JPS58197910A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPS58197910A JPS58197910A JP7990182A JP7990182A JPS58197910A JP S58197910 A JPS58197910 A JP S58197910A JP 7990182 A JP7990182 A JP 7990182A JP 7990182 A JP7990182 A JP 7990182A JP S58197910 A JPS58197910 A JP S58197910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- surface acoustic
- wave
- acoustic wave
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低周波領域で使用する弾性表面波素子の性能
向上に関するものである。
向上に関するものである。
一般に用いられている弾性表面波素子の原理説明図な第
１図に示す。これは圧電性基板１０表面にアルミニウム
（Ａ幻等の金属材料から成るＷ温Ｉｔ極２．５な配備し
ている。
１図に示す。これは圧電性基板１０表面にアルミニウム
（Ａ幻等の金属材料から成るＷ温Ｉｔ極２．５な配備し
ている。
かかる配置構造においては主信号に対して端面反射信号
を充分低いレベルに抑えるために、第２図に示すように
端部処吸音剤５，６す設ける方法が一般的である。
を充分低いレベルに抑えるために、第２図に示すように
端部処吸音剤５，６す設ける方法が一般的である。
しかし、ビデオテープレコーダのＦＭ再生位相等化器に
弾性表面素子を用いる場合など、比較的低い周波数で駆
動させる場合では波長が長く、従って吸音剤の占有長さ
が長くなり、デバイスが尚価になるという欠点があった
。
弾性表面素子を用いる場合など、比較的低い周波数で駆
動させる場合では波長が長く、従って吸音剤の占有長さ
が長くなり、デバイスが尚価になるという欠点があった
。
そこで端面反射波の等位相面が櫛型’Ｉ！極に一致しな
いように第３図に示すように′４極パターンなずらしデ
バイスの小型化をはかる方法もあるが、しかし、この場
合にも２回、４ＩｆＩｌケ反射し友一部の４面反射波の
等位相面が、１ｍｌ型電極に一致して検出されてしまう
場合がある。
いように第３図に示すように′４極パターンなずらしデ
バイスの小型化をはかる方法もあるが、しかし、この場
合にも２回、４ＩｆＩｌケ反射し友一部の４面反射波の
等位相面が、１ｍｌ型電極に一致して検出されてしまう
場合がある。
更にこれな詳しく説明すると、櫛型−電極で励起され端
面で反射される端面反射波は次の２つに分けることがで
きる。即ち第３図のｔＳ溢電極２で励起される弾性表面
波が基板端面ムＢで反射されて＠搬するものと、同じく
基板端ｄ７７ｉＡＤで反射されて伝搬するものがある。
面で反射される端面反射波は次の２つに分けることがで
きる。即ち第３図のｔＳ溢電極２で励起される弾性表面
波が基板端面ムＢで反射されて＠搬するものと、同じく
基板端ｄ７７ｉＡＤで反射されて伝搬するものがある。
この２つの４面反射波のうち前者はＷ Ｘ ｔａｎ ２
λ θ≧イの条件を満たして＠搬していくが、後者は端面Ａ
Ｄで再び反射した優、その端面反射波の等位相面がｍ型
成極２に一致して伝搬していく。
λ θ≧イの条件を満たして＠搬していくが、後者は端面Ａ
Ｄで再び反射した優、その端面反射波の等位相面がｍ型
成極２に一致して伝搬していく。
この為、４面で２回反射して減衰しているにもかかわら
ず充分に抑圧されることなく端面反射信号が検出され第
４図に示すとおり像幅周波数特性上に９．プルとなって
現われるという不具合を有してい友。
ず充分に抑圧されることなく端面反射信号が検出され第
４図に示すとおり像幅周波数特性上に９．プルとなって
現われるという不具合を有してい友。
本発明の目的は、前述した従来の不具合を改善した低Ｉ
ＩＪ＆全域で利用する弾性表向波素子を提供することに
ある。
ＩＪ＆全域で利用する弾性表向波素子を提供することに
ある。
本発明の要点は、第１の櫛盛電極によシ励起された信号
が端面で反射され、＠瀝”ｉｍ億に対して端面反射波の
等位相面がずれて通過するようにし友ものである。
が端面で反射され、＠瀝”ｉｍ億に対して端面反射波の
等位相面がずれて通過するようにし友ものである。
その友めに弾性表面波の伝搬路方向上に存在する矩形状
基板の２つの頂点を通り弾性表面波の伝搬方向に平行に
引く２つの直線の内領域に、該電価パターンを全部起重
するようにして前述の端面反射信号を抑圧し、良好な低
周波領域の振幅周波数特性を得ようとするものである。
基板の２つの頂点を通り弾性表面波の伝搬方向に平行に
引く２つの直線の内領域に、該電価パターンを全部起重
するようにして前述の端面反射信号を抑圧し、良好な低
周波領域の振幅周波数特性を得ようとするものである。
以下、実施例を図−を用いて説明する。
実施例として、第５図に示すビデオテープレコーダの？
Ｍ再生位泪等化器に用いる弾性表向波素子について説明
する。
Ｍ再生位泪等化器に用いる弾性表向波素子について説明
する。
本素子は、ビデオへ、ドの特性補償のため用いるもので
、ビデオ周波数からクロマサブキャリアな逓倍する周波
数変換を行なって用いる。
、ビデオ周波数からクロマサブキャリアな逓倍する周波
数変換を行なって用いる。
本例では５逓倍し、弾性表向波素子の中心周波ｄ ｋ
１４．７４ ＭＨｚとし友。
１４．７４ ＭＨｚとし友。
■・１
本発−を実施し次弾性表面波菓子の第５図に １示す
平面図に２いて圧１を性基板１としては１２８回転Ｙ＠
カッ） ！＠に搬のニオブ酸すテクム単結晶板（ｓｏｏ
ミクロン厚）を用い、櫛証電極２゜３はともにスプジ
ット構造の正規証電極で１Ｌ億振Ｑｉ１３５ミクロン、
４対の電極指を有する。ま友、これらの電−はａｏｏｏ
Ｘ Ｉ／） ｙルミニクム蒸着換なフォトリングラフ技
術により形成し皮。開口長Ｗ ＝ ２．５曇、チア１寸
法４ｘｆ３ｍ吸音剤５．６の塗布＋１１ｉ ｌ、 ５
ｓｌとし、パターン回転角θ＝６°とした。第６図は本
発明による弾性表面波素子の蚕ｌ１１１Ｍ１１波数時性
図である。端面反射信号レベルは一４ＯｄＢ以下（生信
号比）Ｋ抑えられた。
平面図に２いて圧１を性基板１としては１２８回転Ｙ＠
カッ） ！＠に搬のニオブ酸すテクム単結晶板（ｓｏｏ
ミクロン厚）を用い、櫛証電極２゜３はともにスプジ
ット構造の正規証電極で１Ｌ億振Ｑｉ１３５ミクロン、
４対の電極指を有する。ま友、これらの電−はａｏｏｏ
Ｘ Ｉ／） ｙルミニクム蒸着換なフォトリングラフ技
術により形成し皮。開口長Ｗ ＝ ２．５曇、チア１寸
法４ｘｆ３ｍ吸音剤５．６の塗布＋１１ｉ ｌ、 ５
ｓｌとし、パターン回転角θ＝６°とした。第６図は本
発明による弾性表面波素子の蚕ｌ１１１Ｍ１１波数時性
図である。端面反射信号レベルは一４ＯｄＢ以下（生信
号比）Ｋ抑えられた。
以上のべたごとく、本宛＃ＩＫＬ力端面反射信＠！ｌｉ
！ｌｌｆを主信号に対して一４Ｏ（ＬＢ以Ｆに抑えるこ
とができ、リップノνのない良好な＃Ｒ幅局周波数特性
得られた。
！ｌｌｆを主信号に対して一４Ｏ（ＬＢ以Ｆに抑えるこ
とができ、リップノνのない良好な＃Ｒ幅局周波数特性
得られた。
また、本発明は１５ＭＨｚ帝での弾性表面波素子に限ら
ず、その他の周波数、その他のモードの弾性表向波素子
にも適用し得る。
ず、その他の周波数、その他のモードの弾性表向波素子
にも適用し得る。
第１図は従来の一般的な弾性表面波素子の構造を示す廚
検図、第２図は吸音剤を用いた弾性表面波素子構造の平
面図、第３図は電極パターンを基板に対してずらし友従
来の弾性表面波素子の平面図、第４図は従来の第３図に
示す弾性表面波素子の端面反射信号が充分抑圧されてい
ないときの振幅Ｒ波ｍ特性図、第５図は本発明による弾
性表面波素子構造の平面図、第６図は第５図に示す本発
明の弾性表面波素子の端面反射信号を充分抑圧したとき
の振幅周波数特性図を示す。 １・・・圧電性基板 Ｗ！嶺型電極の開口長２・・・入
力電価 ０・・・端面の傾斜角３・・・出力電極
λ・・・弾性表面波の波長４・・・Ｖ−ルド颯極 ５・・・吸音剤 ６・・・吸音剤 才 １ 膿 才 ２［１ オ ３１！？］ ？４図
検図、第２図は吸音剤を用いた弾性表面波素子構造の平
面図、第３図は電極パターンを基板に対してずらし友従
来の弾性表面波素子の平面図、第４図は従来の第３図に
示す弾性表面波素子の端面反射信号が充分抑圧されてい
ないときの振幅Ｒ波ｍ特性図、第５図は本発明による弾
性表面波素子構造の平面図、第６図は第５図に示す本発
明の弾性表面波素子の端面反射信号を充分抑圧したとき
の振幅周波数特性図を示す。 １・・・圧電性基板 Ｗ！嶺型電極の開口長２・・・入
力電価 ０・・・端面の傾斜角３・・・出力電極
λ・・・弾性表面波の波長４・・・Ｖ−ルド颯極 ５・・・吸音剤 ６・・・吸音剤 才 １ 膿 才 ２［１ オ ３１！？］ ？４図
Claims (1)
- 矩形状の圧電性基板上に設置された、゛−電気信号弾性
表面波に変換する第１の櫛履電甑と、＃ａｍ電極で発生
する弾性表ｒｆＪ波の伝搬路と、該弾性表面波を電気信
号に変換する第２の櫛型□電極よりなる弾性表面波素子
において、ｉｓ性波の伝搬方向に対して角度θをなした
方向に圧電性基板の一対の平方な辺を督し、かり伝搬方
向に直角な方向とのなす角度がθであるように矩形上の
池の平行な二辺を有してなり、上記−型電極の開口長Ｗ
と弾性表面′波波長λと上記角度θとの間に下ｄピの関
係が成立し、かつ上記慟型′成極のいずれもが弾性表面
波伝搬路に対する矩形状基板の２つの頂点を通り、伝鍜
方向上に平行に引いた２つの平行線内領域に具謔されて
いることな特許とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7990182A JPS58197910A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7990182A JPS58197910A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197910A true JPS58197910A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13703180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7990182A Pending JPS58197910A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197910A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079904A3 (en) * | 2003-03-03 | 2005-01-27 | Cree Inc | Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices |
| US7898047B2 (en) | 2003-03-03 | 2011-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices |
| US9984881B2 (en) | 2006-11-06 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP7990182A patent/JPS58197910A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079904A3 (en) * | 2003-03-03 | 2005-01-27 | Cree Inc | Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices |
| US7112860B2 (en) | 2003-03-03 | 2006-09-26 | Cree, Inc. | Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices |
| JP2006524016A (ja) * | 2003-03-03 | 2006-10-19 | クリー インコーポレイテッド | 窒化物ベースの集積音波デバイスおよび窒化物ベースの集積音波デバイスを製造する方法 |
| US7875910B2 (en) | 2003-03-03 | 2011-01-25 | Cree, Inc. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices |
| US7898047B2 (en) | 2003-03-03 | 2011-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices |
| US8035111B2 (en) | 2003-03-03 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices |
| US8502235B2 (en) | 2003-03-03 | 2013-08-06 | Cree, Inc. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices |
| US9984881B2 (en) | 2006-11-06 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
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