JPH02214201A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH02214201A JPH02214201A JP3580089A JP3580089A JPH02214201A JP H02214201 A JPH02214201 A JP H02214201A JP 3580089 A JP3580089 A JP 3580089A JP 3580089 A JP3580089 A JP 3580089A JP H02214201 A JPH02214201 A JP H02214201A
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- dielectric constant
- magnetostatic wave
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- wave device
- yig
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばＭＳＷフィ
ルタなどとして用いられる静磁波装置に関する。
ルタなどとして用いられる静磁波装置に関する。
（従来技術）
従来の静磁波装置には、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）基板上にＹＩＧ（イツトリウム、ア
イアン、ガーネット）薄膜が形成され、ＹＩＧ薄膜上に
２つのアンテナないしトランスジューサが形成されたも
のがあった。
ウム、ガーネット）基板上にＹＩＧ（イツトリウム、ア
イアン、ガーネット）薄膜が形成され、ＹＩＧ薄膜上に
２つのアンテナないしトランスジューサが形成されたも
のがあった。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このような従来の静磁波装置では、一方のト
ランスデユーサから他方のトランスデユーサ以外に放射
される電磁波が損失となってしまうため、挿入損失が大
きかった。
ランスデユーサから他方のトランスデユーサ以外に放射
される電磁波が損失となってしまうため、挿入損失が大
きかった。
そこで、本願発明者等によって、挿入損失が小さい、静
磁波装置が考え出された。
磁波装置が考え出された。
第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、この発明の背景
となりかつ本願発明者等が考え出した静磁波装置の一例
を示し、第２Ａ図はその分解斜視図であり、第２Ｂ図は
その断面図である。この静磁波装置１では、２つのＧＧ
Ｇ （ガドリニウム。
となりかつ本願発明者等が考え出した静磁波装置の一例
を示し、第２Ａ図はその分解斜視図であり、第２Ｂ図は
その断面図である。この静磁波装置１では、２つのＧＧ
Ｇ （ガドリニウム。
ガリウム、ガーネット）基板２ａおよび２ｂの一方主面
にＹＩＧ （イツトリウム、アイアン、ガーネット）薄
膜３ａおよび３ｂが液相法などでエピタキシャル成長さ
せることによって形成される。
にＹＩＧ （イツトリウム、アイアン、ガーネット）薄
膜３ａおよび３ｂが液相法などでエピタキシャル成長さ
せることによって形成される。
さらに、一方のＹＫＧ薄膜３ａ上には、蒸着などの方法
によって、トランスデユーサ４ａおよび４ｂが間隔を隔
てて形成され、さらに、それらのトランスデユーサ４ａ
および４ｂ間に円板状の金属層５が形成されている。そ
して、それらのトランスデユーサ４ａおよび４ｂないし
金属層５は、２つのＹＩＧ薄膜３ａおよび３ｂで挟み込
まれている。
によって、トランスデユーサ４ａおよび４ｂが間隔を隔
てて形成され、さらに、それらのトランスデユーサ４ａ
および４ｂ間に円板状の金属層５が形成されている。そ
して、それらのトランスデユーサ４ａおよび４ｂないし
金属層５は、２つのＹＩＧ薄膜３ａおよび３ｂで挟み込
まれている。
この静磁波装置ｌでは、トランスデユーサ４ａおよび４
ｂの両側にＹＩＧＦｉ膜３ａおよび３ｂが存在するので
、トランスデユーサから放射される電磁波の損失が小さ
くなり、そのため、挿入損失がある程度小さくなる。さ
らに、この静磁波装置ｌでは、トランスデユーサ４ａお
よび４ｂ間に金属層５が存在するため、従来の静磁波装
置に比べて、共振周波数でのＱ値が大きくかつそのスプ
リアスモードのセパレージコンがよ（なる。
ｂの両側にＹＩＧＦｉ膜３ａおよび３ｂが存在するので
、トランスデユーサから放射される電磁波の損失が小さ
くなり、そのため、挿入損失がある程度小さくなる。さ
らに、この静磁波装置ｌでは、トランスデユーサ４ａお
よび４ｂ間に金属層５が存在するため、従来の静磁波装
置に比べて、共振周波数でのＱ値が大きくかつそのスプ
リアスモードのセパレージコンがよ（なる。
ところが、静磁波装置において、挿入損失をさらに小さ
くすることが望まれている。
くすることが望まれている。
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入損失がさら
に小さい、静磁波装置を提供することである。
に小さい、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、２つのＹＩＧ薄膜、それらのＹｒＧ薄膜間
に形成され低誘電率の誘電体材料からなる低誘電率層、
およびそれらのＹＩＧ薄膜と低誘電率層との間に形成さ
れるトランスジューサを含む、静磁波装置である。
に形成され低誘電率の誘電体材料からなる低誘電率層、
およびそれらのＹＩＧ薄膜と低誘電率層との間に形成さ
れるトランスジューサを含む、静磁波装置である。
（作用）
この静磁波装置では、トランスデユーサがＹＩＧ薄膜と
低誘電率層との間に挟み込まれるため、伝搬ロスが小さ
くなる。
低誘電率層との間に挟み込まれるため、伝搬ロスが小さ
くなる。
（発明の効果）
この発明によれば、伝搬ロスが小さくなるので、静磁波
装置の挿入損失がさらに小さくなる。
装置の挿入損失がさらに小さくなる。
発明者の実験によれば、この発明の実施例では、同じ大
きさのＹＩＧ薄膜を用いた第２Ａ図および第２Ｂ図に示
す静磁波装置に比べて、伝搬ロスが２０〜３０％小さく
なり、それに従って、挿入損失も小さくなった。
きさのＹＩＧ薄膜を用いた第２Ａ図および第２Ｂ図に示
す静磁波装置に比べて、伝搬ロスが２０〜３０％小さく
なり、それに従って、挿入損失も小さくなった。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１Ａ図ないし第１Ｃ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第１Ａ図はその分解斜視図であり、第１Ｂ
図はその平面図であり、第１Ｃ図は第１Ｂ図の線ＩＣ−
ＩＣにおける断面図である。
施例を示し、第１Ａ図はその分解斜視図であり、第１Ｂ
図はその平面図であり、第１Ｃ図は第１Ｂ図の線ＩＣ−
ＩＣにおける断面図である。
この静磁波装置ｌＯは、２つの薄い矩形状のＹＩＧ（イ
ツトリウム、アイアン、ガーネット）薄１１１１１２
ａおよび１２ｂを含む、これらｆ）ＹＩＧ薄膜１２ａお
よび１２ｂは、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガ
ーネット）単結晶からなるＧＧＧ基板１４ａおよび１４
ｂの一方主面上に、たとえば液相法などの方法でＹＩＧ
単結晶をエピタキシャル成長させることによって形成さ
れる。
ツトリウム、アイアン、ガーネット）薄１１１１１２
ａおよび１２ｂを含む、これらｆ）ＹＩＧ薄膜１２ａお
よび１２ｂは、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム、ガ
ーネット）単結晶からなるＧＧＧ基板１４ａおよび１４
ｂの一方主面上に、たとえば液相法などの方法でＹＩＧ
単結晶をエピタキシャル成長させることによって形成さ
れる。
さらに、これらのＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂの間に
は、たとえばセラミック、樹脂などの低誘電率の誘電体
材料で低誘電率層１６が形成される。
は、たとえばセラミック、樹脂などの低誘電率の誘電体
材料で低誘電率層１６が形成される。
また、一方のＹＩＧ薄膜１２ａの表面あるいは低誘電率
層１６の一方主面には、その長平方向に間隔を隔てて、
アンテナないしトランスデユーサとしてストリップライ
ン１８ａおよび２０ａが形成され、さらに、これらのス
トリップライン１８ａおよび２０ａの間に、円板状の金
属層２２ａが形成される。これらのストリップライン１
８ａ。
層１６の一方主面には、その長平方向に間隔を隔てて、
アンテナないしトランスデユーサとしてストリップライ
ン１８ａおよび２０ａが形成され、さらに、これらのス
トリップライン１８ａおよび２０ａの間に、円板状の金
属層２２ａが形成される。これらのストリップライン１
８ａ。
２０ａおよび金属層２２ａは、たとえば蒸着などの方法
によって形成される。同様に、他方のＹＩＧ薄膜１２ｂ
の表面あるいは低誘電率層１６の他方主面には、ストリ
ップライン１８ａ、２０ａおよび金属層２２ａに対応し
て、ストリップライン１８ｂ、２０ｂおよび金属層２２
ｂが形成される。
によって形成される。同様に、他方のＹＩＧ薄膜１２ｂ
の表面あるいは低誘電率層１６の他方主面には、ストリ
ップライン１８ａ、２０ａおよび金属層２２ａに対応し
て、ストリップライン１８ｂ、２０ｂおよび金属層２２
ｂが形成される。
したがって、ストリップライン１８ａおよび２０ａは、
一方のＹＩＧ薄膜１２ａと低誘電率層Ｉ６との間に挟み
込まれ、ストリップライン１８ｂおよび２０ｂは、他方
のＹＩＧ薄膜１２ｂと低誘電率層１６との間に挟み込ま
れる。
一方のＹＩＧ薄膜１２ａと低誘電率層Ｉ６との間に挟み
込まれ、ストリップライン１８ｂおよび２０ｂは、他方
のＹＩＧ薄膜１２ｂと低誘電率層１６との間に挟み込ま
れる。
また、低誘電率層１６には、ストリップライン１８ａ、
１８ｂが形成される部分、ストリップライン２０ａ、２
０ｂが形成される部分および金属円板２２ａ、２２ｂが
形成される部分に、それぞれ、多数のスルーホール１６
ａ、１６ｂおよび１６Ｃが形成され、それらのスルーホ
ール１６２〜１６ｃ内に接続電極が形成されている。そ
して、これらのスルーホール１６ａ〜１６Ｃ内の接続電
極を介して、ストリップライン１８ａと１８ｂとが、ス
トリップライン２０ａと２０ｂとが、金属層２２ａと２
２ｂとが、それぞれ、電気的に接続される。
１８ｂが形成される部分、ストリップライン２０ａ、２
０ｂが形成される部分および金属円板２２ａ、２２ｂが
形成される部分に、それぞれ、多数のスルーホール１６
ａ、１６ｂおよび１６Ｃが形成され、それらのスルーホ
ール１６２〜１６ｃ内に接続電極が形成されている。そ
して、これらのスルーホール１６ａ〜１６Ｃ内の接続電
極を介して、ストリップライン１８ａと１８ｂとが、ス
トリップライン２０ａと２０ｂとが、金属層２２ａと２
２ｂとが、それぞれ、電気的に接続される。
さらに、ＧＧＧ基板１４ａおよび１４ｂの他方主面には
、それぞれ、たとえば金属からなる接地電極２４ａおよ
び２４ｂが形成される。
、それぞれ、たとえば金属からなる接地電極２４ａおよ
び２４ｂが形成される。
この静磁波装置１０では、たとえば、ＹＩＧ薄膜１２ａ
および１２ｂの主面に直交する方向に、直流磁界が印加
されて使用される。そして、たとえばストリップライン
１８ａおよび１８ｂに信号を入力すれば、ストリップラ
イン１８ａおよび１８ｂから発生する電磁波などによっ
て体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起される。また、
この体積前進静磁波は、２つのＹＩＧ薄膜１２ａおよび
１２ｂ上にストリップライン１８ａおよび１８ｂからス
トリップライン２０ａおよび２Ｏｂ側に伝搬される。そ
れから、伝搬された体積前進静磁波は、ストリップライ
ン２０ａおよび２０ｂで受信される。したがって、この
静磁波装置１０では、従来の静磁波装置に比べて、トラ
ンスデユーサから発生する電磁波を有効的に用いること
ができるため、挿入損失が小さくなるとともにＱ値が大
きくなる。また、トランスデユーサのストリップライン
としての伝送損失も小さくなるので、挿入損失が小さく
なる効果がある。
および１２ｂの主面に直交する方向に、直流磁界が印加
されて使用される。そして、たとえばストリップライン
１８ａおよび１８ｂに信号を入力すれば、ストリップラ
イン１８ａおよび１８ｂから発生する電磁波などによっ
て体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起される。また、
この体積前進静磁波は、２つのＹＩＧ薄膜１２ａおよび
１２ｂ上にストリップライン１８ａおよび１８ｂからス
トリップライン２０ａおよび２Ｏｂ側に伝搬される。そ
れから、伝搬された体積前進静磁波は、ストリップライ
ン２０ａおよび２０ｂで受信される。したがって、この
静磁波装置１０では、従来の静磁波装置に比べて、トラ
ンスデユーサから発生する電磁波を有効的に用いること
ができるため、挿入損失が小さくなるとともにＱ値が大
きくなる。また、トランスデユーサのストリップライン
としての伝送損失も小さくなるので、挿入損失が小さく
なる効果がある。
発明者の実験によれば、この静磁波装置１０では、スト
リップライン１８ａ、１８ｂ、２０ａおよび２０ｂがＹ
ＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂと低誘電率層１６との間に
挟み込まれているため、同じ大きさのＹＩＧ薄膜を用い
た第２Ａ図および第２Ｂ図に示す静磁波装置に比べて、
伝搬ロスが２０〜３０％小さくなり、それに従って、挿
入損失も小さくなった。
リップライン１８ａ、１８ｂ、２０ａおよび２０ｂがＹ
ＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂと低誘電率層１６との間に
挟み込まれているため、同じ大きさのＹＩＧ薄膜を用い
た第２Ａ図および第２Ｂ図に示す静磁波装置に比べて、
伝搬ロスが２０〜３０％小さくなり、それに従って、挿
入損失も小さくなった。
さらに、この実施例の静磁波装置１０では、第２Ａ図お
よび第２Ｂ図に示す静磁波装置と同様に、ストリップラ
イン間に金属層２２ａおよび２２ｂが形成されているた
め、このような金属層のない従来の静磁波装置に比べて
、共振周波数でのＱ値カ大きくかつそのスプリアスモー
ドのセパレーションがよくなる。しかしながら、この発
明では、このような金属層２２ａおよび２２ｂないしそ
れらを接続するためのスルーホール１６ｃは、形成され
なくてもよい。
よび第２Ｂ図に示す静磁波装置と同様に、ストリップラ
イン間に金属層２２ａおよび２２ｂが形成されているた
め、このような金属層のない従来の静磁波装置に比べて
、共振周波数でのＱ値カ大きくかつそのスプリアスモー
ドのセパレーションがよくなる。しかしながら、この発
明では、このような金属層２２ａおよび２２ｂないしそ
れらを接続するためのスルーホール１６ｃは、形成され
なくてもよい。
なお、静磁波装置１０には、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１
２ｂに対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向に磁界を印加してもよい。
２ｂに対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向に磁界を印加してもよい。
この場合、２つのＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂ上には
、表面静磁波（Ｍ Ｓ Ｓ Ｗ）が伝搬される。
、表面静磁波（Ｍ Ｓ Ｓ Ｗ）が伝搬される。
あるいは、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂに対して平行
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい、この場合、ＹＩＧｉＭ １２ ａおよび
１２ｂ上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬さ
れる。このように、静磁波装置ｌＯに印加する磁界の方
向を任意に変更してもよい。
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい、この場合、ＹＩＧｉＭ １２ ａおよび
１２ｂ上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬さ
れる。このように、静磁波装置ｌＯに印加する磁界の方
向を任意に変更してもよい。
第１Ａ図ないし第１Ｃ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第１Ａ図はその分解斜視図であり、第１Ｂ
図はその平面図であり、第１ｃ図は第１Ｂ図の線ＩＣ−
ＩＣにおける断面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、この発明の背景
となりかつ本願発明者等が考え出した静磁波装置の一例
を示し、第２Ａ図はその分解斜視図であり、第２Ｂ図は
その断面図である。 図において、１０は静磁波装置、１２ａおよび１２ｂは
ＹＩＧ薄膜、１６は低誘電率層、１８ａ１８ｂ、２０ａ
および２０ｂはストリップラインを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１Ａ図 第２Ａ図 第２８−
施例を示し、第１Ａ図はその分解斜視図であり、第１Ｂ
図はその平面図であり、第１ｃ図は第１Ｂ図の線ＩＣ−
ＩＣにおける断面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、この発明の背景
となりかつ本願発明者等が考え出した静磁波装置の一例
を示し、第２Ａ図はその分解斜視図であり、第２Ｂ図は
その断面図である。 図において、１０は静磁波装置、１２ａおよび１２ｂは
ＹＩＧ薄膜、１６は低誘電率層、１８ａ１８ｂ、２０ａ
および２０ｂはストリップラインを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第１Ａ図 第２Ａ図 第２８−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２つのＹＩＧ薄膜、 前記ＹＩＧ薄膜間に形成され低誘電率の誘電体材料から
なる低誘電率層、および 前記ＹＩＧ薄膜と前記低誘電率層との間に形成されるト
ランスジューサを含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035800A JPH0756922B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035800A JPH0756922B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214201A true JPH02214201A (ja) | 1990-08-27 |
| JPH0756922B2 JPH0756922B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=12451996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035800A Expired - Fee Related JPH0756922B2 (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756922B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271303A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプライン |
| JPS63275201A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1035800A patent/JPH0756922B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271303A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプライン |
| JPS63275201A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0756922B2 (ja) | 1995-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |