RU2666968C1 - Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах - Google Patents
Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2666968C1 RU2666968C1 RU2017143463A RU2017143463A RU2666968C1 RU 2666968 C1 RU2666968 C1 RU 2666968C1 RU 2017143463 A RU2017143463 A RU 2017143463A RU 2017143463 A RU2017143463 A RU 2017143463A RU 2666968 C1 RU2666968 C1 RU 2666968C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic element
- period
- triangular elements
- piezoelectric element
- filter
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 230000005418 spin wave Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотного фильтра. Сущность изобретения заключается в том, что частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеющий форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 смдо 300 см, пьезоэлектрический элемент, имеющий длину меньше длины магнитного элемента, наружный электрод пьезоэлектрического элемента, выполненный сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т=2Р, где Р - период треугольных элементов. Технический результат – создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот, уменьшение размеров до микроразмерной области и упрощение конструкции. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах и может быть использовано в качестве частотного фильтра.
Функциональные элементы на магнитостатических волнах, в которых происходят процессы переноса магнитного момента или спина электрона вместо переноса заряда, открывают новые возможности для применения спиновых волн при построении элементной базы приборов обработки, передачи и хранения информации [Никитов С.А., и др. Магноника - новое направление спинтроники и спинволновой электроники//УФН, Т. 185, №10, с. 1099-1128 (2015)].
Известен невзаимный перестраиваемый полосовой фильтр (WO 2014052913 А1, Northeastern University, 03.04.2014), включающий в себя преобразователь, содержащий параллельно соединенные проводящие линии и ферритовый слой, так что параллельные края ферритового слоя наклонены под ненулевым углом Θ относительно параллельных сопряженных микрополосковых линий микрополоскового преобразователя. Благодаря такой конструкции отраженная от боковых граней ферритовой пленки поверхностная волна преобразуется обратно в объемную, не образуя стоячую волну, и, следовательно, не попадает в выходной сигнал. Таким образом, осуществляется невзаимная фильтрация спиновых волн, что позволяет подавить побочные моды, образующиеся из-за пространственного резонанса во взаимных фильтрах, но вносит значительные потери, что и является недостатком данного устройства.
Известен СВЧ фильтр, содержащий электромагнит, в зазоре которого расположен ферритовый резонатор на диэлектрической подложке с нанесенными на поверхность подложки входной и выходной микрополосковыми линиями (RU 2393594 С1, СГУ, Саратов, 27.06.2010). Недостатком данного устройства является относительно широкополосный режим работы и управление только центральной частотой амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) при изменении внешнего поля подмагничивания, которое необходимо для функционирования устройства.
Известен частотный фильтр на основе магнонного кристалла, используемый для управления частотой спиновых волн (WO 2009145579 А2, Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency, Seoul National University Industry Foundation, 03.12.2009). Устройство состоит из волновода на основе тонкой магнитной пленки. Волновод имеет три секции, одна из которых представляет собой периодическую структуру - магнонный кристалл, образованный путем периодического изменения ширины либо толщины ферромагнитной пленки. Недостатком данного устройства является отсутствие возможности управления свойствами спектра спиновых волн путем изменения управляющих параметров.
Известен СВЧ-фильтр (RU 167504 U1, СГУ, Саратов, 10.01.2017). Он содержит слой железоиттриевого граната (ЖИГ) на подложке из галлий-гадолиниевого граната и сегнетоэлектрический слой, расположенный со стороны, противоположной подложке. Согласно решению отношение ширины слоя ЖИГ к его толщине не превышает 350, а поперечные размеры и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрического слоя выбираются такими, чтобы в рабочем диапазоне частот в сегнетоэлектрическом слое распространялись только младшие поперечные моды ТЕ-волны. Управление как шириной полосы пропускания, так и ее центральной частотой осуществляется вариацией величин внешнего магнитного и электрического полей, а также фазовыми и групповыми скоростями отдельных мод волн. Недостаток данного устройства - отсутствие возможности контроля полосы непропускания и частотной области. Кроме того, изменение полярности приложенного напряжения не позволяет измененить направление смещения полосы непропускания и частотной области.
Наиболее близким к заявляемому является устройство на магнитостатических волнах (US 7528688 (В2), UNIV OAKLAND, USA, 05.05.2009 - прототип). Представляет слоистую структуру на подложке из галлий-гадолиниевого граната, на которой расположена пленка из ЖИГ, которая нагружена пьезоэлектрическим слоем. Данный тип структуры может быть использован в качестве микроволновых резонаторов, полосовых фильтров и линий задержки. Недостатком данных устройств являются большие толщины пленок ЖИГ и вследствие этого необходимость приложения больших величин внешнего магнитного поля и получения широких полос пропускания порядка 500 МГц.
Проблема, на решение которой направлено изобретение, состоит в усовершенствовании конструкции спин-волнового фильтра, управляемого как магнитным, так и электрическим полем.
Патентуемый частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит подложку, размещенные на подложке магнитный элемент, выполненный из пленки железоиттриевого граната, пьезоэлектрический элемент с металлическими электродами, образованный на поверхности магнитного элемента, входной и выходной преобразователи магнитостатических волн.
Отличие состоит в том, что магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеет форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, размещенных на противолежащих сторонах прямоугольника. Период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.
Пьезоэлектрический элемент имеет длину, меньшую длины магнитного элемента, а входной и выходной преобразователи магнитостатических волн размещены на свободной поверхности магнитного элемента со стороны заостренных торцов, при этом наружный электрод пьезоэлектрического элемента выполнен сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т = 2Р, где Р -период треугольных элементов.
Фильтр может характеризоваться тем, что глубина треугольных элементов П2 определяется из условия h.2=w0/5, w0 - ширина магнонного кристалла, а также тем, что треугольные элементы имеют период Р =250 мкм, а глубину - h2 =200 мкм.
Фильтр может характеризоваться и тем, что подложка выполнена из неферромагнитного галлий-гадолиниевого граната, а кроме того, тем, что входной и выходной преобразователи магнитостатических волн представляют собой микрополосковые элементы.
Фильтр может характеризоваться также тем, что пьезоэлектрический элемент выполнен из поляризированной по толщине пластины керамики цирконата-титаната свинца, при этом металлические электроды выполнены из никеля.
Технический результат - создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот посредством воздействия статическим электрическим и магнитным полями при уменьшении размеров до микроразмерной области и упрощении конструкции.
Изобретение поясняется чертежами, где:
фиг. 1 представлена конструкция устройства;
фиг. 2 - конструкция, вид сверху;
фиг. 3 - то же, что на фиг.2, неоднородности, укрупнено;
фиг. 4 - результат исследования распространения волны в фильтре;
фиг. 5 - частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля. Позициями на чертежах обозначены:
1 - подложка из пленки галлий гадолиниевого граната (ГГГ);
2 - входная микрополосковая антенна;
3, 4 -металлические электроды встречно-штыревого преобразователя;
5 - наружный электрод пьезоэлектрического элемента;
6 - пьезоэлектрический элемент;
7 - магнонный кристалл - магнитный элемент, выполненный из пленки ЖИГ; 71 - треугольные элементы на противолежащих сторонах элемента 7;
8 - выходная микрополосковая антенна.
Устройство (см. фиг. 1-3) содержит подложку 1 из пленки галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) с размерами ШхДхТ=1300×4000×500(мкм). На поверхности подложки 1 сформирован магнонный кристалл 7 на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) толщиной 7,7 мкм и намагниченностью насыщения М0=139Гс. На пленке расположены входная 2 и выходная 8 микрополосковые антенны шириной 30 мкм, обеспечивающие возбуждение и прием магнитостатических волн. Входная антенна 2 расположена на одном конце магнонного кристалла 7, а выходная антенна 8 расположена на втором конце магнонного кристалла 7. На поверхности магнонного кристалла 7, между входной 2 и выходной 8 антеннами расположен пьезоэлектрический элемент 6 в виде пленки цирконата титаната свинца (ЦТС) с размерами (ШхДхТ) 500 мкм × 3000 мкм × 400 мкм. На верхней части пьезоэлектрического элемента 6 образован сплошной металлический электрод 5 из хрома, обеспечивающий заземление.
На нижней части пьезоэлектрического элемента 6, на поверхности магнонного кристалла 7 расположены металлические электроды 3 и 4 из никеля, которые с помощью лазерной резки выполнены в виде встречно-штыревой системы для подачи разных по знаку значений напряжения (см. фиг. 2, 3). Ширина магнонного кристалла w0 - 1000 мкм, длина 6 мм. Внешнее магнитное поле H0 направлено касательно вдоль оси х (см. фиг. 1). Магнонный кристалл 7 может быть образован лазерным скрайбированием или другим известным методом из пленки ЖИГ шириной W0 путем выполнения периодических неоднородностей в форме треугольных элементов 71 на противолежащих сторонах элемента 7. Период Р треугольных элементов 71 выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.
Принцип работы данного фильтра заключается в том, что входной микроволновый СВЧ сигнал, частота которого должна лежать в диапазоне, определяемом величиной внешнего постоянного магнитного поля, подается на входную микрополосковую антенну 2. Далее микроволновый сигнал преобразуется в поверхностную магнитостатическую волну (ПМСВ), распространяющуюся вдоль длины магнонного кристалла 7. Периодическая решетка треугольных элементов 71 на макете фильтра имеет период Р =250 мкм и глубину h2 =200 мкм (см. фиг. 2 и 3) и обеспечивает эффективное создание запрещенной зоны Брэгга.
Электрическая перестройка частоты возможна благодаря магнитоэлектрическому (МЭ) взаимодействию в структуре, которое заключается в следующем. Электрическое поле вызывает деформацию пьезоэлектрического элемента 6 вследствие обратного пьезоэффекта. Деформация передается магнонному кристаллу 7, который механически связан с пьезоэлектрическим элементом 6. Вследствие указанного пьезомагнитного эффекта изменяется внутреннее магнитное поле в магнонном кристалле 7, приводящее к изменению дисперсионной характеристики волнового процесса в структуре. Это позволяет реализовать двойное управление свойствами волны и соответственно, характеристиками устройства. Управление осуществляется путем воздействия на характеристики магнонного кристалла 7 и элемента 6 при изменении приложенных к ним соответственно внешнего магнитного и электрического полей. Как показано на фиг.2, электроды 3 и 4 образуют встречно-штыревую систему преобразователя, и период Т этой системы связан с периодом треугольных элементов 71 боковой поверхности 7 магнонного кристалла Р, как Т =2Р. При этом каждый электрод встречно-штыревой системы имеет ширину W =250 мкм, совпадающую с основанием треугольного элемента 71 и глубину h1 =800 мкм (см. фиг. 3). Вследствие этого обеспечивается более эффективное управление спиновыми волнами, распространяющимися в предложенном устройстве. Ввиду конечной ширины W0 магнонного кристалла 7 при распространении ПМСВ реализуется многомодовый режим распространения.
На фиг. 4 представлены результаты экспериментального исследования распространения волны в фильтре. Методом Мандельштам-Бриллюэновского рассеяния света (МБРС) проведено исследование особенностей распространения поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ) в изготовленном макете на частоте входного сигнала 2,519 ГГц (а) и 2,55 ГГц (б). Представлена карта распределения интенсивности I магнитостатической волны. Основная роль в формировании пространственной картины распределения интенсивности играет межмодовое взаимодействие волн и их рассеяние на границах магнонного кристалла. Эти механизмы приводят к быстрому пространственному затуханию ПМСВ и образованию широкой запрещенной зоны. При увеличении частоты наблюдается перераспределение интенсивности ПМСВ от края магнонного кристалла до его продольной оси. Эффективность рассеяния ПМСВ на периодических неоднородностях магнонного кристалла 7 уменьшается, и при распространении волны профиль поперечного распределения интенсивности I (x,z) приближается к распределению в виде sin2(πz/w0), где W0 - ширина магнонного кристалла 7, для основной моды. В этом случае образуется брэгговская запрещенная зона.
На фиг. 5 представлены частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля Е: кривая 9 - в случае Е<0; кривая 10 - в случае Е =0; кривая 11 - в случае Е>0.
С помощью векторного анализатора цепей была получена амплитудно-частотная характеристика патентуемого фильтра. Коэффициент передачи S21 в частотной области запрещенной зоны показан кривой 10. Частотный сдвиг запрещенной зоны может быть как положительным, если прикладываемое поле Е>0 (кривая 11), так и отрицательным -если прикладываемое поле Е<0 (кривая 9). Таким образом, имеет место двойное управление в предложенном фильтре.
Таким образом, приведенные результаты обосновывают достижение технического результата. За счет конечной ширины образованного магнонного кристалла, частотный фильтр на магнитостатических волнах на основе слоистой структуры работает в многомодовом режиме. Это позволяет расширить функциональные возможности телекоммуникационных систем с большой плотностью информационного сигнала и использовать как частотный фильтр с двойным управлением как функциональный элемент магнонной сети.
Claims (10)
1. Частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах, содержащий подложку, размещенные на подложке магнитный элемент, выполненный из пленки железоиттриевого граната, пьезоэлектрический элемент с металлическими электродами, образованный на поверхности магнитного элемента, входной и выходной преобразователи магнитостатических волн,
отличающийся тем, что
магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеет форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, размещенных на противолежащих сторонах прямоугольника, причем период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1;
пьезоэлектрический элемент имеет длину, меньшую длины магнитного элемента, а входной и выходной преобразователи магнитостатических волн размещены на свободной поверхности магнитного элемента со стороны заостренных торцов,
при этом наружный электрод пьезоэлектрического элемента выполнен сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т=2Р, где Р - период треугольных элементов.
2. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что глубина треугольных элементов h2 определяется из условия h2=w0/5, где w0 - ширина магнонного кристалла.
3. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что треугольные элементы имеют период Р=250 мкм, а глубину h2=200 мкм.
4. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из неферромагнитного галлий-гадолиниевого граната.
5. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что входной и выходной преобразователи магнитостатических волн представляют собой микрополосковые элементы.
6. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что пьезоэлектрический элемент выполнен из поляризированной по толщине пластины керамики цирконата-титаната свинца, при этом металлические электроды выполнены из никеля.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017143463A RU2666968C1 (ru) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017143463A RU2666968C1 (ru) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2666968C1 true RU2666968C1 (ru) | 2018-09-13 |
Family
ID=63580330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017143463A RU2666968C1 (ru) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2666968C1 (ru) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU186801U1 (ru) * | 2018-09-24 | 2019-02-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Радиофотонный СВЧ фильтр |
| RU2702916C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-10-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Устройство на магнитостатических волнах для пространственного разделения свч-сигналов разного уровня мощности |
| RU2706441C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-11-19 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Управляемый многоканальный фильтр свч-сигнала на основе магнонного кристалла |
| RU2745541C1 (ru) * | 2020-08-06 | 2021-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Управляемый электрическим полем функциональный элемент магноники |
| RU2754086C1 (ru) * | 2020-12-23 | 2021-08-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Фильтр-демультиплексор свч-сигнала |
| RU215708U1 (ru) * | 2022-10-20 | 2022-12-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Пространственно-частотный фильтр на магнитостатических волнах |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU66612U1 (ru) * | 2006-11-29 | 2007-09-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" | Свч элемент на эпитаксиальной структуре |
| US7528688B2 (en) * | 2005-07-29 | 2009-05-05 | Oakland University | Ferrite-piezoelectric microwave devices |
| CN103117439A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-22 | 中国计量学院 | 发卡型磁电双可调微波滤波器及其调节方法 |
| RU167504U1 (ru) * | 2016-01-12 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Свч-фильтр с двойным управлением на основе феррит-сегнетоэлектрической структуры |
| RU2617143C1 (ru) * | 2016-03-30 | 2017-04-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах |
-
2017
- 2017-12-12 RU RU2017143463A patent/RU2666968C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7528688B2 (en) * | 2005-07-29 | 2009-05-05 | Oakland University | Ferrite-piezoelectric microwave devices |
| RU66612U1 (ru) * | 2006-11-29 | 2007-09-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" | Свч элемент на эпитаксиальной структуре |
| CN103117439A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-22 | 中国计量学院 | 发卡型磁电双可调微波滤波器及其调节方法 |
| RU167504U1 (ru) * | 2016-01-12 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Свч-фильтр с двойным управлением на основе феррит-сегнетоэлектрической структуры |
| RU2617143C1 (ru) * | 2016-03-30 | 2017-04-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU186801U1 (ru) * | 2018-09-24 | 2019-02-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Радиофотонный СВЧ фильтр |
| RU2702916C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-10-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Устройство на магнитостатических волнах для пространственного разделения свч-сигналов разного уровня мощности |
| RU2706441C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-11-19 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Управляемый многоканальный фильтр свч-сигнала на основе магнонного кристалла |
| RU2745541C1 (ru) * | 2020-08-06 | 2021-03-26 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Управляемый электрическим полем функциональный элемент магноники |
| RU2754086C1 (ru) * | 2020-12-23 | 2021-08-26 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Фильтр-демультиплексор свч-сигнала |
| RU215708U1 (ru) * | 2022-10-20 | 2022-12-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Пространственно-частотный фильтр на магнитостатических волнах |
| RU2813706C1 (ru) * | 2023-11-02 | 2024-02-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Пространственно-частотный фильтр на магнитостатических волнах |
| RU2813745C1 (ru) * | 2023-11-02 | 2024-02-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Управляемый пространственно-частотный фильтр свч сигнала на спиновых волнах |
| RU223471U1 (ru) * | 2023-12-18 | 2024-02-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Фильтр свч-сигнала на магнитостатических спиновых волнах |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2666968C1 (ru) | Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах | |
| US7528688B2 (en) | Ferrite-piezoelectric microwave devices | |
| US10033078B2 (en) | Tunable magnonic crystal device and filtering method | |
| RU2623666C1 (ru) | Трехканальный направленный ответвитель свч сигнала на магнитостатических волнах | |
| RU2617143C1 (ru) | Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах | |
| US8280210B2 (en) | Apparatus employing multiferroic materials for tunable permittivity or permeability | |
| US20150380790A1 (en) | Voltage tuning of microwave magnetic devices using magnetoelectric transducers | |
| Ustinov et al. | Multiferroic periodic structures based on magnonic crystals for electronically tunable microwave devices | |
| RU2686584C1 (ru) | Управляемый ответвитель СВЧ сигнала на магнитостатических волнах | |
| US3696312A (en) | Cyclotron resonance devices controllable by electric fields | |
| JP2006504345A (ja) | 薄い金属膜に基づいた静磁波デバイス、これを製造するための方法、及びマイクロ波信号を処理するためのデバイスへの応用 | |
| Demidov et al. | Electrical tuning of dispersion characteristics of surface electromagnetic-spin waves propagating in ferrite-ferroelectric layered structures | |
| RU2594382C1 (ru) | Регулируемая свч линия задержки на поверхностных магнитостатических волнах | |
| RU2707391C1 (ru) | Реконфигурируемый мультиплексор ввода-вывода на основе кольцевого резонатора | |
| RU2697724C1 (ru) | Функциональный элемент магноники | |
| Lin et al. | Integrated non-reciprocal dual H-and E-field tunable bandpass filter with ultra-wideband isolation | |
| RU167504U1 (ru) | Свч-фильтр с двойным управлением на основе феррит-сегнетоэлектрической структуры | |
| RU2707756C1 (ru) | Управляемый электрическим полем делитель мощности на магнитостатических волнах с функцией фильтрации | |
| RU2454788C1 (ru) | Модулятор свч на поверхностных магнитостатических волнах | |
| RU2706441C1 (ru) | Управляемый многоканальный фильтр свч-сигнала на основе магнонного кристалла | |
| RU2702915C1 (ru) | Функциональный компонент магноники на многослойной ферромагнитной структуре | |
| Nikitin et al. | Microwave tunable devices on the YIG-VO2 structures | |
| RU2754086C1 (ru) | Фильтр-демультиплексор свч-сигнала | |
| US4777462A (en) | Edge coupler magnetostatic wave structures | |
| RU2745541C1 (ru) | Управляемый электрическим полем функциональный элемент магноники |