DE4234996C2 - Magnetostatisches Filter - Google Patents
Magnetostatisches FilterInfo
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Description
Diese Erfindung bezieht sich auf ein magnetostatisches
Filter oder ein Schaltungselement, das eine magnetostatische
Welle ausnutzt, die durch die magnetische Spinresonanz eines
dünnen Films magnetischen Materials, wie z. B. YIG (Yttrium
eisengranat) auf nichtmagnetischem Material, wie GGG (Gado
liniumgalliumgranat) erzeugt wird, und insbesondere auf den
Aufbau eines solchen Filters, mit dem unerwünschte Nebenmo
den unterdrückt werden, so daß das Filter über einen großen
Frequenzbereich eingesetzt werden kann. Ein solches Filter
ist aus US-A-4 782 312 bekannt.
Ein ferrimagnetisches Dünnschichtresonanzelement wurde
als geeignetes Schaltungselement beispielsweise für Mikro
wellenoszillatoren vorgeschlagen. Bei solch einem Schal
tungselement wird eine dünne Schicht YIG (Yttriumeisengra
nat) aus der Flüssigphase epitaktisch auf ein nichtmagne
tisches Substrat GGG (Gadoliniumgalliumgranat) aufgebracht
und dann in die gewünschte Form gebracht, wie beispielsweise
in JP-2-13101-A beschrieben.
Dieses ferrimagnetische Dünnschichtresonanzelement hat
die verschiedenen Eigenschaften, daß die Güte Q der Resonanz
im Mikrowellenfrequenzbereich hoch ist, daß seine Resonanz
frequenz von der Feldstärke des konstanten vormagnetisie
renden Feldes abhängt, wobei das magnetische Feld senkrecht
auf der ferrimagnetischen dünnen Schicht steht, die magne
tisch mit einem Mikrowellentransmissionskanal gekoppelt ist
(wie z. B. eine fingerförmig geätzte Elektrode), usw.
Als ein solcher ferrimagnetischer Dünnschichtresonator
wurde ein Schaltungselement vorgeschlagen, das die magneto
statische Welle ausnutzt, um die ferrimagnetische dünne
Schicht und den Mikrowellentransmissionskanal magnetisch zu
koppeln und um auch den Grad der magnetischen Kopplung zwi
schen der dünnen ferrimagnetischen Schicht und dem Mikro
wellentransmissionskanal zu verbessern. Bei diesem Schal
tungselement wird der Mikrowellentransmissionskanal auf der
ferrimagnetischen dünnen Schicht durch Fotoätzen gebildet,
wie es beispielsweise in JP-62-245704-A bzw. US 4 743 874
beschrieben ist.
Fig. 2A zeigt ein Schema des Schaltungselementes nach
Stand der Technik, welches die magnetostatische Welle aus
nutzt, und Fig. 2B zeigt ein Schema des Aufbaus des Resona
tors 6 für die magnetostatische Welle nach Stand der Tech
nik, wie er im Schaltungselement in Fig. 2A verwendet wird.
Der Resonator 6 für magnetostatische Wellen nach Stand der
Technik, wie er in Fig. 2B gezeigt ist, umfaßt eine dünne
YIG-Schicht 3 auf einem GGG-Substrat 2, hergestellt durch
Flüssigphasenepitaxie, bei dem eine oder eine Mehrzahl von
fingerförmigen Elektroden in Form einer Au- oder Al-Schicht
mittels Fotoätzen auf der dünnen YIG-Schicht 3 gebildet
werden, und Seitenelektroden 4a und 4b, die durch Fotoätzen
auf beiden Seiten der Gruppe von fingerförmigen
Elektroden 5 hergestellt werden.
Wie in Fig. 2A gezeigt, wird eine leitende Oberfläche
einer Mikro-Streifenleitung 15 teilweise entfernt, und es
werden ein Streifenleiter 11 und eine Blindleitung 7 für die
Impedanzanpassung auf beiden Seiten des entfernten Teils g
der leitenden Oberfläche der Mikrostreifenleitung 15 gebil
det. Der Mikrostreifenleiter 15 ist durch die Lücke g für
Gleichstrom unterbrochen. Nachdem der Resonator 6 für die
magnetostatische Welle aus Fig. 2B innerhalb der Lücke g des
Mikrostreifenleiters 15 angebracht wurde, wird der Strei
fenleiter 11 elektrisch mit den Seitenelektroden 4a über
einen Streifenleiter 12a verbunden, und die Blindleitung 7 für
die Anpassung der Impedanz wird mit der Seitenelektrode 4b
über den Streifenleiter 12b verbunden, womit das die magneto
statische Welle ausnutzende Schaltungselement 16 vollständig
ist.
Bei Messungen des Durchlaßspektrums von Schaltungsele
menten 16, die die magnetostatische Welle ausnutzen, wurde
häufig eine Nebenmode in der Nähe der Resonanz niedrigster
Ordnung beobachtet, wie in Fig. 4 gezeigt. Wenn all die Moden
auf die magnetostatische Welle zurückgeführt werden könnten,
sollte die Wellenform in Fig. 4 bei einer Verschiebung die
selbe Form beibehalten, unabhängig von einer Änderung der
Feldstärke eines von außen angelegten magnetischen Feldes.
Jedoch ändert sich bei der Nebenmode die Frequenzempfind
lichkeit in Abhängigkeit der Änderung der Feldstärke des von
außen angelegten magnetischen Feldes in vielen Fällen gegen
über der Resonanz niedrigster Ordnung des Schaltungselements,
und die relative Lage der Nebenmode gegenüber der Resonanz
niedrigster Ordnung des Schaltungselements ändert sich in Ab
hängigkeit von der Resonanzfrequenz. Daher ist es wahrschein
lich, daß die Resonanz der Nebenmode nicht abhängig ist vom
Durchgang einer reinen magnetostatischen Welle.
Dies bedeutet konkret, wenn das Resonanzspektrum eines
Schaltungselements für die magnetostatische Welle nach Stand
der Technik bei Änderung der Resonanzfrequenz in der nied
rigsten Resonanzordnung untersucht wurde, wobei die magne
tische Feldstärke des von außen angelegten magnetischen
Feldes langsam geändert wurde, näherte sich die Nebenmode
auf einer Seite der Resonanzspitze in niedrigster Ordnung
der Resonanzspitze und wanderte durch die Spitze zur anderen
Seite (siehe IEEE Transaction on Magnetics, Bd. Mag-20, Nr.
5, September 1984).
Wenn die Nebenmoden die Resonanz niedrigster Ordnung
überlappten, flachte die Spitze der Resonanz niedrigster
Ordnung ab und es traten Probleme auf, wie etwa ein starkes
Absinken der Güte Q, die ein Maß für die Linienbreite der
Resonanz ist.
Ein magnetisches Filter, das vorgeschlagen wurde, um diese Nebenmo
den zu unterdrücken, ist aus US-A-4 782 312 bekannt. Bei diesem
Stand der Technik ist ein magnetostatisches Filter bzw. ein magne
tostatischer Resonator mit Ein- bzw. Auskoppelelektroden versehen,
die in einer bestimmten Geometrie angeordnet sind, so daß eine op
timale Einkopplung in den Resonator, insbesondere bei der Resonanz
frequenz, möglich wird. Außerdem sind Signalableitungen vorgesehen,
die Energie aus unerwünschten Nebenmoden des Resonators abziehen
sollen und so die Bandpaßeigenschaften des Resonators weiter ver
bessern sollen. Bei diesem Stand der Technik sind die Signalablei
tungen vorzugsweise Nuten in der Oberfläche des den magnetostati
schen Resonator bildenden ferrimagnetischen Films.
Die Unterdrückung der unerwünschten Nebenmoden wird nun über eine
bestimmte Geometrie der Einkoppelelektroden, beispielsweise über
eine um 90° gegeneinander gedrehte Anordnung der Ein- und Auskop
pelelektroden, angestrebt. Dieses erfordert jedoch eine genaue Di
mensionierung und ist also mit zusätzlichem Aufwand beim Aufbau des
Filters verbunden. Außerdem wird durch jede mögliche Geometrie na
türlich nur ein bestimmter Modenbereich ausgeblendet, ganzzahlige
Vielfache einer bestimmten Mode können somit wieder erlaubt sein.
Des weiteren ist ein Oberflächenwellenfilter sowie ein Verfahren
zur Herstellung einer Bedampfungsschicht für Oberflächenwellenfil
ter aus DE 32 35 236 bekannt. Ein solches Oberflächenwellenfilter
besteht aus einem plättchenförmigen Substrat aus Lithiumniobat, auf
dessen eine Substratseite gegebenenfalls mittels Koppler gekoppelte
Eingangs- und Ausgangswandler und zur Unterdrückung reflektierter
Wellen eine plastische und/oder elastische Bedämpfungsschicht auf
getragen wird. Diese bedeckt diese Substratseite wenigstens be
reichsweise, wobei die Fläche, die durch die Wandler, den Koppler,
die Enden der Anschlußbahnen und die Bereiche zwischen den Wandlern
und dem Koppler begrenzt ist, ausgenommen wird. Die Stirnkante der
Bedämpfungsschicht steigt stetig bis auf den Wert der Schichtdicke.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein die
magnetostatische Welle ausnutzendes Schaltungselement zu
schaffen, bei dem die Nebenmode für einen großen Frequenz
bereich unterdrückt wird und unerwünschte Verschlechterung
der Resonanzeigenschaften vermieden wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die in
Anspruch 1 genannten Merkmale.
Gegenstand der Unteransprüche sind bevorzugte Ausfüh
rungsformen der Erfindung.
Das Schaltungselement nach der vorliegenden Erfindung
kann so aufgebaut sein, daß eine dünne Schicht eines ferri
magnetischen Materials auf ein Substrat nichtmagnetischen
Materials aufgebracht wird und Elektroden auf dieser dünnen
ferrimagnetischen Schicht gebildet werden, um magnetostati
sche Wellen in der dünnen ferrimagnetischen Schicht anzu
regen. Das Schaltungselement nach der vorliegenden Erfin
dung kann andererseits so aufgebaut sein, daß eine dünne
ferrimagnetische Schicht auf einem ersten nichtmagnetischen
Substrat und Elektroden auf einem zweiten nichtmagnetischen
Substrat gebildet werden, um magnetostatische Wellen in der
ferrimagnetischen dünnen Schicht anzuregen. Im folgenden
werden die Einzelheiten der vorliegenden Erfindung be
schrieben.
Aufgrund umfangreicher Untersuchungen schlossen die
Erfinder, daß das Auftreten einer Nebenmode in einem die
magnetostatische Welle ausnutzenden Schaltungselement mit der
Reflexion einer Schallwelle zusammenhängt. Das heißt, die
durch die dünne ferrimagnetische Schicht laufende magne
tostatische Welle koppelt mit der Schallwelle zu einer
magneto-akustischen Welle. Diese Schallwelle wird dann an der
anderen gegenüberliegenden Oberfläche des nichtmagnetischen
Substrats reflektiert, auf der die dünne ferrimagnetische
Schicht aufgebracht ist. Wenn diese reflektierte akustische
Welle wieder mit der magnetostatischen Welle koppelt, stimmen
die Phasen dieser beiden Wellen überein und es wird in
Resonanz eine stehende Welle erzeugt. Dies wird als die
Quelle der Nebenmode in einem die magnetostatische Welle
ausnutzenden Schaltungselement angesehen. Um das Auftreten
der Nebenmode in dem die magnetostatische Welle ausnutzenden
Schaltungselement zu unterdrücken, ist es somit nötig, die
unerwünschte Reflexion der Schallwelle in dem Schaltungs
element zu unterdrücken.
Eine Ausführungsform des die magnetische Welle aus
nutzenden Schaltungselements entsprechend der vorliegenden
Erfindung wird anhand der Fig. 1A und 1B mit den gleichen
Bezugszeichen wie in Fig. 2A und 2B beschrieben. Ein
Resonator 6 für magnetostatische Wellen in Fig. 1A und 1B
umfaßt ein Ausbreitungsmedium 3 für magnetostatische Wellen
auf einer größeren Oberfläche 2a eines Substrats 2 eines
nichtmagnetischen Materials und eine schallabsorbierende
Schicht 8 auf der anderen Seite 2b des nichtmagnetischen
Substrats 2. Das Material der absorbierenden Schicht 8 für
Schallwellen kann beliebig unter denen gewählt werden, die
die Schallwelle absorbieren durch Umwandlung der akustischen
Energie durch innere Reibung. Geeignet sind organische Kleber
(beispielsweise Epoxyharz), Lötpaste und elektrisch leitende
Kleber.
Eine dotierte Schicht, beispielsweise erzeugt durch
Implantieren von Verunreinigungsionen in das nichtmagne
tische Substrat, kann als absorbierende Schicht 8 eingesetzt
werden. Diese dotierte Schicht unterdrückt Gitterschwingungen
und absorbiert damit die reflektierte akustische Welle.
Fig. 3 zeigt eine andere Ausführung der vorliegenden
Erfindung mit entsprechenden Bezugszeichen wie in Fig. 1A
und 1B. Fig. 3 zeigt eine dünne Schicht 3 eines ferrima
gnetischen Materials auf einer größeren Oberfläche 2a eines
Substrats 2 eines nichtmagnetischen Materials und Elektroden
10 auf einem anderen Substrat 9, wodurch ein Resonantor 6 für
magnetostatische Wellen gebildet wird, in dem sich induzierte
magnetostatische Wellen durch die dünne ferrimagnetische
Schicht 3 ausbreiten. In dem Schaltungselement mit einem
Resonator 6 mit diesem Aufbau ist eine schallabsorbierende
Schicht 8 auf der anderen größeren Oberfläche 2b des nicht
magnetischen Substrats 2 angebracht.
Entsprechend der vorliegenden Erfindung kann bei einem
die magnetostatische Welle ausnutzenden Schaltungselement die
unerwünschte Nebenmode und damit eine Verschlechterung der
Resonanzeigenschaften effizient unterdrückt werden. Dieser
bemerkenswerte Fortschritt kann anhand des Aufbaus des
Resonators für die magnetostatische Welle in einem Schal
tungselement entsprechend der vorliegenden Erfindung ver
anschaulicht werden. Die die akustische Energie durch interne
Reibung umwandelnde und damit absorbierende Schicht ist auf
einer Oberfläche des nichtmagnetischen Substrats des Resona
tors gegenüber der Oberfläche mit der dünnen ferrimagne
tischen Schicht aufgebracht, und die mit der magnetostatischen
Welle gekoppelte akustische Welle wird an der Oberfläche des
nichtmagnetischen Substrats absorbiert, die gegenüber der
Oberfläche mit der dünnen ferrimagnetischen Schicht ist, so
daß die unerwünschte Reflexion der akustischen Welle an der
Oberfläche des Substrats verhindert werden kann.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Aus
führungsformen mit Bezug auf die Zeichnungen näher erläutert;
es zeigen:
Fig. 1A eine perspektivische Darstellung des Aufbaus
einer Ausführungsform des die magnetostatische
Welle ausnutzenden Schaltungselements ent
sprechend der vorliegenden Erfindung,
Fig. 1B eine perspektivische Darstellung des Aufbaus
des Resonators für die magnetostatische Welle
für das Schaltungselement in Fig. 1A,
Fig. 2A eine perspektivische Darstellung des Aufbaus
einer Ausführungsform nach Stand der Technik
eines die magnetostatische Welle ausnutzenden
Schaltungselements,
Fig. 2B eine perspektivische Darstellung des Aufbaus
des Resonators für die magnetostatische Welle
für ein Schaltungselement in Fig. 2A,
Fig. 3 eine perspektivische Darstellung des Aufbaus
einer anderen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung,
Fig. 4 die experimentell bestimmten Werte der Durch
gangscharakteristik eines Schaltungselements
nach Stand der Technik, wie in Fig. 2A darge
stellt,
Fig. 5 die experimentell bestimmten Werte der Durch
gangscharakteristik eines Schaltungselements in
Fig. 2A nach Stand der Technik, wenn die
Stärke des vormagnetisierenden Feldes geändert
wird,
Fig. 6 die experimentell bestimmten Werte der Durch
gangscharakteristik einer Ausführungsform des
Schaltungselements nach der vorliegenden Er
findung, wie es in Fig. 1A gezeigt ist,
Fig. 7 die experimentell bestimmten Werte für die
Durchgangscharakteristik einer anderen Aus
führungsform eines die magnetostatische Welle
ausnutzenden Schaltungselements nach Stand der
Technik, bei welchem die fingerförmigen Elek
troden auf einem anderen Substrat (einem
zweiten Substrat) gebildet sind,
Fig. 8 die experimentell bestimmten Werte der Durch
gangscharakteristik einer Ausführungsform eines
Schaltungselmentes nach der vorliegenden Er
findung, wie es in Fig. 3 gezeigt ist, bei
welchem die fingerförmigen Elektroden auf einem
anderen Substrat (einem zweiten Substrat)
gebildet sind.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun
mit Bezug auf die Fig. 1A und 1B beschrieben. Zunächst
wird, wie in Fig. 1B bezeigt, eine YIG-Schicht 3 von 40 µm
Dicke durch Flüssigphasenepitaxie auf eine größere Oberfläche
2a des Substrats 2 monokristallinen GGGs aufgebracht. Dann
wird eine 1,5 µm dicke Goldschicht auf die YIG-Schicht 3 im
Vakuum aufgedampft und teilweise mittels Fotoätzen wieder
entfernt, um fünf fingerförmige Elektroden 5 und ein Paar von
Seitenelektroden 4a und 4b auf beiden Seiten der Elektro
dengruppe 5 herzustellen. Jede der fingerförmigen Elektroden
5 ist 30 µm breit und 3 mm lang. Dann wird ein Resonator 6
für die magnetostatische Welle aus dem Wafer mit einem
Schneider mit Diamantblatt ausgeschnitten. Der Resonator 6
ist 5 mm lang, 2 mm breit und 0,5 mm dick.
Dann wird die andere größere Oberfläche 2b des mono
kristallinen GGG Substrats 2 gegenüber der größeren Ober
fläche 2a mit der YIG-Schicht mit einer Schicht 8 aus Epoxy
harz beschichtet. Auf der anderen Seite wird auf einer Mikro
streifenleitung 15 mit dielektrischem Element 14 zwischen
einem Paar von elektrisch leitenden Streifen eine Lücke g
erzeugt, die länger als der Resonator 6 für die magneto
statische Welle der Länge l₁ ist, wie gezeigt in Fig. 1A.
Außerdem ist ein Streifenleiter 11 aus Kupfer für die
Verbindung mit einem Schaltkreis negativen Widerstandes und
und eine Blindleitung 7 für die Impedanzanpassung mit einer
Länge l₂ und einer Breite w vorgesehen.
Dann wird der Resonator 6 für die mangnetostatische
Welle in der Lücke g des Mikrostreifenleiters 15 angebracht.
(Beim Resonator 6 ist gegenüber der größeren Oberfläche 2a
mit der YIG-Schicht 3 die andere größere Oberfläche 2b des
monokristallinen GGG-Substrats 2 mit Epoxyharzschicht 8 der
Dicke 10 µm beschichtet.) Nachdem der Resonator 6 in die
Lücke g eingesetzt wurde, wird die Seitenelektrode 4a mit dem
Streifenleiter 11 über einen Kupferstreifenleiter 12a ver
lötet und die Seitenelektrode 4b wird mit der Blindleitung 7
zur Impedanzanpassung über einen Kupferstreifenleiter 12b
verlötet, womit das die magnetostatische Welle ausnutzende
Schaltungselement 1 vollständig ist. Das dielektrische Ele
ment 14 besteht aus Polytetrafluorethylenharz. In Fig. 1A
bezeichnet das Bezugszeichen 13 einen Kupferstreifenleiter
für die Erdung der Mikrostreifenleitung 15, und die Symbole
g₁ und g₂ bezeichnen Lücken von jeweils 0,5 mm Breite.
Ein Feld H₀ zur Vormagnetisierung wurde zum Einstellen
der Resonanzfrequenz des die magnetostatische Welle ausnut
zenden Schaltungselements 1 auf ca. 5 GHz angelegt und mit
einem Netzwerkanalysator wurde die Durchgangscharakteristik
des die magnetostatische Welle ausnutzenden Schaltungsele
ments 1 gemessen. Die Meßergebnisse sind in Fig. 6 darge
stellt und machen deutlich, daß im Frequenzbereich zwischen
5,2 GHz und 5,3 GHz Nebenmoden absorbiert wurden und nicht
auftraten in einem Frequenzbereich von ± 20 MHz um die Haupt
resonanz herum.
Wenn die Stärke des vormagnetisierenden Feldes und damit
die Resonanzfrequenz des Schaltungselements schrittweise
zwischen 5 GHz und 5,5 GHz geändert wurde, wurde die Neben
mode absorbiert und trat innerhalb eines Frequenzbereichs von
± 20 MHz um die Hauptresonanz herum nicht auf. Diese Tatsache
wird auf die Kleberschicht 8, die die akustische Welle
absorbiert, zurückgeführt.
Als ein Vergleichsbeispiel wurde ein die magnetostati
sche Welle ausnutzendes Schaltungselement 16, ähnlich zur
Ausführungsform 1 aufgebaut, wie es in Fig. 2A gezeigt ist.
Dieses Vergleichsbeispiel umfaßte einen Resonator für die
magnetostatische Welle, ähnlich dem Resonator 6, wie er in
Ausführungsform 1 verwendet wurde, aber ohne die Epoxyharz
schicht 8, wie sie in Fig. 1B gezeigt ist. Der magnetosta
tische Resonator 6 wurde in die Lücke g auf eine Mikrostrei
fenleitung 15 ähnlich wie in Ausführungsform 1 eingesetzt,
wobei diese Lücke g länger als die Länge l₁ des Resonators 6
ist. Ähnlich wurde eine Seitenelektrode 4a mittels Kupfer
streifenleiter 12a an einen Streifenleiter 11 gelötet und die
Elektrode 4b wurde mittels Kupferstreifenleiter 12b an die
Blindleitung 7 zur Impedanzanpassung gelötet.
Ein vormagnetisierendes Feld H₀ wurde angelegt, um die
Resonanzfrequenz des Schaltungselements 16 auf ca. 5 GHz
einzustellen und die Durchgangscharakteristik des Schal
tungselements 16 wurde mit einem Netzwerkanalysator gemessen.
Das Meßergebnis ist in Fig. 4 dargestellt und man erkennt
kleine Nebenmoden in der Nähe der Hauptresonanz im Frequenz
bereich zwischen 5,2 GHz und 5,3 GHz.
Wenn die Stärke des vormagnetisierenden Feldes schritt
weise geändert wurde, um die Resonanzfrequenz zwischen 5 GHz
und 5,5 GHz abzustimmen, wurde eine Verschiebung der Neben
modenresonanz von der niederfrequenten Flanke zur hochfre
quenten Flanke der Hauptresonanz in Fig. 5 beobachtet.
Ausführungsform 2 ist in Fig. 3 dargestellt. In dieser
Ausführungsform wird ein magnetostatischer Resonator 6
ähnlich dem in Ausführungsform 1 verwendet. Wie oben werden
auf einer Mikrostreifenleitung 15 mit dielektrischem Element
14 zwischen einem Paar elektrisch leitender Streifen fünf
fingerförmige Elektroden 10 mit jeweils 30 µm Breite und 3 mm
Länge geätzt. Dann werden ein Kupferstreifenleiter 11 als
Verbindung zu einem Schaltkreis negativen Widerstandes und
ein anderes Substrat (zweites Substrat) 9 mit einem Blind
leiter 7 für die Impedanzanpassung (mit der Breite w) ver
bunden. Der magnetostatische Resonator 6 wird auf den finger
förmigen Elektroden 10 auf der Mikrostreifenleitung 15 be
festigt, womit das die magnetostatische Welle ausnutzende
Schaltungselement 17 vollständig ist. Ausführungsform 2
unterscheidet sich von Ausführungsform 1 dadurch, daß die
größere Oberfläche 2b, die mit einer Epoxyharzschicht 8 der
Dicke 10 µm beschichtet ist, oberhalb der größeren Oberfläche
2a liegt, wie in Fig. 3 dargestellt.
Ein vormagnetisierendes Feld H₀ wurde an das Schaltungs
element 17 angelegt, um die Resonanzfrequenz auf ca. 5 GHz
einzustellen, und die Durchgangscharakteristik des Schal
tungselements 17 wurde mit einem Netzwerkanalysator gemessen.
Das Meßergebnis ist in Fig. 8 dargestellt und man erkennt,
daß auch hier keine Nebenmodenresonanzen in einem Frequenz
bereich von ± 20 MHz um die Hauptresonanz herum innerhalb des
Frequenzbereichs zwischen 5,2 GHz und 5,3 GHz auftreten.
Wenn die Stärke des vormagnetisierenden Feldes an dem
Schaltungselement 17 schrittweise geändert wurde, um die
Resonanzfrequenz zwischen 5 GHz und 5,5 GHz abzustimmen,
traten keine Nebenmodenresonanzen im Frequenzbereich von
± 20 MHz um die Hauptresonanz herum auf.
Ein magnetostatischer Resonator nach Stand der Technik
ohne Epoxyharzbeschichtung 8 wurde in das Schaltungselement
17 in Fig. 3 eingebaut und die Durchgangscharakteristik des
Schaltungselements 17 wurde bei angelegtem vormagnetisieren
dem Feld mit einem Netzwerkanalysator gemessen. Das Meßergeb
nis ist in Fig. 7 dargestellt und man sieht, daß zusätzlich
zur Hauptresonanz im Frequenzbereich zwischen 5,2 GHz und 5,3
GHz kleine Nebenmodenresonanzen in der Nähe der Hauptreso
nanz auftraten. Auch war die Höhe der Resonanz halb so groß
wie die bei dem vergleichbaren die magnetostatische Welle
ausnutzenden Schaltungselement 16.
Ausführungsform 3 unterscheidet sich von Ausführungsform
1 in Fig. 1A dadurch, daß ein magnetostatischer Resonator 6
mit einer 10 µm dicken Schicht elektrisch leitenden Klebers
namens Dortite (Handelsname, Fujikura Kasei Co., Ltd., elek
trisch leitende Kleber mit Leiterelementen, wie Ag, Cu-Ag, C,
etc., Bindeharzen wie Epoxy, Phenol, Polyimid etc.) anstatt
eines Resonators 6 mit einer Epoxyharzbeschichtung 8 wie in
Fig. 1B verwendet wurde. Wie bei der Ausführungsform 1 wird
der Resonator 6 in die Lücke g auf der Mikrostreifenleitung
15 eingesetzt, wobei die Lücke länger als die Länge l₁ des
Resonators 6 ist. Dann wird eine Seitenelektrode 4a über
einen Kupferstreifenleiter 12a mit einem Streifenleiter 11
verbunden und eine Seitenelektrode 4b über einen Kupfer
streifenleiter 12b mit der Blindleitung 7 für die Impedanz
anpassung, womit das die magnetostatische Welle ausnutzende
Schaltungselement 1 vollständig ist.
Ein vormagnetisierendes Feld H₀ wurde angelegt, um die
Resonanzfrequenz dieses Schaltungselements 1 auf ca. 5 GHz
einzustellen, und die Durchgangscharakteristik des Schal
tungselements 1 wurde mit einem Netzwerkanalysator gemessen.
Das Meßergebnis ist in Fig. 6 dargestellt und man sieht, daß
auch hier die Nebenmodenresonanz absorbiert wurde und nicht
auftrat innerhalb eines Frequenzbereichs von ± 20 MHz um die
Hauptresonanz herum über einen Frequenzbereich von 5,2 GHz
bis 5,3 GHz.
Wenn die Stärke des vormagnetisierenden Feldes schritt
weise geändert wurde, um die Resonanzfrequenz des Schaltungs
elements 1 zwischen 5 GHz und 5,5 GHz abzustimmen, wurden
Nebenmodenresonanzen absorbiert und traten nicht aufinner
halb eines Frequenzbereichs von ± 20 MHz um die Hauptresonanz
herum.
In den obenbeschriebenen Ausführungsformen wurden Epoxy
harzkleber und Dortite als Beispiele für schallabsorbierende
Materialien genannt. Es ist jedoch offensichtlich, daß bei
der vorliegenden Erfindung das Auftreten von Nebenmoden
resonanzen auch mit anderen geeigneten organischen Klebern,
Lötpasten oder leitenden Klebern unterdrückt werden kann.
Obgleich die schallabsorbierende Schicht auf der
größeren Oberfläche des Substrats gegenüber der größeren
Oberfläche mit der dünnen ferrimagnetischen Schicht ent
sprechend der vorliegenden Erfindung aufgebaut wurde, kann
die schallabsorbierende Schicht auch auf den Seitenflächen
des Substrats aufgebracht werden.
Man erkennt aus der vorangegangenen Beschreibung der
Einzelheiten der vorliegenden Erfindung, daß bei einem die
magnetostatische Welle ausnutzenden Schaltungselement mit
einem magnetostatischen Ausbreitungsmedium auf einer der
größeren Oberflächen eines nichtmagnetischen Substrats eine
Schicht zur Absorption von Schallwellen auf der anderen
größeren Oberfläche des Substrats aufgebracht ist, so daß
eine unerwünschte Nebenmode effizient in einem großen
Frequenzbereich unterdrückt werden kann und unerwünschte Ver
schlechterung der Resonanzeigenschaften des Schaltungs
elements vermieden werden können.
Claims (3)
1. Magnetostatisches Filter, das umfaßt:
ein nicht-magnetisches Substrat (2), eine dünne Schicht (3) aus ferrimagnetischem Material auf einer Oberfläche (2a) des Substrats (2), in der eine magnetostatische Welle induziert wird, gekennzeichnet durch
eine Schicht (8) auf der anderen (2b) Oberfläche des Substrats (2), die durch die magnetostatische Welle induzierte mechanische Schwingungen absorbiert.
ein nicht-magnetisches Substrat (2), eine dünne Schicht (3) aus ferrimagnetischem Material auf einer Oberfläche (2a) des Substrats (2), in der eine magnetostatische Welle induziert wird, gekennzeichnet durch
eine Schicht (8) auf der anderen (2b) Oberfläche des Substrats (2), die durch die magnetostatische Welle induzierte mechanische Schwingungen absorbiert.
2. Magnetostatisches Filter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
Elektroden (5) auf der dünnen Schicht (3) aufgebracht
sind, über die eine magnetostatische Welle in der dünnen
Schicht (3) induziert wird.
3. Magnetostatisches Filter nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine dünne Schicht (3) ferrimagnetischen Materials auf
einem ersten nichtmagnetischen Substrat (2) aufgebracht
ist und Elektroden (10) auf einem zweiten nicht-magne
tischen Substrat (9) aufgebracht sind, wobei über die
Elektroden (10) in der dünnen ferrimagnetischen Schicht
(3) eine magnetostatische Welle induziert wird.
Applications Claiming Priority (2)
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