることができる。また、上記のように、本発明静磁波帯
域阻止フィルタは所望の周波数に対して必要な直流磁界
を小さくすることができるので、外部直流磁界を作る磁
気回路が小型で安価なものでよく、そのため経済性に富
んだ小型なデバイスを実現することができる。
【図１】本発明静磁波帯域阻止フィルタの一実施形態を
斜視図にて示している。
斜視図にて示している。
【図２】図１に示す静磁波帯域阻止フィルタの一実施形
態から方向性結合器を除いた部分を上面図にて示してい
る。
態から方向性結合器を除いた部分を上面図にて示してい
る。
【図３】本発明静磁波帯域阻止フィルタの、高周波磁界
と外部直流磁界がなす角と帯域阻止特性の関係を示して
いる。
と外部直流磁界がなす角と帯域阻止特性の関係を示して
いる。
【図４】本発明静磁波帯域阻止フィルタにおいて、Ｙ方
向とＺ方向の磁界強度をそれぞれ独立に変化させて、Ｙ
−Ｚ面内で等価的に高周波磁界と外部直流磁界のなす角
度を変化させた例を示している。
向とＺ方向の磁界強度をそれぞれ独立に変化させて、Ｙ
−Ｚ面内で等価的に高周波磁界と外部直流磁界のなす角
度を変化させた例を示している。
【図５】本発明静磁波帯域阻止フィルタを、伝送線路上
に磁性薄膜を装荷した構成とした実施形態を示してい
る。
に磁性薄膜を装荷した構成とした実施形態を示してい
る。
１ 励振電極（マイクロストリップ線路） ２ 磁性薄膜（ＹＩＧ薄膜） ３ 方向性結合器 ４ 方向性結合器の入力端子 ５ 方向性結合器の出、入力端子 ６ 方向性結合器の出力端子 ７，８ 永久磁石 ９ ヨーク １０ 誘電体基板 １１ 入力端子 １２ 出力端子 １３ マイクロストリップ線路 １４ ＹＩＧ薄膜 １５ ＧＧＧ基板 １６ 導体板 １７ 誘電体基板 １８ 静磁波吸収体
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に配置され入力に従って高周波磁
界を生成する励振電極と、該励振電極上に配置される磁
性薄膜と、該磁性薄膜に直流磁界を印加する直流磁界印
加手段とを少なくとも具え、静磁波の周波数選択的飽和
が始まるレベル以下の電力値を有する電磁波入力に対し
て、該電磁波を電磁波回路のインピーダンスと静磁波の
放射インピーダンスとの整合性に依存して静磁波に変換
する回路により静磁波帯域阻止フィルタを構成するとと
もに、前記直流磁界は、前記磁性薄膜の前記励振電極と
接する面に平行で、かつ前記生成された高周波磁界に対
しては斜交していることを特徴とする静磁波帯域阻止フ
ィルタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の静磁波帯域阻止フィルタ
において、前記励振電極は誘電体基板上に配置されて直
線状に延在するマイクロストリップ線路からなることを
特徴とする静磁波帯域阻止フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3649496A JPH09232814A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 静磁波帯域阻止フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3649496A JPH09232814A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 静磁波帯域阻止フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232814A true JPH09232814A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12471390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3649496A Pending JPH09232814A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 静磁波帯域阻止フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9379685B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Built-in-circuit substrate and composite module |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP3649496A patent/JPH09232814A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9379685B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Built-in-circuit substrate and composite module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040406 |