JPH06120709A - 静磁波共振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 静磁波の励振効率のよい静磁波共振器を提供
する。 【構成】 この静磁波共振器１０は、２つのＧＧＧ基板
１２ａおよび１２ｂを含む。これらのＧＧＧ基板１２ａ
および１２ｂの一方主面の全面には、フェリ磁性基体と
してＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂが、それぞれ形成さ
れる。これらのＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂの間に
は、２つのトランズデューサ１６ａおよび１６ｂが設け
られる。これらのトランスデューサ１６ａおよび１６ｂ
は、ＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂの中央で直交し、か
つ、ＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂに磁気的に結合す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は静磁波共振器に関し、
特にたとえばバンドパスフィルタなどに用いられる静磁
波共振器に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は、この発明の背景となりかつMICR
OWAVE JOURNAL NOVEMBER 1990 のMagnetostatic Wave a
nd Magnetostatic Wave-Optic Filter Technology に示
された、従来のバンドパスフィルタを示す斜視図であ
る。図４に示すバンドパスフィルタは、４段の静磁波共
振器１ａ，１ｂ，１ｃおよび１ｄが用いられているが、
その基本となるのは、たとえば図５に示す１段の静磁波
共振器である。

【０００３】図５に示す静磁波共振器１は、平面的に見
て正方形のＧＧＧ（ガドリニウム−ガリウム−ガーネッ
ト）基板２を含み、ＧＧＧ基板２の一方主面には、たと
えばＬＰＥ法によって、ＹＩＧ（イットリウム−鉄−ガ
ーネット）薄膜３が形成される。さらに、ＹＩＧ薄膜３
上には、単線状の２つのトランスデューサ４ａおよび４
ｂが、直交しかつＹＩＧ薄膜３に磁気的に結合するよう
に設けられる。

【０００４】次に、図５に示す静磁波共振器１の動作に
ついて説明する。この静磁波共振器１のＹＩＧ薄膜３に
は、図５に示すｚ方向すなわちＹＩＧ薄膜３の主面に直
交する方向に、外部から直流磁界が印加される。この状
態で、一方のトランスデューサ４ａに高周波信号を入力
すると、そのトランスデューサ４ａに高周波電流が流
れ、図６の点線で示すように、そのトランスデューサ４
ａの周囲に高周波磁界が励起される。この高周波磁界
は、ＹＩＧ薄膜３内で静磁波に変換される。このとき、
静磁波は、ＹＩＧ薄膜３の大きさ，厚みおよび飽和磁化
やそれに印加される直流磁界の大きさによって決まる周
波数で共振を起こす。また、他方のトランスデューサ４
ｂは、ＹＩＧ薄膜３内に励振された静磁波を高周波信号
に逆変換して出力する。したがって、この静磁波共振器
１は、共振器として動作する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この静
磁波共振器１では、トランスデューサ４ａの周囲に励起
される高周波磁界が、ＹＩＧ薄膜３の存在するトランス
デューサ４ａの片側だけでしか、静磁波に変換されな
い。したがって、この静磁波共振器１では、静磁波の励
振効率がわるい。

【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、静
磁波の励振効率のよい静磁波共振器を提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、間隔を隔て
て設けられる２つのフェリ磁性基体と、２つのフェリ磁
性基体の間に設けられるトランスデューサとを含む、静
磁波共振器である。

【０００８】

【作用】トランスデューサの両側にフェリ磁性基体が設
けられるため、トランスデューサの周囲に励起される高
周波磁界が、トランスデューサの両側で、静磁波に変換
される。そのため、静磁波の励振効率がよくなる。

【０００９】

【発明の効果】この発明によれば、静磁波の励振効率の
よい静磁波共振器が得られる。したがって、この発明に
かかる静磁波共振器では、損失が低減する。

【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００１１】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。この静磁波共振器１０は、平面的に見てたとえば正
方形の２枚のＧＧＧ基板１２ａおよび１２ｂを含む。

【００１２】これらのＧＧＧ基板１２ａおよび１２ｂの
一方主面の全面には、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜
１４ａおよび１４ｂが、それぞれ、たとえばＬＰＥ法で
形成される。

【００１３】さらに、２つのＹＩＧ薄膜１４ａおよび１
４ｂの間には、たとえば単線状のシングルストリップラ
インからなる２つのトランスデューサ１６ａおよび１６
ｂが、それらのＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂの主面の
中央で直交するように設けられる。この場合、これらの
トランスデューサ１６ａおよび１６ｂは、ＹＩＧ薄膜１
４ａおよび１４ｂに磁気的に結合するように設けられ
る。また、これらのトランスデューサ１６ａおよび１６
ｂは、互いに短絡しないようにするために、少なくとも
それらの重なりあう部分が絶縁されている。

【００１４】この静磁波共振器１０には、たとえば、Ｙ
ＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂの主面に直交する方向に直
流磁界が印加される。

【００１５】そして、たとえば、一方のトランスデュー
サ１６ａに高周波信号を入力すると、そのトランスデュ
ーサ１６ａに高周波電流が流れ、図２の点線で示すよう
に、そのトランスデューサ１６ａの周囲に高周波磁界が
励起される。この高周波磁界は、トランスデューサ１６
ａの両側のＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂ内で、静磁波
に変換される。

【００１６】変換された静磁波は他方のトランスデュー
サ１６ｂで高周波信号に逆変換され、その高周波信号は
そのトランスデューサ１６ｂから出力される。

【００１７】この静磁波共振器１０では、一方のトラン
スデューサ１６ａの両側にＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４
ｂが設けられているため、トランスデューサ１６ａの周
囲に励起される高周波磁界が、トランスデューサ１６ａ
の両側で、静磁波に変換される。そのため、この静磁波
共振器１０では静磁波の励振効率がよくなる。

【００１８】さらに、この静磁波共振器１０では、他方
のトランスデューサ１６ｂがその両側のＹＩＧ薄膜１４
ａおよび１４ｂに励振された静磁波を高周波信号に逆変
換するため、静磁波を高周波信号に逆変換する効率もよ
くなる。

【００１９】したがって、この静磁波共振器１０では、
損失が低減する。

【００２０】図３は図１に示す実施例の変形例を示す要
部断面図である。図３に示す実施例では、特に、２つの
ＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂの間に、２枚の誘電体層
１８ａおよび１８ｂが設けられ、それらの誘電体層１８
ａおよび１８ｂの間に、２つのトランスデューサ１６ａ
および１６ｂが設けられる。図１に示す実施例では、２
つのＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４ｂが２つのトランスデ
ューサ１６ａおよび１６ｂに密着しているが、図３に示
す実施例のように、２つのＹＩＧ薄膜１４ａおよび１４
ｂは、２つのトランスデューサ１６ａおよび１６ｂから
一定の間隔を隔てて設けられてもよい。図３に示す実施
例でも、図１に示す実施例と同様に、静磁波の励振効率
がよくなり、静磁波を高周波信号に逆変換する効率もよ
くなり、損失が低減する。

【００２１】なお、上述の各実施例では大きさ，厚さお
よび飽和磁化の値が同じ２つのＹＩＧ薄膜が用いられて
いるが、それらの大きさ，厚さおよび飽和磁化の値の少
なくとも１つを異ならせてもよい。

【００２２】また、上述の各実施例では平面的に見て正
方形のＹＩＧ薄膜が用いられているが、正方形に限らず
長方形や円形など他の任意な形状のＹＩＧ薄膜が用いら
れてもよい。

【００２３】さらに、上述の各実施例ではフェリ磁性基
体としてＹＩＧ薄膜が用いられているが、ＹＩＧ薄膜以
外のフェリ磁性基体が用いられてもよい。

【００２４】また、トランスデューサとしては、単線状
のシングルストリップラインに限らず、複線状のパラレ
ルストリップが用いられてもよい。

【００２５】さらに、静磁波共振器には、ＹＩＧ薄膜の
主面に直交する方向に限らず他の方向に直流磁界を印加
してもよい。なお、上述の各実施例のように、ＹＩＧ薄
膜の主面に直交する方向に直流磁界を印加した場合に
は、励振される静磁波は体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。

【図３】図１に示す実施例の変形例を示す要部断面図で
ある。

【図４】この発明の背景となる従来のバンドパスフィル
タの一例を示す斜視図である。

【図５】図４に示すバンドパスフィルタの基本となる従
来の静磁波共振器の一例を示す斜視図である。

【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図である。

【符号の説明】

１０ 静磁波共振器 １２ａ，１２ｂ ＧＧＧ基板 １４ａ，１４ｂ ＹＩＧ薄膜 １６ａ，１６ｂ トランスデューサ １８ａ，１８ｂ 誘電体層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 間隔を隔てて設けられる２つのフェリ磁
   性基体、および前記２つのフェリ磁性基体の間に設けら
   れるトランスデューサを含む、静磁波共振器。