JPH0758843B2 - 静磁波装置 - Google Patents

静磁波装置

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JPH0758843B2
JPH0758843B2 JP62249339A JP24933987A JPH0758843B2 JP H0758843 B2 JPH0758843 B2 JP H0758843B2 JP 62249339 A JP62249339 A JP 62249339A JP 24933987 A JP24933987 A JP 24933987A JP H0758843 B2 JPH0758843 B2 JP H0758843B2
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magnetostatic wave
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敏夫 西川
裕明 田中
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は静磁波装置に関し、特に磁界が印加されたと
えば体積前進静磁波(MSFVW),体積後退静磁波(MSBV
W)および表面静磁波(MSSW)などのモードの静磁波が
伝搬される静磁波装置に関する。
(従来技術) 第7図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。
この静磁波装置1では、YIG(イットリウム,アイア
ン,ガーネット)基板2に電磁石3で磁界が印加され
る。
また、他の従来の静磁波装置には、永久磁石でYIG基板
に磁界を印加するものがあった。
(発明が解決しようとする問題点) 第7図に示す従来の静磁波装置では、それをたとえばフ
ィルタなどとして用いてその周波数をたとえば2〜20GH
zの範囲で変化したい場合には、磁界をたとえば1000〜8
000Gaussの範囲で変化できるようにしなければならない
ため、大きい電磁石が必要となり全体が大きくなってし
まう。この静磁波装置では、電磁石でYIG基板に磁界が
印加されるため、その磁界が均一になり、Qが高くなら
ない。
また、永久磁石でYIG基板に磁界を印加する静磁波装置
では、YIG基板に印加される磁界を不均一にしてQを高
くできるが、磁界の大きさを変えることが困難であり、
それをたとえばフィルタとして用いた場合、周波数を変
えることが困難であった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化が可能
で、高いQ特性を実現するとともに、簡単に周波数の大
きさを調製することができる、静磁波装置を提供するこ
とである。
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化が可能な
静磁波装置を提供することである。
(問題点を解決するための手段) この発明は、YIG薄膜と、YIG薄膜の近傍に形成され、YI
G薄膜に磁界を印加する電磁石と、電磁石の一部に形成
され、YIG薄膜に不均一な磁界を印加する永久磁石と、Y
IG薄膜の表面に形成されるアンテナとを含む、静磁波装
置である。
(作用) 電磁石と永久磁石とで磁界が印加される。この場合、電
磁石によりYIG薄膜に印加される磁界の大きさが変えら
れ、永久磁石により、YIG薄膜に不均一な磁界が印加さ
れる。
(発明の効果) この発明によれば、電磁石のみで磁界を印加する従来例
に比べて、従来例と同じ強さの磁界を印加するために
は、電磁石の大きさを小型にすることができる。そのた
め、静磁波装置の小型化が可能となる。
さらに、この発明によれば、YIG薄膜に不均一な磁界を
与えることができるので、Qを高くすることができると
ともに、その磁界の大きさを変えることができるので、
周波数の大きさも簡単に変えることができる。
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例) 第1図および第2図は、それぞれ、この発明の一実施例
を示し、第1図はその図解図であり、第2図はその要部
斜視図である。この静磁波装置10は、YIG基板12を含
む。このYIG基板12としては、たとえば、GGG(ガドリニ
ウム,ガリウム,ガーネット)基板の一方主面にYIG薄
膜が形成されたものが利用される。
さらに、このYIG基板12の近傍には、電磁石14の一部を
構成する断面「C」字形の鉄心16が設けられる。この場
合、鉄心16はその端面16aおよび16bがYIG基板12の両主
面にそれぞれ対向するように設けられる。さらに、鉄心
16の両端部の周囲には、コイル18aおよび18bがそれぞれ
形成される。したがって、鉄心16,コイル18aおよび18b
によって、電磁石14が構成される。この場合、この実施
例では、電磁石14は、それによってYIG基板12の厚み方
向にたとえば0〜3500Gaussの磁界を印加することがで
きるように構成される。そのため、この電磁石14は、第
7図に示す従来例の電磁石より小型に形成され得る さらに、鉄心16の両端部には、凹部19aおよび19bがそれ
ぞれ形成される。これらの凹部19aおよび19bには、その
端面が鉄心16の端面16aおよび16bと面一になるように、
たとえば希土類金属からなる永久磁石20aおよび20bが、
それぞれ固着される。この場合、この実施例では、永久
磁石20aおよび20bは、それによってYIG基板12の厚み方
向にたとえば4500Gaussの磁界を印加することができる
ように構成される。
したがって、この静磁波装置10では、電磁石14からの磁
界を永久磁石20aおよび20bからの磁界の方向と同じ方向
にかつ最大にすることによって、YIG基板12の厚み方向
にそれらの磁界の和のたとえば8000Gaussの磁界を印加
することができる。また、電磁石14からの磁界を永久磁
石20aおよび20bからの磁界の方向と逆方向にかつ最大に
することによって、YIG基板12の厚み方向にそれらの磁
界の差のたとえば1000Gaussの磁界を印加することがで
きる。すなわち、この静磁波装置10では、電磁石14と永
久磁石20aおよび20bとによって、YIG基板12の厚み方向
(第2図の矢印Hoで示す方向)にたとえば1000〜8000Ga
ussの磁界を印加することができる。
さらに、YIG基板12上には、第2図に示すように、入力
用アンテナ22が形成される。したがって、このアンテナ
22にたとえばマイクロ波などの信号を供給すれば、体積
前進静磁波が第2図の矢印kで示す方向に伝搬される。
なお、YIG基板12上には入力用アンテナ22から矢印kで
示す静磁波の伝搬方向に間隔を隔てて出力用アンテナ
(図示せず)が形成されていて、この出力用アンテナに
よって伝搬された静磁波が出力信号として取り出され
る。
この静磁波装置10では、YIG基板12にたとえば1000〜800
0Gaussの磁界を印加することができるので、それをたと
えばフィルタとして用いれば、その周波数をたとえば2
〜20GHzの範囲で変えることができる。
このように、この静磁波装置10では、その周波数の可変
範囲が同じである第7図に示す従来例に比べて、電磁石
を小型にすることができるため、全体を小型にすること
ができる。
また、この実施例では、永久磁石20aおよび20bが電磁石
14の鉄心16の両端部の一部分のみに形成されているの
で、YIG基板12には磁界が不均一に印加される。そのた
め、この実施例では、静磁波の分散性を制御することが
できる。すなわち、静磁波は、磁気共鳴周波数foで現れ
この周波数foから離れるにつれて指数関数的にその性質
を失う。これは静磁波が基本的に分散性を有しているこ
とを意味している。そして、静磁波が伝搬されるYIG基
板12に磁界を不均一に印加することによって、その分散
性を制御することができるのである。しかも、このよう
にYIG基板12に磁界を不均一に印加すれば、伝搬損を軽
減することもできる。
一方、YIG基板12に磁界を不均一に印加すれば、その不
均一な磁界中に静磁波を閉じ込めることができるため、
静磁波装置10を長時間の静磁波遅延線として用いること
ができる。また、YIG基板12に磁界を不均一に印加する
ことによって、静磁波装置10を共振器として用いる場合
には、そのQを高くすることができ、静磁波装置10をフ
ィルタバンクに利用する場合には、その特性の微調整を
行うことができる。
なお、上述の実施例では、電磁石14の鉄心16の端面16a
および16bと永久磁石20aおよび20bの端面とが面一に形
成されているが、鉄心16の端面16aおよび16bと永久磁石
20aおよび20bの端面とは段差状に形成されてもよい。
たとえば、第3図に示すように、電磁石14の鉄心16に形
成される凹部19a(19b)の深さを深く形成したり永久磁
石20a(20b)の厚みを厚くしたりして、永久磁石20a(2
0b)の端面が鉄心14の端面16a(16b)より内側になるよ
うに形成されてもよく、また、第4図に示すように、電
磁石14の鉄心16の端面16a(16b)を平坦に形成し、その
端面16a(16b)に電磁石20a(20b)を固着して、電磁石
の20a(20b)端面が鉄心16の端面16a(16b)より外側に
なるように形成されてもよい。
第3図に示すように永久磁石20a(20b)の端面を鉄心16
の端面16a(16b)より内側に形成すれば、YIG基板12に
印加される磁界の不均一性を弱めることができ、逆に、
第4図に示すように永久磁石20a(20b)の端面を鉄心16
の端面16a(16b)より外側に形成すれば、その不均一性
を強めることができる。
また、上述の実施例では、YIG基板12の厚み方向に磁界
が印加されて体積前進静磁波が伝搬される静磁波装置に
ついて説明したが、この発明は、たとえば、第5図に示
すように、YIG基板12の面方向に平行しかつ矢印kで示
す静磁波の伝搬方向と直交する方向(第5図の矢印Hoで
示す方向)に磁界を印加して体積後退静磁波が伝搬され
る静磁波装置、あるいは、第6図に示すように、YIG基
板12の面方向に平行しかつ矢印kで示す静磁波の伝搬方
向に平行する方向(第6図の矢印Hoで示す方向)に磁界
を印加して表面静磁波が伝搬される静磁波装置について
も適用される。この場合、YIG基板12に対する電磁石14
および永久磁石20a,20bの位置を変えてYIG基板12に印加
される磁界の方向を変えればよい。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、それぞれ、この発明の一実施例
を示し、第1図はその図解図であり、第2図はその要部
斜視図である。 第3図およい第4図は、それぞれ、第1図実施例の変形
例を示す要部図解図である。 第5図および第6図は、それぞれ、この発明が適用され
他のモードの静磁波が伝搬される静磁波装置の要部斜視
図である。 第7図は従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。 図において、10は静磁波装置、12はYIG基板、14は電磁
石、20aおよび20bは永久磁石を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−64410(JP,A) 特開 昭58−138101(JP,A) テレビジョン学会誌,「静磁波(MS W)デバイスの動向」(内海,堤,Vo l.38,No.12,P.1053−1062) 電子通信学会技術研究報告,「YIG薄 膜共振器について」(堤,等,Vol.M W82−65,P.37−44)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】YIG薄膜、 前記YIG薄膜の近傍に形成され、前記YIG薄膜に磁界を印
    加する電磁石、 前記電磁石の一部に形成され、前記YIG薄膜に不均一な
    磁界を印加する永久磁石、および 前記YIG薄膜の表面に形成されるアンテナを含む、静磁
    波装置。
JP62249339A 1987-10-01 1987-10-01 静磁波装置 Expired - Fee Related JPH0758843B2 (ja)

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