JPH05199015A - 静磁波素子 - Google Patents
静磁波素子Info
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- JPH05199015A JPH05199015A JP4176472A JP17647292A JPH05199015A JP H05199015 A JPH05199015 A JP H05199015A JP 4176472 A JP4176472 A JP 4176472A JP 17647292 A JP17647292 A JP 17647292A JP H05199015 A JPH05199015 A JP H05199015A
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- Japan
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- magnetostatic wave
- thin film
- resonance
- substrate
- magnetostatic
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2/00—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
- H03H2/001—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00 comprising magnetostatic wave network elements
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 広帯域に不必要なスプリアスモ−ドを有効に
抑制し、共振特性の劣化を改善する。 【構成】 非磁性基板の静磁波が伝播する媒体が形成さ
れている主面の他の面に弾性波を吸収する層８を形成す
る。即ち、ＧＧＧ非磁性基板上に液相エピタキシャル成
長法によりＹＩＧ薄膜を形成し、前記膜上に電極を作製
した静磁波素子６において、上記ＧＧＧ非磁性基板のＹ
ＩＧ薄膜のある側とは反対側の面に弾性波を吸収する層
を形成した。
抑制し、共振特性の劣化を改善する。 【構成】 非磁性基板の静磁波が伝播する媒体が形成さ
れている主面の他の面に弾性波を吸収する層８を形成す
る。即ち、ＧＧＧ非磁性基板上に液相エピタキシャル成
長法によりＹＩＧ薄膜を形成し、前記膜上に電極を作製
した静磁波素子６において、上記ＧＧＧ非磁性基板のＹ
ＩＧ薄膜のある側とは反対側の面に弾性波を吸収する層
を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧＧＧ（ガドリウム・
ガリウム・ガーネット）等の非磁性基板上に形成したＹ
ＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）等の磁性薄膜の
磁気スピン共鳴を利用した静磁波素子に関わり、不必要
なスプリアスモ−ドを抑制し広帯域に使用可能ならしめ
るための素子構造に関するものである。
ガリウム・ガーネット）等の非磁性基板上に形成したＹ
ＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）等の磁性薄膜の
磁気スピン共鳴を利用した静磁波素子に関わり、不必要
なスプリアスモ−ドを抑制し広帯域に使用可能ならしめ
るための素子構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波発振回路等に使用される素子
としてＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）
非磁性基板上に、液相エピタキシャル成長させたＹＩＧ
（イットリウム・鉄・ガ−ネット）薄膜を所要の形状に
加工したフェリ磁性薄膜共鳴素子が提案されている。
（特開平２−１３１０１号公報など参照） このフェリ磁性薄膜共鳴素子は、マイクロ波帯で共振特
性のＱが高いこと、マイクロ波伝送線路（エッチング法
で形成した電極指など）に磁気的に結合されたフェリ磁
性薄膜に垂直に直流バイアス磁界を与えてその磁界強度
によって共鳴周波数を可変できることなどの特徴を有す
る。フェリ磁性薄膜共鳴を利用した共振子として、前記
フェリ磁性薄膜と前記伝送線路との結合の調整を容易に
し、かつ前記伝送線路との結合度を高めた素子として、
前記伝送線路を前記フェリ磁性薄膜上に写真蝕刻（エッ
チング）技術により形成した静磁波素子が提案されてい
る。（特開昭６２−２４５７０４号公報など参照） 図２は前記静磁波素子の一例を示す概略構成図である。
図２（ｂ）において静磁波共振子６は、ＧＧＧ基板２の
上にＹＩＧ薄膜３を液相エピタキシャル法により形成
し、さらにこの薄膜上にＡｕあるいはＡｌ膜からなる一
本または複数本の電極指５、及び前記電極指５の両側に
パッド電極４ａ、４ｂを写真蝕刻技術により形成したも
のである。図２（ａ）に示すように導体面の一部を除去
し、一方に導体板１１、もう一方に整合用スタブ７を形
成する。そして直流的に断線したマイクロストリップラ
イン１５の該断線部ｇに前記静磁波共振子６を設置し、
前記導体板１１と前記パッド電極４ａを接続板１２ａを
用いて接続し、前記整合用スタブ７と前記パッド電極４
ｂを接続板１２ｂを用いて接続して静磁波素子１６を構
成するものである。
としてＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）
非磁性基板上に、液相エピタキシャル成長させたＹＩＧ
（イットリウム・鉄・ガ−ネット）薄膜を所要の形状に
加工したフェリ磁性薄膜共鳴素子が提案されている。
（特開平２−１３１０１号公報など参照） このフェリ磁性薄膜共鳴素子は、マイクロ波帯で共振特
性のＱが高いこと、マイクロ波伝送線路（エッチング法
で形成した電極指など）に磁気的に結合されたフェリ磁
性薄膜に垂直に直流バイアス磁界を与えてその磁界強度
によって共鳴周波数を可変できることなどの特徴を有す
る。フェリ磁性薄膜共鳴を利用した共振子として、前記
フェリ磁性薄膜と前記伝送線路との結合の調整を容易に
し、かつ前記伝送線路との結合度を高めた素子として、
前記伝送線路を前記フェリ磁性薄膜上に写真蝕刻（エッ
チング）技術により形成した静磁波素子が提案されてい
る。（特開昭６２−２４５７０４号公報など参照） 図２は前記静磁波素子の一例を示す概略構成図である。
図２（ｂ）において静磁波共振子６は、ＧＧＧ基板２の
上にＹＩＧ薄膜３を液相エピタキシャル法により形成
し、さらにこの薄膜上にＡｕあるいはＡｌ膜からなる一
本または複数本の電極指５、及び前記電極指５の両側に
パッド電極４ａ、４ｂを写真蝕刻技術により形成したも
のである。図２（ａ）に示すように導体面の一部を除去
し、一方に導体板１１、もう一方に整合用スタブ７を形
成する。そして直流的に断線したマイクロストリップラ
イン１５の該断線部ｇに前記静磁波共振子６を設置し、
前記導体板１１と前記パッド電極４ａを接続板１２ａを
用いて接続し、前記整合用スタブ７と前記パッド電極４
ｂを接続板１２ｂを用いて接続して静磁波素子１６を構
成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２（ａ）に示した静
磁波素子１６の通過特性を測定した場合、しばしば図４
に示すように共振モ−ドの最低次モ−ドの近傍にスプリ
アスモ−ドが存在する特性を示すことがあった。これら
のモ−ドが全て静磁波によるものであれば、外部からの
印加磁界の変化に対して図４に示した波形が同じ形状の
ままシフトするはずである。しかし、スプリアスモ−ド
は、外部からの印加磁界の変化に対する共振周波数の感
受性が最低次モ−ドとはわずかに異なることが多く、ス
プリアスモ−ドの最低次モ−ドに対する相対的な位置関
係は共振周波数により変化することがあった。そのた
め、このスプリアスモ−ドは純粋な静磁波による共振で
はないものと思われる。より具体的には、外部磁界を徐
々に変化させることにより最低次モ−ドの共振周波数を
変化させながらその共振スペクトラムを観察すると、図
５に示すように最低次モ−ドによるピークの片側に観測
されたスプリアスモ−ドが徐々にピークに近づき、さら
には通り越してピークの反対側に移動する様子が観察で
きた。これらのスプリアスモ−ドが最低次モ−ドに重な
った状態の時には、最低次モ−ドのピ−クが鈍くなるた
め、共振の尖鋭度Ｑが大きく低下するなどの問題があっ
た。本発明の目的は、前記スプリアスモ−ドを広帯域に
抑制し、静磁波素子の共振特性の劣化を改善することが
できる構造を有する静磁波素子を提供することである。
磁波素子１６の通過特性を測定した場合、しばしば図４
に示すように共振モ−ドの最低次モ−ドの近傍にスプリ
アスモ−ドが存在する特性を示すことがあった。これら
のモ−ドが全て静磁波によるものであれば、外部からの
印加磁界の変化に対して図４に示した波形が同じ形状の
ままシフトするはずである。しかし、スプリアスモ−ド
は、外部からの印加磁界の変化に対する共振周波数の感
受性が最低次モ−ドとはわずかに異なることが多く、ス
プリアスモ−ドの最低次モ−ドに対する相対的な位置関
係は共振周波数により変化することがあった。そのた
め、このスプリアスモ−ドは純粋な静磁波による共振で
はないものと思われる。より具体的には、外部磁界を徐
々に変化させることにより最低次モ−ドの共振周波数を
変化させながらその共振スペクトラムを観察すると、図
５に示すように最低次モ−ドによるピークの片側に観測
されたスプリアスモ−ドが徐々にピークに近づき、さら
には通り越してピークの反対側に移動する様子が観察で
きた。これらのスプリアスモ−ドが最低次モ−ドに重な
った状態の時には、最低次モ−ドのピ−クが鈍くなるた
め、共振の尖鋭度Ｑが大きく低下するなどの問題があっ
た。本発明の目的は、前記スプリアスモ−ドを広帯域に
抑制し、静磁波素子の共振特性の劣化を改善することが
できる構造を有する静磁波素子を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基板の
一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁
波素子において、前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸
収する層を形成したことを特徴とする静磁波素子であ
る。本発明において、非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を
形成し、前記フェリ磁性薄膜上に電極を形成し、該電極
により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる
構造としてもよいし、或いは、第１の非磁性基板上にフ
ェリ磁性薄膜を形成し、第２の非磁性基板に形成した電
極により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させ
る構造としてもよい。以下、本発明を詳細に説明してゆ
く。本発明者は、静磁波素子において前記スプリアスモ
−ドの発生は弾性波に起因していると推論するに至っ
た。つまり、前記フェリ磁性薄膜を伝搬する静磁波は磁
気弾性波を介して弾性波と結合する。そしてこの弾性波
は非磁性基板のフェリ磁性薄膜が存在する側とは反対の
面で反射する。そしてこの弾性波が再び静磁波と結合す
る際に、位相が一致して共鳴が発生し定在波を生じる。
その結果静磁波の前記スプリアスモ−ドが生じたと考え
られる。したがってこのようなスプリアスモ−ドを抑制
するには、弾性波の反射を抑える必要がある。すなわち
本発明は、図１に示すように非磁性基板２の一主面上２
ａに静磁波が伝搬する媒体３が形成されてなる静磁波共
振子６において、上記非磁性基板２の他の主面２ｂに弾
性波を吸収する層８を形成することを特徴とする。弾性
波を吸収する層８としては内部摩擦によって弾性波のエ
ネルギーを消耗して吸収する機能を持つものならば使用
でき、有機系接着剤（例えばエポキシ樹脂系接着剤）、
はんだペースト、導電性接着剤が使用できる。また弾性
波を吸収する層として、非磁性基板にイオン打ち込み等
によって不純物層を設け、格子振動を抑制して弾性波を
吸収することもできる。本発明の別の態様は、図３に示
すように非磁性基板２の一主面上２ａにフェリ磁性薄膜
３を形成し、別な基板９に形成した電極１０により前記
フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し、伝搬させる構造とし
た静磁波共振子において、上記非磁性基板の他の主面２
ｂに弾性波を吸収する層８を形成することを特徴とする
静磁波素子である。
一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁
波素子において、前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸
収する層を形成したことを特徴とする静磁波素子であ
る。本発明において、非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を
形成し、前記フェリ磁性薄膜上に電極を形成し、該電極
により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる
構造としてもよいし、或いは、第１の非磁性基板上にフ
ェリ磁性薄膜を形成し、第２の非磁性基板に形成した電
極により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させ
る構造としてもよい。以下、本発明を詳細に説明してゆ
く。本発明者は、静磁波素子において前記スプリアスモ
−ドの発生は弾性波に起因していると推論するに至っ
た。つまり、前記フェリ磁性薄膜を伝搬する静磁波は磁
気弾性波を介して弾性波と結合する。そしてこの弾性波
は非磁性基板のフェリ磁性薄膜が存在する側とは反対の
面で反射する。そしてこの弾性波が再び静磁波と結合す
る際に、位相が一致して共鳴が発生し定在波を生じる。
その結果静磁波の前記スプリアスモ−ドが生じたと考え
られる。したがってこのようなスプリアスモ−ドを抑制
するには、弾性波の反射を抑える必要がある。すなわち
本発明は、図１に示すように非磁性基板２の一主面上２
ａに静磁波が伝搬する媒体３が形成されてなる静磁波共
振子６において、上記非磁性基板２の他の主面２ｂに弾
性波を吸収する層８を形成することを特徴とする。弾性
波を吸収する層８としては内部摩擦によって弾性波のエ
ネルギーを消耗して吸収する機能を持つものならば使用
でき、有機系接着剤（例えばエポキシ樹脂系接着剤）、
はんだペースト、導電性接着剤が使用できる。また弾性
波を吸収する層として、非磁性基板にイオン打ち込み等
によって不純物層を設け、格子振動を抑制して弾性波を
吸収することもできる。本発明の別の態様は、図３に示
すように非磁性基板２の一主面上２ａにフェリ磁性薄膜
３を形成し、別な基板９に形成した電極１０により前記
フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し、伝搬させる構造とし
た静磁波共振子において、上記非磁性基板の他の主面２
ｂに弾性波を吸収する層８を形成することを特徴とする
静磁波素子である。
【０００５】
【作用】本発明による静磁波素子によれば、不必要なス
プリアスモ−ドを有効に抑制し、共振特性の劣化を改善
することができた。これは静磁波共振子の非磁性基板の
フェリ磁性薄膜が存在する側とは反対側の面に内部摩擦
によって弾性波のエネルギーを消耗して弾性波を吸収す
る層を形成したことによって、静磁波と結合した弾性波
が非磁性基板のフェリ磁性薄膜が存在する側とは反対の
面で吸収され反射が抑えられたことによると考えられ
る。
プリアスモ−ドを有効に抑制し、共振特性の劣化を改善
することができた。これは静磁波共振子の非磁性基板の
フェリ磁性薄膜が存在する側とは反対側の面に内部摩擦
によって弾性波のエネルギーを消耗して弾性波を吸収す
る層を形成したことによって、静磁波と結合した弾性波
が非磁性基板のフェリ磁性薄膜が存在する側とは反対の
面で吸収され反射が抑えられたことによると考えられ
る。
【０００６】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて詳しく説明す
る。 （実施例１）図１は本発明の一実施例を示す。先ず、図
２（ｂ）に示すようにＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａ
上に液相エピタキシャル成長法により約４０μｍ厚のＹ
ＩＧ膜３を形成した。次にＹＩＧ膜３上に厚さ１．５μ
ｍのＡｕ膜を真空蒸着法で作製し、写真蝕刻法により部
分的にＡｕ膜を除去することによって図２（ｂ）に示す
ような、幅３０μｍ、長さ３ｍｍ、の電極指５を５本及
びその両側にパッド電極４ａ、４ｂを作製した。その
後、ダイヤモンドブレ−ドを有するダイサ−により長さ
５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの静磁波共振子６を
ウェハから切り出した。両側の導体板で誘電体１４を挟
む構造のマイクロストリップライン１５にエッチングに
より静磁波共振子６の長さｌ1よりも大なるギャップｇ
を形成し、負性抵抗回路への接続端となる銅製の導体板
１１と、長さ（ｌ2）、幅（ｗ）のインピ−ダンス整合
用スタブ７を作製した。前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜
３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対
側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤を１０
μｍ塗布して、共振子６をこのギャップｇの部分に固定
し、パッド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａ
で、またパッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２
ｂでハンダ接合し、静磁波素子１を作製した。ここで、
１４はポリテトラフルオロエチレン樹脂の誘電体、１３
はマイクロストリップライン１５の銅製の接地用導体
板、ｇ1・ｇ2はそれぞれ間隔０．５ｍｍで作製されたギ
ャップである。バイアス磁界Ｈｏを印加することにより
この静磁波素子１の共振周波数を約５ＧＨｚとして、こ
の静磁波素子１の通過特性をネットワ−クアナライザで
測定したところ、図６に示すように５．２〜５．３ＧＨ
ｚの範囲で主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリ
アス共振は吸収されて存在しなかった。また、バイアス
磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５Ｇ
Ｈｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨ
ｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかっ
た。このことは、弾性波が接着剤の層に吸収された為と
考えられる。
る。 （実施例１）図１は本発明の一実施例を示す。先ず、図
２（ｂ）に示すようにＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａ
上に液相エピタキシャル成長法により約４０μｍ厚のＹ
ＩＧ膜３を形成した。次にＹＩＧ膜３上に厚さ１．５μ
ｍのＡｕ膜を真空蒸着法で作製し、写真蝕刻法により部
分的にＡｕ膜を除去することによって図２（ｂ）に示す
ような、幅３０μｍ、長さ３ｍｍ、の電極指５を５本及
びその両側にパッド電極４ａ、４ｂを作製した。その
後、ダイヤモンドブレ−ドを有するダイサ−により長さ
５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの静磁波共振子６を
ウェハから切り出した。両側の導体板で誘電体１４を挟
む構造のマイクロストリップライン１５にエッチングに
より静磁波共振子６の長さｌ1よりも大なるギャップｇ
を形成し、負性抵抗回路への接続端となる銅製の導体板
１１と、長さ（ｌ2）、幅（ｗ）のインピ−ダンス整合
用スタブ７を作製した。前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜
３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対
側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤を１０
μｍ塗布して、共振子６をこのギャップｇの部分に固定
し、パッド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａ
で、またパッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２
ｂでハンダ接合し、静磁波素子１を作製した。ここで、
１４はポリテトラフルオロエチレン樹脂の誘電体、１３
はマイクロストリップライン１５の銅製の接地用導体
板、ｇ1・ｇ2はそれぞれ間隔０．５ｍｍで作製されたギ
ャップである。バイアス磁界Ｈｏを印加することにより
この静磁波素子１の共振周波数を約５ＧＨｚとして、こ
の静磁波素子１の通過特性をネットワ−クアナライザで
測定したところ、図６に示すように５．２〜５．３ＧＨ
ｚの範囲で主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリ
アス共振は吸収されて存在しなかった。また、バイアス
磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５Ｇ
Ｈｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨ
ｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかっ
た。このことは、弾性波が接着剤の層に吸収された為と
考えられる。
【０００７】（比較例）比較例では実施例１に示した静
磁波共振子６と同様に作製した静磁波共振子を準備し、
実施例１と同様に作製したマイクロストリップライン１
５にエッチングにより静磁波共振子６の長さｌ1よりも
大なるギャップｇの部分に設置し、パッド電極４ａと導
体板１１を銅製の接続板１２ａで、またパッド電極４ｂ
とスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハンダ接合し、静磁
波素子１６を作製した。バイアス磁界Ｈｏを印加するこ
とによりこの静磁波素子１６の共振周波数を約５ＧＨｚ
として、この静磁波素子１６の通過特性をネットワ−ク
アナライザで測定したところ、図４に示したように５．
２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振以外に主共振の近傍に
小さなスプリアス共振が観測された。また、バイアス磁
界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨ
ｚまで変化させたところ、図５のように主共振より低周
波側にあったスプリアス共振が主共振の高周波側に移っ
ていくのが観察された。
磁波共振子６と同様に作製した静磁波共振子を準備し、
実施例１と同様に作製したマイクロストリップライン１
５にエッチングにより静磁波共振子６の長さｌ1よりも
大なるギャップｇの部分に設置し、パッド電極４ａと導
体板１１を銅製の接続板１２ａで、またパッド電極４ｂ
とスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハンダ接合し、静磁
波素子１６を作製した。バイアス磁界Ｈｏを印加するこ
とによりこの静磁波素子１６の共振周波数を約５ＧＨｚ
として、この静磁波素子１６の通過特性をネットワ−ク
アナライザで測定したところ、図４に示したように５．
２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振以外に主共振の近傍に
小さなスプリアス共振が観測された。また、バイアス磁
界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨ
ｚまで変化させたところ、図５のように主共振より低周
波側にあったスプリアス共振が主共振の高周波側に移っ
ていくのが観察された。
【０００８】（実施例２）本実施例では実施例１に示し
た静磁波共振子６と同様に作製した静磁波共振子を準備
した。また両側の導体板で誘電体１４を挟む構造のマイ
クロストリップライン１５にエッチングにより幅３０μ
ｍ、長さ３ｍｍ、の電極指１０を５本を形成し、負性抵
抗回路への接続端となる銅製の導体板１１と、幅（ｗ）
のインピ−ダンス整合用スタブ７を形成した別の基板
（第２の基板）９を作製した。この電極指１０を形成し
た部分に前記静磁波共振子６を固定し、静磁波素子を作
製した。バイアス磁界Ｈｏを印加することにより前記静
磁波素子の共振周波数を約５ＧＨｚとして、前記静磁波
素子の通過特性をネットワ−クアナライザで測定したと
ころ、図７に示したように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲
で主共振以外に主共振の近傍に小さなスプリアス共振が
観測された。また共振のピークが比較例の静磁波素子１
６の約半分である特性を示した。前記共振子６のＹＩＧ
膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反
対側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤８を
１０μｍ塗布した場合の静磁波素子１７の通過特性を測
定したところ、図８に示すように、共振周波数が約５．
２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場合にも
±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在しなかっ
た。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数
を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振
に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在し
なかった。
た静磁波共振子６と同様に作製した静磁波共振子を準備
した。また両側の導体板で誘電体１４を挟む構造のマイ
クロストリップライン１５にエッチングにより幅３０μ
ｍ、長さ３ｍｍ、の電極指１０を５本を形成し、負性抵
抗回路への接続端となる銅製の導体板１１と、幅（ｗ）
のインピ−ダンス整合用スタブ７を形成した別の基板
（第２の基板）９を作製した。この電極指１０を形成し
た部分に前記静磁波共振子６を固定し、静磁波素子を作
製した。バイアス磁界Ｈｏを印加することにより前記静
磁波素子の共振周波数を約５ＧＨｚとして、前記静磁波
素子の通過特性をネットワ−クアナライザで測定したと
ころ、図７に示したように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲
で主共振以外に主共振の近傍に小さなスプリアス共振が
観測された。また共振のピークが比較例の静磁波素子１
６の約半分である特性を示した。前記共振子６のＹＩＧ
膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反
対側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤８を
１０μｍ塗布した場合の静磁波素子１７の通過特性を測
定したところ、図８に示すように、共振周波数が約５．
２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場合にも
±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在しなかっ
た。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数
を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振
に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在し
なかった。
【０００９】（実施例３）本実施例では図１に示すよう
に、実施例１と同様に作製した静磁波共振子６を準備
し、前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ
単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面
２ｂに導電性接着剤であるド−タイトを１０μｍ塗布し
て、実施例１と同様に作製したマイクロストリップライ
ン１５にエッチングにより形成した、静磁波共振子６の
長さｌ1よりも大なるギャップｇの部分に設置し、パッ
ド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａで、また
パッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハン
ダ接合し、静磁波素子１を作製した。バイアス磁界Ｈｏ
を印加することによりこの静磁波素子１の共振周波数を
約５ＧＨｚとして、この静磁波素子１の通過特性をネッ
トワ−クアナライザで測定したところ、図６に示すよう
に５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場
合にも±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収され
て存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化さ
せて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させた
ところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリア
ス共振は吸収されて存在しなかった。また、実施例では
エポキシ樹脂系接着剤及びド−タイトの例で説明した
が、本発明の効果は他の有機系接着剤、はんだペ−スト
あるいは導電性接着剤等においても不要なスプリアス共
振の抑制に効果があった。また、本発明においてはフェ
リ磁性薄膜が存在する主面に対抗する面とともに他の側
面にも弾性波を吸収する層を形成してもよい。
に、実施例１と同様に作製した静磁波共振子６を準備
し、前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ
単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面
２ｂに導電性接着剤であるド−タイトを１０μｍ塗布し
て、実施例１と同様に作製したマイクロストリップライ
ン１５にエッチングにより形成した、静磁波共振子６の
長さｌ1よりも大なるギャップｇの部分に設置し、パッ
ド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａで、また
パッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハン
ダ接合し、静磁波素子１を作製した。バイアス磁界Ｈｏ
を印加することによりこの静磁波素子１の共振周波数を
約５ＧＨｚとして、この静磁波素子１の通過特性をネッ
トワ−クアナライザで測定したところ、図６に示すよう
に５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場
合にも±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収され
て存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化さ
せて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させた
ところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリア
ス共振は吸収されて存在しなかった。また、実施例では
エポキシ樹脂系接着剤及びド−タイトの例で説明した
が、本発明の効果は他の有機系接着剤、はんだペ−スト
あるいは導電性接着剤等においても不要なスプリアス共
振の抑制に効果があった。また、本発明においてはフェ
リ磁性薄膜が存在する主面に対抗する面とともに他の側
面にも弾性波を吸収する層を形成してもよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、非磁性基板の一主面上
に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子に
おいて、前記非磁性基板の他の主面に弾性波を吸収する
層を形成することにより、広帯域に不必要なスプリアス
モ−ドを有効に抑制し、共振特性の劣化を改善すること
ができる。
に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子に
おいて、前記非磁性基板の他の主面に弾性波を吸収する
層を形成することにより、広帯域に不必要なスプリアス
モ−ドを有効に抑制し、共振特性の劣化を改善すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図２】（ａ）は静磁波素子の一例を示した図、（ｂ）
は静磁波共振子の説明図である。
は静磁波共振子の説明図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す説明図である。
【図４】静磁波素子の一例の通過特性の実測値を示した
図である。
図である。
【図５】バイアス印加磁界を変化させたときの静磁波素
子の一例の通過特性の実測値を示した図である。
子の一例の通過特性の実測値を示した図である。
【図６】本発明の一実施例の通過特性の実測値を示した
図である。
図である。
【図７】別の基板（第２の基板）に電極指を形成した場
合の静磁波素子の一例の通過特性の実測値を示した図で
ある。
合の静磁波素子の一例の通過特性の実測値を示した図で
ある。
【図８】別の基板（第２の基板）に電極指を形成した場
合の本発明の一実施例の通過特性の実測値を示した図で
ある。
合の本発明の一実施例の通過特性の実測値を示した図で
ある。
１ 本発明の静磁波素子 ２ ＧＧＧ基板 ３ ＹＩＧ基板 ４ａ パッド電極 ４ｂ パッド電極 ５ 電極指 ６ 静磁波共振子 ７ 整合用スタブ ８ 弾性波吸収層 ９ 別の基板（第２の基板） １０ 別の基板（第２の基板）に形成した電極指 １１ 導体板 １２ａ、１２ｂ 接続板 １３ 接地用導体板 １４ 誘電体 １５ マイクロストリップライン １６ 従来の静磁波素子 １７ 別の基板（第２の基板）に電極指を形成した静磁
波素
波素
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板の一主面上に静磁波が伝搬す
る媒体が形成されてなる静磁波素子において、前記非磁
性基板の他の面に弾性波を吸収する層を形成したことを
特徴とする静磁波素子。 - 【請求項２】 非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を形成
し、前記フェリ磁性薄膜上に電極を形成し、該電極によ
り前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる構造
としたことを特徴とする請求項１に記載の静磁波素子。 - 【請求項３】 第１の非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を
形成し、第２の非磁性基板に形成した電極により前記フ
ェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる構造としたこ
とを特徴とする請求項１に記載の静磁波素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4176472A JP2798148B2 (ja) | 1991-10-16 | 1992-07-03 | 静磁波素子 |
| US07/953,873 US5371482A (en) | 1991-10-16 | 1992-09-30 | Magnetostatic wave device containing acoustic wave absorbing layer |
| DE4234996A DE4234996C2 (de) | 1991-10-16 | 1992-10-16 | Magnetostatisches Filter |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26669991 | 1991-10-16 | ||
| JP3-266699 | 1991-10-16 | ||
| JP4176472A JP2798148B2 (ja) | 1991-10-16 | 1992-07-03 | 静磁波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05199015A true JPH05199015A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2798148B2 JP2798148B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=26497382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4176472A Expired - Lifetime JP2798148B2 (ja) | 1991-10-16 | 1992-07-03 | 静磁波素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5371482A (ja) |
| JP (1) | JP2798148B2 (ja) |
| DE (1) | DE4234996C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007032149A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Kyushu University, National University Corporation | 磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314622A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型回路部品及びその製造方法 |
| JP2909363B2 (ja) * | 1993-09-28 | 1999-06-23 | 日立金属株式会社 | 静磁波マイクロ波装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55884U (ja) * | 1979-06-15 | 1980-01-07 | ||
| JPH01233822A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波共振器 |
| JPH0310414A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4472694A (en) * | 1982-09-07 | 1984-09-18 | Gte Laboratories Incorporated | Acoustic surface wave device |
| DE3235236A1 (de) * | 1982-09-23 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Oberflaechenwellenfilter, sowie verfahren zur herstellung einer bedaempfungsschicht fuer oberflaechenwellenfilter |
| JPS62245704A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Hitachi Ltd | 静磁波可変共振子 |
| US4777462A (en) * | 1987-09-09 | 1988-10-11 | Hewlett-Packard Company | Edge coupler magnetostatic wave structures |
| US4931752A (en) * | 1987-09-30 | 1990-06-05 | Hewlett-Packard Company | Polyimide damper for surface acoustic wave device |
| US4782312A (en) * | 1987-10-22 | 1988-11-01 | Hewlett-Packard Company | Mode selective magnetostatic wave resonators |
| JPH0213101A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Sony Corp | フェリ磁性薄膜共鳴素子 |
| JPH0298101A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Hitachi Metals Ltd | 永久磁石 |
| JP2666910B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1997-10-22 | 日立金属株式会社 | 静磁波素子 |
| JPH04115702A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波素子 |
| JPH04115701A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波素子 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP4176472A patent/JP2798148B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-30 US US07/953,873 patent/US5371482A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-16 DE DE4234996A patent/DE4234996C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55884U (ja) * | 1979-06-15 | 1980-01-07 | ||
| JPH01233822A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 静磁波共振器 |
| JPH0310414A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
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| WO2007032149A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Kyushu University, National University Corporation | 磁性多層膜ドットを用いた高周波デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798148B2 (ja) | 1998-09-17 |
| DE4234996A1 (de) | 1993-04-22 |
| DE4234996C2 (de) | 1996-08-29 |
| US5371482A (en) | 1994-12-06 |
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