JPH02126713A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH02126713A JPH02126713A JP28169088A JP28169088A JPH02126713A JP H02126713 A JPH02126713 A JP H02126713A JP 28169088 A JP28169088 A JP 28169088A JP 28169088 A JP28169088 A JP 28169088A JP H02126713 A JPH02126713 A JP H02126713A
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- Japan
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- substrate
- wave device
- thin film
- magnetostatic wave
- ggg
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- Pending
Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばＭＳＷフィ
ルタなどのような静磁波装置に関する。
ルタなどのような静磁波装置に関する。
（従来技術）
第５図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。この静磁波装置１はＧＧＧ （ガ
ドリニウム、ガリウム、ガーネット）基板２を含む、こ
のＧＧＧ基板２の一方主面上には、ＹＩＧ （イツトリ
ウム、アイアン、ガーネット）薄膜３が形成される。こ
のＹＩＧ薄膜３上に、その幅方向に延びて２つのアンテ
ナ４．５が形成される。また、第６図に示すように、ア
ルミナ基板６上にアンテナ４．５を形成し、このアンテ
ナ４．５上にＹＩＧ薄膜３およびＧＧＧ基板２を形成し
た静磁波装置１があった。
を示す斜視図である。この静磁波装置１はＧＧＧ （ガ
ドリニウム、ガリウム、ガーネット）基板２を含む、こ
のＧＧＧ基板２の一方主面上には、ＹＩＧ （イツトリ
ウム、アイアン、ガーネット）薄膜３が形成される。こ
のＹＩＧ薄膜３上に、その幅方向に延びて２つのアンテ
ナ４．５が形成される。また、第６図に示すように、ア
ルミナ基板６上にアンテナ４．５を形成し、このアンテ
ナ４．５上にＹＩＧ薄膜３およびＧＧＧ基板２を形成し
た静磁波装置１があった。
これらの静磁波装置１では、たとえばその主面に直交す
る方向に磁界が印加され、一方のアンテナ４に入力信号
が与えられる。この入力信号によってＹＩＧ薄膜３に静
磁波（Ｍ Ｓ Ｗ）が発生し、この静磁波を受けて他方
のアンテナ５から出力信号が取り出される。
る方向に磁界が印加され、一方のアンテナ４に入力信号
が与えられる。この入力信号によってＹＩＧ薄膜３に静
磁波（Ｍ Ｓ Ｗ）が発生し、この静磁波を受けて他方
のアンテナ５から出力信号が取り出される。
（発明が解決しようとする課題）
このような静磁波装置では、外気とＹＩＧ薄膜との界面
に高周波数モードの静磁波が発生し、ＹＩＧ薄膜とＧＧ
Ｇ基板の界面に低周波数モードの静磁波が発生する。静
磁波装置では、主に低周波数モードの静磁波が使用され
るが、このような静磁波装置では、ＧＧＧ基板とＹＩＧ
薄膜との界面およびアンテナ間に距離があるため、低周
波数モードの静磁波の励起効率が悪い。そのため、第７
図に示すように、低周波数モードにおける挿入損失が大
きくなってしまう。
に高周波数モードの静磁波が発生し、ＹＩＧ薄膜とＧＧ
Ｇ基板の界面に低周波数モードの静磁波が発生する。静
磁波装置では、主に低周波数モードの静磁波が使用され
るが、このような静磁波装置では、ＧＧＧ基板とＹＩＧ
薄膜との界面およびアンテナ間に距離があるため、低周
波数モードの静磁波の励起効率が悪い。そのため、第７
図に示すように、低周波数モードにおける挿入損失が大
きくなってしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入損失の小さ
い静磁波装置を提供することである。
い静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＧＧＧ基板と、ＧＧＧ基板の主面上に形成
されるアンテナと、アンテナを覆うようにＧＧＧ基板の
主面上に形成されるｙｔＧｉ膜とを含む、静磁波装置で
ある。
されるアンテナと、アンテナを覆うようにＧＧＧ基板の
主面上に形成されるｙｔＧｉ膜とを含む、静磁波装置で
ある。
（作用）
ＧＧＧ基板とＹＩＧ薄膜との界面にアンテナが存在する
ため、入力信号によってＧＧＧ基板とＹＩＧ薄膜の界面
に発生する低周波数モードの静磁波の励起効率が大きい
。
ため、入力信号によってＧＧＧ基板とＹＩＧ薄膜の界面
に発生する低周波数モードの静磁波の励起効率が大きい
。
（発明の効果）
この発明によれば、ＧＧＧ基板とＹＩＧ薄膜の界面に発
生する低周波数モードの静磁波の励起効率が大きい。し
たがって、挿入損失の小さい静磁波装置を得ることがで
きる。
生する低周波数モードの静磁波の励起効率が大きい。し
たがって、挿入損失の小さい静磁波装置を得ることがで
きる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図であり、第２
図は第１図実施例の線■−■における断面図である。こ
の静磁波装置１０は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット）基板１２を含む。このＧＧＧ基板１２
上には、その幅方向に延びて形成され、互いに対向する
アンテナ１４および１６を含む。さらに、ＧＧＧ基板１
２上には、これらのアンテナＩ４および１６を覆うよう
にしてＹＩＧ （イツトリウム、アイアン、ガーネット
）ＦＪ膜１８が形成される。
図は第１図実施例の線■−■における断面図である。こ
の静磁波装置１０は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット）基板１２を含む。このＧＧＧ基板１２
上には、その幅方向に延びて形成され、互いに対向する
アンテナ１４および１６を含む。さらに、ＧＧＧ基板１
２上には、これらのアンテナＩ４および１６を覆うよう
にしてＹＩＧ （イツトリウム、アイアン、ガーネット
）ＦＪ膜１８が形成される。
この静磁波装置１０を製造するには、第３Ａ図に示すよ
うに、ＧＧＧ基板１２が準備される。このＧＧＧ基板１
２上に、その幅方向に延びるように、２つのアンテナ１
４および１６が形成される。
うに、ＧＧＧ基板１２が準備される。このＧＧＧ基板１
２上に、その幅方向に延びるように、２つのアンテナ１
４および１６が形成される。
これらのアンテナ１４．１６は、たとえばＴｉ。
ｐｔ、ｗなどの高融点金属を用いて、スパッタリングな
どの方法によって形成される。そして、第３０図に示す
ように、たとえば液相法などによってＹＩＧの単結晶薄
膜１８をエピタキシャル成長させる。アンテナ１４およ
び１６の材料として高融点金属を使用するのは、液相法
でＹＩＧ薄膜１８を形成するとき８００〜９００℃の高
温となるためである。このようにして、静磁波装置１０
が製造される。
どの方法によって形成される。そして、第３０図に示す
ように、たとえば液相法などによってＹＩＧの単結晶薄
膜１８をエピタキシャル成長させる。アンテナ１４およ
び１６の材料として高融点金属を使用するのは、液相法
でＹＩＧ薄膜１８を形成するとき８００〜９００℃の高
温となるためである。このようにして、静磁波装置１０
が製造される。
この静磁波装置１０では、たとえばその主面に直交する
方向に磁界が印加され、ＭＳＦＶＷモードを用いた静磁
波装置として使用される。そして、一方のアンテナ１４
に入力信号が与えられる。この入力信号に応じて、ＧＧ
Ｇ基板１２とＹＩＧ薄膜１８との界面に静磁波（Ｍ Ｓ
Ｗ）が励起される。
方向に磁界が印加され、ＭＳＦＶＷモードを用いた静磁
波装置として使用される。そして、一方のアンテナ１４
に入力信号が与えられる。この入力信号に応じて、ＧＧ
Ｇ基板１２とＹＩＧ薄膜１８との界面に静磁波（Ｍ Ｓ
Ｗ）が励起される。
この静磁波に応じて他方のアンテナ１６から出力信号が
得られる。
得られる。
この静磁波装置１０では、ＧＧＧ基板１２とＹＩＧ薄膜
１８との間にアンテナ１４および１６が形成されている
ため、ＧＧＧ基板１２とＹＩＧ薄膜１８との間に発生す
る静磁波の励起効率が大きい。そのため、第４図に示す
ように、低周波数モードにおける挿入損失が小さく、全
体として従来の静磁波装置より挿入損失の小さい静磁波
装置を得ることができる。
１８との間にアンテナ１４および１６が形成されている
ため、ＧＧＧ基板１２とＹＩＧ薄膜１８との間に発生す
る静磁波の励起効率が大きい。そのため、第４図に示す
ように、低周波数モードにおける挿入損失が小さく、全
体として従来の静磁波装置より挿入損失の小さい静磁波
装置を得ることができる。
なお、上述の実施例では、ＭＳＦＶＷモードの静磁波装
置としたが、ＹＩＧ薄膜１８の面に平行でかつアンテナ
１４．１６と直交する向きの磁界を印加することによっ
て、ＭＳＢＶＷモードを用いた静磁波装置としてもよい
。さらに、ＹＩＧ薄膜１８膜面８平行でかつアンテナ１
４．１６と平行の向きの磁界を印加することによって、
ＭＳＳＷモードの静磁波装置としてもよい。
置としたが、ＹＩＧ薄膜１８の面に平行でかつアンテナ
１４．１６と直交する向きの磁界を印加することによっ
て、ＭＳＢＶＷモードを用いた静磁波装置としてもよい
。さらに、ＹＩＧ薄膜１８膜面８平行でかつアンテナ１
４．１６と平行の向きの磁界を印加することによって、
ＭＳＳＷモードの静磁波装置としてもよい。
また、上述の実施例では、アンテナ１４．１６を直線状
のものとして形成したが、インクディジタル型など他の
形状に形成してもよい。
のものとして形成したが、インクディジタル型など他の
形状に形成してもよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図実施例の線ｎ−ｎにおける断面図である
。 第３Ａ図ないし第３Ｃ図は第１図に示す静磁波装置の製
造過程を示す図解図である。 第４図は第１図に示す静磁波装置の挿入損失を示すグラ
フである。 第５図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 第６図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の他の
例を示す斜視図である。 第７図は第５図および第６図に示す従来の静磁波装置の
挿入損失を示すグラフである。 図において、１０は静磁波装置、１２はＧＧＧｙ１４反
、１４および１６はアンテナ、１８はＹ［Ｇ薄膜を示す
。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第 図 第３Ｃ図 第４ 図 第 図
。 第３Ａ図ないし第３Ｃ図は第１図に示す静磁波装置の製
造過程を示す図解図である。 第４図は第１図に示す静磁波装置の挿入損失を示すグラ
フである。 第５図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 第６図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の他の
例を示す斜視図である。 第７図は第５図および第６図に示す従来の静磁波装置の
挿入損失を示すグラフである。 図において、１０は静磁波装置、１２はＧＧＧｙ１４反
、１４および１６はアンテナ、１８はＹ［Ｇ薄膜を示す
。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第 図 第３Ｃ図 第４ 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＧＧＧ基板、 前記ＧＧＧ基板の主面上に形成されるアンテナ、および 前記アンテナを覆うように前記ＧＧＧ基板の主面上に形
成されるＹＩＧ薄膜を含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28169088A JPH02126713A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28169088A JPH02126713A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126713A true JPH02126713A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=17642625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28169088A Pending JPH02126713A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02126713A (ja) |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP28169088A patent/JPH02126713A/ja active Pending
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