JPH027612A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH027612A JPH027612A JP15782788A JP15782788A JPH027612A JP H027612 A JPH027612 A JP H027612A JP 15782788 A JP15782788 A JP 15782788A JP 15782788 A JP15782788 A JP 15782788A JP H027612 A JPH027612 A JP H027612A
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- magnetostatic wave
- antenna
- wave device
- yig
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
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- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は静磁波装置に関し、特にGGG基板の表面に
YrG薄膜が形成された、静磁波装置に関する。
YrG薄膜が形成された、静磁波装置に関する。
(従来技術)
第2図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。この静磁波装置1は、GGG (
ガドリニウム、ガリウム、ガーネット)基板2を含み、
このGGG基板2の一方主面には、YIG(イツトリウ
ム、アイアン、ガーネッ))911513が形成される
。さらに、Y I G 薄膜3上には、たとえば線状の
入力アンテナ4と出力アンテナ5とが間隔を隔てて設け
られる。入力アンテナ4は、その一方端が接地され、そ
の他方端が入力端子(図示せず)に接続される。また、
出力アンテナ5は、その一方端が接地され、その他方端
が出力端子(図示せず)に接続される。
を示す斜視図である。この静磁波装置1は、GGG (
ガドリニウム、ガリウム、ガーネット)基板2を含み、
このGGG基板2の一方主面には、YIG(イツトリウ
ム、アイアン、ガーネッ))911513が形成される
。さらに、Y I G 薄膜3上には、たとえば線状の
入力アンテナ4と出力アンテナ5とが間隔を隔てて設け
られる。入力アンテナ4は、その一方端が接地され、そ
の他方端が入力端子(図示せず)に接続される。また、
出力アンテナ5は、その一方端が接地され、その他方端
が出力端子(図示せず)に接続される。
この静磁波装置lには、磁界が印加される。そして、こ
の静磁波装置1では、入力アンテナ4に入力された信号
が静磁波として励起され、その静磁波が、Y I Gi
膜膜上上矢印Bで示す方向に伝搬され出力アンテナ5で
受信される。
の静磁波装置1では、入力アンテナ4に入力された信号
が静磁波として励起され、その静磁波が、Y I Gi
膜膜上上矢印Bで示す方向に伝搬され出力アンテナ5で
受信される。
なお、従来の静磁波装置には、入力アンテナおよび出力
アンテナとして、平行ストリップライン。
アンテナとして、平行ストリップライン。
ミアングライン、インクデジタルラインを用いたものも
あった。
あった。
(発明が解決しようとする問題点)
ところが、このような従来の静磁波装置では、静磁波が
GGG基板の一方主面に形成された1つのYIG薄膜上
にしか伝搬されないため、静磁波のエネルギを伝搬する
効率がわるく挿入損失が大きかった。
GGG基板の一方主面に形成された1つのYIG薄膜上
にしか伝搬されないため、静磁波のエネルギを伝搬する
効率がわるく挿入損失が大きかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入…失の小さ
い静磁波装置を提供することである。
い静磁波装置を提供することである。
C問題点を解決するための手段)
この発明は、GGG基板と、このGGG基板の両主面に
形成されるYIG薄膜と、GGG基板とYIGi膜とを
周回するように設けられるアンテナとを含む、静磁波装
置である。
形成されるYIG薄膜と、GGG基板とYIGi膜とを
周回するように設けられるアンテナとを含む、静磁波装
置である。
(作用)
静磁波が、GGG基板の両主面に形成されたYIG薄膜
上に伝搬される。
上に伝搬される。
(発明の効果)
この発明によれば、静磁波がGGG基板の両主面に形成
されたY T G BI[JI!J上に伝搬されるので
、静磁波のエネルギを伝搬する効率がよくなり挿入損失
が小さくなる。
されたY T G BI[JI!J上に伝搬されるので
、静磁波のエネルギを伝搬する効率がよくなり挿入損失
が小さくなる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。この
静磁波装置10は、GGG (ガドリニウム、ガリウム
、ガーネット)基板12を含む。
静磁波装置10は、GGG (ガドリニウム、ガリウム
、ガーネット)基板12を含む。
GGG基板12の一方主面には、YIG(イツトリウム
、アイアン、ガーネット)薄膜14aがたとえば数μm
〜数IOμmの膜厚で形成される。
、アイアン、ガーネット)薄膜14aがたとえば数μm
〜数IOμmの膜厚で形成される。
さらに、GGG基板12の他方主面にも、YIG薄膜1
4bがたとえば数μm〜数10μmの膜厚で形成される
。この場合、これらのy+GM膜14aおよび14bを
同じ物性定数を有するように形成することが好ましい。
4bがたとえば数μm〜数10μmの膜厚で形成される
。この場合、これらのy+GM膜14aおよび14bを
同じ物性定数を有するように形成することが好ましい。
また、GGG基板12とYIG薄膜14aおよび14b
との一端側には、それらを周回するようにして、たとえ
ば線材からなるソレノイド状ないしコイル状の人力アン
テナ16が設けられる。この入力アンテナ16は、その
一方端が接地され、その他方端が入力端子(図示せず)
に接続される。
との一端側には、それらを周回するようにして、たとえ
ば線材からなるソレノイド状ないしコイル状の人力アン
テナ16が設けられる。この入力アンテナ16は、その
一方端が接地され、その他方端が入力端子(図示せず)
に接続される。
さらに、GGG基板12とYIG薄膜14aおよび14
bとの他端側には、それらを周回するようにして、たと
えば線材からなるソレノイド状ないしコイル状の出力ア
ンテナ18が設けられる。
bとの他端側には、それらを周回するようにして、たと
えば線材からなるソレノイド状ないしコイル状の出力ア
ンテナ18が設けられる。
この出力アンテナ18は、それらの一方端が接地され、
それらの他方端が出力端子(図示せず)に接続される。
それらの他方端が出力端子(図示せず)に接続される。
この静磁波装置10は、たとえば、YIG薄膜14、i
lおよび14bの主面に直交する方向(矢印Xで示す方
向)に、直流磁界が印加されて使用される。そして、入
力端子に信号を入力すれば、その信号が体積前進静磁波
(MSFVW)として励起される。そして、その体積前
進静磁波は、2つのYIG薄膜14aおよび14b上に
矢印Aで示すように入力アンテナ16から出力アンテナ
18側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進静
磁波は、出力アンテナ18で受信される。したがって、
ごの静磁波装置10では、第2図に示す従来例に比べて
、静磁波が2つのYTG薄膜14aおよび14b上に伝
搬されるため、静磁波のエネルギを伝搬する効率が約2
倍になり挿入損失が小さくなる。
lおよび14bの主面に直交する方向(矢印Xで示す方
向)に、直流磁界が印加されて使用される。そして、入
力端子に信号を入力すれば、その信号が体積前進静磁波
(MSFVW)として励起される。そして、その体積前
進静磁波は、2つのYIG薄膜14aおよび14b上に
矢印Aで示すように入力アンテナ16から出力アンテナ
18側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進静
磁波は、出力アンテナ18で受信される。したがって、
ごの静磁波装置10では、第2図に示す従来例に比べて
、静磁波が2つのYTG薄膜14aおよび14b上に伝
搬されるため、静磁波のエネルギを伝搬する効率が約2
倍になり挿入損失が小さくなる。
さらに、YTG薄膜14aおよび14bの膜厚が数μm
〜数IOμmと非常に薄いので、この静磁波装置10は
、第2図に示す従来例に比べて、その形状ないし大きさ
がほとんど変わらない。
〜数IOμmと非常に薄いので、この静磁波装置10は
、第2図に示す従来例に比べて、その形状ないし大きさ
がほとんど変わらない。
なお、静磁波装置10には、YIG薄膜14aおよび1
4bに対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向(矢印Yで示す方向)に611界を印加してもよ
い。この場合、2つのYIG薄膜14aおよび14b上
には、表面静磁波(MSSW)が、入力アンテナI6か
ら出力アンテナ18側に伝搬される。あるいは、YIG
薄膜14aおよび14bに対して平行でかつ静磁波の伝
搬方向に対して平行な方向(矢印Zで示す方向)に磁界
を印加してもよい。この場合、YIG薄膜14aおよび
14b上には、体積後退静磁波(MSBVW)が、入力
アンテナ16から出力アンテナ18側に伝搬される。こ
のように、静磁波装置lOに印加する磁界の方向を任意
に変更してもよい。
4bに対して平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向(矢印Yで示す方向)に611界を印加してもよ
い。この場合、2つのYIG薄膜14aおよび14b上
には、表面静磁波(MSSW)が、入力アンテナI6か
ら出力アンテナ18側に伝搬される。あるいは、YIG
薄膜14aおよび14bに対して平行でかつ静磁波の伝
搬方向に対して平行な方向(矢印Zで示す方向)に磁界
を印加してもよい。この場合、YIG薄膜14aおよび
14b上には、体積後退静磁波(MSBVW)が、入力
アンテナ16から出力アンテナ18側に伝搬される。こ
のように、静磁波装置lOに印加する磁界の方向を任意
に変更してもよい。
なお、上述の実施例では、人力アンテナおよび出力アン
テナとして、それぞれ、線材からなるソレノイド状ない
しコイル状のアンテナを用いたが、この発明では、入力
アンテナおよび出力アンテナとして、それぞれ、たとえ
ばストリップラインからなるソレノイド状ないしコイル
状のアンテナを用いてもよい。
テナとして、それぞれ、線材からなるソレノイド状ない
しコイル状のアンテナを用いたが、この発明では、入力
アンテナおよび出力アンテナとして、それぞれ、たとえ
ばストリップラインからなるソレノイド状ないしコイル
状のアンテナを用いてもよい。
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第2図はこの発明の背景となる従来の静磁波装置の一例
を示す斜視図である。 図において、lOは静磁波装置、12はGGG基板、1
4aおよび14bはYIG薄膜、16は入力アンテナ、
18は出力アンテナを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
を示す斜視図である。 図において、lOは静磁波装置、12はGGG基板、1
4aおよび14bはYIG薄膜、16は入力アンテナ、
18は出力アンテナを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 GGG基板、 前記GGG基板の両主面に形成されるYIG薄膜、およ
び 前記GGG基板と前記YIG薄膜とを周回するようにし
て設けられるアンテナを含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15782788A JPH027612A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15782788A JPH027612A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 静磁波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027612A true JPH027612A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15658186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15782788A Pending JPH027612A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH027612A (ja) |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15782788A patent/JPH027612A/ja active Pending
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