DE4434736C2 - Mikrowellen-Bauelement für magnetostatischen Wellen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Mikrowellen-Bauelement für magne­ tostatische Wellen, das ferrimagnetische Resonanz verwendet und ein Element für magnetostatische Wellen und eine Ein­ richtung zum Erregen magnetostatischer Wellen aufweist und das in vielen Mikrowellenkomponenten, insbesondere in Oszil­ latoren, verwendet wird.

Als Mikrowellen-Bauelemente mit magnetostatischen Wellen zur Verwendung in Filtern, Oszillatoren usw., die ferrimagneti­ sche Resonanz eines ferrimagnetischen Dünnfilms verwenden, wurden solche vorgeschlagen, die über ein Element für magne­ tostatische Wellen verfügen, das dadurch hergestellt wird, daß ein ferrimagnetischer YIG(Yttrium-Eisen-Granat)-Dünnfilm auf einem unmagnetischen, einkristallinen Substrat aus GGG (Gadolinium-Gallium-Granat) durch Flüssigphasenepitaxie­ wachstum (LPE = Liquid Phase Epitaxy) ausgebildet wird, der Dünnfilm durch eine Photolithographietechnik geätzt wird und der geätzte Film in eine gewünschte Form wie die eines Krei­ ses, eines Rechtecks usw. gebracht wird. Diese Mikrowellen- Bauelemente mit magnetostatischen Wellen weisen Vorteile auf, da sie als integrierte Mikrowellenschaltung unter Ver­ wendung einer Mikrostreifenleitung usw. als Übertragungs­ leitung ausgebildet werden können, und sie können leicht durch Hybridverbindungen mit anderen integrierten Mikrowel­ lenschaltungen verbunden werden.

Darüber hinaus besteht für ein Element für elektrostatische Wellen unter Verwendung eines YIG-Films hohe Produktivität im Vergleich mit derjenigen für ein herkömmliches Element, das YIG-Körper verwendet, da der YIG-Film durch LPE und Be­ arbeitung hergestellt werden kann.

Jedoch hängt das Funktionsvermögen eines Mikrowellen-Bauele­ ments mit magnetischen Wellen unter Verwendung ferrimagneti­ scher Resonanz eines YIG-Films stark von der geometrischen Form des YIG-Films ab. Um eine große Impedanz zu erzielen, ist ein YIG-Film mit großer Oberfläche und großer Dicke er­ forderlich. Jedoch sind diese große Oberfläche und Dicke vom Gesichtspunkt einer Miniaturisierung von Mikrowellenschal­ tungen her und vom Beibehalten ferrimagnetischer Resonanz mit großem Q-Wert her nachteilig.

Im allgemeinen ist eine Schaltung, wie sie in Fig. 15 darge­ stellt ist, bei der ein LC-Parallelresonator vom Typ mit konzentrierten Konstanten um einen Abstand d entfernt von einem Eingangsanschluß T angeschlossen ist, ein ideales Er­ satzschaltbild für Mikrowellen-Bauelemente mit magnetostati­ schen Wellen. Um eine große Impedanzänderung zu erzielen, wurde die Länge des Elements für magnetostatische Wellen entlang der Ausbreitungsrichtung der Mikrowellen beim Stand der Technik verlängert. Bei diesem Verfahren wird jedoch die Länge L des Elements mit der Wellenlänge der Mikrowellen vergleichbar, so daß das Ersatzschaltbild in diesem Fall durch eine Schaltung mit verteilten Konstanten wiedergegeben wird, wie in Fig. 16 dargestellt, bei dem eine unendliche Anzahl von LC-Resonatoren entlang der Richtung L miteinander verbunden sind. Dies entspricht dem gleichzeitigen Beobach­ ten mehrerer durch Mikrowellen mit verschiedenen Phasen an­ geregter Resonatoren, was dazu führt, daß für das Element für magnetostatische Wellen kein hoher Q-Wert erzielt werden kann.

Wenn andererseits die Länge L, die Breite W und die Dicke t des Elements gleichzeitig kleiner gemacht werden, um einen hohen Q-Wert zu erzielen, kann zwar der gewünschte höhere Q-Wert erhalten werden, jedoch absorbiert das Element sehr wenig Energie aus einer Mikrowelle. Dies bedeutet, daß die Impedanzänderung im Resonanzfall deutlich verringert ist.

Fig. 12 zeigt schematisch ein herkömmliches Mikrowellen-Bau­ element mit magnetostatischen Wellen, das einen rechteckigen YIG-Film verwendet. Ein rechteckiges, dünnes Element 1 für magnetostatische Wellen ist zwischen einem Masseleiter 3 und einer Mikrostreifenleitung 2 angeordnet, die an ihrem Ende kurzgeschlossen ist. Ein externes Magnetfeld Hext zum Her­ vorrufen ferrimagnetischer Resonanz wird rechtwinklig zur Oberfläche des Elements 1 an dieses angelegt. Mikrowellen breiten sich entlang der Richtung eines Teils 4a aus und werden in Richtung eines Pfeils 4b reflektiert. Das Bezugs­ zeichen Wi kennzeichnet die Breite der Mikrostreifenleitung und das Bezugszeichen d kennzeichnet den Abstand zwischen der Kante der Mikrostreifenleitung 2 und der nächstliegenden Kante des Elements 1. Bei einem herkömmlichen Bauelement sind die Länge L und die Breite W des Elements 1 nahezu gleich, d. h., daß die Oberseite des Elements 1 nahezu qua­ dratisch ist. Beim Stand der Technik wurden die Werte L, W und t des Elements 1 gleichzeitig größer gemacht, um eine größere Impedanzänderung im Resonanzfall zu erhalten, wie über den Eingangsabschnitt der Mikrostreifenleitung gemes­ sen. Jedoch führt, wie oben angegeben, ein Erhöhen der Werte L, W und t zu einer Verringerung des Q-Werts des Elements 1.

Demgegenüber führt ein Verringern der Werte L, W und t zu einer Verringerung der Impedanzänderung im Resonanzfall.

Ein solches herkömmliches Mikrowellen-Bauelement mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1 ist aus der JP-1-130602 bekannt.

Fig. 13 ist eine schematische Ansicht eines herkömmlichen Mikrowellen-Bauelements mit magnetostatischen Wellen unter Verwendung eines kreisförmigen YIG-Films. Bei diesem her­ kömmlichen Bauelement nimmt der Q-Wert des Elements 1 für magnetostatische Wellen, wenn der Außendurchmesser D und die Dicke t des Elements 1 größer gemacht werden, um eine größe­ re Impedanzänderung im Resonanzfall zu erzielen. Wenn D und t zum Erzielen eines höheren Q-Werts kleiner gemacht werden, verringert sich die Impedanzänderung im Resonanzfall.

Fig. 14 ist eine schematische Ansicht, die ein herkömmliches Mikrowellen-Bauelement mit magnetostatischen Wellen mit einer Elektrodenfingerstruktur 7 zeigt. Dieses Bauelement weist dieselben Nachteile wie die in den Fig. 12 und 13 dar­ gestellten Bauelemente auf. D. h., daß dann, wenn die Länge L und die Dicke t des Elements 1 für magnetostatische Wellen größer gemacht werden, um eine größere Impedanzänderung im Resonanzfall zu erzielen, der Q-Wert des Elements 1 verrin­ gert wird. Wenn dagegen die Länge L und die Dicke t verklei­ nert werden, um einen hohen Q-Wert zu erzielen, verringert sich die Impedanzänderung im Resonanzfall.

Fig. 17 ist eine schematische Darstellung eines Mikrowellen- Bauelements mit magnetostatischen Wellen, bei dem eine am rechten Ende kurzgeschlossene Mikrostreifenleitung 2 am kurzgeschlossenen Ende mit einem Element 1 für magnetostati­ sche Wellen versehen ist. Eine durch schraffierte Linien ge­ kennzeichnete Welle I ist eine stehende Welle des Mikrowel­ lenstroms. Dieser Mikrowellenstrom hat im kurzgeschlossenen Bereich die größte Stärke. Die Bezugszahl 3 kennzeichnet einen Masseleiter.

Bei diesem Bauelement kann eine größere Impedanzänderung des Elements 1 im Resonanzfall erzielt werden, wenn die Seiten des rechteckigen Elements 1 entlang der Ausbreitungsrichtung der Mikrowellen verlängert werden (Fig. 18). Der Nachteil dieses Verfahrens wurde oben unter Bezugnahme auf Fig. 16 beschrieben.

Ein Alternativverfahren zum Erzielen einer größeren Impe­ danzänderung ist ein Vergrößern der Dicke des Elements 1 für magnetostatische Wellen (Fig. 19). Jedoch ist die Form des Elements 1 ungünstig gegenüber der eines flachen Spheroids verformt, das als ideale Form für das Element 1 angesehen wird, was zu einem deutlich verringerten Q-Wert der Reso­ nanzcharakteristik führt.

Noch ein anderes Verfahren zum Erzielen einer größeren Impe­ danzänderung besteht darin, die Breite (rechtwinklig zur Ausbreitungsrichtung von Mikrowellen) des Elements 1 größer als die Länge (entlang der Ausbreitungsrichtung der Mikro­ wellen) des Elements 1 zu machen (Fig. 20). Mit zunehmender Breite weicht jedoch ein zunehmend großer Teil des Elements 1 von der Mittellinie der Mikrostreifenleitung 2 ab, so daß unter Umständen die Kopplung zwischen der Mikrowelle und dem Element 1 nicht ausreicht.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Mikrowellen- Bauelement mit magnetostatischen Wellen zu schaffen, das über eine große Impedanzänderung im Resonanzfall verfügt, während der Q-Wert des Elements auf hohem Wert gehalten wird.

Diese Aufgabe wird bei einem gattungsgemäßen Mikrowellen- Bauteil durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Als Ergebnis intensiver Forschung im Hinblick auf die vor­ stehend genannte Aufgabe hat sich herausgestellt, daß eine große Impedanzänderung eines Elements für magnetostatische Wellen im Resonanzfall unter Beibehaltung eines hohen Q-Werts dadurch erzielt werden kann, daß auf einem solchen Element ein Leiter angeordnet wird, der aus einem Übergangs­ bereich, einem kurzgeschlossenen Bereich und einem Eingangs­ bereich besteht, wobei die Breiten des Übergangsbereichs und vorzugsweise auch des kurzen Bereichs größer als die des Eingangsbereichs sind. Die Erfindung wurde auf Grundlage dieser Erkenntnis erzielt.

Diese Erkenntnis wird detaillierter unter Bezugnahme auf Fig. 21 beschrieben. Um die Nachteile beim Stand der Technik (Fig. 18-20) zu beseitigen, wird die Breite des Übergangs­ bereichs 2b des Leiters auf dem Element 1 so ausgewählt, daß sie viel größer als die Breite der Mikrostreifenleitung 2 ist. Der kurzgeschlossene Bereich 2c des Leiters ist so aus­ gewählt, daß er viel länger als die Mikrostreifenleitung 2 ist. Mit dieser Struktur kann der in der Mittellinie der Mikrostreifenleitung 2 konzentrierte Mikrowellenstrom so verteilt werden, daß er mit dem gesamten Bereich des Ele­ ments 1 für magnetostatische Wellen wechselwirkt. Infolge­ dessen kann die Kopplung zwischen der Mikrowelle und dem Element 1 ohne große Verschiebung der Mikrowellenphase er­ höht werden. Ferner kann bei einer Mikrowellenschaltung mit dieser Struktur ein Element für magnetostatische Wellen in­ nerhalb eines breiten Frequenzbereichs als Element mit kon­ zentrierten Konstanten angesehen werden. Daher kann ein Ele­ ment mit großem Volumen verwendet werden, um im Resonanzfall eine große Impedanzänderung zu erzielen, während ein höher Q-Wert aufrechterhalten bleibt.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.

Fig. 1-8 sind schematische Perspektivdarstellungen von Ausführungsbeispielen der Erfindung;

Fig. 9-11 sind schematische Querschnitte durch andere Aus­ führungsbeispiele der Erfindung;

Fig. 12-14 sind schematische Perspektivdarstellungen her­ kömmlicher Mikrowellen-Bauelemente mit magnetostatischen Wellen;

Fig. 15 und Fig. 16 sind Ersatzschaltbilder für Mikrowellen- Bauelemente mit magnetostatischen Wellen;

Fig. 17-20 sind schematische Veranschaulichungen für be­ kannte Konzepte und

Fig. 21 ist eine schematische Veranschaulichung des Konzepts der Erfindung.

Fig. 1 veranschaulicht durch eine Perspektivdarstellung das Grundkonzept der Erfindung. In Fig. 1 besteht ein rechtecki­ ges, dünnes Element 1 für magnetostatische Wellen mit einer Dicke t in der Größenordnung von 300-700 µm aus einem GGG-Substrat 1a und einem YIG-Film 1b auf dem GGG-Substrat 1a. Die Dicke des YIG-Films beträgt vorzugsweise 10-100 µm. Das Bezugszeichen L bedeutet die Länge in der Größenordnung von 0,2-2 mm des Elements 1 entlang der Ausbreitungsrich­ tung von Mikrowellen, und W bedeutet die Breite des Elements 1 in der Größenordnung von 1-5 mm rechtwinklig zur Aus­ breitungsrichtung. Ein Leiter 2 mit einer Dicke in der Grö­ ßenordnung von 1-5 µm, der auf dem Element 1 angeordnet ist, besteht aus einem Eingangsbereich 2a, einem Übergangs­ bereich 2b und einem kurzgeschlossenen Bereich 2c. Der Ein­ gangsbereich 2a, der Übergangsbereich 2b und der kurzge­ schlossene Bereich 2c verfügen über eine Breite Wi in der Größenordnung von 0,3-2 mm, eine Breite Wo in der Größen­ ordnung von 1-5 mm bzw. eine Breite Wo′. Das Bezugszeichen 4a kennzeichnet die Ausbreitungsrichtung von Mikrowellen oder die Richtung eines Mikrowellenstroms im Leiter 2. Die Bezugszahl 3 bezeichnet einen Masseleiter 3, und das Bezugs­ zeichen 4b kennzeichnet die Reflexionsrichtung von Mikro­ wellen oder die Richtung des Mikrowellenstroms im Masselei­ ter 3. Die Richtungen 4a und 4b sind zueinander umgekehrt, wodurch der Schaltkreis schwingt. Rechtwinklig zur Oberflä­ che des Elements 1 wird zum Hervorrufen ferrimagnetischer Resonanz ein externes Magnetfeld Hext an das Element 1 ange­ legt.

Wie es aus Fig. 1 erkennbar ist, ist bei der Erfindung die Breite Wo des Übergangsbereichs 2b viel größer als die Breite Wi des Eingangsbereichs 2a, im Gegensatz zu dem in den Fig. 12 usw. dargestellten Stand der Technik. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel stimmen die Breite Wo und die Breite Wo′ des kurzgeschlossenen Bereichs 2c überein. Obwohl die Breite Wo′ gleich groß wie die Breite Wi oder nahezu gleich groß sein kann, ist es bevorzugt, daß die Breite Wo′ größer als die Breite Wi gewählt ist, bevorzugter größer als das 1,2- bis 5-fache der Breite Wi. Die Oberflä­ che des Elements 1 ist rechteckig, und seine lange Seite (Breite W) steht rechtwinklig zur Richtung 4a des Mikrowel­ lenstroms. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Breite Wo und die Länge Lo des Übergangsbereichs 2b so gewählt, daß sie W bzw. L entsprechen.

Die in Fig. 1 dargestellte Struktur ermöglicht es, die Kopp­ lung zwischen dem Element 1 und dem Übergangsbereich 2b zu erhöhen und Mikrowellen mit einer elektrischen Länge, die kleiner als die Länge des kurzgeschlossenen Bereichs 2c ist, zum Masseleiter 3 durchzulassen, und zwar aufgrund der elek­ trostatischen Kapazität zwischen dem Übergangsbereich 2b und dem Masseleiter 3. Daher kann das Element 1 nahezu als Ele­ ment mit konzentrierten Konstanten angesehen werden.

Fig. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Bezugszeichen, die mit solchen in Fig. 1 übereinstimmen, haben dieselbe Bedeutung. Beim Ausführungsbeispiel von Fig. 2 ist die Breite Wo′ des kurzgeschlossenen Bereichs 2c so ausgewählt, daß sie kleiner als die Breite Wo des Übergangs­ bereichs 2b und nahezu gleich groß wie die Breite Wi des Eingangsbereichs 2a ist. Obwohl die Breite Wo′ klein ist, kann der Leiter 2 als elektrisch mit dem Element 1 in der Nähe dessen Zentrums kurzgeschlossen angesehen werden, und zwar wegen der großen elektrostatischen Kapazität zwischen dem Übergangsbereich 2b und dem Masseleiter 3. Daher kann das Element 1 als Element mit konzentrierten Konstanten angesehen werden.

Fig. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem das Element 1 sowohl in der Breite als auch der Län­ ge größere Abmessungen als der Übergangsbereich 2b aufweist. Übrigens sind in den Fig. 3-11 zur Vereinfachung das Sub­ strat und der ferrimagnetische Dünnfilm, aus denen die Ele­ mente 1 bestehen, nicht gesondert dargestellt.

Fig. 4 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem der Übergangsbereich 2b sowohl nach Breite als auch Länge größere Abmessungen als das Element 1 aufweist.

Fig. 5 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem die Breite des Übergangsbereichs 2b um so größer ist, je dichter er am kurzgeschlossenen Bereich 2c liegt. Das Bauelement mit dieser Struktur zeigt ebenfalls den er­ findungsgemäßen Effekt, da die Breite Wo′ größer als die Breite des Eingangsbereichs 2a und des Übergangsbereichs 2b ist.

Fig. 6 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem der Übergangsbereich 2b und der kurzgeschlossene Bereich 2c in zwei Bereiche aufgeteilt sind. Auch das Bau­ element mit dieser Struktur zeigt den erfindungsgemäßen Ef­ fekt, solange die kombinierte Breite W₁ + W₂ größer als die Breite Wi ist.

Fig. 7 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem der Übergangsbereich 2b durch einen Dünnfilm-Her­ stellprozeß wie Sputtern, Dampfniederschlagung usw. auf der gesamten Oberseite des Elements 1 ausgebildet ist. Eine Streifenleitung 10 als Eingangsbereich und ein Leiter 11 als kurzgeschlossener Bereich sind jeweils mit dem Übergangs­ bereich 2b verbunden. Die Breite Wo des Übergangsbereichs 2b stimmt mit der Breite W überein und ist deutlich größer als die Breite Wi der als Eingangsbereich wirkenden Streifenlei­ tung 10. Auch ist die Breite Wo′ des Leiters 11 als kurzge­ schlossener Bereich größer als die Breite Wi gewählt. Auch das Bauelement mit dieser Struktur zeigt den erfindungsgemä­ ßen Effekt.

Fig. 8 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem, wie im Fall von Fig. 7, der Übergangsbereich 2b durch eine Filmbildungstechnik wie Sputtern, Dampfnieder­ schlagung usw. auf der Oberseite des Elements 1 ausgebildet ist. Als Eingangsbereich und kurzgeschlossener Bereich sind ein Draht 12a bzw. Drähte 12b durch ein Drahtbondverfahren mit dem Element 1 verbunden. Allgemein gesagt, ist die Ober­ fläche des Übergangsbereichs 2b größer als der Durchmesser des Drahts 12a. Um einen kompletten Kurzschluß zu gewährlei­ sten, ist die Anzahl der Drähte 12b vorzugsweise größer als diejenige der Drähte 12a. Übrigens kann der kurzgeschlossene Bereich mittels eines Bandbondverfahrens aus einem breiten Band gebildet werden.

Fig. 9 zeigt einen Querschnitt durch ein anderes Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der kurzgeschlossene Bereich 2c indirekt über einen Kon­ densator 8 zum Sperren von Gleichstrom, der angrenzend an das Element 1 liegt, mit dem Masseleiter 3 verbunden. Es ist ein Leiter 5 zum Verbinden des Kondensators und des Kurz­ schlußbereichs 2c vorhanden. Auch das Bauelement mit dieser Struktur zeigt den erfindungsgemäßen Effekt.

Fig. 10 ist ein Querschnitt durch ein anderes Ausführungs­ beispiel der Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Element 1 auf einem Kondensator 8 mit vergleichsweise größerer Oberfläche angeordnet. Der Kurzschlußbereich 2c ist wie im Fall von Fig. 9 mit einem Leiter 5 verbunden. Auch das Bauelement mit dieser Struktur zeigt den erfindungsgemä­ ßen Effekt.

Fig. 11 zeigt einen Querschnitt durch ein anderes Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung. Ein Streifenleiter (Kurzschlußbereich) 9 ist an einem Ende mit dem breiten Übergangsbereich 2b verbunden, und am anderen Ende ist sie offen. Die elektrische Länge zwischen der Mitte des breiten Elements 1 und dem offenen Ende der Streifenleitung 9 ist zu 1/4 der Wellenlänge λ der zu verwendenden Mikrowelle gewählt. Bei dieser Struktur weist der Strom im Übergangsbereich 2b immer in dessen Mitte den Maximalwert auf, welcher Zustand einem Kurzschlußzustand entspricht. Das Bauelement mit dieser Struktur zeigt eben­ falls den erfindungsgemäßen Effekt.

Claims (9)

1. Mikrowellen-Bauelement mit einem Masseleiter (3), einem dünnen Element (1) für magnetostatische Wellen und einem auf diesem Element angeordneten Leiter (2), wobei der Leiter aus einem Eingangsbereich (2a; 10; 12a), über den Mikrowellen eingegeben werden, einem Übergangsbereich (2b), in dem der Leiter (2) mit dem Element (1) verbunden ist, und einem Kurz­ schlußbereich (2c; 9; 12b) besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des Übergangsbereichs (2b), gesehen recht­ winklig zur Ausbreitungsrichtung der Mikrowellen, größer ist als die Breite des Eingangsbereichs (2a; 10; 12a).

2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des Kurzschlußbereichs (2c; 9; 12b) größer als die Breite des Eingangsbereichs (2a; 10; 12a) ist.

3. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Element (1) ein Rechteck ist, dessen längere Seite rechtwinklig auf der Ausbreitungsrichtung der Mikrowellen steht.

4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Kurzschlußbereich (2c; 12b) direkt mit dem Masseleiter (3) verbunden ist.

5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Kurzschlußbereich (2c) über einen Kon­ densator (8) zum Sperren von Gleichströmen mit dem Masselei­ ter (3) verbunden ist.

6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Kurzschlußbereich (9) ein offenes Ende aufweist und die elektrische Länge zwischen dem offenen Ende des Kurzschlußbereichs und der Mitte des Elements (1) 1/4 der Wellenlänge der Mikrowellen ist.

7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Leiter (2) durch einen Dünnfilm-Her­ stellprozeß auf der Oberseite des Elements (1) ausgebildet ist.

8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Element (1) ein Substrat (1a) und einem darauf ausgebildeten ferrimagnetischen Dünnfilm (1b) auf­ weist.

9. Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der ferrimagnetische Dünnfilm (1b) im wesentlichen aus Yttri­ um-Eisen-Granat besteht.