JPH06196904A - 静磁波フィルタ - Google Patents
静磁波フィルタInfo
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- JPH06196904A JPH06196904A JP35892092A JP35892092A JPH06196904A JP H06196904 A JPH06196904 A JP H06196904A JP 35892092 A JP35892092 A JP 35892092A JP 35892092 A JP35892092 A JP 35892092A JP H06196904 A JPH06196904 A JP H06196904A
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- magnetostatic
- wave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＹＩＧ薄膜の入力部と出力部のそれぞれより
外側へ伝搬する静磁波によるフィルタ特性への悪影響を
少なくすること。 【構成】 ＧＧＧ基板４２上にＹＩＧ薄膜４４を形成し
て静磁波素子４０を形成し、この静磁波素子４０に直流
磁界１６を印加して、ＹＩＧ薄膜４４に入力した電磁波
を静磁波に変換して出力部へ伝搬させる静磁波フィルタ
において、ＹＩＧ薄膜４４の入力部と出力部のそれぞれ
の外側の反射面４６、４８と５０、５２を、矢印５４で
示すように、静磁波が順次外側へ向かって反射する形状
に形成する。このため、ＹＩＧ薄膜４４の入力部と出力
部のそれぞれより外側へ伝搬する静磁波を反射で減衰さ
せて、フィルタ特性に悪影響を与える静磁波が本来の静
磁波伝搬領域に戻るのをなくすか、極めて少なくするこ
とができる。
外側へ伝搬する静磁波によるフィルタ特性への悪影響を
少なくすること。 【構成】 ＧＧＧ基板４２上にＹＩＧ薄膜４４を形成し
て静磁波素子４０を形成し、この静磁波素子４０に直流
磁界１６を印加して、ＹＩＧ薄膜４４に入力した電磁波
を静磁波に変換して出力部へ伝搬させる静磁波フィルタ
において、ＹＩＧ薄膜４４の入力部と出力部のそれぞれ
の外側の反射面４６、４８と５０、５２を、矢印５４で
示すように、静磁波が順次外側へ向かって反射する形状
に形成する。このため、ＹＩＧ薄膜４４の入力部と出力
部のそれぞれより外側へ伝搬する静磁波を反射で減衰さ
せて、フィルタ特性に悪影響を与える静磁波が本来の静
磁波伝搬領域に戻るのをなくすか、極めて少なくするこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板（例えばＧＧＧ
（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）基板）上に静
磁波を伝搬するための薄膜（例えばＹＩＧ（イットリウ
ム・鉄・ガーネット）薄膜）を形成することによって静
磁波素子を形成し、この静磁波素子に直流磁界を印加す
ることによって、前記薄膜の入力部に入力した電磁波を
静磁波に変換して出力部へ伝搬させるようにした静磁波
フィルタに関するものである。
（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）基板）上に静
磁波を伝搬するための薄膜（例えばＹＩＧ（イットリウ
ム・鉄・ガーネット）薄膜）を形成することによって静
磁波素子を形成し、この静磁波素子に直流磁界を印加す
ることによって、前記薄膜の入力部に入力した電磁波を
静磁波に変換して出力部へ伝搬させるようにした静磁波
フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の静磁波フィルタは図３お
よび図４に示すように構成されていた。すなわち、ガド
リニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12、略
してＧＧＧと記述する）基板１０上にイットリウム・鉄
・ガーネット（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12、略してＹＩＧと記述す
る）薄膜１２を形成して静磁波素子１４を形成し、この
静磁波素子１４に永久磁石（図示省略）からの直流磁界
１６を印加する。
よび図４に示すように構成されていた。すなわち、ガド
リニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12、略
してＧＧＧと記述する）基板１０上にイットリウム・鉄
・ガーネット（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12、略してＹＩＧと記述す
る）薄膜１２を形成して静磁波素子１４を形成し、この
静磁波素子１４に永久磁石（図示省略）からの直流磁界
１６を印加する。
【０００３】この状態において、ＹＩＧ薄膜１２の入力
部に入力アンテナ１８から電磁波（例えばマイクロ波）
を加えると、静磁波（ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ ｗ
ａｖｅ）が励振され（すなわち電磁波・静磁波変換が行
なわれ）、この静磁波がＹＩＧ薄膜１２を伝搬し（矢印
２０の方向へ伝搬し）、ＹＩＧ薄膜１２の出力部で静磁
波が電磁波に変換され、出力アンテナ２２から取り出さ
れる。
部に入力アンテナ１８から電磁波（例えばマイクロ波）
を加えると、静磁波（ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔｉｃ ｗ
ａｖｅ）が励振され（すなわち電磁波・静磁波変換が行
なわれ）、この静磁波がＹＩＧ薄膜１２を伝搬し（矢印
２０の方向へ伝搬し）、ＹＩＧ薄膜１２の出力部で静磁
波が電磁波に変換され、出力アンテナ２２から取り出さ
れる。
【０００４】そして、ＹＩＧ薄膜１２の入力部で発生し
た静磁波は、出力部側へ伝搬するだけでなく、伝搬方向
２０と反対の外側へも伝搬するので、この逆方向へ伝搬
する静磁波を減衰させるために、ＹＩＧ薄膜１２の平面
形状を図３に示すような平行四辺形に形成していた。す
なわち、伝搬方向２０と交差する二辺が伝搬方向２０に
対してほぼ４５度傾斜するような平行四辺形状に形成す
ることによって反射面２４、２６を形成し、この反射面
２４、２６で逆方向へ伝搬する静磁波を矢印２８に示す
ように反射して減衰させていた。同様にして、反射面３
０、３２でＹＩＧ薄膜１２の出力部より外側へ伝搬する
静磁波を減衰させていた。
た静磁波は、出力部側へ伝搬するだけでなく、伝搬方向
２０と反対の外側へも伝搬するので、この逆方向へ伝搬
する静磁波を減衰させるために、ＹＩＧ薄膜１２の平面
形状を図３に示すような平行四辺形に形成していた。す
なわち、伝搬方向２０と交差する二辺が伝搬方向２０に
対してほぼ４５度傾斜するような平行四辺形状に形成す
ることによって反射面２４、２６を形成し、この反射面
２４、２６で逆方向へ伝搬する静磁波を矢印２８に示す
ように反射して減衰させていた。同様にして、反射面３
０、３２でＹＩＧ薄膜１２の出力部より外側へ伝搬する
静磁波を減衰させていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３お
よび図４に示した従来の装置では、ＹＩＧ薄膜１２の平
面形状を、伝搬方向２０と交差する二辺が伝搬方向２０
に対してほぼ４５度傾斜する平行四辺形状に形成してい
たので、ＹＩＧ薄膜１２の入力部で発生し伝搬方向２０
と反対方向へ伝搬する静磁波が、矢印２８で示すよう
に、反射面２４、２６で順次反射した後、同一経路を逆
に進んで本来の静磁波伝搬領域に戻ってくることにな
り、フィルタ特性悪化の原因になるという問題点があっ
た。ＹＩＧ薄膜１２の出力部より外側へ伝搬する静磁波
についても、反射面３０、３２の反射によって本来の静
磁波伝搬領域に戻ってくるので、同様の問題点があっ
た。
よび図４に示した従来の装置では、ＹＩＧ薄膜１２の平
面形状を、伝搬方向２０と交差する二辺が伝搬方向２０
に対してほぼ４５度傾斜する平行四辺形状に形成してい
たので、ＹＩＧ薄膜１２の入力部で発生し伝搬方向２０
と反対方向へ伝搬する静磁波が、矢印２８で示すよう
に、反射面２４、２６で順次反射した後、同一経路を逆
に進んで本来の静磁波伝搬領域に戻ってくることにな
り、フィルタ特性悪化の原因になるという問題点があっ
た。ＹＩＧ薄膜１２の出力部より外側へ伝搬する静磁波
についても、反射面３０、３２の反射によって本来の静
磁波伝搬領域に戻ってくるので、同様の問題点があっ
た。
【０００６】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
で、薄膜（例えばＹＩＧ薄膜）の入力部より外側へ（本
来の伝搬方向と逆方向へ）伝搬する静磁波と、薄膜の出
力部より外側へ伝搬する静磁波とによるフィルタ特性へ
の悪影響を少なくすることのできる静磁波フィルタを提
供することを目的とするものである。
で、薄膜（例えばＹＩＧ薄膜）の入力部より外側へ（本
来の伝搬方向と逆方向へ）伝搬する静磁波と、薄膜の出
力部より外側へ伝搬する静磁波とによるフィルタ特性へ
の悪影響を少なくすることのできる静磁波フィルタを提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に静磁
波を伝搬するための薄膜を形成することによって静磁波
素子を形成し、この静磁波素子に直流磁界を印加するこ
とによって、前記薄膜の入力部に入力した電磁波を静磁
波に変換して出力部へ伝搬させるようにした静磁波フィ
ルタにおいて、前記薄膜の入力部より外側の反射面を、
前記静磁波の伝搬方向と反対方向へ進む静磁波が順次外
側へ向かって反射する形状に形成し、前記薄膜の出力部
より外側の反射面を、前記静磁波の伝搬方向と同一方向
へ進む静磁波が順次外側へ向かって反射する形状に形成
してなることを特徴とするものである。
波を伝搬するための薄膜を形成することによって静磁波
素子を形成し、この静磁波素子に直流磁界を印加するこ
とによって、前記薄膜の入力部に入力した電磁波を静磁
波に変換して出力部へ伝搬させるようにした静磁波フィ
ルタにおいて、前記薄膜の入力部より外側の反射面を、
前記静磁波の伝搬方向と反対方向へ進む静磁波が順次外
側へ向かって反射する形状に形成し、前記薄膜の出力部
より外側の反射面を、前記静磁波の伝搬方向と同一方向
へ進む静磁波が順次外側へ向かって反射する形状に形成
してなることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】薄膜の入力部で発生し伝搬方向と反対の外側へ
伝搬する静磁波は、薄膜の入力部より外側の反射面で順
次反射することによって減衰する。このとき、この逆方
向へ進む静磁波は、本来の伝搬方向と反対の外側に向か
って順次反射していくので、本来の静磁波伝搬領域に戻
る成分が無くなるか、極めて少なくなる。同様にして、
薄膜の出力部より外側へ伝搬する静磁波は、薄膜の出力
部より外側の反射面によって、外側に向かって順次反射
していくので、本来の静磁波伝搬領域に戻る成分が無く
なるか、極めて少なくなる。
伝搬する静磁波は、薄膜の入力部より外側の反射面で順
次反射することによって減衰する。このとき、この逆方
向へ進む静磁波は、本来の伝搬方向と反対の外側に向か
って順次反射していくので、本来の静磁波伝搬領域に戻
る成分が無くなるか、極めて少なくなる。同様にして、
薄膜の出力部より外側へ伝搬する静磁波は、薄膜の出力
部より外側の反射面によって、外側に向かって順次反射
していくので、本来の静磁波伝搬領域に戻る成分が無く
なるか、極めて少なくなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明による静磁波フィルタの一実施
例を図１および図２を用いて説明する。図１および図２
において、図３および図４と同一部分は同一符号とす
る。図１および図２において、４０は静磁波素子で、こ
の静磁波素子４０は、例えば液相エピタキシャル法など
によって、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ
3Ｇａ5Ｏ12、以下単にＧＧＧと記述する）基板４２上に
イットリウム・鉄・ガーネット（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12、以下単
にＹＩＧと記述する）薄膜４４を形成することによって
構成される。
例を図１および図２を用いて説明する。図１および図２
において、図３および図４と同一部分は同一符号とす
る。図１および図２において、４０は静磁波素子で、こ
の静磁波素子４０は、例えば液相エピタキシャル法など
によって、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（Ｇｄ
3Ｇａ5Ｏ12、以下単にＧＧＧと記述する）基板４２上に
イットリウム・鉄・ガーネット（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12、以下単
にＹＩＧと記述する）薄膜４４を形成することによって
構成される。
【００１０】前記ＧＧＧ基板４２は、その平面形状にお
いて、長手方向が静磁波の伝搬方向２０に一致するとと
もに、伝搬方向２０と反対の方向に向かう２辺と、伝搬
方向と同一の方向に向かう２辺とが、それぞれ頂角の小
さい二等辺三角形の２等辺となる形状に形成されてい
る。前記ＹＩＧ薄膜４４は、前記ＧＧＧ基板４２上に液
相エピタキシャル法などによって形成され、その平面形
状は前記ＧＧＧ基板４２の平面形状と同一に形成されて
いる。そして、前記ＹＩＧ薄膜４４の伝搬方向２０と反
対の方向に向かう２辺と、伝搬方向２０と同一の方向に
向かう２辺とは、それぞれ静磁波の反射面４６、４８と
５０、５２となっている。
いて、長手方向が静磁波の伝搬方向２０に一致するとと
もに、伝搬方向２０と反対の方向に向かう２辺と、伝搬
方向と同一の方向に向かう２辺とが、それぞれ頂角の小
さい二等辺三角形の２等辺となる形状に形成されてい
る。前記ＹＩＧ薄膜４４は、前記ＧＧＧ基板４２上に液
相エピタキシャル法などによって形成され、その平面形
状は前記ＧＧＧ基板４２の平面形状と同一に形成されて
いる。そして、前記ＹＩＧ薄膜４４の伝搬方向２０と反
対の方向に向かう２辺と、伝搬方向２０と同一の方向に
向かう２辺とは、それぞれ静磁波の反射面４６、４８と
５０、５２となっている。
【００１１】つぎに、前記実施例の作用を説明する。静
磁波素子４０に対して、静磁波の伝搬方向２０と直交す
る方向に直流磁界１６を印加する（永久磁石や電磁石に
よって）。この状態において、静磁波素子４０の入力部
に設けられた入力アンテナ１８から電磁波（例えばマイ
クロ波）を加えると静磁波（ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔｉ
ｃ ｗａｖｅ）が励振され（すなわち電磁波・静磁波変
換が行なわれ）、この静磁波はＹＩＧ薄膜４４を矢印の
伝搬方向２０へ伝搬し、出力部では静磁波が電磁波に変
換され、出力アンテナ２２から取り出される。
磁波素子４０に対して、静磁波の伝搬方向２０と直交す
る方向に直流磁界１６を印加する（永久磁石や電磁石に
よって）。この状態において、静磁波素子４０の入力部
に設けられた入力アンテナ１８から電磁波（例えばマイ
クロ波）を加えると静磁波（ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔｉ
ｃ ｗａｖｅ）が励振され（すなわち電磁波・静磁波変
換が行なわれ）、この静磁波はＹＩＧ薄膜４４を矢印の
伝搬方向２０へ伝搬し、出力部では静磁波が電磁波に変
換され、出力アンテナ２２から取り出される。
【００１２】ＹＩＧ薄膜４４の入力部で発生し伝搬方向
と反対の外側へ伝搬する静磁波は、矢印５４で示すよう
に反射面４６、４８で順次反射して減衰する。このと
き、この逆方向へ伝搬する静磁波は、本来の伝搬方向２
０と反対の外側に向かって順次反射して減衰していくの
で、本来の静磁波伝搬領域に戻る成分が無くなるか、極
めて少なくなる。同様にして、ＹＩＧ薄膜４４の出力部
より外側へ伝搬する静磁波は、反射面５０、５２で外側
に向かって順次反射して減衰していくので、本来の静磁
波伝搬領域に戻る成分が無くなるか、極めて少なくな
る。
と反対の外側へ伝搬する静磁波は、矢印５４で示すよう
に反射面４６、４８で順次反射して減衰する。このと
き、この逆方向へ伝搬する静磁波は、本来の伝搬方向２
０と反対の外側に向かって順次反射して減衰していくの
で、本来の静磁波伝搬領域に戻る成分が無くなるか、極
めて少なくなる。同様にして、ＹＩＧ薄膜４４の出力部
より外側へ伝搬する静磁波は、反射面５０、５２で外側
に向かって順次反射して減衰していくので、本来の静磁
波伝搬領域に戻る成分が無くなるか、極めて少なくな
る。
【００１３】このように、ＹＩＧ薄膜４４の入力部で発
生し伝搬方向２０と反対の外側へ伝搬する静磁波や、Ｙ
ＩＧ薄膜４４の出力部より外側へ伝搬する静磁波を減衰
させることができるので、フィルタ特性に悪影響を与え
る静磁波がＹＩＧ薄膜４４の本来の静磁波伝搬領域に戻
るのをなくすか、極めて少なくすることができ、フィル
タ特性悪化を防止することができる。
生し伝搬方向２０と反対の外側へ伝搬する静磁波や、Ｙ
ＩＧ薄膜４４の出力部より外側へ伝搬する静磁波を減衰
させることができるので、フィルタ特性に悪影響を与え
る静磁波がＹＩＧ薄膜４４の本来の静磁波伝搬領域に戻
るのをなくすか、極めて少なくすることができ、フィル
タ特性悪化を防止することができる。
【００１４】前記実施例では、基板（例えばＧＧＧ基
板）の平面形状を薄膜（例えばＹＩＧ薄膜）の平面形状
と同一に形成することによって、基板上に液相エピタキ
シャル法などによって形成される薄膜の製造を簡単にす
るようにしたが、本発明はこれに限るものでなく、基板
の平面形状と薄膜の平面形状を同一にする必要はない。
例えば、基板の平面形状を矩形状に形成し、この基板上
に形成する薄膜の平面形状を、前記実施例と同様の細長
六角形状に形成してもよい。
板）の平面形状を薄膜（例えばＹＩＧ薄膜）の平面形状
と同一に形成することによって、基板上に液相エピタキ
シャル法などによって形成される薄膜の製造を簡単にす
るようにしたが、本発明はこれに限るものでなく、基板
の平面形状と薄膜の平面形状を同一にする必要はない。
例えば、基板の平面形状を矩形状に形成し、この基板上
に形成する薄膜の平面形状を、前記実施例と同様の細長
六角形状に形成してもよい。
【００１５】前記実施例では、薄膜（例えばＹＩＧ薄
膜）の平面形状を細長六角形状に形成することによっ
て、薄膜の入力部より外側の反射面を、静磁波の伝搬方
向と反対の方向に向かう２辺が頂角の小さい二等辺三角
形の２等辺となる形状に形成し、薄膜の出力部より外側
の反射面を、静磁波の伝搬方向と同一の方向に向かう２
辺が頂角の小さい二等辺三角形の２等辺となる形状に形
成するように構成したが、本発明はこれに限るものでな
く、薄膜の入力部より外側の反射面を、静磁波の伝搬方
向と反対方向へ進む静磁波が順次外側へ向かって反射す
る形状に形成し、薄膜の出力部より外側の反射面を、静
磁波の伝搬方向と同一方向へ進む静磁波が順次外側へ向
かって反射する形状に形成するものであればよい。
膜）の平面形状を細長六角形状に形成することによっ
て、薄膜の入力部より外側の反射面を、静磁波の伝搬方
向と反対の方向に向かう２辺が頂角の小さい二等辺三角
形の２等辺となる形状に形成し、薄膜の出力部より外側
の反射面を、静磁波の伝搬方向と同一の方向に向かう２
辺が頂角の小さい二等辺三角形の２等辺となる形状に形
成するように構成したが、本発明はこれに限るものでな
く、薄膜の入力部より外側の反射面を、静磁波の伝搬方
向と反対方向へ進む静磁波が順次外側へ向かって反射す
る形状に形成し、薄膜の出力部より外側の反射面を、静
磁波の伝搬方向と同一方向へ進む静磁波が順次外側へ向
かって反射する形状に形成するものであればよい。
【００１６】例えば、薄膜の入力部より外側の反射面
を、静磁波の伝搬方向と反対の方向に向かう２辺が頂角
の小さい三角形の２つの長い辺となる形状に形成し、薄
膜の出力部より外側の反射面を、静磁波の伝搬方向と同
一の方向に向かう２辺が頂角の小さい三角形の２つの長
い辺となる形状に形成して、静磁波が順次外側へ向かっ
て反射して減衰するようにしてもよい。
を、静磁波の伝搬方向と反対の方向に向かう２辺が頂角
の小さい三角形の２つの長い辺となる形状に形成し、薄
膜の出力部より外側の反射面を、静磁波の伝搬方向と同
一の方向に向かう２辺が頂角の小さい三角形の２つの長
い辺となる形状に形成して、静磁波が順次外側へ向かっ
て反射して減衰するようにしてもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明による静磁波フィルタは、上記の
ように、静磁波素子の薄膜の入力部より外側の反射面
を、静磁波の伝搬方向と反対方向へ進む静磁波が順次外
側へ向かって反射する形状に形成したので、薄膜の入力
部で発生し伝搬方向と反対の外側へ伝搬する静磁波を順
次反射して減衰させることができる。同様にして、薄膜
の出力部より外側へ伝搬する静磁波を順次反射して減衰
させることができる。
ように、静磁波素子の薄膜の入力部より外側の反射面
を、静磁波の伝搬方向と反対方向へ進む静磁波が順次外
側へ向かって反射する形状に形成したので、薄膜の入力
部で発生し伝搬方向と反対の外側へ伝搬する静磁波を順
次反射して減衰させることができる。同様にして、薄膜
の出力部より外側へ伝搬する静磁波を順次反射して減衰
させることができる。
【００１８】このように、薄膜の入力部で発生し伝搬方
向と反対の外側へ伝搬する静磁波や、薄膜の出力部より
外側へ伝搬する静磁波を減衰させることができるので、
フィルタ特性に悪影響を与える静磁波が薄膜の本来の静
磁波伝搬領域に戻るのをなくすか、極めて少なくするこ
とができ、フィルタ特性悪化を防止することができる。
向と反対の外側へ伝搬する静磁波や、薄膜の出力部より
外側へ伝搬する静磁波を減衰させることができるので、
フィルタ特性に悪影響を与える静磁波が薄膜の本来の静
磁波伝搬領域に戻るのをなくすか、極めて少なくするこ
とができ、フィルタ特性悪化を防止することができる。
【図１】本発明による静磁波フィルタの一実施例の概略
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図２】図１の静磁波素子の概略構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】従来の静磁波フィルタの概略構成を示す平面図
である。
である。
【図４】図２の静磁波素子の概略構成を示す斜視図であ
る。
る。
１６…直流磁界、 １８…入力アンテナ、２０…静磁波
の本来の伝搬方向、 ２２…出力アンテナ、４０…静磁
波素子、 ４２…ＧＧＧ基板（基板の一例）、４４…Ｙ
ＩＧ薄膜（薄膜の一例）、４６、４８、５０、５２…Ｙ
ＩＧ薄膜の反射面、５４…ＹＩＧ薄膜４４の入力部で発
生し、伝搬方向２０と反対の方向へ伝搬する静磁波の進
む方向。
の本来の伝搬方向、 ２２…出力アンテナ、４０…静磁
波素子、 ４２…ＧＧＧ基板（基板の一例）、４４…Ｙ
ＩＧ薄膜（薄膜の一例）、４６、４８、５０、５２…Ｙ
ＩＧ薄膜の反射面、５４…ＹＩＧ薄膜４４の入力部で発
生し、伝搬方向２０と反対の方向へ伝搬する静磁波の進
む方向。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に静磁波を伝搬するための薄膜を形
成することによって静磁波素子を形成し、この静磁波素
子に直流磁界を印加することによって、前記薄膜の入力
部に入力した電磁波を静磁波に変換して出力部へ伝搬さ
せるようにした静磁波フィルタにおいて、前記薄膜の入
力部より外側の反射面を、前記静磁波の伝搬方向と反対
方向へ進む静磁波が順次外側へ向かって反射する形状に
形成し、前記薄膜の出力部より外側の反射面を、前記静
磁波の伝搬方向と同一方向へ進む静磁波が順次外側へ向
かって反射する形状に形成してなることを特徴とする静
磁波フィルタ。 - 【請求項２】薄膜の入力部より外側の反射面を、静磁波
の伝搬方向と反対の方向に向かう２辺が頂角の小さい二
等辺三角形の２等辺となる形状に形成し、前記薄膜の出
力部より外側の反射面を、前記静磁波の伝搬方向と同一
の方向に向かう２辺が頂角の小さい二等辺三角形の２等
辺となる形状に形成してなる請求項１記載の静磁波フィ
ルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35892092A JPH06196904A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 静磁波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35892092A JPH06196904A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 静磁波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196904A true JPH06196904A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18461799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35892092A Pending JPH06196904A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 静磁波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196904A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100331047B1 (ko) * | 1993-12-14 | 2002-08-08 | 가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼 | 정자파장치 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP35892092A patent/JPH06196904A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100331047B1 (ko) * | 1993-12-14 | 2002-08-08 | 가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼 | 정자파장치 |
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