RU2697724C1 - Функциональный элемент магноники - Google Patents

Функциональный элемент магноники Download PDF

Info

Publication number
RU2697724C1
RU2697724C1 RU2019102095A RU2019102095A RU2697724C1 RU 2697724 C1 RU2697724 C1 RU 2697724C1 RU 2019102095 A RU2019102095 A RU 2019102095A RU 2019102095 A RU2019102095 A RU 2019102095A RU 2697724 C1 RU2697724 C1 RU 2697724C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
grooves
yig
film
functional element
msw
Prior art date
Application number
RU2019102095A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Николаевич Бегинин
Александр Владимирович Садовников
Павел Александрович Попов
Анна Юрьевна Шараевская
Дмитрий Владимирович Калябин
Александр Иванович Стогний
Сергей Аполлонович Никитов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority to RU2019102095A priority Critical patent/RU2697724C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2697724C1 publication Critical patent/RU2697724C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/18Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано при конструировании приборов на магнитостатических волнах в гигагерцовом диапазоне частот. Функциональный элемент магноники содержит немагнитную подложку, размещенную на ней ферромагнитную пленку из железоиттриевого граната (ЖИГ), микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема магнитостатических спиновых волн (МСВ) в пленке ЖИГ, источник магнитного поля. На поверхности подложки, прилежащей к пленке ЖИГ, образована структура в форме меандра из канавок, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения МСВ. Пленка ЖИГ повторяет контур образованных канавками выступов, боковых граней и пазов, а магнитное поле источника магнитного поля ориентировано перпендикулярно к плоскости подложки с возможностью возбуждения в пленке ЖИГ объемных МСВ. Технический результат – расширение функциональных возможностей элемента, обеспечение возможности соединения между собой магнонных элементов в многослойные трехмерные структуры. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано при конструировании приборов на магнитостатических волнах в гигагерцовом диапазоне частот.
Устройства на магнитостатических спиновых волнах (МСВ) обладают возможностью перестройки параметров (коэффициенты передачи, время задержки) и частотных режимов работы за счет изменения как величины, так и угла магнитного поля (см., например, обзор «Магноника - новое направление спинтроники и спин-волновой электроники», УФН, т. 185, №10, 2015, с.с. 1099-1128). Эти характеристики позволяют реализовать устройства для обработки сигналов с множеством функций, например, задержки сигналов, направленного ответвления, фильтрации и др. функций. Технологии микроэлектроники дают возможность выполнить на подложках магнитные пленки с особой конфигурацией, толщиной и свойствами (см., например, И.А. Накрап, А.Н. Савин, Ю.П. Шараевский. ВЛИЯНИЕ НАМАГНИЧЕННОЙ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ НА ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕАНДРОВОЙ МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ/ РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА, 2006, том 51, №3, с. 320-327).
Так, известен ответвитель на МСВ (DE 4204299 (A1), Non-reciprocal waveguide coupler using magnetostatic surface waves - whose direction of propagation on epitaxial garnet film is at right angles to fundamental magnetic field, SIEMENS AG, 18.09.1993). Он содержит подложку из галлий-гадолиниевого граната, выращенную на данной подложке пленку из железо-иттриевого граната (ЖИГ) и располагающиеся на данной пленке микрополосковые антенны, обеспечивающие возбуждение спиновых волн в пленке ЖИГ. Устройство может быть использовано в качестве n-портового направленного ответвителя на частотах по меньшей мере нескольких ГГц, а также фазовращателя. Частотно-избирательный ответвитель на основе латерально связанной мультиферроидной структуры работает в многомодовом режиме, позволяет расширить функциональные возможности в системах с большой плотностью информационного сигнала (RU 166410 U1, СГУ, 27.11.2016).
В изобретении (RU 2623666 С1, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, 28.06.2017), описан трехканальный микроволновый ответвитель мощности СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном ответвления и шириной полосы частот. Содержит размещенную на подложке из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) микроволноводную структуру из пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ), антенны для возбуждения МСВ, слой пьезоэлектрического материала, снабженный металлическими электродами для обеспечения пьезомагнитного взаимодействия.
Известен модулятор с управлением уровнем режекции СВЧ-сигнала в полосе частот (RU 2454788 С1, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, 27.06.2012), который включает протяженную структуру на основе магнонного кристалла из ферритовой пленки ЖИГ с поверхностной периодической структурой в виде параллельных канавок, глубина которых составляет 0,01-0,2 толщины пленки, размещенных перпендикулярно оси протяженной структуры, микрополосковые преобразователи. Поверхностные МСВ, распространяющиеся в пленке ЖИГ, испытывают периодическое рассеяние, в результате чего в их спектре возникают полосы непропускания.
Известны также функциональные СВЧ-устройства различного назначения, использующие т.н. магнонные кристаллы в качестве среды для распространения МСВ (С.А. Никитов, Ю.А. Филимонов, С.Л. Высоцкий, Е.С. Павлов, Н.Н. Новицкий, А.И. Стогний. “Физические основы фильтрации СВЧ сигналов с использованием магнонных кристаллов”. // Сборник научных трудов “Гетеромагнитная микроэлектроника”. - 2008. - В. 5. - С. 78-86. Магнонные кристаллы представляют собой пленки ЖИГ с вытравленными поверхностными структурами в виде канавок, ось которых перпендикулярна направлению распространения МСВ. Пленка ЖИГ размещается между входным и выходным микрополосковыми преобразователями СВЧ. Однако, в данных функциональных СВЧ-устройствах, использующих одномерные и двумерные магнонные кристаллы, волноведущие структуры для МСВ являются планарными, что не позволяет повышать плотность размещения функциональных элементов путем соединения их в многослойные структуры. Технология выполнения периодических наноструктур в целом известна и описана в применении к среде для магнитной записи (см., например, US 6351339, RONNI CORP., 26.02.2002; RU 2391717 С1, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 10.06.2010).
Проблема, на решение которой направлено изобретение, является расширение функциональных возможностей элемента путем трансформации видов МСВ в процессе распространения по структуре для достижения фильтрации, направленного ответвления, СВЧ сигналов, а также обеспечение возможности соединения между собой магнонных элементов в многослойные трехмерные структуры.
Патентуемый функциональный элемент магноники содержит немагнитную подложку, размещенную на ней ферромагнитную пленку из железоиттриевого граната (ЖИГ), микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема магнитостатических волн (МСВ) в пленке ЖИГ, источник магнитного поля.
Отличие состоит в том, что на поверхности подложки, прилежащей к пленке ЖИГ, образована структура в форме меандра из канавок, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения МСВ, при этом пленка ЖИГ повторяет контур образованных канавками выступов, боковых граней и пазов, а магнитное поле источника магнитного поля ориентировано перпендикулярно к плоскости подложки с возможностью возбуждения в пленке ЖИГ объемных МСВ.
Элемент может характеризоваться тем, что подложка выполнена из галлий-гадолиниевого граната, кроме того, тем, что глубина w канавок составляет от 0,1 до 0,5 толщины d пленки, а период Т канавок составляет от 50 до 100 толщины d пленки ЖИГ, а также тем, что канавки имеют в сечении прямоугольную или трапециевидную форму, а толщина пленки ЖИГ составляет 1-10 мкм при намагниченности М насыщения в диапазоне от 130 до 150 Гс.
Элемент может характеризоваться и тем, что, по меньшей мере, один микрополосковый преобразователь для возбуждения МСВ размещен на образованных выступах, а по меньшей мере один микрополосковый преобразователь для приема МСВ - на боковых гранях выступов и/или в пазах, образованных канавками, с возможностью приема прямых и обратных объемных МСВ.
Элемент может характеризоваться и тем, что, при реализации многоотводного полосно-заграждающего фильтра на объемных МСВ, период Т канавок выбран из условия кратности целому числу длин полуволн.
Технический результат - расширение функциональных возможностей элемента путем трансформации видов объемных МСВ в процессе распространения по структуре для достижения фильтрации, направленного ответвления СВЧ сигналов, а также обеспечение возможности соединения между собой магнонных элементов в многослойные трехмерные структуры.
Существо изобретения поясняется на чертежах, где:
фиг. 1 - показана структура функционального элемента магноники;
фиг. 2 - блок-схема многоотводного полосно-заграждающего фильтра на МСВ, реализованного на описанной структуре.
Структура содержит немагнитную диэлектрическую подложку 1, размещенную на ней ферромагнитную пленку 2 из железоиттриевого граната (ЖИГ) (фиг. 1). Подложка выполнена из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ).
Микрополосковые преобразователи 3 для возбуждения и приема МСВ связаны с пленкой 2 ЖИГ. Элемент содержит источник магнитного поля (на фигурах условно не показан). Вектор Н напряженности магнитного поля направлен по нормали к плоскости подложки 1 с образованной на ее поверхности структурой и совпадает с направлением Z тройки векторов (показанной на фиг. 1). Направление X совпадает с длиной подложки 1 структуры, направление Y - с шириной b структуры. Внешний источник магнитного поля (на фиг. не показан) выполнен регулируемым в диапазоне напряженностей Н=2-10 кЭ.
На поверхности немагнитной подложки 1 толщиной S, прилежащей к пленке 2 ЖИГ, образована структура в форме меандра из прямоугольных канавок 4, продольная ось 41 которых перпендикулярна направлению распространения объемных МСВ и совпадает с направлением Y. Пленка 2 ЖИГ повторяет контур выступов 42, боковых граней 43 и пазов 44, образованных канавками 4. Толщина d пленки 2 ЖИГ выбирается в диапазоне d=0,1-10 мкм. Период Т меандра, образованного канавками 4, много больше толщины d пленки 2 (T>>d) и выбран из условия распространения в пленке ЖИГ объемных спиновых МСВ. Глубина W канавок (W<<S) не превышает двух толщин ферромагнитной пленки 2 ЖИГ (т.е. W≤2d) и определяется желаемыми свойствами фильтрации объемных МСВ. Ширина t1 выступов 42 и ширина t2 пазов 44 равны периоду Т меандра.
Пример реализации. Блок-схема многоотводного полосно-заграждающего фильтра на объемных МСВ, выполненного на описанной структуре, показана на фиг. 2. Микрополосковые преобразователи 3 для возбуждения и приема МСВ размещены на образованных канавками 4 выступах 42 с возможностью возбуждения и приема объемных МСВ. Микрополосковый преобразователь 31 предназначен для возбуждения МСВ и размещен на выступе 421. Другие микрополосковые преобразователи 32, 33, 34 (их число выбирается исходя из назначения фильтра и числа отводов) размещены на выступах 422, боковых гранях 431, 432 канавок 4 и обеспечивают прием объемных МСВ (выходы от преобразователей 32-34 условно обозначены поз. 35).
Соответственно, для данной конфигурации приемный преобразователь 32 обеспечивает прием прямых (forward), а преобразователи 33 и 34 - обратных (backward) объемных МСВ.
Рабочая область частот магнонного элемента при его различных применениях, например, в качестве фильтра на МСВ или логического вентиля, управляемого магнитным полем может быть легко перестроена в широких пределах путем изменения насыщающего магнитного поля.

Claims (9)

1. Функциональный элемент магноники, содержащий немагнитную подложку, размещенную на ней ферромагнитную пленку из железоиттриевого граната (ЖИГ), микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема магнитостатических спиновых волн (МСВ) в пленке ЖИГ, источник магнитного поля,
отличающийся тем, что
на поверхности подложки, прилежащей к пленке ЖИГ, образована структура в форме меандра из канавок, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения МСВ, при этом пленка ЖИГ повторяет контур образованных канавками выступов, боковых граней и пазов, а магнитное поле источника магнитного поля ориентировано перпендикулярно к плоскости подложки с возможностью возбуждения в пленке ЖИГ объемных МСВ.
2. Функциональный элемент магноники по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из галлий-гадолиниевого граната.
3. Функциональный элемент магноники по п. 1, отличающийся тем, что глубина канавок составляет от 0,1 до 0,5 толщины пленки ЖИГ, а период канавок составляет от 50 до 100 толщины пленки ЖИГ.
4. Функциональный элемент магноники по п. 1, отличающийся тем, что канавки имеют в сечении прямоугольную или трапециевидную форму.
5. Функциональный элемент магноники по п. 1, отличающийся тем, что толщина пленки ЖИГ составляет 1-10 мкм при намагниченности М насыщения в диапазоне от 130 до 150 Гс.
6. Функциональный элемент магноники по п. 1, отличающийся тем, что по меньшей мере один микрополосковый преобразователь для возбуждения МСВ размещен на образованных выступах, а по меньшей мере один микрополосковый преобразователь для приема МСВ - на боковых гранях выступов и/или в пазах, образованных канавками, с возможностью приема прямых и обратных объемных МСВ.
7. Функциональный элемент магноники по п. 1, отличающийся тем, что при реализации многоотводного полосно-заграждающего фильтра на объемных МСВ период канавок выбран из условия кратности целому числу длин полуволн.
RU2019102095A 2019-01-25 2019-01-25 Функциональный элемент магноники RU2697724C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019102095A RU2697724C1 (ru) 2019-01-25 2019-01-25 Функциональный элемент магноники

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019102095A RU2697724C1 (ru) 2019-01-25 2019-01-25 Функциональный элемент магноники

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2697724C1 true RU2697724C1 (ru) 2019-08-19

Family

ID=67640551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019102095A RU2697724C1 (ru) 2019-01-25 2019-01-25 Функциональный элемент магноники

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2697724C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2745541C1 (ru) * 2020-08-06 2021-03-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Управляемый электрическим полем функциональный элемент магноники
RU205097U1 (ru) * 2020-12-23 2021-06-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Фильтр на основе 3d-магнонной структуры
RU2758000C1 (ru) * 2021-04-21 2021-10-25 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Мажоритарный элемент на спиновых волнах
RU223471U1 (ru) * 2023-12-18 2024-02-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Фильтр свч-сигнала на магнитостатических спиновых волнах

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2454788C1 (ru) * 2011-04-04 2012-06-27 Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Модулятор свч на поверхностных магнитостатических волнах
US8487391B2 (en) * 2008-05-28 2013-07-16 Seoul National University Industry Foundation Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency
US20170104150A1 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Jing Shi Spin Current Devices and Methods of Fabrication Thereof
RU2617143C1 (ru) * 2016-03-30 2017-04-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах
RU2666969C1 (ru) * 2017-12-12 2018-09-13 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Нелинейный делитель мощности свч сигнала на спиновых волнах

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8487391B2 (en) * 2008-05-28 2013-07-16 Seoul National University Industry Foundation Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency
RU2454788C1 (ru) * 2011-04-04 2012-06-27 Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Модулятор свч на поверхностных магнитостатических волнах
US20170104150A1 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Jing Shi Spin Current Devices and Methods of Fabrication Thereof
RU2617143C1 (ru) * 2016-03-30 2017-04-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах
RU2666969C1 (ru) * 2017-12-12 2018-09-13 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Нелинейный делитель мощности свч сигнала на спиновых волнах

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2745541C1 (ru) * 2020-08-06 2021-03-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Управляемый электрическим полем функциональный элемент магноники
RU205097U1 (ru) * 2020-12-23 2021-06-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Фильтр на основе 3d-магнонной структуры
RU2758000C1 (ru) * 2021-04-21 2021-10-25 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Мажоритарный элемент на спиновых волнах
RU223471U1 (ru) * 2023-12-18 2024-02-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Фильтр свч-сигнала на магнитостатических спиновых волнах
RU2822613C1 (ru) * 2023-12-18 2024-07-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Пространственно-частотный фильтр на магнитостатических волнах

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2697724C1 (ru) Функциональный элемент магноники
Bongianni Magnetostatic propagation in a dielectric layered structure
US3560893A (en) Surface strip transmission line and microwave devices using same
Zhu et al. Magnon-photon strong coupling for tunable microwave circulators
RU2617143C1 (ru) Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах
RU2623666C1 (ru) Трехканальный направленный ответвитель свч сигнала на магнитостатических волнах
RU2666968C1 (ru) Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах
Demidov et al. Electrical tuning of dispersion characteristics of surface electromagnetic-spin waves propagating in ferrite-ferroelectric layered structures
RU2686584C1 (ru) Управляемый ответвитель СВЧ сигнала на магнитостатических волнах
Fetisov et al. Ferrite/piezoelectric microwave phase shifter: studies on electric field tunability
RU2594382C1 (ru) Регулируемая свч линия задержки на поверхностных магнитостатических волнах
Goto et al. One-dimensional magnonic crystal with Cu stripes for forward volume spin waves
Beginin et al. Collective and localized modes in 3D magnonic crystals
RU2707391C1 (ru) Реконфигурируемый мультиплексор ввода-вывода на основе кольцевого резонатора
RU2702915C1 (ru) Функциональный компонент магноники на многослойной ферромагнитной структуре
RU2702916C1 (ru) Устройство на магнитостатических волнах для пространственного разделения свч-сигналов разного уровня мощности
US3748605A (en) Tunable microwave filters
RU2736286C1 (ru) Управляемый четырехканальный пространственно распределённый мультиплексор на магнитостатических волнах
RU2707756C1 (ru) Управляемый электрическим полем делитель мощности на магнитостатических волнах с функцией фильтрации
RU2706441C1 (ru) Управляемый многоканальный фильтр свч-сигнала на основе магнонного кристалла
Vysotskii et al. Bragg resonances of magnetostatic surface waves in a ferrite-magnonic-crystal-dielectric-metal structure
RU2754086C1 (ru) Фильтр-демультиплексор свч-сигнала
Tsai Wideband tunable microwave devices using ferromagnetic film–gallium arsenide material structures
US4777462A (en) Edge coupler magnetostatic wave structures
RU2736922C1 (ru) Элемент пространственно-частотной фильтрации сигнала на основе магнонных кристаллов

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210126

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20220124