JP2909363B2 - 静磁波マイクロ波装置 - Google Patents
静磁波マイクロ波装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェリ磁性共鳴を利用
した静磁波素子と静磁波を励起する手段を具備する静磁
波マイクロ波装置に関する。
した静磁波素子と静磁波を励起する手段を具備する静磁
波マイクロ波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム
・ガ−ネット）非磁性単結晶基板上に、フェリ磁性体で
あるＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガ−ネット）薄膜を液
相エピタキシャル成長（以下ＬＰＥという）させたＹＩ
Ｇ薄膜をフォトリソグラフィー技術による選択エッチン
グや機械加工により円形あるいは矩型等の所要形状に加
工し、これらのフェリ磁性共鳴を利用することによっ
て、フィルタ、オシレータ等の静磁波マイクロ波装置を
構成するものが提案されている。これらの静磁波マイク
ロ波装置は、マイクロストリップライン等を伝送線路と
してマイクロ波集積回路を作製することが可能であり、
他のマイクロ波集積回路とハイブリッド接続を容易に行
うことができるという利点がある。また、ＹＩＧ薄膜の
フェリ磁性共鳴による静磁波素子は、上述のようにＬＰ
Ｅと加工技術によって作製できることから、これまでの
ＹＩＧ球を用いたものに比較し量産性に優れているとい
う実用上の利点を有する。ところが、このようなＹＩＧ
薄膜のフェリ磁性共鳴を利用した静磁波マイクロ波装置
は、ＹＩＧ薄膜の幾何学的な形状によりその性能が大き
く左右される。特に、大きなインピ−ダンスを得ようと
すると、大きな面積や膜厚の厚いＹＩＧ薄膜が必要とな
る。これはマイクロ波回路の小型化だけでなく、高いＱ
値のフェリ磁性共鳴を維持しようとする場合、設計上大
きな問題となる。本来、静磁波マイクロ波装置は、図１
５に示すように、入力端子からｄだけ離れた部分に集中
定数型のＬＣの並列共振器の静磁波素子１が接続されて
いるのが理想的な等価回路である。しかし、大きなイン
ピ−ダンス変化を得るためＬを大きくしてゆく従来技術
の方法では、Ｌの長さが波長に対して無視できなくな
り、図１６のように、Ｌの間に無数のＬＣ共振器が分布
接続されている等価回路となる。このことは位相の異な
るマイクロ波で励起された複数の共振器を同時に観測し
たことに相当し、静磁波共振素子の本来の高Ｑ値を外部
に取り出すことができないという欠点につながる。ま
た、逆に高いＱ値を得ようとして、Ｌ、Ｗ、ｔを同時に
小さくしてゆくと、Ｑ値は改善されるが、全体のマイク
ロ波エネルギ−に対する静磁波素子の担うエネルギ−分
が低下し、好ましくない。すなわち、電気回路的には、
共振時のインピ−ダンス変化が著しく低下することに相
当する。図１２は、従来技術による矩型状のＹＩＧ膜を
用いた静磁波マイクロ波装置の構造図である。矩型状の
薄板静磁波素子１が、終端短絡のマイクロストリップラ
イン２と地導体３の間に装架されている。フェリ磁性共
鳴を生じさせるために外部磁界Ｈextが薄板の平面に垂
直に印加されている。従来技術では、矩型の２辺Ｌ、Ｄ
の大小関係はほとんど同じであり、正方形に近いものが
ほとんどであった。これまでの構成では、マイクロスト
リップラインの入力側から見た共振時のインピ−ダンス
変化を大きくしようとすると、静磁波素子１の寸法Ｌ、
Ｄ、ｔを同時に大きくしてゆく方法が取られてきた。図
１３は、従来技術による円形状の薄板静磁波素子１'を
用いた静磁波マイクロ波装置の構造図である。本構成に
おいても、前述の関係は変わらない。すなわち、大きい
共振時のインピ−ダンス変化を得ようとして外径Ｄと厚
みｔを大きくすると、静磁波素子のＱ値は低下し、高い
Ｑを得ようとしてＤとｔを小さくすると、共振時のイン
ピ−ダンス変化が低下する。図１４は、従来技術による
電極指構造を有する薄板静磁波素子１"を用いた静磁波
マイクロ波装置の構造図である。本構成においても、前
述の関係は変わらない。すなわち、大きい共振時のイン
ピ−ダンス変化を得ようとしてＬと厚みｔを大きくする
と、静磁波素子のＱ値は低下し、高いＱ値を得ようとし
てＬとｔを小さくすると、共振時のインピ−ダンス変化
が低下する。以下図面を用いて本発明の背景となる考え
方について述べる。図１７は短絡部に静磁波素子１が装
架された右端短絡のマイクロストリップラインを模式的
に示す。縦の線で塗りつぶした波形はマイクロ波電流Ｉ
の定在波を示す。静磁波素子１が装架されている短絡部
で電流Ｉが最も大きくなる。このような状態で静磁波素
子１の共振時のインピ−ダンス変化を大きくしようとす
ると図１８の方法が考えられる。すなわち、静磁波素子
１の形状をマイクロ波の伝搬方向に平行の伸ばす方法で
ある。この方法の欠点はすでに図１５の説明のときに述
べた。もう一つの方法は、図１９のように、静磁波素子
１の板厚を厚くしてゆくことが考えられる。しかし、こ
の場合は、静磁波素子１の形状が理想的な偏平回転楕円
体の形から離れてゆくので、共振特性のＱ値が著しく低
下し好ましくない。さらに、図２０のように、静磁波素
子の幅を広くし、長辺をマイクロ波の伝搬方向と垂直に
する方法が考えられる。しかし、幅が広くなることで、
静磁波素子１の多くの部分がマイクロストリップライン
の中心から離れることから、マイクロ波と静磁波素子の
結合が必ずしも良好でないという欠点を有していた。
・ガ−ネット）非磁性単結晶基板上に、フェリ磁性体で
あるＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガ−ネット）薄膜を液
相エピタキシャル成長（以下ＬＰＥという）させたＹＩ
Ｇ薄膜をフォトリソグラフィー技術による選択エッチン
グや機械加工により円形あるいは矩型等の所要形状に加
工し、これらのフェリ磁性共鳴を利用することによっ
て、フィルタ、オシレータ等の静磁波マイクロ波装置を
構成するものが提案されている。これらの静磁波マイク
ロ波装置は、マイクロストリップライン等を伝送線路と
してマイクロ波集積回路を作製することが可能であり、
他のマイクロ波集積回路とハイブリッド接続を容易に行
うことができるという利点がある。また、ＹＩＧ薄膜の
フェリ磁性共鳴による静磁波素子は、上述のようにＬＰ
Ｅと加工技術によって作製できることから、これまでの
ＹＩＧ球を用いたものに比較し量産性に優れているとい
う実用上の利点を有する。ところが、このようなＹＩＧ
薄膜のフェリ磁性共鳴を利用した静磁波マイクロ波装置
は、ＹＩＧ薄膜の幾何学的な形状によりその性能が大き
く左右される。特に、大きなインピ−ダンスを得ようと
すると、大きな面積や膜厚の厚いＹＩＧ薄膜が必要とな
る。これはマイクロ波回路の小型化だけでなく、高いＱ
値のフェリ磁性共鳴を維持しようとする場合、設計上大
きな問題となる。本来、静磁波マイクロ波装置は、図１
５に示すように、入力端子からｄだけ離れた部分に集中
定数型のＬＣの並列共振器の静磁波素子１が接続されて
いるのが理想的な等価回路である。しかし、大きなイン
ピ−ダンス変化を得るためＬを大きくしてゆく従来技術
の方法では、Ｌの長さが波長に対して無視できなくな
り、図１６のように、Ｌの間に無数のＬＣ共振器が分布
接続されている等価回路となる。このことは位相の異な
るマイクロ波で励起された複数の共振器を同時に観測し
たことに相当し、静磁波共振素子の本来の高Ｑ値を外部
に取り出すことができないという欠点につながる。ま
た、逆に高いＱ値を得ようとして、Ｌ、Ｗ、ｔを同時に
小さくしてゆくと、Ｑ値は改善されるが、全体のマイク
ロ波エネルギ−に対する静磁波素子の担うエネルギ−分
が低下し、好ましくない。すなわち、電気回路的には、
共振時のインピ−ダンス変化が著しく低下することに相
当する。図１２は、従来技術による矩型状のＹＩＧ膜を
用いた静磁波マイクロ波装置の構造図である。矩型状の
薄板静磁波素子１が、終端短絡のマイクロストリップラ
イン２と地導体３の間に装架されている。フェリ磁性共
鳴を生じさせるために外部磁界Ｈextが薄板の平面に垂
直に印加されている。従来技術では、矩型の２辺Ｌ、Ｄ
の大小関係はほとんど同じであり、正方形に近いものが
ほとんどであった。これまでの構成では、マイクロスト
リップラインの入力側から見た共振時のインピ−ダンス
変化を大きくしようとすると、静磁波素子１の寸法Ｌ、
Ｄ、ｔを同時に大きくしてゆく方法が取られてきた。図
１３は、従来技術による円形状の薄板静磁波素子１'を
用いた静磁波マイクロ波装置の構造図である。本構成に
おいても、前述の関係は変わらない。すなわち、大きい
共振時のインピ−ダンス変化を得ようとして外径Ｄと厚
みｔを大きくすると、静磁波素子のＱ値は低下し、高い
Ｑを得ようとしてＤとｔを小さくすると、共振時のイン
ピ−ダンス変化が低下する。図１４は、従来技術による
電極指構造を有する薄板静磁波素子１"を用いた静磁波
マイクロ波装置の構造図である。本構成においても、前
述の関係は変わらない。すなわち、大きい共振時のイン
ピ−ダンス変化を得ようとしてＬと厚みｔを大きくする
と、静磁波素子のＱ値は低下し、高いＱ値を得ようとし
てＬとｔを小さくすると、共振時のインピ−ダンス変化
が低下する。以下図面を用いて本発明の背景となる考え
方について述べる。図１７は短絡部に静磁波素子１が装
架された右端短絡のマイクロストリップラインを模式的
に示す。縦の線で塗りつぶした波形はマイクロ波電流Ｉ
の定在波を示す。静磁波素子１が装架されている短絡部
で電流Ｉが最も大きくなる。このような状態で静磁波素
子１の共振時のインピ−ダンス変化を大きくしようとす
ると図１８の方法が考えられる。すなわち、静磁波素子
１の形状をマイクロ波の伝搬方向に平行の伸ばす方法で
ある。この方法の欠点はすでに図１５の説明のときに述
べた。もう一つの方法は、図１９のように、静磁波素子
１の板厚を厚くしてゆくことが考えられる。しかし、こ
の場合は、静磁波素子１の形状が理想的な偏平回転楕円
体の形から離れてゆくので、共振特性のＱ値が著しく低
下し好ましくない。さらに、図２０のように、静磁波素
子の幅を広くし、長辺をマイクロ波の伝搬方向と垂直に
する方法が考えられる。しかし、幅が広くなることで、
静磁波素子１の多くの部分がマイクロストリップライン
の中心から離れることから、マイクロ波と静磁波素子の
結合が必ずしも良好でないという欠点を有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の従来
技術の問題点に鑑みなされたものであり、高Ｑ値を維持
しつつ共振時の大きなインピ−ダンス変化の実現が可能
な静磁波マイクロ波装置を提供することを目的とするも
のである。
技術の問題点に鑑みなされたものであり、高Ｑ値を維持
しつつ共振時の大きなインピ−ダンス変化の実現が可能
な静磁波マイクロ波装置を提供することを目的とするも
のである。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明の静磁波マイク
ロ波装置は、薄板状静磁波素子、前記静磁波素子の上に
設けられた導体、前記導体は接地導体に接続される短絡
部、前記静磁波素子に接合する接合部、マイクロ波電力
が供給される入力部よりなり、前記導体の各部分はマイ
クロ波の進行方向に対して垂直方向の幅を有し、前記接
合部及び前記短絡部の幅が、前記入力部の幅より広いこ
とを特徴としている。さらに、前記薄板状静磁波素子の
平面形状が細長い形状であり、その長手方向がマイクロ
波の進行方向に対して垂直であることを特徴としてい
る。
ロ波装置は、薄板状静磁波素子、前記静磁波素子の上に
設けられた導体、前記導体は接地導体に接続される短絡
部、前記静磁波素子に接合する接合部、マイクロ波電力
が供給される入力部よりなり、前記導体の各部分はマイ
クロ波の進行方向に対して垂直方向の幅を有し、前記接
合部及び前記短絡部の幅が、前記入力部の幅より広いこ
とを特徴としている。さらに、前記薄板状静磁波素子の
平面形状が細長い形状であり、その長手方向がマイクロ
波の進行方向に対して垂直であることを特徴としてい
る。
【０００５】
【作用】上記構成の考え方を、図２１により説明する。
すなわち従来技術である図２０の欠点を補うため、静磁
波素子１の上の導体の接合部２ｂの幅がマイクロストリ
ップラインの幅よりかなり広くとられている。また導体
の短絡部２ｃも広くとられている。このような構成とす
ることにより、ストリップラインの中心部に集中してい
たマイクロ波電流の分布が広がり、静磁波素子１全体に
作用するようになる。この結果、マイクロ波の位相を大
きく変化させることなく、マイクロ波と静磁波素子１の
結合を強くできる。上記構成によれば、静磁波素子はマ
イクロ波回路上かなり広い周波数範囲で集中定数的素子
とみなすことができ、高Ｑ値を維持しつつ共振時のイン
ピ−ダンス変化を大きくするための体積の大きな静磁波
素子を装架することができる。
すなわち従来技術である図２０の欠点を補うため、静磁
波素子１の上の導体の接合部２ｂの幅がマイクロストリ
ップラインの幅よりかなり広くとられている。また導体
の短絡部２ｃも広くとられている。このような構成とす
ることにより、ストリップラインの中心部に集中してい
たマイクロ波電流の分布が広がり、静磁波素子１全体に
作用するようになる。この結果、マイクロ波の位相を大
きく変化させることなく、マイクロ波と静磁波素子１の
結合を強くできる。上記構成によれば、静磁波素子はマ
イクロ波回路上かなり広い周波数範囲で集中定数的素子
とみなすことができ、高Ｑ値を維持しつつ共振時のイン
ピ−ダンス変化を大きくするための体積の大きな静磁波
素子を装架することができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。図１は本発明の基本構成を説明する図で
ある。図中、１は長方形の薄板状静磁波素子であり、Ｇ
ＧＧ基板１ａとＹＩＧ膜１ｂにより構成されている。Ｌ
はマイクロ波の進行方向の静磁波素子１の長さ、Ｗはそ
れと垂直方向の幅である。２は静磁波素子１の上に設け
られた導体であり、入力部２ａ、接合部２ｂ、短絡部２
ｃよりなる。入力部２ａの幅は幅Ｗi、短絡部２ｃの幅
はＷoである。４ａはマイクロ波の進行方向もしくは導
体２を流れるマイクロ波の電流方向を示す。３は地導
体、４ｂはマイクロ波の反射方向もしくは地導体を流れ
るマイクロ波電流の方向を示す。フェリ磁性共鳴を生じ
させるために、外部磁界Ｈextが静磁波素子１の平面に
垂直に印加されている。図に示すように、本発明の構成
では、図１２の従来技術とは異なり、静磁波素子の上に
設けられた導体の形状は、接合部２ｂの幅Ｗoの方が入
力部の幅Ｗiよりかなり広い。本実施例では、接合部の
幅Ｗoと短絡部の幅は等しい。さらに、静磁波素子１の
平面形状は長方形であり、その長辺Ｗはマイクロ波電流
４ａに対して垂直である。なお実施例の構成では、Ｗo
＝Ｗとした。また、静磁波素子の長さＬと導体の接合部
２ｂの長さＬoは同じとした。このような、構成をとる
ことにより、静磁波素子１と接合部２ｂとの結合を強く
することが可能であるとともに、導体の接合部２ｂと地
導体３との間の静電容量により幾何学的な短絡部２ｃよ
りもさらに短い電気長でマイクロ波を地導体に導くこと
が可能となり、より集中定数型の等価回路に近づくと考
えられる。図２は本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例が前記実施例と異なる点は、短絡部２ｃの幅Ｗ
o'が接合部２ｂの幅Ｗoより狭く、ほぼ入力部の幅Ｗiと
等しい点である。このような構成をとることにより、多
少短絡部２ｃの幅が狭くとも、接合部２ｂの導体が地導
体３に対して大きな静電容量を有することから、電気的
な短絡部分を静磁波素子１の中心近傍に移動させること
ができ、全体としてより集中定数的な素子として見なす
ことができるようになる。図３本発明の他の実施例を示
す図である。静磁波素子１の方が電極の接合部２ｂより
大きい場合を示す。図４は本発明の他の実施例を示す図
である。静磁波素子１の方が電極の接合部２ｂより小さ
い場合を示す。図５は本発明の他の実施例を示す図であ
る。導体の接合部２ｂの形状が短絡部２ｃに近づくにつ
れて徐々に広がってゆく場合を示す。結果的に接地され
る部分の幅Ｗo'が接合部の幅Ｗo及び入力端の幅Ｗiより
広い。これらの場合も本発明の効果が充分生かされる。
図６は本発明の他の実施例を示す。接合部２ｂと短絡部
２ｃが二つに分岐している場合であり、全体としての幅
Ｗ1＋Ｗ2が入力部２ａの幅Ｗiより広ければ、本発明の
効果は充分に生かすことができる。図７は本発明の他の
実施例を示す。静磁波素子１の表面に、薄膜形成手段で
あるスパッタ、蒸着などで導体の接合部２ｂを全面に作
製した場合を示す。この接合部２ｂに入力部としてスト
リップライン１０を接続し、短絡部２ｃとして接地導体
１１を接続する。接合部２ｂの幅は静磁波共振子の幅Ｗ
と同じであり、接地入力部であるストリップライン１０
の幅Ｗiより充分広い。また、短絡部の導体１１の幅Ｗ
o'は入力部の幅Ｗiより広く構成されている。この場合
も本発明の効果は充分に生かされる。図８は本発明の他
の実施例を示す。前の実施例と同じように、静磁波素子
１の表面に、薄膜形成手段であるスパッタ、蒸着などで
導体接合部２ｂを作製した場合を示す。この部分に入力
部としてワイヤボンディングでワイヤ１２ａが、短絡部
としてワイヤ１２ｂが接続されている。この場合、通
常、入力部のワイヤ１２ａの直径より接合部の面積が大
きい。また、短絡を完全にするためには、本数より短絡
部のワイヤ１２ｂの本数を多くとれば、より有効であ
り、本発明の効果が充分に生かされる。また、この場
合、短絡部の接続がリボンボンディングのような幅の広
いリボン１本でなされても、本発明の効果は変わらな
い。図９は本発明の他の実施例の断面図を示す。短絡部
２ｃは直接地導体３に接続されるのではなく、隣接した
直流阻止用コンデンサー８を介して、マイクロ波的に接
地した場合である。５は前記コンデンサーに短絡部２ｃ
を接続するための導体である。この場合も本発明の効果
は充分生かされる。図１０は本発明の他の実施例を示
す。図９と類似しているが、面積の比較的大きな直流阻
止用コンデンサー８上に静磁波素子１をのせた場合を示
す。同じように、短絡部２ｃを導体５の上に接続する。
この場合も本発明の効果は充分生かされる。図１１は、
本発明の他の実施例である。幅の広い接合部２ｂにスト
リップライン９が接続されて、他端が開放されている。
これは、幅の広い静磁波素子１の中心からストリップラ
イン９の開放端までの電気長が使用マイクロ波の波長λ
の１／４になるように設計されている。これにより、幅
の広い接合部２ｂの中心は、常に電気的には電流最大、
すなわち短絡状態と等価となる。この場合も本発明の効
果は充分生かされる。
細に説明する。図１は本発明の基本構成を説明する図で
ある。図中、１は長方形の薄板状静磁波素子であり、Ｇ
ＧＧ基板１ａとＹＩＧ膜１ｂにより構成されている。Ｌ
はマイクロ波の進行方向の静磁波素子１の長さ、Ｗはそ
れと垂直方向の幅である。２は静磁波素子１の上に設け
られた導体であり、入力部２ａ、接合部２ｂ、短絡部２
ｃよりなる。入力部２ａの幅は幅Ｗi、短絡部２ｃの幅
はＷoである。４ａはマイクロ波の進行方向もしくは導
体２を流れるマイクロ波の電流方向を示す。３は地導
体、４ｂはマイクロ波の反射方向もしくは地導体を流れ
るマイクロ波電流の方向を示す。フェリ磁性共鳴を生じ
させるために、外部磁界Ｈextが静磁波素子１の平面に
垂直に印加されている。図に示すように、本発明の構成
では、図１２の従来技術とは異なり、静磁波素子の上に
設けられた導体の形状は、接合部２ｂの幅Ｗoの方が入
力部の幅Ｗiよりかなり広い。本実施例では、接合部の
幅Ｗoと短絡部の幅は等しい。さらに、静磁波素子１の
平面形状は長方形であり、その長辺Ｗはマイクロ波電流
４ａに対して垂直である。なお実施例の構成では、Ｗo
＝Ｗとした。また、静磁波素子の長さＬと導体の接合部
２ｂの長さＬoは同じとした。このような、構成をとる
ことにより、静磁波素子１と接合部２ｂとの結合を強く
することが可能であるとともに、導体の接合部２ｂと地
導体３との間の静電容量により幾何学的な短絡部２ｃよ
りもさらに短い電気長でマイクロ波を地導体に導くこと
が可能となり、より集中定数型の等価回路に近づくと考
えられる。図２は本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例が前記実施例と異なる点は、短絡部２ｃの幅Ｗ
o'が接合部２ｂの幅Ｗoより狭く、ほぼ入力部の幅Ｗiと
等しい点である。このような構成をとることにより、多
少短絡部２ｃの幅が狭くとも、接合部２ｂの導体が地導
体３に対して大きな静電容量を有することから、電気的
な短絡部分を静磁波素子１の中心近傍に移動させること
ができ、全体としてより集中定数的な素子として見なす
ことができるようになる。図３本発明の他の実施例を示
す図である。静磁波素子１の方が電極の接合部２ｂより
大きい場合を示す。図４は本発明の他の実施例を示す図
である。静磁波素子１の方が電極の接合部２ｂより小さ
い場合を示す。図５は本発明の他の実施例を示す図であ
る。導体の接合部２ｂの形状が短絡部２ｃに近づくにつ
れて徐々に広がってゆく場合を示す。結果的に接地され
る部分の幅Ｗo'が接合部の幅Ｗo及び入力端の幅Ｗiより
広い。これらの場合も本発明の効果が充分生かされる。
図６は本発明の他の実施例を示す。接合部２ｂと短絡部
２ｃが二つに分岐している場合であり、全体としての幅
Ｗ1＋Ｗ2が入力部２ａの幅Ｗiより広ければ、本発明の
効果は充分に生かすことができる。図７は本発明の他の
実施例を示す。静磁波素子１の表面に、薄膜形成手段で
あるスパッタ、蒸着などで導体の接合部２ｂを全面に作
製した場合を示す。この接合部２ｂに入力部としてスト
リップライン１０を接続し、短絡部２ｃとして接地導体
１１を接続する。接合部２ｂの幅は静磁波共振子の幅Ｗ
と同じであり、接地入力部であるストリップライン１０
の幅Ｗiより充分広い。また、短絡部の導体１１の幅Ｗ
o'は入力部の幅Ｗiより広く構成されている。この場合
も本発明の効果は充分に生かされる。図８は本発明の他
の実施例を示す。前の実施例と同じように、静磁波素子
１の表面に、薄膜形成手段であるスパッタ、蒸着などで
導体接合部２ｂを作製した場合を示す。この部分に入力
部としてワイヤボンディングでワイヤ１２ａが、短絡部
としてワイヤ１２ｂが接続されている。この場合、通
常、入力部のワイヤ１２ａの直径より接合部の面積が大
きい。また、短絡を完全にするためには、本数より短絡
部のワイヤ１２ｂの本数を多くとれば、より有効であ
り、本発明の効果が充分に生かされる。また、この場
合、短絡部の接続がリボンボンディングのような幅の広
いリボン１本でなされても、本発明の効果は変わらな
い。図９は本発明の他の実施例の断面図を示す。短絡部
２ｃは直接地導体３に接続されるのではなく、隣接した
直流阻止用コンデンサー８を介して、マイクロ波的に接
地した場合である。５は前記コンデンサーに短絡部２ｃ
を接続するための導体である。この場合も本発明の効果
は充分生かされる。図１０は本発明の他の実施例を示
す。図９と類似しているが、面積の比較的大きな直流阻
止用コンデンサー８上に静磁波素子１をのせた場合を示
す。同じように、短絡部２ｃを導体５の上に接続する。
この場合も本発明の効果は充分生かされる。図１１は、
本発明の他の実施例である。幅の広い接合部２ｂにスト
リップライン９が接続されて、他端が開放されている。
これは、幅の広い静磁波素子１の中心からストリップラ
イン９の開放端までの電気長が使用マイクロ波の波長λ
の１／４になるように設計されている。これにより、幅
の広い接合部２ｂの中心は、常に電気的には電流最大、
すなわち短絡状態と等価となる。この場合も本発明の効
果は充分生かされる。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術に比較し、静
磁波素子の上に設けられた導体の接合部もしくは短絡部
の幅を入力部の幅より広くすることにより、静磁波素子
共振時のインピ−ダンス変化の低下をもたらすことな
く、高いＱ値を有する高性能な静磁波マイクロ波装置を
提供し得る。
磁波素子の上に設けられた導体の接合部もしくは短絡部
の幅を入力部の幅より広くすることにより、静磁波素子
共振時のインピ−ダンス変化の低下をもたらすことな
く、高いＱ値を有する高性能な静磁波マイクロ波装置を
提供し得る。
【図１】本発明の実施例を示す構造図である。
【図２】本発明の実施例を示す構造図である。
【図３】本発明の実施例を示す構造図である。
【図４】本発明の実施例を示す構造図である。
【図５】本発明の実施例を示す構造図である。
【図６】本発明の実施例を示す構造図である。
【図７】本発明の実施例を示す構造図である。
【図８】本発明の実施例を示す構造図である。
【図９】本発明の実施例を示す構造図である。
【図１０】本発明の実施例を示す構造図である。
【図１１】本発明の実施例を示す構造図である。
【図１２】従来技術の実施例を示す構造図である。
【図１３】従来技術の実施例を示す構造図である。
【図１４】従来技術の実施例を示す構造図である。
【図１５】静磁波マイクロ波装置の等価回路を示す図で
ある。
ある。
【図１６】静磁波マイクロ波装置の等価回路を示す図で
ある。
ある。
【図１７】従来技術の考え方を示す図である。
【図１８】従来技術の考え方を示す図である。
【図１９】従来技術の考え方を示す図である。
【図２０】従来技術の考え方を示す図である。
【図２１】本発明の考え方を示す図である。
１ 薄板静磁波素子、２ 導体、３ 地導体、４ マイ
クロ波電流の方向、５導体、６ パッド、７ 電極指、
８ 直流阻止用コンデンサー、９ 開放端、10 ストリ
ップライン、11 接地導体、12 ボンディングワイヤ
クロ波電流の方向、５導体、６ パッド、７ 電極指、
８ 直流阻止用コンデンサー、９ 開放端、10 ストリ
ップライン、11 接地導体、12 ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−233822（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−162102（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−65502（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−210802（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−13113（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−6321（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−10630（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 1/215 - 1/218
Claims (6)
- 【請求項１】 薄板状静磁波素子、前記静磁波素子の上
に設けられた導体、前記導体は接地導体に接続される短
絡部、前記静磁波素子に接合する接合部、マイクロ波電
力が供給される入力部よりなり、前記導体の各部分はマ
イクロ波の進行方向に対して垂直方向の幅を有する構成
となっており、かつ、前記導体の接合部及び短絡部の幅
が、前記導体の入力部の幅より広いことを特徴とする静
磁波マイクロ波装置。 - 【請求項２】 薄板状静磁波素子、前記静磁波素子の上
に設けられた導体、前記導体は接地導体に接続される短
絡部、前記静磁波素子に接合する接合部、マイクロ波電
力が供給される入力部よりなり、前記導体の各部分はマ
イクロ波の進行方向に対して垂直方向の幅を有する構成
となっており、前記薄板状静磁波素子の平面形状が細長
い形状であり、その長手方向がマイクロ波の進行方向に
対して垂直であり、かつ、前記導体の接合部の幅が、前
記導体の入力部の幅より広いことを特徴とする静磁波マ
イクロ波装置。 - 【請求項３】 静磁波素子の上に設けられた前記導体が
密着形成されていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の静磁波マイクロ波装置。 - 【請求項４】 前記導体の短絡部が、直流阻止用コンデ
ンサーを介して、接地されていることを特徴とする請求
項１又は２に記載の静磁波マイクロ波装置。 - 【請求項５】 前記導体の短絡部が、４分の１波長の開
放端により接地されていることを特徴とする請求項１又
は２に記載の静磁波マイクロ波装置。 - 【請求項６】 前記薄板状静磁波素子がＹＩＧ（イット
リウム・鉄・ガ−ネット）を主成分とするフェリ磁性薄
膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の静磁
波マイクロ波装置。
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|---|---|---|---|
| JP5241252A JP2909363B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 静磁波マイクロ波装置 |
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| US08/314,499 US5512868A (en) | 1993-09-28 | 1994-09-28 | Magnetostatic microwave device having large impedance change at resonance |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241252A JP2909363B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 静磁波マイクロ波装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH0799402A JPH0799402A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2909363B2 true JP2909363B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17071478
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5241252A Expired - Fee Related JP2909363B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 静磁波マイクロ波装置 |
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| JP (1) | JP2909363B2 (ja) |
| DE (1) | DE4434736C2 (ja) |
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| WO2016056277A1 (ja) | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 光学位相差部材、光学位相差部材を備える複合光学部材、及び光学位相差部材の製造方法 |
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| JPH0685507A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-25 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波マイクロ波装置 |
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- 1993-09-28 JP JP5241252A patent/JP2909363B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-27 DE DE4434736A patent/DE4434736C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-28 US US08/314,499 patent/US5512868A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
| US5512868A (en) | 1996-04-30 |
| JPH0799402A (ja) | 1995-04-11 |
| DE4434736C2 (de) | 1996-12-12 |
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