JPH0265307A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
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- JPH0265307A JPH0265307A JP21493288A JP21493288A JPH0265307A JP H0265307 A JPH0265307 A JP H0265307A JP 21493288 A JP21493288 A JP 21493288A JP 21493288 A JP21493288 A JP 21493288A JP H0265307 A JPH0265307 A JP H0265307A
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- Japan
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- magnetic field
- wave device
- magnetostatic wave
- substrate
- magnetic
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- Pending
Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
静磁波を利用したマイクロ波帯の共振器、フィルタ、周
波数分配器等の静磁波デバイスに関し、デバイスの低消
費電力化及び小型化を目的とし、磁性膜に励起される静
磁波の高次モードを利用するように構成する。
波数分配器等の静磁波デバイスに関し、デバイスの低消
費電力化及び小型化を目的とし、磁性膜に励起される静
磁波の高次モードを利用するように構成する。
本発明は静磁波を利用したマイクロ波帯の共振器、フィ
ルタ、周波数分配器等の静磁波デバイスに関する。
ルタ、周波数分配器等の静磁波デバイスに関する。
近年、通信の高周波化（例えば移動体無線、ハイビジョ
ンテレビ、衛星通信等）に伴い１〜２６ＧＨ２のマイク
ロ波帯における信号処理デバイスへの関心が高まってい
る中で、これらの周波帯における共振子、フィルタ、遅
延線等の利用が可能で、また弾性表面波素子、誘電体素
子と相補的な役割を担う素子として、磁性体における磁
気モーメントを信号処理媒体とする静磁波デバイスの開
発が進められている。
ンテレビ、衛星通信等）に伴い１〜２６ＧＨ２のマイク
ロ波帯における信号処理デバイスへの関心が高まってい
る中で、これらの周波帯における共振子、フィルタ、遅
延線等の利用が可能で、また弾性表面波素子、誘電体素
子と相補的な役割を担う素子として、磁性体における磁
気モーメントを信号処理媒体とする静磁波デバイスの開
発が進められている。
磁性体における磁気モーメントは直流磁界を加えると磁
界方向を軸として歳差運動するが、直流磁界に対して直
角に歳差運動と同じ周波数の高周波磁界を加えると磁気
モーメントは高周波磁界からエネルギーを吸収して減衰
することなく歳差運動を継続する。これを磁気共鳴現象
という。
界方向を軸として歳差運動するが、直流磁界に対して直
角に歳差運動と同じ周波数の高周波磁界を加えると磁気
モーメントは高周波磁界からエネルギーを吸収して減衰
することなく歳差運動を継続する。これを磁気共鳴現象
という。
低損失フェライト（例えばイツトリウム鉄ガーネット（
ＹｒＧ））においては磁化された磁気モーメントの空間
的分布のために種々の共振、伝搬モードの発生が可能で
あり、このうち電界によるエネルギーが殆んどないもの
を静磁波モードという。
ＹｒＧ））においては磁化された磁気モーメントの空間
的分布のために種々の共振、伝搬モードの発生が可能で
あり、このうち電界によるエネルギーが殆んどないもの
を静磁波モードという。
従来の静磁波デバイスは例えば第３図に示すようにＹＩ
Ｇ等の磁性膜１の上にマイクロストリップラインで形成
した入カドランスジューサ２及び出カドランスジューサ
３が設けられており、バイアス磁界Ｈ０を印加しておき
、入カドランスジューサ２に高周波を入力することによ
り、静磁波Ｓが発生し、この静磁波が出カドランスジュ
ーサ３に伝播し、再び電気信号に変換される。この場合
、磁性膜の共振周波数、遅延時間などを変えるためには
バイアス磁界Ｈ０を変化させることにより行なわれる。
Ｇ等の磁性膜１の上にマイクロストリップラインで形成
した入カドランスジューサ２及び出カドランスジューサ
３が設けられており、バイアス磁界Ｈ０を印加しておき
、入カドランスジューサ２に高周波を入力することによ
り、静磁波Ｓが発生し、この静磁波が出カドランスジュ
ーサ３に伝播し、再び電気信号に変換される。この場合
、磁性膜の共振周波数、遅延時間などを変えるためには
バイアス磁界Ｈ０を変化させることにより行なわれる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来の静磁波デバイスでは、周波数を大きく変化さ
せる為には、それにみあったバイアス磁界の変化が必要
となる。バイアス磁界を制御する方法は、磁界の応答性
、安定性の制御が難かしく、また周波数を大きく変化さ
せる為には磁界もその分度化させなければならない為、
磁気回路の消費電力もその分大きくなる。
せる為には、それにみあったバイアス磁界の変化が必要
となる。バイアス磁界を制御する方法は、磁界の応答性
、安定性の制御が難かしく、また周波数を大きく変化さ
せる為には磁界もその分度化させなければならない為、
磁気回路の消費電力もその分大きくなる。
本発明は磁気回路を簡単化して低消費電力化及び小型化
した静磁波デバイスを提供することを目的とする。
した静磁波デバイスを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の静磁波デバイスは
、磁性膜に励起される静磁波の高次モードを利用するこ
とを特徴とする。
、磁性膜に励起される静磁波の高次モードを利用するこ
とを特徴とする。
静磁波の高次モードが磁性膜の大きさによって、同一バ
イアス磁界の下でも変化することを利用することにより
、バイアス磁気回路は筒便なもので済み、低消費電力化
、小型化が可能となる。また周波数の変化範囲も磁気回
路に関係なく広くとることができる。
イアス磁界の下でも変化することを利用することにより
、バイアス磁気回路は筒便なもので済み、低消費電力化
、小型化が可能となる。また周波数の変化範囲も磁気回
路に関係なく広くとることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図であり、（ａ）
は正面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
は正面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
本実施例は同図に示すように、ＧＧＧ （ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット）基板１０の上に大きさの異な
る磁性膜１１−１〜ＩＬ、を形成し、これを予め各磁性
膜に対応した入カドランスジューサ１２及び出カドラン
スジューサ１３が形成されたアルミナ基板１４に密着さ
せ、バイアス磁界印加用のマグネット１５ 、１５ ’
間に配置している。
・ガリウム・ガーネット）基板１０の上に大きさの異な
る磁性膜１１−１〜ＩＬ、を形成し、これを予め各磁性
膜に対応した入カドランスジューサ１２及び出カドラン
スジューサ１３が形成されたアルミナ基板１４に密着さ
せ、バイアス磁界印加用のマグネット１５ 、１５ ’
間に配置している。
なお磁性膜１ｌ−１−１１−Ｒは、ＧＧＧ基板１０に液
相エピタキシャル法により育成したＹＩＧ膜をエツチン
グして各磁性膜をアイランド状に残して形成したもので
ある。
相エピタキシャル法により育成したＹＩＧ膜をエツチン
グして各磁性膜をアイランド状に残して形成したもので
ある。
このように構成された本実施例は、磁性膜の大きさを例
えばｌＸ１ｍ’ ｌＸ２ｍ’、１×５１１Ｏとし、入
カドランスジューサ１２から９．４５ＧＨｚの高周波を
印加すると各出カドランスジューサ１３からは、第１表
の様にそれぞれ異なった周波数が出力される。
えばｌＸ１ｍ’ ｌＸ２ｍ’、１×５１１Ｏとし、入
カドランスジューサ１２から９．４５ＧＨｚの高周波を
印加すると各出カドランスジューサ１３からは、第１表
の様にそれぞれ異なった周波数が出力される。
第１表
これは磁性膜に励起される静磁波の高次モードが磁性膜
の大きさにより同一磁場内でも異なった共振周波数を持
つためである。
の大きさにより同一磁場内でも異なった共振周波数を持
つためである。
第２図は本発明の第２の実施例を示す図であり、（ａ）
は正面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
は正面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
本実施例が前実施例と異なるところは、前実施例の磁性
膜１１−、−１１．が幅Ｗを変化させたのに対し本実施
例では幅Ｗを一定にして長さｌを変化させたことである
。この場合の出力特性の１例を第２表に示す。
膜１１−、−１１．が幅Ｗを変化させたのに対し本実施
例では幅Ｗを一定にして長さｌを変化させたことである
。この場合の出力特性の１例を第２表に示す。
なお入力は９ 、４５ＧＨｚである。
第２表
のであり、膜の大きさめ月Ｘ１ｍ＊’で、入力９．４Ｇ
Ｈｚの場合の膜厚と出力周波数の関係を第３表に示す。
Ｈｚの場合の膜厚と出力周波数の関係を第３表に示す。
第３表
本実施例においても、前実施例と同様な理由により磁性
膜の大きさによって第２表の如く異なった周波数の出力
が得られる０本実施例は前実施例と共にフィルタ及び周
波数分配器として使用することができる。
膜の大きさによって第２表の如く異なった周波数の出力
が得られる０本実施例は前実施例と共にフィルタ及び周
波数分配器として使用することができる。
次に第３の実施について説明する。本実施例ではそれぞ
れ膜厚の異なる複数の磁性膜を用いたも本実施例におい
ては、磁性膜に励起される静磁波の高次モードが磁性膜
の厚さにより同一磁場内でも異なった共振周波数を持つ
ことにより第３表の如く膜厚により異なった周波数が得
られる。
れ膜厚の異なる複数の磁性膜を用いたも本実施例におい
ては、磁性膜に励起される静磁波の高次モードが磁性膜
の厚さにより同一磁場内でも異なった共振周波数を持つ
ことにより第３表の如く膜厚により異なった周波数が得
られる。
以上説明した様に、本発明によれば、磁性膜の大きさ又
は厚さを変えることにより同じバイアス磁界内でＤＩ波
の周波数を変化できるため、周波数を変化させるのにバ
イアス磁界を変化させる必要がなくなるためバイアス磁
界印加用磁石が簡単化でき、それにより静磁波デバイス
の低消費電力化及び小型化が可能となる。
は厚さを変えることにより同じバイアス磁界内でＤＩ波
の周波数を変化できるため、周波数を変化させるのにバ
イアス磁界を変化させる必要がなくなるためバイアス磁
界印加用磁石が簡単化でき、それにより静磁波デバイス
の低消費電力化及び小型化が可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は本発
明の第２の実施例を示す図、第３図は従来の静磁波デバ
イスのチップを示す図である。 図において、 １０はＧＧＧ基板、 １１−１〜１Ｌｌｌは磁性膜、 工２は入カドランスジューサ、 １３は出カドランスジューサ、 １４はアルミナ基板、 １５ 、１５ ’はマグネット、 を示す。 １２ １ｌ−２ （ｂ）ａ図のｂ−ｂ線における断面図 本発明の第１の実施例を示￥図 第７ｒＸｊ １０・ ＧＧＧ基板 １１４へ〕ｔ、、 磁性膜 １２ 、入カドランスジューサ １３、 出カドランスジューサ １４８．アルミ大基板 １５ ｉ５’・ マグネット
明の第２の実施例を示す図、第３図は従来の静磁波デバ
イスのチップを示す図である。 図において、 １０はＧＧＧ基板、 １１−１〜１Ｌｌｌは磁性膜、 工２は入カドランスジューサ、 １３は出カドランスジューサ、 １４はアルミナ基板、 １５ 、１５ ’はマグネット、 を示す。 １２ １ｌ−２ （ｂ）ａ図のｂ−ｂ線における断面図 本発明の第１の実施例を示￥図 第７ｒＸｊ １０・ ＧＧＧ基板 １１４へ〕ｔ、、 磁性膜 １２ 、入カドランスジューサ １３、 出カドランスジューサ １４８．アルミ大基板 １５ ｉ５’・ マグネット
Claims (4)
- １．磁性膜に励起される静磁波の高次モードを利用する
ことを特徴とする静磁波デバイス。 - ２．請求項１記載の静磁波デバイスにおいて、高次モー
ドが磁性膜の大きさにより同一磁場内で異なった共振周
波数を持つことを利用した静磁波デバイス。 - ３．請求項２記載の静磁波デバイスにおいて、大きさの
異なる磁性膜を複数個用いて形成した静磁波デバイス。 - ４．請求項１記載の静磁波デバイスにおいて、高次モー
ドが磁性膜の膜厚によって共振周波数が異なることを利
用した静磁波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21493288A JPH0265307A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 静磁波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21493288A JPH0265307A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265307A true JPH0265307A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16663960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21493288A Pending JPH0265307A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 静磁波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2475716C1 (ru) * | 2011-10-11 | 2013-02-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Чувствительный элемент для измерения физических величин на магнитостатических волнах |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21493288A patent/JPH0265307A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2475716C1 (ru) * | 2011-10-11 | 2013-02-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Чувствительный элемент для измерения физических величин на магнитостатических волнах |
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