JPS6262608A - パワ・フロ−角度差を利用したｓａｗデバイス - Google Patents
パワ・フロ−角度差を利用したｓａｗデバイスInfo
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- JPS6262608A JPS6262608A JP20269685A JP20269685A JPS6262608A JP S6262608 A JPS6262608 A JP S6262608A JP 20269685 A JP20269685 A JP 20269685A JP 20269685 A JP20269685 A JP 20269685A JP S6262608 A JPS6262608 A JP S6262608A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス、殊に重み付は
金施した受信ＴＨＥ ｆｆｌ ｋ有するＳＡＷフィルタ
或はタップ付遅延線等の電極構造に関する。
金施した受信ＴＨＥ ｆｆｌ ｋ有するＳＡＷフィルタ
或はタップ付遅延線等の電極構造に関する。
（従来技術）
従来のＳＡＷデバイスは一役にＩＤＴ電極によって励起
するＳＡＷの位相伝搬方向（ＳＡＷの伝搬方向）とその
エネルギ伝搬方向（以下パワ・フロー方向と称する）と
全一致させるのが良いとされてきた。
するＳＡＷの位相伝搬方向（ＳＡＷの伝搬方向）とその
エネルギ伝搬方向（以下パワ・フロー方向と称する）と
全一致させるのが良いとされてきた。
例えば、第２図に示す如く温度特性の良好なＳ′Ｖカッ
ト水晶基板１を用いたＳＡＷフィルタに於いては基板Ｘ
軸方向に直交したＩＤＴ電極指を有する送受ＩＤＴ ２
及び３を設けＳＡＷの位相伝搬方向４とそのパワ・フロ
ー方向５とをはマ一致するようにしていた。
ト水晶基板１を用いたＳＡＷフィルタに於いては基板Ｘ
軸方向に直交したＩＤＴ電極指を有する送受ＩＤＴ ２
及び３を設けＳＡＷの位相伝搬方向４とそのパワ・フロ
ー方向５とをはマ一致するようにしていた。
しかしながら上述の如き従来一般に行なわれていた手法
によればＳＡＷの励起に伴って発生するバルク波のパワ
・フロー方向６も前記ＳＡＷのパワー・フロ一方向とは
マ一致する為受信ＩＤＴ３にはバルク波によるスプリア
スが発生することが知られておりこれを除去するのに苦
慮することが少なくなかった。
によればＳＡＷの励起に伴って発生するバルク波のパワ
・フロー方向６も前記ＳＡＷのパワー・フロ一方向とは
マ一致する為受信ＩＤＴ３にはバルク波によるスプリア
スが発生することが知られておりこれを除去するのに苦
慮することが少なくなかった。
この問題を解決する為９日本電々公社の黒田等はＩＤＴ
電極の中心軸線全前記ｘ、１１Ｈに対し約１０°傾けれ
ばスプリアスが大幅に減少する旨報告している（日本音
響学会講演論文集；昭和４９年６月「５Ｔ−ｃｕｔ 水
晶基板音用いた弾性表面波フィルタ特性の角度依存性」
参照）。
電極の中心軸線全前記ｘ、１１Ｈに対し約１０°傾けれ
ばスプリアスが大幅に減少する旨報告している（日本音
響学会講演論文集；昭和４９年６月「５Ｔ−ｃｕｔ 水
晶基板音用いた弾性表面波フィルタ特性の角度依存性」
参照）。
しかしながら上述した如き単純な手法を採用すれはスプ
リアスの減少はみられるものの第３図に示す如くＳＡＷ
の位相伝搬方向とパワ・フロー方向とが一致しなくなる
為挿入損失が増大することは明らかであり、殊に受信Ｉ
ＤＴに重み付は全施したフィルタに於いては所望の周波
数特性が得られないという欠陥があった。
リアスの減少はみられるものの第３図に示す如くＳＡＷ
の位相伝搬方向とパワ・フロー方向とが一致しなくなる
為挿入損失が増大することは明らかであり、殊に受信Ｉ
ＤＴに重み付は全施したフィルタに於いては所望の周波
数特性が得られないという欠陥があった。
更に前記論文に於いて黒田等も指摘している通り周波数
一温度特性の頂点温度が８Ｔカツト水晶の２０℃付近か
ら３５乃至４０℃近傍へ移動し般用のＳＡＷデバイスと
しては極めて不都合なものとなるという欠陥も併せもつ
ものであった。
一温度特性の頂点温度が８Ｔカツト水晶の２０℃付近か
ら３５乃至４０℃近傍へ移動し般用のＳＡＷデバイスと
しては極めて不都合なものとなるという欠陥も併せもつ
ものであった。
（発明の目的）
本発明は上述し念如き従来のＳＡＷデバイスの欠陥を除
去する為になされたものであって。
去する為になされたものであって。
ＩＤＴ電極によって励起されるＳＡＷ及びバルク波のパ
ワ・フロー方向金も考慮し、スプリアスが最小となりし
かも挿入損失の少ないＳＡＷデバイスを提供することを
目的とする。又、ＳＴカット水水晶板板金使用前述の如
くパワ・フロー方向全考慮してＳＡＷ伝搬方向全決定し
た場合の温度特性を改善したカット角を有する基板を提
供すること全も併せて目的とする。
ワ・フロー方向金も考慮し、スプリアスが最小となりし
かも挿入損失の少ないＳＡＷデバイスを提供することを
目的とする。又、ＳＴカット水水晶板板金使用前述の如
くパワ・フロー方向全考慮してＳＡＷ伝搬方向全決定し
た場合の温度特性を改善したカット角を有する基板を提
供すること全も併せて目的とする。
（発明の概要）
上述の目的を達成する為本発明に係るＳＡＷデバイスは
以下の如き構成をとる。
以下の如き構成をとる。
即ち、送信用ＩＤＴｉ［極によって励起されるＳＡＷ及
びバルク波（ＢＡＷ）のパワｅフロ一方位角（ＰＦ’Ａ
）の角度差が極力大となる如く圧電基板上にＳＡＷ伝搬
方向全設定し前記送信用ＩＤＴ電極の中心軸線と受信用
ＩＤＴ １［極のそれとを前記ＳＡＷのパワ・フロー方
向に一致せしめると共に前記送受信ＩＤＴ電極間隔を前
記ＢＡＷのエネルギ受信ｔ’ｒ極力小ならしめるよう設
定するものである。
びバルク波（ＢＡＷ）のパワｅフロ一方位角（ＰＦ’Ａ
）の角度差が極力大となる如く圧電基板上にＳＡＷ伝搬
方向全設定し前記送信用ＩＤＴ電極の中心軸線と受信用
ＩＤＴ １［極のそれとを前記ＳＡＷのパワ・フロー方
向に一致せしめると共に前記送受信ＩＤＴ電極間隔を前
記ＢＡＷのエネルギ受信ｔ’ｒ極力小ならしめるよう設
定するものである。
又、上述の手法ｆ、ＳＴカット水晶金用いたＳＡＷデバ
イスに適用する場合そのＸｏ軸まわり回転角６ＳＴカツ
トのそれより１．４°乃至１３．４°増大し温度特性の
劣化を防止するようにしたものである。
イスに適用する場合そのＸｏ軸まわり回転角６ＳＴカツ
トのそれより１．４°乃至１３．４°増大し温度特性の
劣化を防止するようにしたものである。
（発明の実施例）
以下１本発明を図面に示した実験結果並びにこれに基づ
〈実施例によって詳細に説明する。
〈実施例によって詳細に説明する。
先ず本発明の理解を助ける為、実施例の説明に先立って
本発明の基礎となる概念及びこれに基づく実験結果につ
いて説明する。
本発明の基礎となる概念及びこれに基づく実験結果につ
いて説明する。
第４図は本発明の前提となる事実関係を説明する図ヤあ
って、圧電基板１上に幅ａなる二次元導波路と同等の送
受信ＩＤＴ’に極２及び３全中心間隔ｌにて配置した場
合を考えると、一般に前記ＩＤＴによって励起するＳＡ
Ｗのパワ・フロー方向ＰＦ（ＳＡＷ）はＳＡＷの位相伝
搬方向に対しψＳだけ傾いていると共にＳＡＷの励振に
伴って発生するバルク波（ＢＡＷ）のパワ・フロー方向
ＰＦ（ＢＡＷ）も前記ＳＡＷの位相伝搬方向に対し９Ｂ
傾いている。
って、圧電基板１上に幅ａなる二次元導波路と同等の送
受信ＩＤＴ’に極２及び３全中心間隔ｌにて配置した場
合を考えると、一般に前記ＩＤＴによって励起するＳＡ
Ｗのパワ・フロー方向ＰＦ（ＳＡＷ）はＳＡＷの位相伝
搬方向に対しψＳだけ傾いていると共にＳＡＷの励振に
伴って発生するバルク波（ＢＡＷ）のパワ・フロー方向
ＰＦ（ＢＡＷ）も前記ＳＡＷの位相伝搬方向に対し９Ｂ
傾いている。
而して前記ＢＡＷのパワ・フローが受信ＩＤＴ３で受信
せられることによってバルク波に基因するスプリアスと
なり、ＳＡＷのパワ・フロー方向と送受ＩＤＴ ２及び
３の中心軸線が一致しない場合には挿入損失が増大する
こと前述の通りである。
せられることによってバルク波に基因するスプリアスと
なり、ＳＡＷのパワ・フロー方向と送受ＩＤＴ ２及び
３の中心軸線が一致しない場合には挿入損失が増大する
こと前述の通りである。
ここでＳＡＷのパワーフロ一方向と前記送受信ＩＤ７２
．３の中心軸線を一致させ、前記受信ＩＤＴ ３に於け
るＢＡＷのエネルギの受信量の前記両パワ・フロー方位
角差１９Ｂ−ψＳ１依存性を倹肘すると、ＢＡＷのビー
ムの拡散を無視すれば簡単な幾何計算から第５図の如く
なることが判る。
．３の中心軸線を一致させ、前記受信ＩＤＴ ３に於け
るＢＡＷのエネルギの受信量の前記両パワ・フロー方位
角差１９Ｂ−ψＳ１依存性を倹肘すると、ＢＡＷのビー
ムの拡散を無視すれば簡単な幾何計算から第５図の如く
なることが判る。
従って、ＳＡＷのパワ・フロー方向全前記送受信１１）
Ｔの中心軸線に一致せしめると共に前記ｓＡＷのパワー
フロ一方位角ψＳとＢＡＷ のそれψＢとの差１９Ｂ−
ψＳ１が極力大となるようＳＡＷの位相伝搬方向を選択
し更に前記送受ＩＤＴの間隔１ ’ｃ適切に設定すれば
挿入損失が少なくしかもＢＡＷに基因するスプリアス全
減少し得ることが理解されよう。
Ｔの中心軸線に一致せしめると共に前記ｓＡＷのパワー
フロ一方位角ψＳとＢＡＷ のそれψＢとの差１９Ｂ−
ψＳ１が極力大となるようＳＡＷの位相伝搬方向を選択
し更に前記送受ＩＤＴの間隔１ ’ｃ適切に設定すれば
挿入損失が少なくしかもＢＡＷに基因するスプリアス全
減少し得ることが理解されよう。
然らば前記パワ・フロー方位角差１９Ｂ−ψＳ１は現実
にどの程度のものとなり、その場合前記送受ＩＤＴ間隔
１’ｔどのように設定すぺ−きかについてＳＴカット水
晶基板全用いて検討する。
にどの程度のものとなり、その場合前記送受ＩＤＴ間隔
１’ｔどのように設定すぺ−きかについてＳＴカット水
晶基板全用いて検討する。
ＳＴカット水晶基板は時間遅延温度特性が良好であるこ
とからＳＡ”ｉＡ／デバイスの圧電基板として広く用い
られており、従来の使用法は前述の如くそのＸ軸方向に
５ＡＷｆ伝搬せしめるのが一般的であった。
とからＳＡ”ｉＡ／デバイスの圧電基板として広く用い
られており、従来の使用法は前述の如くそのＸ軸方向に
５ＡＷｆ伝搬せしめるのが一般的であった。
本発明に於いてはＳＡＷ伝搬方向全Ｘ軸からθだけ傾け
た場合ＳＡＷのパワ・フロー方位角ψＳ及びＢＡＷのパ
ワ・フロー方位角ψＢがどのように変化するかにつき理
論計算全行った結果を第６図に示す。同、ＢＡＷにはＰ
波、ＳＨ波及び５Ｖｆｆ！ｌが存在し、夫々が特定のパ
ワ・フロー方位を有する。又、夫々の仏殿速度はＳＡＷ
のそれに比しＰ波で約１．８倍、５Ｉ−１波で約１．４
５倍、Ｓｖ波は殆んど同等であり、基板の圧電性を介し
てＩＤＴによって励起される上記各種の波動のエネルギ
はＰ波及びＳ Ｈ波が犬であるに比してＳＨ波、Ｓｖ彼
は極めて小である。更に前記Ｐｔ１ＬとＳ Ｈｅ、との
エネルギの大小関係は圧電基板の種類及び切断方位に依
存するが、ＳＴカット水晶の場合にはＰ波のエネルギの
方が大である。
た場合ＳＡＷのパワ・フロー方位角ψＳ及びＢＡＷのパ
ワ・フロー方位角ψＢがどのように変化するかにつき理
論計算全行った結果を第６図に示す。同、ＢＡＷにはＰ
波、ＳＨ波及び５Ｖｆｆ！ｌが存在し、夫々が特定のパ
ワ・フロー方位を有する。又、夫々の仏殿速度はＳＡＷ
のそれに比しＰ波で約１．８倍、５Ｉ−１波で約１．４
５倍、Ｓｖ波は殆んど同等であり、基板の圧電性を介し
てＩＤＴによって励起される上記各種の波動のエネルギ
はＰ波及びＳ Ｈ波が犬であるに比してＳＨ波、Ｓｖ彼
は極めて小である。更に前記Ｐｔ１ＬとＳ Ｈｅ、との
エネルギの大小関係は圧電基板の種類及び切断方位に依
存するが、ＳＴカット水晶の場合にはＰ波のエネルギの
方が大である。
従ってＳＴカット水晶基板を用いた場合最も問題となる
ＢＡＷの内Ｐ波のパワ・フロー方位角ψＢ（＋））とＳ
ＡＷのそれψＳとの差が最大となるのは第６図からも明
らかな如く基板のＸ軸とＳＡＷ位相伝搬方向との傾きθ
が概ね１０°乃至１４°の範囲にあり１９Ｂ−ψＳ１の
値は約３３°であることが判る。
ＢＡＷの内Ｐ波のパワ・フロー方位角ψＢ（＋））とＳ
ＡＷのそれψＳとの差が最大となるのは第６図からも明
らかな如く基板のＸ軸とＳＡＷ位相伝搬方向との傾きθ
が概ね１０°乃至１４°の範囲にあり１９Ｂ−ψＳ１の
値は約３３°であることが判る。
以上の事実より前記θの値を例えば１０°とした場合の
送受信ＩＤＴ電極パターンは＠１図に示す如く構成すれ
ばよい。
送受信ＩＤＴ電極パターンは＠１図に示す如く構成すれ
ばよい。
即ち、基板１のＸ軸に対しθとして１０°傾けた軸線Ｘ
’１ＳＡＷの位相伝搬方向とするよう送受ＩＤＴ２．３
の電極指ヲＸ′軸と直交せしめこれら両ＩＤＴの中心軸
線がＳＡＷのパワ・フロー方向ＰＦ（ＳＡＷ）に一致す
るようにする。
’１ＳＡＷの位相伝搬方向とするよう送受ＩＤＴ２．３
の電極指ヲＸ′軸と直交せしめこれら両ＩＤＴの中心軸
線がＳＡＷのパワ・フロー方向ＰＦ（ＳＡＷ）に一致す
るようにする。
この際、前述したＢＡＷの内Ｐ波のエネルギを受信ＩＤ
Ｔ ３が受信しないようにする為には、Ｐ波のパワ嘲フ
ローＰＦ（ｐ）のビームが拡散しないものと仮定し送受
ＩＤＴの形状を両者同一とすれば簡単な幾何計算によっ
て前記側ＩＤＴの対面縁間距離ｌ′は ａ／１． ’＝ （ｔａｎψｓ＋ｔａｎ９’Ｂ（ｐ））
＝−−−−−−−１，１）ここでψＳは約３°と小
さいからｔａｎψＳ′；ψＳとして １ ’＝ ａ／（ψｓ＋ｔａｎψ１３ （ｐ ） ）
−＝＝−（２１とみてよい。
Ｔ ３が受信しないようにする為には、Ｐ波のパワ嘲フ
ローＰＦ（ｐ）のビームが拡散しないものと仮定し送受
ＩＤＴの形状を両者同一とすれば簡単な幾何計算によっ
て前記側ＩＤＴの対面縁間距離ｌ′は ａ／１． ’＝ （ｔａｎψｓ＋ｔａｎ９’Ｂ（ｐ））
＝−−−−−−−１，１）ここでψＳは約３°と小
さいからｔａｎψＳ′；ψＳとして １ ’＝ ａ／（ψｓ＋ｔａｎψ１３ （ｐ ） ）
−＝＝−（２１とみてよい。
ここでｌ′の値を見積るならば前記第６図よりθ＝１０
°の場合ψＢ（ｐ）は３０°であるからｄ’！；１．５
ａ程度となり高々ＩＤＴ ｉ！極の幅員に相当する寸法
となる。このことは１本発明に係るＳＡＷデバイスが格
別長大なものとなるようなことはなく充分実用に耐える
ものであることを意味する。
°の場合ψＢ（ｐ）は３０°であるからｄ’！；１．５
ａ程度となり高々ＩＤＴ ｉ！極の幅員に相当する寸法
となる。このことは１本発明に係るＳＡＷデバイスが格
別長大なものとなるようなことはなく充分実用に耐える
ものであることを意味する。
更にＢＡＷの内のＳ Ｈ波の影響をも除去せんとするな
らば。
らば。
１ ’ ？ ａ ／ （ｔａｎψＢ（Ｓ）Ｔ）−ψｓ
） −（３１となり前記第６図よりψＢ（Ｓ）ｊ）は約
１７°であるからｌ″！；２．８ａ程度となり幾分スペ
ースを要するが実用上実現困難な値ではない。
） −（３１となり前記第６図よりψＢ（Ｓ）ｊ）は約
１７°であるからｌ″！；２．８ａ程度となり幾分スペ
ースを要するが実用上実現困難な値ではない。
殊に、ＳＡＷデバイスが受信ＩＤＴ７に重み付け（アボ
ダイズ）を付したフィルタ等の場合には、第７図に示す
図からも直観的に理解し得るが如くＢＡＷのＰ波、ＳＨ
波双方の影響を除去せんとする場合、送受ＩＤＴ対面縁
間距離ｌ′は更に小さく設定し得ることに注目されたい
。
ダイズ）を付したフィルタ等の場合には、第７図に示す
図からも直観的に理解し得るが如くＢＡＷのＰ波、ＳＨ
波双方の影響を除去せんとする場合、送受ＩＤＴ対面縁
間距離ｌ′は更に小さく設定し得ることに注目されたい
。
又、第８図に示す如きタップ付遅延線に本発明全適用す
れば、受信ＩＤＴ３ｔ、３ｚ、・・・・・・３ｎにはレ
ベルの大きなスプリアスを生ずることがないのでＳＡＷ
の信号とバルク波に起因するスプリアス信号との識別が
殆んど不要となり極めて好都合である。
れば、受信ＩＤＴ３ｔ、３ｚ、・・・・・・３ｎにはレ
ベルの大きなスプリアスを生ずることがないのでＳＡＷ
の信号とバルク波に起因するスプリアス信号との識別が
殆んど不要となり極めて好都合である。
以上、ＳＴカット水晶を基板とするＳＡＷデバイスを用
いてその基板表面に５ＡＷｉ励起した際これに伴って発
生するＢＡＷのパワ・フロー方向とＳＡＷのそれとの角
度差が極力大となるようＳＡＷ伝搬方向を選択すると共
にＳＡＷのパワ・フロー方向全送受ＩＤＴ中心軸線と一
致せしめ、更に受信ＩＤＴがＢＡＷのエネルギを受信し
ないよう送受ＩＤＴ間の距離を設定することによってス
プリアスと挿入損失の少ないＳＡＷデバイスが得られる
ことを示したが、斯る現象はＳＴカット水晶に限らず全
ての圧電基板について同様に発生するものであることは
自゛明であろう。
いてその基板表面に５ＡＷｉ励起した際これに伴って発
生するＢＡＷのパワ・フロー方向とＳＡＷのそれとの角
度差が極力大となるようＳＡＷ伝搬方向を選択すると共
にＳＡＷのパワ・フロー方向全送受ＩＤＴ中心軸線と一
致せしめ、更に受信ＩＤＴがＢＡＷのエネルギを受信し
ないよう送受ＩＤＴ間の距離を設定することによってス
プリアスと挿入損失の少ないＳＡＷデバイスが得られる
ことを示したが、斯る現象はＳＴカット水晶に限らず全
ての圧電基板について同様に発生するものであることは
自゛明であろう。
ところでＳＡＷ励起用圧電基板として最も一般的なＳＴ
カット水晶に於いて、ＢＡＷに基因するスプリアス全除
去すべ（ＳＡＷ伝搬方向をＸ軸に対して１０°乃至１４
°傾けた場合周波数一温度特性に変化の生じることが予
想される。
カット水晶に於いて、ＢＡＷに基因するスプリアス全除
去すべ（ＳＡＷ伝搬方向をＸ軸に対して１０°乃至１４
°傾けた場合周波数一温度特性に変化の生じることが予
想される。
そこで先ずＳＡＷの伝搬方向をＸ軸に対して１０°傾け
た場合について清水の定数を用いて理論的に検討すると
、第９図に示す如く頂点温度がＳＴカット水晶の２０℃
から３５℃近傍の高温側に移動していることが判る。こ
れは前述し念黒田等の実験結果と極めて良好な一致を示
すものである。
た場合について清水の定数を用いて理論的に検討すると
、第９図に示す如く頂点温度がＳＴカット水晶の２０℃
から３５℃近傍の高温側に移動していることが判る。こ
れは前述し念黒田等の実験結果と極めて良好な一致を示
すものである。
伺２本理論解析に於いては前述の如く清水の定数を使用
し無！極を仮定している為遅延温度係数ＴＣＤが零とな
るカット角はオイラー表示で（ダ、δ、θ）−（０，１
３３，１４，０） となりこれは−役的なＳＴカット
のそれ（鐸、δ、θ）＝（０。
し無！極を仮定している為遅延温度係数ＴＣＤが零とな
るカット角はオイラー表示で（ダ、δ、θ）−（０，１
３３，１４，０） となりこれは−役的なＳＴカット
のそれ（鐸、δ、θ）＝（０。
１３２．７５．０）とは少しく異なるがカット角の変化
量を見積る目安を得る上では問題は生じない。
量を見積る目安を得る上では問題は生じない。
さて、上述の問題全解決しＳＴカット水晶相当の温度特
性を呈する水晶カット角を求めるべく以下の如き手順で
理論解析を行った。
性を呈する水晶カット角を求めるべく以下の如き手順で
理論解析を行った。
即ち、第】０図に示す清水等の求めた水晶のＳＡ、Ｗ遅
延時間温度係数の等値線図（ＳＴカット近傍のみを拡大
）参照するに前記面内回転角θヲ１０°とした場合頂点
温度２０°Ｃを得る為にばδｆｆ１１３５．７１．即ち
ＳＴカットのそれに比してＸ軸重わり回転角で約２．６
°増加してやればよいことが判る。
延時間温度係数の等値線図（ＳＴカット近傍のみを拡大
）参照するに前記面内回転角θヲ１０°とした場合頂点
温度２０°Ｃを得る為にばδｆｆ１１３５．７１．即ち
ＳＴカットのそれに比してＸ軸重わり回転角で約２．６
°増加してやればよいことが判る。
ところで、このようなカット角を採用した場合ｉ！Ｉｉ
ｌ ＡのＳＡＷ とＢＡＷのパワ・フロー方位角差はど
のように変化するであろうか？ これを再び前記第６図
金求めたと同一の理論解析を行った結果第１１図に示す
如くパワ・フロー方位角差１ψＳ−ψＢ１はＳＴカット
の場合と実質的に同一であることが判明した。
ｌ ＡのＳＡＷ とＢＡＷのパワ・フロー方位角差はど
のように変化するであろうか？ これを再び前記第６図
金求めたと同一の理論解析を行った結果第１１図に示す
如くパワ・フロー方位角差１ψＳ−ψＢ１はＳＴカット
の場合と実質的に同一であることが判明した。
又、説明の煩雑を避ける為図示を省略するが、θ全１２
°及び１４°とした時も同様の結果を得念。
°及び１４°とした時も同様の結果を得念。
即ち、θ金１０°乃至１４°とした場合δＱＳＴカット
のそれから２．６°乃至８，０°増加すれば概ね２０℃
に頂点温度を有し、しかもＳＡＷとＢＡＷとのパワ・フ
ロー方位角差を最大値近傍に設定し得ることが判明した
。
のそれから２．６°乃至８，０°増加すれば概ね２０℃
に頂点温度を有し、しかもＳＡＷとＢＡＷとのパワ・フ
ロー方位角差を最大値近傍に設定し得ることが判明した
。
以上の理論的解析の結果を基にして以下の如き２ボ一ト
共振器全製作しそのスプリアス音調べた結果第１２図に
示す如き結果を得た。
共振器全製作しそのスプリアス音調べた結果第１２図に
示す如き結果を得た。
又、ａ、ｂ両者の頂点温度は夫々２０．４℃及び２０．
８℃であってはソ理論解析の結果を裏付けるものである
ことが確認された。
８℃であってはソ理論解析の結果を裏付けるものである
ことが確認された。
而してＳＴカット近傍の水晶基板を用いる場合電極膜厚
全天とすれば頂点温度は低下しこれを元に戻す為にはＸ
ｏｌＩＩまわりの回転角を低減する必要のあることが知
られているが９本発明は電極膜厚による頂点温度補償の
為のカット角変更に加えてＳＡＷ伝搬方向のＸ軸からの
偏移θに基因する頂点温度上昇ｉＸｏ軸まわりの回転角
δの増大によって補償せんとするものでありその値は前
記θの変化全１０°乃至１４°とした場合これに対応す
るδの相対的変化が２６°乃至８．０°であることを見
い出したものである。
全天とすれば頂点温度は低下しこれを元に戻す為にはＸ
ｏｌＩＩまわりの回転角を低減する必要のあることが知
られているが９本発明は電極膜厚による頂点温度補償の
為のカット角変更に加えてＳＡＷ伝搬方向のＸ軸からの
偏移θに基因する頂点温度上昇ｉＸｏ軸まわりの回転角
δの増大によって補償せんとするものでありその値は前
記θの変化全１０°乃至１４°とした場合これに対応す
るδの相対的変化が２６°乃至８．０°であることを見
い出したものである。
以上説明した理論解析並びに実験の結果全総合勘案する
に、前記パワ・フロー方位角差１９Ｂ−ψＳ）は必ずし
も最大値である必然性はな（ＳＡＷデバイスの設計によ
っては幾分緩やかな値上選択しても差しつかえないこと
が判る。
に、前記パワ・フロー方位角差１９Ｂ−ψＳ）は必ずし
も最大値である必然性はな（ＳＡＷデバイスの設計によ
っては幾分緩やかな値上選択しても差しつかえないこと
が判る。
従って各種ＳＡＷデバイスの実用範囲を考慮すればＸ＠
に対するＳＡＷの伝搬方位角θは＋７゜乃至＋１６°程
度まで拡張してもよい。これに伴い温度特性音ＳＴカッ
ト水晶相当に改善する為のＸｏ軸まわりの回転角δも１
．４°乃至１３．４°の範囲で増大すればよく、斯くす
ることによって温度特性が良好でスプリアスの少ないＳ
ＡＷデバイスを得ることができるものである。
に対するＳＡＷの伝搬方位角θは＋７゜乃至＋１６°程
度まで拡張してもよい。これに伴い温度特性音ＳＴカッ
ト水晶相当に改善する為のＸｏ軸まわりの回転角δも１
．４°乃至１３．４°の範囲で増大すればよく、斯くす
ることによって温度特性が良好でスプリアスの少ないＳ
ＡＷデバイスを得ることができるものである。
（発明の効果）
本発明は以上説明した如く構成するものであるからＳＡ
Ｗデバイスに於いてＳＡＷと共に励起されるＢＡＷに基
因するスプリアスを除去すると共にこのスプリアス除去
に伴って生じた遅延時間温度−周波数特性の劣化をも補
償することが可能となるので、２ボートＳＡＷ共振子。
Ｗデバイスに於いてＳＡＷと共に励起されるＢＡＷに基
因するスプリアスを除去すると共にこのスプリアス除去
に伴って生じた遅延時間温度−周波数特性の劣化をも補
償することが可能となるので、２ボートＳＡＷ共振子。
トランスバーサル・フィルタ等に適用する上で極めて効
果的である。
果的である。
殊に本発明全タップ付ＳＡＷ遅延線に適用すれば信号と
ノイズの弁別を容易にする上で著しい効果があり、又送
受ＩＤＴ中心軸線とＳＡＷのパワ・フロー方位と金一致
させていることから本発明受信ＩＤＴに重み付けを施し
たＳＡＷフィルタに適用すれば所望の周波数特性全得る
上でも著しい効果を奏するものである。
ノイズの弁別を容易にする上で著しい効果があり、又送
受ＩＤＴ中心軸線とＳＡＷのパワ・フロー方位と金一致
させていることから本発明受信ＩＤＴに重み付けを施し
たＳＡＷフィルタに適用すれば所望の周波数特性全得る
上でも著しい効果を奏するものである。
る
第１図は本発明に係＋ＳＡＷデバイスの基本的構成金子
す平面図、第２図は従来一般に用いられていたＳＡＷデ
バイスの構成を示す平面図、第３図は黒山等の提案した
ＳＡＷデバイスの構成を示す平面図、第４図は圧電基板
上に励起されたＳＡＷ及びＢＡＷのパワΦフローの関係
全説明する説明図、第５図はパワ豐フロ一方位角差］ψ
Ｂ−ψｓ１とＳＡＷデバイスの送受ＩＤＴ寸法との関係
を示す図、第６図はＳＡＷ伝搬方向とＳＡＷ及びＢＡＷ
のパワ・フロー方向との関係を示す理論計算結果の図、
第７図及び第８図は夫々本発明に係る異ったＳＡＷデバ
イスの構成を説明する図、第９図は本発明に係るＳＡＷ
デバイスの温度特性を従来のＳＴカット水晶を用いたそ
れと比較する図、第１０図は清水等の求めた水晶に於け
るＳＡＷ遅延時間温度係数の等値線図、第１１図はＳＡ
Ｗ伝搬方向とＳＡＷボート共撮器と本発明に係るそれと
の特性比較実験結果を示す図である。 １・・・・・・・・・圧電基板、 ２．２’、３．
３’及び３″・・・・・・・・・ＩＤＴ［極、 ｌ
Ｃ１’＞・・・・・・・・・ＩＤＴ電極間隔
す平面図、第２図は従来一般に用いられていたＳＡＷデ
バイスの構成を示す平面図、第３図は黒山等の提案した
ＳＡＷデバイスの構成を示す平面図、第４図は圧電基板
上に励起されたＳＡＷ及びＢＡＷのパワΦフローの関係
全説明する説明図、第５図はパワ豐フロ一方位角差］ψ
Ｂ−ψｓ１とＳＡＷデバイスの送受ＩＤＴ寸法との関係
を示す図、第６図はＳＡＷ伝搬方向とＳＡＷ及びＢＡＷ
のパワ・フロー方向との関係を示す理論計算結果の図、
第７図及び第８図は夫々本発明に係る異ったＳＡＷデバ
イスの構成を説明する図、第９図は本発明に係るＳＡＷ
デバイスの温度特性を従来のＳＴカット水晶を用いたそ
れと比較する図、第１０図は清水等の求めた水晶に於け
るＳＡＷ遅延時間温度係数の等値線図、第１１図はＳＡ
Ｗ伝搬方向とＳＡＷボート共撮器と本発明に係るそれと
の特性比較実験結果を示す図である。 １・・・・・・・・・圧電基板、 ２．２’、３．
３’及び３″・・・・・・・・・ＩＤＴ［極、 ｌ
Ｃ１’＞・・・・・・・・・ＩＤＴ電極間隔
Claims (2)
- （１）圧電基板上にＳＡＷの送受信インタディジタル、
トランスジューサ（ＩＤＴ）電極を配置した弾性表面波
（ＳＡＷ）デバイスに於いて、前記送信ＩＤＴ電極によ
って励起されるＳＡＷ及びこれと同時に前記圧電基板内
に励起されるバルク波（ＢＡＷ）のパワ・フロー方位角
（ＰＦＡ）の角度差が極力大となる如くＳＡＷ伝搬方向
を選択し、前記送受信ＩＤＴ電極の中心軸線を前記ＳＡ
Ｗのパワ・フロー方向と一致せしめると共に前記受信Ｉ
ＤＴ電極による前記ＢＡＷエネルギ受信量を極力小なら
しめるよう前記送受信ＩＤＴ電極間隔を設定することに
よってＢＡＷに基因するスプリアスを抑圧したことを特
徴とするパワ・フロー角度差を利用したＳＡＷデバイス
。 - （２）前記圧電基板をＳＴ水晶基板とし励起する・ＳＡ
Ｗの伝搬方向をＸ軸に対し＋７°乃至＋１６°の方向に
設定すると共に当該基板のＸ＿ｏ軸まわりの回転角を１
．４°乃至１３．４°増大することによって前記ＳＡＷ
伝搬方向の変化に基因する頂点温度の高温側への移動を
常温近傍に修正したことを特徴とする特許請求の範囲１
記載のパワ・フロー角度差を利用したＳＡＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20269685A JPS6262608A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | パワ・フロ−角度差を利用したｓａｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20269685A JPS6262608A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | パワ・フロ−角度差を利用したｓａｗデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262608A true JPS6262608A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16461641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20269685A Pending JPS6262608A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | パワ・フロ−角度差を利用したｓａｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013090023A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 弾性波装置 |
| CN103152010A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-06-12 | 北京中讯四方科技股份有限公司 | 一种基于镂空反射电极结构的声表面波滤波器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113184A (ja) * | 1974-02-14 | 1975-09-05 | ||
| JPS519647A (ja) * | 1974-07-15 | 1976-01-26 | Nippon Telegraph & Telephone | Danseihyomenhasochi |
| JPS55100724A (en) * | 1979-01-25 | 1980-07-31 | Toko Inc | Elastic surface-wave device |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20269685A patent/JPS6262608A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113184A (ja) * | 1974-02-14 | 1975-09-05 | ||
| JPS519647A (ja) * | 1974-07-15 | 1976-01-26 | Nippon Telegraph & Telephone | Danseihyomenhasochi |
| JPS55100724A (en) * | 1979-01-25 | 1980-07-31 | Toko Inc | Elastic surface-wave device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013090023A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 弾性波装置 |
| CN103152010A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-06-12 | 北京中讯四方科技股份有限公司 | 一种基于镂空反射电极结构的声表面波滤波器 |
| CN103152010B (zh) * | 2013-03-14 | 2016-03-02 | 北京中讯四方科技股份有限公司 | 一种基于镂空反射电极结构的声表面波滤波器 |
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