JP2638181B2 - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
- Publication number
- JP2638181B2 JP2638181B2 JP1036956A JP3695689A JP2638181B2 JP 2638181 B2 JP2638181 B2 JP 2638181B2 JP 1036956 A JP1036956 A JP 1036956A JP 3695689 A JP3695689 A JP 3695689A JP 2638181 B2 JP2638181 B2 JP 2638181B2
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- Japan
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- film
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- magnetic film
- metal film
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 マイクロ波帯の共振器やフィルタ等に使用する静磁波
デバイスに関し、 トランスデューサを変えることなく周波数の通過帯域
幅を制御可能とすることを目的とし、 誘電体基板上に形成されたトランスデューサと、該ト
ランスデューサ上にスペーサを介して形成された磁性膜
と、該磁性膜上に間隔を設けて形成された金属膜を備
え、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を変えることによっ
て周波数通過帯域幅を制御するように構成する。
デバイスに関し、 トランスデューサを変えることなく周波数の通過帯域
幅を制御可能とすることを目的とし、 誘電体基板上に形成されたトランスデューサと、該ト
ランスデューサ上にスペーサを介して形成された磁性膜
と、該磁性膜上に間隔を設けて形成された金属膜を備
え、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を変えることによっ
て周波数通過帯域幅を制御するように構成する。
本発明はマイクロ波帯の共振器やフィルタ等に使用す
る高周波発振器に係り、特にトランスデューサを変える
ことなく周波数の通過帯域幅を制御可能として生産性の
向上を図った静磁波デバイスに関する。
る高周波発振器に係り、特にトランスデューサを変える
ことなく周波数の通過帯域幅を制御可能として生産性の
向上を図った静磁波デバイスに関する。
近年のデバイス伝送の大容量化や高速化に伴って、Ｇ
Hz帯の共振器やフィルタ，遅延線等の開発が急ピッチで
進んでいるが、特に発振器としての静磁波デバイスはＧ
Hz帯で良好な特性を示すと共に外部磁界を変化させるこ
とによって極めて広い範囲で周波数や遅延時間等が変え
られる特徴があるため多く使用されている。
Hz帯の共振器やフィルタ，遅延線等の開発が急ピッチで
進んでいるが、特に発振器としての静磁波デバイスはＧ
Hz帯で良好な特性を示すと共に外部磁界を変化させるこ
とによって極めて広い範囲で周波数や遅延時間等が変え
られる特徴があるため多く使用されている。
第３図は従来の静磁波デバイスの一例を示す図であ
り、第４図は第３図における通過域幅を示す図である。
り、第４図は第３図における通過域幅を示す図である。
静磁波デバイスの斜視断面を示す第３図で、１は例え
ば真鍮ブロック２上に装着されているアルミナの如きセ
ラミック基板であり,3は該基板１の表面に形成されてい
るトランスデューサを示している。
ば真鍮ブロック２上に装着されているアルミナの如きセ
ラミック基板であり,3は該基板１の表面に形成されてい
るトランスデューサを示している。
特に該トランスデューサ３は厚さ数μｍ程度の金（A
u）薄膜よりなる50Ωマイクロストリップライン3a,3b
（電極）で構成されており、例えば図の場合には3aを信
号入力側とし,3bを信号出力側としている。
u）薄膜よりなる50Ωマイクロストリップライン3a,3b
（電極）で構成されており、例えば図の場合には3aを信
号入力側とし,3bを信号出力側としている。
また、厚さ300μｍ程度のガラスからなるスペーサ４
を介して上記トランスデューサ３上に配設したバルク状
の磁性膜５は、イットリウム・鉄・ガーネット（YIG）
からなるものである。
を介して上記トランスデューサ３上に配設したバルク状
の磁性膜５は、イットリウム・鉄・ガーネット（YIG）
からなるものである。
ここで上記マイクロストリップライン電極3aから周波
数がＧHz帯のマイクロ波信号を投入すると共に外部磁界
を付与すると、該電極3aに電流が流れて磁界が励起さ
れ、更に上記磁性膜５の内部でスピンの歳差運動のゆら
ぎが発生して図示矢印Ａの如くマイクロストリップライ
ン電極3bに向かう方向に静磁波が伝播する。
数がＧHz帯のマイクロ波信号を投入すると共に外部磁界
を付与すると、該電極3aに電流が流れて磁界が励起さ
れ、更に上記磁性膜５の内部でスピンの歳差運動のゆら
ぎが発生して図示矢印Ａの如くマイクロストリップライ
ン電極3bに向かう方向に静磁波が伝播する。
かかる構成になる静磁波デバイスでは、共振周波数は
外部磁界のかける方向等を変えることによって変化させ
ることができるが、該磁性膜５の内部をパスする周波数
帯域は磁性膜５の種類や上記トランスデューサ３の設計
条件によって決定されるものであるため該静磁波デバイ
スが完成した後には周波数通過域幅を所要に合わせて拡
大することができない。
外部磁界のかける方向等を変えることによって変化させ
ることができるが、該磁性膜５の内部をパスする周波数
帯域は磁性膜５の種類や上記トランスデューサ３の設計
条件によって決定されるものであるため該静磁波デバイ
スが完成した後には周波数通過域幅を所要に合わせて拡
大することができない。
第４図は、中心周波数10.5GHzのマイクロ波信号を投
入したときの上記パス・バンドの実施例を示したもので
あり、横軸を周波数ＧHzでまた縦軸を装入損失dBでそれ
ぞれ表わしている。
入したときの上記パス・バンドの実施例を示したもので
あり、横軸を周波数ＧHzでまた縦軸を装入損失dBでそれ
ぞれ表わしている。
図では、ピーク点ｐから3dBダウンした位置すなわち
約7dB位置での通過域幅Ｗがほぼ30MHzであることを示し
ている。
約7dB位置での通過域幅Ｗがほぼ30MHzであることを示し
ている。
一方、静磁波デバイスを使用する場合に上記の通過域
幅Ｗを拡げたい場合がある。
幅Ｗを拡げたい場合がある。
しかしかかる場合には、上述の如く磁性膜５の種類や
トランスデューサ３の設計条件等まで変えなければなら
ず、結果的に該静磁波デバイスを設計し直すことになっ
て効率的な面から好ましくない。
トランスデューサ３の設計条件等まで変えなければなら
ず、結果的に該静磁波デバイスを設計し直すことになっ
て効率的な面から好ましくない。
従来の構成になる静磁波デバイスでは、周波数通過域
幅の制御が容易でないと言う問題があった。
幅の制御が容易でないと言う問題があった。
〔課題を解決するための手段〕 誘電体基板上に形成されたトランスデューサと、該ト
ランスデューサ上にスペーサを介して形成された磁性膜
と、該磁性膜上に間隔を設けて形成された金属膜を備
え、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を変えることによっ
て周波数通過帯域幅を制御することを特徴とした静磁波
デバイス、 あるいは、該金属膜はスペーサを介して該磁性膜上に
形成され、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を該スペーサ
の厚みによって変えることを特徴とした上記静磁波デバ
イスによって解決される。
ランスデューサ上にスペーサを介して形成された磁性膜
と、該磁性膜上に間隔を設けて形成された金属膜を備
え、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を変えることによっ
て周波数通過帯域幅を制御することを特徴とした静磁波
デバイス、 あるいは、該金属膜はスペーサを介して該磁性膜上に
形成され、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を該スペーサ
の厚みによって変えることを特徴とした上記静磁波デバ
イスによって解決される。
本発明者は、トランスデューサ上に形成した磁性膜に
間隔を設けて金属膜を形成し磁性膜と金属膜との間の間
隔を変えると周波数通過帯域幅が制御できることを実験
により見い出したものであり、これによって容易に通過
周波数帯域を制御することができる。
間隔を設けて金属膜を形成し磁性膜と金属膜との間の間
隔を変えると周波数通過帯域幅が制御できることを実験
により見い出したものであり、これによって容易に通過
周波数帯域を制御することができる。
磁性膜と金属膜の間の間隔を変えるためには、磁性膜
上にスペーサを介して金属膜を形成すればよく、このス
ペーサの厚みによって磁性膜と金属膜の間の間隔を変え
ることができる。
上にスペーサを介して金属膜を形成すればよく、このス
ペーサの厚みによって磁性膜と金属膜の間の間隔を変え
ることができる。
従って、磁性膜やトランスデューサを変更することな
く周波数通過域幅の拡大に対処し、または該通過域幅が
制御できる静磁波デバイスを容易に得ることができる。
く周波数通過域幅の拡大に対処し、または該通過域幅が
制御できる静磁波デバイスを容易に得ることができる。
第１図は本発明になる静磁波デバイスの構成例を示す
図であり、第２図は通過域幅の変化を説明する図であ
る。
図であり、第２図は通過域幅の変化を説明する図であ
る。
第３図同様に静磁波デバイスの斜視断面を示す第１図
で、１が例えば真鍮ブロック２上に装着されたアルミナ
の如きセラミック基板であり,3が該基板１上の50Ωマイ
クロストリップライン3a,3b（電極）で構成されたトラ
ンスデューサを示し、またYIGからなるバルク状の磁性
膜５が厚さ300μｍ程度のガラスからなるスペーサ４上
に配設されていることは第３図と同様である。
で、１が例えば真鍮ブロック２上に装着されたアルミナ
の如きセラミック基板であり,3が該基板１上の50Ωマイ
クロストリップライン3a,3b（電極）で構成されたトラ
ンスデューサを示し、またYIGからなるバルク状の磁性
膜５が厚さ300μｍ程度のガラスからなるスペーサ４上
に配設されていることは第３図と同様である。
更に、６は該磁性膜５の全面をカバーする大きさで該
面に添着された厚さｔμｍのガラス等からなるスペーサ
を示し、該スペーサ６の露出面には厚さ0.5μｍ程度の
金（Au）等よりなる金属膜７が形成されている。
面に添着された厚さｔμｍのガラス等からなるスペーサ
を示し、該スペーサ６の露出面には厚さ0.5μｍ程度の
金（Au）等よりなる金属膜７が形成されている。
かかる構成になる静磁波デバイスでは、上記スペーサ
６の厚さすなわち磁性膜５と金属膜７との間の間隔ｔに
よって周波数通過域幅を変化させることができる。
６の厚さすなわち磁性膜５と金属膜７との間の間隔ｔに
よって周波数通過域幅を変化させることができる。
第２図は第４図の場合と同じ条件，すなわち中心周波
数10.5GHzのマイクロ波信号を投入したときの実験結果
を示したもので、第４図同様に横軸は周波数を縦軸は装
入損失を表わしている。
数10.5GHzのマイクロ波信号を投入したときの実験結果
を示したもので、第４図同様に横軸は周波数を縦軸は装
入損失を表わしている。
特に図で、（ａ）はスペーサ６の厚さすなわち磁性膜
５と金属膜７との間の間隔ｔが1000μｍの場合を、また
（ｂ）はｔが500μｍの場合を、更に（ｃ）はｔが零す
なわちスペーサ６を介することなく磁性膜５上に直接金
（Au）薄膜の金属膜７を形成した場合をそれぞれ示して
いる。
５と金属膜７との間の間隔ｔが1000μｍの場合を、また
（ｂ）はｔが500μｍの場合を、更に（ｃ）はｔが零す
なわちスペーサ６を介することなく磁性膜５上に直接金
（Au）薄膜の金属膜７を形成した場合をそれぞれ示して
いる。
この場合、ピーク点から3dBダウンさせた位置すなわ
ち約7dB位置での3dB通過域幅Ｗは、（ａ）のときをW1と
するとW1＝50MHzとなり，（ｂ）の場合をW2とするとW2
＝100MHz，（ｃ）の場合でW3＝200MHz程度となり、該ス
ペーサ６の厚さｔによって上記通過域幅Ｗが制御できる
ことが分かる。
ち約7dB位置での3dB通過域幅Ｗは、（ａ）のときをW1と
するとW1＝50MHzとなり，（ｂ）の場合をW2とするとW2
＝100MHz，（ｃ）の場合でW3＝200MHz程度となり、該ス
ペーサ６の厚さｔによって上記通過域幅Ｗが制御できる
ことが分かる。
逆に、所定の3dB通過域幅Ｗを知ることによって磁性
膜５と金属膜７との間の間隔すなわちスペーサ６の厚さ
ｔが決定される。
膜５と金属膜７との間の間隔すなわちスペーサ６の厚さ
ｔが決定される。
従って、上記の磁性膜５やトランスデューサ３の如く
設計基本に関与する条件を変えることなく、周波数の通
過域幅Ｗを所定の値に制御できる静磁波デバイスを容易
に得ることができる。
設計基本に関与する条件を変えることなく、周波数の通
過域幅Ｗを所定の値に制御できる静磁波デバイスを容易
に得ることができる。
なお、上記の金（Au）薄膜の代わりにアルミニウム
（Al）よりなる金属膜７を使用しても同じ効果が得られ
ることを実験的に確認している。
（Al）よりなる金属膜７を使用しても同じ効果が得られ
ることを実験的に確認している。
上述の如く本発明により、トランスデューサを変える
ことなく周波数の通過域幅が制御できる静磁波デバイス
を提供することができる。
ことなく周波数の通過域幅が制御できる静磁波デバイス
を提供することができる。
第１図は本発明になる静磁波デバイスの構成例を示す
図、 第２図は通過域幅の変化を説明する図、 第３図は従来の静磁波デバイスの一例を示す図、 第４図は第３図における通過域幅を示す図、 である。図において、 １はセラミック基板、２は真鍮ブロック、 ３はトランスデューサ、 3a,3bはマイクロストリップライン、 4,6はスペーサ、５は磁性膜、 ７は金属膜、 をそれぞれ表わす。
図、 第２図は通過域幅の変化を説明する図、 第３図は従来の静磁波デバイスの一例を示す図、 第４図は第３図における通過域幅を示す図、 である。図において、 １はセラミック基板、２は真鍮ブロック、 ３はトランスデューサ、 3a,3bはマイクロストリップライン、 4,6はスペーサ、５は磁性膜、 ７は金属膜、 をそれぞれ表わす。
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体基板上に形成されたトランスデュー
サと、 該トランスデューサ上にスペーサを介して形成された磁
性膜と、 該磁性膜上に間隔を設けて形成された金属膜を備え、 該磁性膜と該金属膜の間の間隔を変えることによって周
波数通過帯域幅を制御することを特徴とした静磁波デバ
イス。 - 【請求項２】該金属膜はスペーサを介して該磁性膜上に
形成され、該磁性膜と該金属膜の間の間隔を該スペーサ
の厚みによって変えることを特徴とした請求項１記載の
静磁波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036956A JP2638181B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 静磁波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036956A JP2638181B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 静磁波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215203A JPH02215203A (ja) | 1990-08-28 |
| JP2638181B2 true JP2638181B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=12484198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036956A Expired - Fee Related JP2638181B2 (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 静磁波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638181B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH089925Y2 (ja) * | 1989-12-14 | 1996-03-21 | 株式会社村田製作所 | 静磁波装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5523661A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-20 | Univ Osaka | Thin film magnetic substance multi-layer magnetic static wave delay element different in saturated magnetization |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1036956A patent/JP2638181B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| テレビジョン学会誌Ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．１２（１９８４），ＰＰ．１０５３−１０６２ |
| 電子通信学会技術研究報告ＭＷ８５−４１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02215203A (ja) | 1990-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |