JPS59175201A - フイルタ装置 - Google Patents
フイルタ装置Info
- Publication number
- JPS59175201A JPS59175201A JP4976483A JP4976483A JPS59175201A JP S59175201 A JPS59175201 A JP S59175201A JP 4976483 A JP4976483 A JP 4976483A JP 4976483 A JP4976483 A JP 4976483A JP S59175201 A JPS59175201 A JP S59175201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- output
- substrate
- lines
- grounding conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフェリ纏炸共鳴を利用したフィルタ装置′に関
する。
する。
背景技術とその問題点
磁気バブル記憶素子の開発を通じて近年盛んになったガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板上に
ガーネット磁性薄膜を液相エピタキシャル成長さポる技
術により、結晶性の良好なイツトリウム・鉄・ガーネッ
ト（ＹＩＧ）薄膜を作製することが可能である。このＹ
■Ｇ薄膜を選択エツチングにより円形あるいは矩形等に
加工゛し、このフェリ磁性共鳴を利用することによって
マイクロ波デバイスを構成することが出来る。この場合
には通常のフオ） ＩＪングラフイ技術が利用出来るこ
とから加工性に優れ、しかも１枚のＧＧＧ基板から多数
の素子が得られることから量産性に優れている。さらに
薄膜材料であることからマイクロストリップラインなど
を伝送線路としてマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）化する
ことが容易であるという利点がある。
ドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板上に
ガーネット磁性薄膜を液相エピタキシャル成長さポる技
術により、結晶性の良好なイツトリウム・鉄・ガーネッ
ト（ＹＩＧ）薄膜を作製することが可能である。このＹ
■Ｇ薄膜を選択エツチングにより円形あるいは矩形等に
加工゛し、このフェリ磁性共鳴を利用することによって
マイクロ波デバイスを構成することが出来る。この場合
には通常のフオ） ＩＪングラフイ技術が利用出来るこ
とから加工性に優れ、しかも１枚のＧＧＧ基板から多数
の素子が得られることから量産性に優れている。さらに
薄膜材料であることからマイクロストリップラインなど
を伝送線路としてマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）化する
ことが容易であるという利点がある。
第１図は従来のＭＩＣ化されたＹＩＧ薄膜による帯域通
過フィルタの例゛である。（１）はアルミナ基板で、そ
の裏面に接地導体（２）が被着形成されると共に１表面
に互に平行な入力及び出力伝送線路（マイクロストリッ
プライン）（３）及び（４）が被着形成され、画伝送線
路（３）及び（４）の夫々の端部が接地導体（２）に接
続される。このアルミナ基板（１）表面上に２りの円形
のＹＩＧ薄膜（５）及び（６）を有したＧＧＧ基板（７
）が対接される。ＧＧＧ基板（７）上には入出力伝送線
路（３）、（４）と直交す丞ように両ＹＩＧ薄膜（５）
・及び（６）を結合する結合用伝送線路（マイクロスト
リップライン）（８）が被着形成され、その伝送線路（
８）の両端が接地導体（２）に接続される。第１のＹＩ
Ｇ薄膜（５）は入力伝送線路（３）と結合用伝送線路（
８）とが交差する位置に置かれ、第２のＹＩＧ薄膜（６
）は出力伝送線路（４）と結合用伝送線路（８）とが交
差する位置に置かれている。そして、通過帯域外の挿入
損失の増大を急峻にするために、２つのＹＩＧ薄膜（５
）及び（６）間の距離は通過帯域の中心周波数でλ／４
（１／４波長）に等しくなるように選んである。
過フィルタの例゛である。（１）はアルミナ基板で、そ
の裏面に接地導体（２）が被着形成されると共に１表面
に互に平行な入力及び出力伝送線路（マイクロストリッ
プライン）（３）及び（４）が被着形成され、画伝送線
路（３）及び（４）の夫々の端部が接地導体（２）に接
続される。このアルミナ基板（１）表面上に２りの円形
のＹＩＧ薄膜（５）及び（６）を有したＧＧＧ基板（７
）が対接される。ＧＧＧ基板（７）上には入出力伝送線
路（３）、（４）と直交す丞ように両ＹＩＧ薄膜（５）
・及び（６）を結合する結合用伝送線路（マイクロスト
リップライン）（８）が被着形成され、その伝送線路（
８）の両端が接地導体（２）に接続される。第１のＹＩ
Ｇ薄膜（５）は入力伝送線路（３）と結合用伝送線路（
８）とが交差する位置に置かれ、第２のＹＩＧ薄膜（６
）は出力伝送線路（４）と結合用伝送線路（８）とが交
差する位置に置かれている。そして、通過帯域外の挿入
損失の増大を急峻にするために、２つのＹＩＧ薄膜（５
）及び（６）間の距離は通過帯域の中心周波数でλ／４
（１／４波長）に等しくなるように選んである。
ところで、帯域通過ライ−ル、夕では阻止域での入出力
端子間のアイソレーションを出来るだけ大きくすること
が望ましいが、第１図の帯域通過フィルタに於ては２つ
の原因でアイソレーションを十分に大きくとることが出
来ない。第１の原因は、先端短絡から２つの線路の交差
する位置までの電気長が周波数が高くなるに伴なってだ
んだん長くなシ、λＶ４に近づくにつれて交差する位置
での電界が強くなるため線路間の容量結合が大きくなる
ことである。第２の原゛因は、入出力線路間の直接の結
合である。これは第４図に示すよう一マイクロストリッ
プラインを伝播する電磁波の高周波磁界（９）が、伝播
方向に垂直な面内で線路から相当離れたところまで広く
ループ状に分布しているため、入出力線路が誘導結合す
るからである。
端子間のアイソレーションを出来るだけ大きくすること
が望ましいが、第１図の帯域通過フィルタに於ては２つ
の原因でアイソレーションを十分に大きくとることが出
来ない。第１の原因は、先端短絡から２つの線路の交差
する位置までの電気長が周波数が高くなるに伴なってだ
んだん長くなシ、λＶ４に近づくにつれて交差する位置
での電界が強くなるため線路間の容量結合が大きくなる
ことである。第２の原゛因は、入出力線路間の直接の結
合である。これは第４図に示すよう一マイクロストリッ
プラインを伝播する電磁波の高周波磁界（９）が、伝播
方向に垂直な面内で線路から相当離れたところまで広く
ループ状に分布しているため、入出力線路が誘導結合す
るからである。
この２つの原□因のうち、第１の原因はフィルタとして
使用する周波数が余シ高くなければ、先端短絡から２つ
の線路が交差する点までの電気長が無視出来るため問題
にならない。従ってこの場合には、フィルタの入出力の
アイソレーションは第２の原因である入出力線路間の直
接結合の大きさで決定される。入出力線路間の誘導結合
を減らすには、人、出力の線路を対向させるか、あるい
は互に９００の角匡をなすように配置させる事が考えら
れるが、入出力線路の先端及び結合用線路の両端を短絡
する必要があるという制約からこのような構成をとるこ
とは必ずしも容易でない。誘導結合を減らす別の方法は
、入出力線間の距離を大きくとる事で、これは２つのＹ
ＩＧ薄膜間の距離をλ／４から３λ／４に変更すれば可
能である。しかしながらこの方法は素子寸法が大きくな
り、またこれに伴って直流磁界印加用の磁石も大きくな
シ、大きさ及び経済性で非常に不利左方・法である。
使用する周波数が余シ高くなければ、先端短絡から２つ
の線路が交差する点までの電気長が無視出来るため問題
にならない。従ってこの場合には、フィルタの入出力の
アイソレーションは第２の原因である入出力線路間の直
接結合の大きさで決定される。入出力線路間の誘導結合
を減らすには、人、出力の線路を対向させるか、あるい
は互に９００の角匡をなすように配置させる事が考えら
れるが、入出力線路の先端及び結合用線路の両端を短絡
する必要があるという制約からこのような構成をとるこ
とは必ずしも容易でない。誘導結合を減らす別の方法は
、入出力線間の距離を大きくとる事で、これは２つのＹ
ＩＧ薄膜間の距離をλ／４から３λ／４に変更すれば可
能である。しかしながらこの方法は素子寸法が大きくな
り、またこれに伴って直流磁界印加用の磁石も大きくな
シ、大きさ及び経済性で非常に不利左方・法である。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み簡単な構成によって阻止域で
の入出力端子間のアイソレーションを゛滅善できるよう
にしたフェリ磁性共鳴を利用したフィルタ装置を提供す
るものである。
の入出力端子間のアイソレーションを゛滅善できるよう
にしたフェリ磁性共鳴を利用したフィルタ装置を提供す
るものである。
発明の概要
本発明は、誘電体基板の第１主面に接地導体を設け、こ
の基板の第２主面に夫々の一端を短絡し互に平行な第１
及び舗２のストリップラインを設け、この第１．＃第２
のストリップラインを夫々第１・、第２の磁性共鳴装置
と電磁的に結合し、両磁性共鳴装置の間をこれらと電磁
的に結合した第３のストリップラインによって結び、基
体側面に第１、第２のストリップラインに近接して接地
導体を設けるように成す。この発明では人出カストリッ
プライン間の誘導結合が非常に小さく抑えられ、フィル
タの入出力端子間のアイソレーションが改善される。
の基板の第２主面に夫々の一端を短絡し互に平行な第１
及び舗２のストリップラインを設け、この第１．＃第２
のストリップラインを夫々第１・、第２の磁性共鳴装置
と電磁的に結合し、両磁性共鳴装置の間をこれらと電磁
的に結合した第３のストリップラインによって結び、基
体側面に第１、第２のストリップラインに近接して接地
導体を設けるように成す。この発明では人出カストリッ
プライン間の誘導結合が非常に小さく抑えられ、フィル
タの入出力端子間のアイソレーションが改善される。
一実施例
以下第２図及び第３図を参照して本発明の詳細な説明す
る。
る。
本発明においては、ＧＧＧ基板（カの一主面に液相エピ
タキシャル成長技術と選択エツチング技術によって相対
する２つの円形のＹＩＱ薄膜（５）及び（６）を形成す
る。一方、誘電体基板である例えばアルミナ基板（１）
を設け、この基板裏面に接地導体（２）を被着形成する
と共に、基板表面に入力マイクロスト、リップライン（
３）及び出力マイクロストリップライン（４）を被着形
成し、この両マイクロストリッグライン（３）及び（４
）の夫々の端部を接地導体（２）に接続する。このアル
ミナ基板（１）の表面に、上記ＧＧＧ基板（７）をその
夫々の−ＹＩ（３薄膜（５）及び（６）が対応する入力
マイクロストリップライン（３）及び出方マイクロスト
リップライン（４）に対接するように配置する。
タキシャル成長技術と選択エツチング技術によって相対
する２つの円形のＹＩＱ薄膜（５）及び（６）を形成す
る。一方、誘電体基板である例えばアルミナ基板（１）
を設け、この基板裏面に接地導体（２）を被着形成する
と共に、基板表面に入力マイクロスト、リップライン（
３）及び出力マイクロストリップライン（４）を被着形
成し、この両マイクロストリッグライン（３）及び（４
）の夫々の端部を接地導体（２）に接続する。このアル
ミナ基板（１）の表面に、上記ＧＧＧ基板（７）をその
夫々の−ＹＩ（３薄膜（５）及び（６）が対応する入力
マイクロストリップライン（３）及び出方マイクロスト
リップライン（４）に対接するように配置する。
そして、ＧＧＧ基板（７）の他面上に両ＹＩＧ薄膜（５
）及び（６）を結合する結合用マイクロストリップライ
ン（８）を入出力マイクロストｖ７ｆライン（３） （
４１と直交し且つ両ＹＩＧ薄膜（５）−（６）を横切る
ように被着し、その結合用マイクロストリップライン（
８）の両端を接地導体（２）に接続する。そして、アル
ミナ基板（１）及びＧＧＧ基板（７）にわたってその基
板側面に夫々入力及び出力マイクロストリップライン（
３）及び（４）に近接し、かつこれらストリップライン
に平行して接地導体即ち金属壁（ＩＩを配置する。
）及び（６）を結合する結合用マイクロストリップライ
ン（８）を入出力マイクロストｖ７ｆライン（３） （
４１と直交し且つ両ＹＩＧ薄膜（５）−（６）を横切る
ように被着し、その結合用マイクロストリップライン（
８）の両端を接地導体（２）に接続する。そして、アル
ミナ基板（１）及びＧＧＧ基板（７）にわたってその基
板側面に夫々入力及び出力マイクロストリップライン（
３）及び（４）に近接し、かつこれらストリップライン
に平行して接地導体即ち金属壁（ＩＩを配置する。
斯るフィルタ装置によれば、入出力マイクロストリップ
ライン（３）及び（４）の夫々に近接して配した金属壁
（１１により、素子寸法を大きくすることなくフィルタ
の入出力端子間のアイソレーションを容易に改善するこ
とができる。その理由は第５図に示すように金属壁（Ｉ
Ｉによって入出力マイクロストリップライン（３） 、
（４）を伝播する電磁波の高周波磁界（９）を比較的
マイフロストリラグライン（３１，（４）の近くに集め
ることが出来、このため入出力マイクロストリップラ
イン（３）及び（４）間の誘導結合を非常に小さく抑え
ることが可能となるためである。
ライン（３）及び（４）の夫々に近接して配した金属壁
（１１により、素子寸法を大きくすることなくフィルタ
の入出力端子間のアイソレーションを容易に改善するこ
とができる。その理由は第５図に示すように金属壁（Ｉ
Ｉによって入出力マイクロストリップライン（３） 、
（４）を伝播する電磁波の高周波磁界（９）を比較的
マイフロストリラグライン（３１，（４）の近くに集め
ることが出来、このため入出力マイクロストリップラ
イン（３）及び（４）間の誘導結合を非常に小さく抑え
ることが可能となるためである。
第６図及び第７図は夫、々入出力間のアイソレーション
を示す周波数−挿入損失特性図である。第６図は従来の
フィルタ装置の場合、第７図は高さ３０の金属壁を置い
た本発明のフィルタ装置の場合である。この特性図から
判るように金属壁を置いた本発明のものは、従来のもの
に比べ薔フィルタの入出力端子間のアイソレーションが
４０ ｄＢ から５０ｄＢに改善されるのが認められる
。
を示す周波数−挿入損失特性図である。第６図は従来の
フィルタ装置の場合、第７図は高さ３０の金属壁を置い
た本発明のフィルタ装置の場合である。この特性図から
判るように金属壁を置いた本発明のものは、従来のもの
に比べ薔フィルタの入出力端子間のアイソレーションが
４０ ｄＢ から５０ｄＢに改善されるのが認められる
。
尚上例では伝送線路としてマイフロストリラグラインを
用いたが、その他ストリッｆラインやサスペンディラド
ラインの場合に対して゛も同様に適用出来る。
用いたが、その他ストリッｆラインやサスペンディラド
ラインの場合に対して゛も同様に適用出来る。
発明の効果
な構成によって、人出カストリップライン間の誘導結合
を非常に小さく抑えることが出来、磁性共鳴薄膜による
フィルタの入出力端子間のアイソレーションを容易に改
善することが可能になる。
を非常に小さく抑えることが出来、磁性共鳴薄膜による
フィルタの入出力端子間のアイソレーションを容易に改
善することが可能になる。
第１図は従来のフィルタ装置め例を示、す斜視図、第２
図及び第３図は本発明によるフィルタ装置の平面図及び
側面図１、°第４図及び第５図は・夫々本発明の説明に
供する電磁波のに周波磁界の状態を示す図、第６図は従
来のフィルタ装置の周波数−挿入損失特性図、第７図は
本発明のフィルタ装置の周波数−挿入損失特性図である
。 （１）はアルミナ基板、（２）は接地導体、（３）は入
力ストリップ、ライン、（４）は出力ストリップライン
、（５）（６）はＹＩＧ薄膜、（力はＧＧＧ基板、（８
）は結合用ストリップライン、α０）は金属壁である。 代理人 伊藤 貞 同 松隈秀盛 Ｄ 第２図 第３図 第４図 ム 第５図 １
図及び第３図は本発明によるフィルタ装置の平面図及び
側面図１、°第４図及び第５図は・夫々本発明の説明に
供する電磁波のに周波磁界の状態を示す図、第６図は従
来のフィルタ装置の周波数−挿入損失特性図、第７図は
本発明のフィルタ装置の周波数−挿入損失特性図である
。 （１）はアルミナ基板、（２）は接地導体、（３）は入
力ストリップ、ライン、（４）は出力ストリップライン
、（５）（６）はＹＩＧ薄膜、（力はＧＧＧ基板、（８
）は結合用ストリップライン、α０）は金属壁である。 代理人 伊藤 貞 同 松隈秀盛 Ｄ 第２図 第３図 第４図 ム 第５図 １
Claims (1)
- 誘電体基板の第１主面に接地導体を設け、該基板の第２
主面に夫々の一端を短絡し互いに平行な第１及び第２の
ストリップラインを設け、該第・１゜第２のストリップ
ラインが夫々第１．第２の磁性共鳴装置と電磁的に結合
し、該第１．第２の磁性共鳴装置の間をこれらと電磁的
に結合した第３のストリップラインによ°つて結び、上
記基板側面に第１．第２のストリップラインに近接して
接地導体を設けて成るフィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976483A JPS59175201A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | フイルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976483A JPS59175201A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | フイルタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175201A true JPS59175201A (ja) | 1984-10-04 |
| JPH0465562B2 JPH0465562B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=12840238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4976483A Granted JPS59175201A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | フイルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175201A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234403A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Sony Corp | 強磁性薄膜フィルタ |
| JPS62250702A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-10-31 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| JPS62256502A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| JPS62271504A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-11-25 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 静磁気共振器製造方法 |
| JPS63238702A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-10-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 静磁波共振器 |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4976483A patent/JPS59175201A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62271504A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-11-25 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 静磁気共振器製造方法 |
| JPS62234403A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Sony Corp | 強磁性薄膜フィルタ |
| JPS62250702A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-10-31 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| JPS62256502A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| JPS63238702A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-10-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 静磁波共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465562B2 (ja) | 1992-10-20 |
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