JPH0247888B2 - Danseihyomenhasoshi - Google Patents
DanseihyomenhasoshiInfo
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- JPH0247888B2 JPH0247888B2 JP3923982A JP3923982A JPH0247888B2 JP H0247888 B2 JPH0247888 B2 JP H0247888B2 JP 3923982 A JP3923982 A JP 3923982A JP 3923982 A JP3923982 A JP 3923982A JP H0247888 B2 JPH0247888 B2 JP H0247888B2
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- acoustic wave
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- nitride film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特性的に優れた新しい構造の弾性表
面波素子に関するものである。
面波素子に関するものである。
弾性表面波（Surface Acoustic Wave）を利
用することにより各種の電気的信号を扱うための
弾性表面波素子を構成する構造（基板）としては
従来、 １ 圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、
圧電セラミツク基板等）、 ２ 非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造、 ３ 半導体基板上に圧電膜を形成した構造、 等が知られている。
用することにより各種の電気的信号を扱うための
弾性表面波素子を構成する構造（基板）としては
従来、 １ 圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、
圧電セラミツク基板等）、 ２ 非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造、 ３ 半導体基板上に圧電膜を形成した構造、 等が知られている。
ところで上述の２の多層構造としては、現在の
ところサフアイア基板上もしくはガラス基板上に
スパツタリング法等により酸化亜鉛膜（ZnO）を
形成した構造が知られているが、このZnO膜は以
下のような欠点が存在するため問題がある。
ところサフアイア基板上もしくはガラス基板上に
スパツタリング法等により酸化亜鉛膜（ZnO）を
形成した構造が知られているが、このZnO膜は以
下のような欠点が存在するため問題がある。
１ 良質な膜が形成しにくいため圧電軸性等の点
で十分再現性のあるものが得られない。
で十分再現性のあるものが得られない。
２ 高周波領域において弾性表面波の伝播損失が
多い。
多い。
３ 弾性表面波伝播特性の分散が大きい。
４ 弾性表面波の遅延時間τの温度変化率（１／
τ）・（∂τ／∂T）の制御が困難である。（Ｔ：
周囲温度） 本発明はこれらの問題点に対処してなされたも
のであり、弾性表面波に対する遅延時間温度係数
が正である弾性体基板上に窒化アルミニウム膜を
形成した弾性体構造（基板）を用いることを根本
的特徴とするもので、特にシリコン単結晶基板を
用いた弾性表面波素子を提供することを目的とす
るものである。
τ）・（∂τ／∂T）の制御が困難である。（Ｔ：
周囲温度） 本発明はこれらの問題点に対処してなされたも
のであり、弾性表面波に対する遅延時間温度係数
が正である弾性体基板上に窒化アルミニウム膜を
形成した弾性体構造（基板）を用いることを根本
的特徴とするもので、特にシリコン単結晶基板を
用いた弾性表面波素子を提供することを目的とす
るものである。
上記目的を達成するため、本発明の弾性表面波
素子は上記シリコン単結晶が（111）結晶面、又
は（110）結晶面、又は（001）結晶面と等価な面
から成り、窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記シ
リコン単結晶に垂直あるいは水平になるように形
成され、上記窒化アルミニウム膜の圧電軸方向と
垂直あるいは水平な方向に弾性表面波を伝播させ
ることを要旨とする。
素子は上記シリコン単結晶が（111）結晶面、又
は（110）結晶面、又は（001）結晶面と等価な面
から成り、窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記シ
リコン単結晶に垂直あるいは水平になるように形
成され、上記窒化アルミニウム膜の圧電軸方向と
垂直あるいは水平な方向に弾性表面波を伝播させ
ることを要旨とする。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本発明実施例による弾性表面波素子を
示す断面図で、１はシリコン単結晶基板で（111）
結晶面、（110）結晶面あるいは（001）結晶面と
等価な面でカツトされたものから成り、２はこの
シリコン単結晶基板１上に形成された窒化アルミ
ニウム膜でその圧電軸（Ｃ軸もしくは〔0001〕
軸）は上記シリコン単結晶基板１に垂直もしくは
平行になるように形成される。３，４は上記窒化
アルミニウム膜２表面に形成されたくし型状から
成る弾性表面波発生用電極および検出用電極で、
Ｈは窒化アルミニウム膜２の膜厚である。
示す断面図で、１はシリコン単結晶基板で（111）
結晶面、（110）結晶面あるいは（001）結晶面と
等価な面でカツトされたものから成り、２はこの
シリコン単結晶基板１上に形成された窒化アルミ
ニウム膜でその圧電軸（Ｃ軸もしくは〔0001〕
軸）は上記シリコン単結晶基板１に垂直もしくは
平行になるように形成される。３，４は上記窒化
アルミニウム膜２表面に形成されたくし型状から
成る弾性表面波発生用電極および検出用電極で、
Ｈは窒化アルミニウム膜２の膜厚である。
以上の構造の弾性表面波素子に対して、窒化ア
ルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸もしくは〔0001〕
軸）方向と垂直な方向に弾性表面波を伝播させた
時、第５図Ａに示すような弾性表面波の速度分散
特性が得られた。同図において横軸は窒化アルミ
ニウム膜２の膜厚Ｈの規格化された厚さを2πH／
λ（ここでλは弾性表面波の波長）で示し、縦軸
は弾性表面波の位相速度Vpを示すものである。
同図においてａはシリコン単結晶基板１の（111）
面上で〔11２〕軸方向と等価な方向に弾性表面波
を伝播させた時、ｂはシリコン単結晶基板１の
（110）面上で〔001〕軸方向と等価な方向に弾性
表面波を伝播させた時、Ｃはシリコン単結晶基板
１の（100）面上で〔011〕軸方向と等価な方向に
弾性表面波を伝播させた時の各特性を示してい
る。
ルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸もしくは〔0001〕
軸）方向と垂直な方向に弾性表面波を伝播させた
時、第５図Ａに示すような弾性表面波の速度分散
特性が得られた。同図において横軸は窒化アルミ
ニウム膜２の膜厚Ｈの規格化された厚さを2πH／
λ（ここでλは弾性表面波の波長）で示し、縦軸
は弾性表面波の位相速度Vpを示すものである。
同図においてａはシリコン単結晶基板１の（111）
面上で〔11２〕軸方向と等価な方向に弾性表面波
を伝播させた時、ｂはシリコン単結晶基板１の
（110）面上で〔001〕軸方向と等価な方向に弾性
表面波を伝播させた時、Ｃはシリコン単結晶基板
１の（100）面上で〔011〕軸方向と等価な方向に
弾性表面波を伝播させた時の各特性を示してい
る。
同図から明らかなように位相速度Vpの分散は
少なく、しかも非常に大きな値の位相速度Vpが
得られる。
少なく、しかも非常に大きな値の位相速度Vpが
得られる。
また第６図Ａはそれによつて得られた電気機械
結合係数の特性曲線を示すもので、横軸は2πH／
λで示し、縦軸は電気機械結合係数Ｋの二乗K2
を百分率で示すものである。同図において素子Ａ
が第１図の構造に対応した形状を示しており、通
常弾性表面波を発生および検出させるに充分な
K2が得られ圧電性に優れていることを示してい
る。
結合係数の特性曲線を示すもので、横軸は2πH／
λで示し、縦軸は電気機械結合係数Ｋの二乗K2
を百分率で示すものである。同図において素子Ａ
が第１図の構造に対応した形状を示しており、通
常弾性表面波を発生および検出させるに充分な
K2が得られ圧電性に優れていることを示してい
る。
さらに第７図Ａ乃至Ｄはそれによつて得られた
弾性表面波に対する遅延時間温度係数（TCD）
の特性曲線を示すもので、横軸は2πH／λで示
し、縦軸は弾性表面波の遅延時間τの温度変化率
（１／τ）・（∂τ／∂T）をppm／℃単位で示すも
のである。同図においてＡはシリコン単結晶基板
１の（111）面上で〔11２〕軸方向と等価な方向
に弾性表面波を伝播させた時、以下同様にＢは
（110）面上で〔001〕軸方向と等価な方向に伝播
させた時、Ｃは（100）面上で〔011〕軸方向と等
価な方向に伝播させた時、Ｄは（001）面上で
〔110〕軸方向と等価な方向に伝播させた時の各特
性を示している。ここでシリコン単結晶基板１は
正の遅延時間温度係数を示しているのに対し、窒
化アルミニウム膜２は逆に負の遅延時間温度係数
を有しているために、各々の総合特性は両者が補
償し合つた値となり、窒化アルミニウム膜２の膜
厚Ｈの変化に応じて変つてくる。膜厚Ｈを適当に
選ぶことにより遅延時間の温度変化率を零に近ず
けることができる。
弾性表面波に対する遅延時間温度係数（TCD）
の特性曲線を示すもので、横軸は2πH／λで示
し、縦軸は弾性表面波の遅延時間τの温度変化率
（１／τ）・（∂τ／∂T）をppm／℃単位で示すも
のである。同図においてＡはシリコン単結晶基板
１の（111）面上で〔11２〕軸方向と等価な方向
に弾性表面波を伝播させた時、以下同様にＢは
（110）面上で〔001〕軸方向と等価な方向に伝播
させた時、Ｃは（100）面上で〔011〕軸方向と等
価な方向に伝播させた時、Ｄは（001）面上で
〔110〕軸方向と等価な方向に伝播させた時の各特
性を示している。ここでシリコン単結晶基板１は
正の遅延時間温度係数を示しているのに対し、窒
化アルミニウム膜２は逆に負の遅延時間温度係数
を有しているために、各々の総合特性は両者が補
償し合つた値となり、窒化アルミニウム膜２の膜
厚Ｈの変化に応じて変つてくる。膜厚Ｈを適当に
選ぶことにより遅延時間の温度変化率を零に近ず
けることができる。
次に第１図の構造の弾性表面波素子に対して、
窒化アルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸もしくは
〔0001〕軸）方向と水平な方向に弾性表面波を伝
播させた時は、第５図に示すような弾性表面波の
速度分散特性が得られた。
窒化アルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸もしくは
〔0001〕軸）方向と水平な方向に弾性表面波を伝
播させた時は、第５図に示すような弾性表面波の
速度分散特性が得られた。
同図においてｄはシリコン単結晶基板１の
（001）面上で〔100〕軸方向と特価な方向に弾性
表面波を伝播させた時、同様にｅは（110）面上
で〔001〕軸方向と等価な方向に伝播させた時の
各特性を示している。同図から明らかなように位
相速度Vpの分散は少なく、しかも非常に大きな
値の位相速度が得られる。
（001）面上で〔100〕軸方向と特価な方向に弾性
表面波を伝播させた時、同様にｅは（110）面上
で〔001〕軸方向と等価な方向に伝播させた時の
各特性を示している。同図から明らかなように位
相速度Vpの分散は少なく、しかも非常に大きな
値の位相速度が得られる。
また第６図Ｃ，Ｄは、その時得られた電気機械
結合係数の特性曲線を示すもので、素子Ａが第１
図の構造に対応した特性で、第６図Ｃは、シリコ
ン単結晶基板１の（110）面上で〔001〕軸方向と
等価な方向に弾性表面波を伝播させた時、同様に
第６図Ｄは（001）面上で〔001〕軸方向と等価な
方向に伝播させた時の各特性を示している。同図
から明らかなように、通常弾性表面波を発生およ
び検出させるに充分なK2が得られ圧電性に優れ
ていることを示している。
結合係数の特性曲線を示すもので、素子Ａが第１
図の構造に対応した特性で、第６図Ｃは、シリコ
ン単結晶基板１の（110）面上で〔001〕軸方向と
等価な方向に弾性表面波を伝播させた時、同様に
第６図Ｄは（001）面上で〔001〕軸方向と等価な
方向に伝播させた時の各特性を示している。同図
から明らかなように、通常弾性表面波を発生およ
び検出させるに充分なK2が得られ圧電性に優れ
ていることを示している。
さらに第７図Ｅ，Ｆはその時得られた弾性表面
波に対する遅延時間温度係数（TCD）の特性曲
線を示すもので、Ｅはシリコン単結晶基板１の
（001）面上で〔100〕軸方向と等価な方向に弾性
表面波を伝播させた時、同様にＦは（110）面上
で〔001〕軸方向と等価な方向に伝播させた時の
各特性を示している。第７図Ａ乃至Ｆから明らか
なように、窒化アルミニウム膜２の膜厚Ｈを0.2
＜2πH／λ＜3.0の範囲に選ぶことにより遅延時
間の温度変化率を零に近ずけることができる。
波に対する遅延時間温度係数（TCD）の特性曲
線を示すもので、Ｅはシリコン単結晶基板１の
（001）面上で〔100〕軸方向と等価な方向に弾性
表面波を伝播させた時、同様にＦは（110）面上
で〔001〕軸方向と等価な方向に伝播させた時の
各特性を示している。第７図Ａ乃至Ｆから明らか
なように、窒化アルミニウム膜２の膜厚Ｈを0.2
＜2πH／λ＜3.0の範囲に選ぶことにより遅延時
間の温度変化率を零に近ずけることができる。
第２図乃至第４図は本発明の他の実施例を示す
断面図で、第２図はシリコン単結晶基板１の表面
部に弾性表面波発生用電極３および検出用電極４
を形成した後、これらを覆うように窒化アルミニ
ウム膜２を形成した構造を示すものである。また
第３図はシリコン単結晶基板１の表面部に部分的
に第２電極として一対のしやへい電極７を形成し
た後、これらを覆うように窒化アルミニウム膜２
を形成しこの表面に第１電極として弾性表面波発
生用電極３および検出用電極４を形成した構造を
示すものである。
断面図で、第２図はシリコン単結晶基板１の表面
部に弾性表面波発生用電極３および検出用電極４
を形成した後、これらを覆うように窒化アルミニ
ウム膜２を形成した構造を示すものである。また
第３図はシリコン単結晶基板１の表面部に部分的
に第２電極として一対のしやへい電極７を形成し
た後、これらを覆うように窒化アルミニウム膜２
を形成しこの表面に第１電極として弾性表面波発
生用電極３および検出用電極４を形成した構造を
示すものである。
さらに第４図はシリコン単結晶基板１の表面部
に第１電極として弾性表面波発生用電極３および
検出用電極４を形成した後、これらを覆うように
窒化アルミニウム膜２を形成しこの部分に部分的
に第２電極として一対のしやへい電極７を形成し
た構造を示すものである。
に第１電極として弾性表面波発生用電極３および
検出用電極４を形成した後、これらを覆うように
窒化アルミニウム膜２を形成しこの部分に部分的
に第２電極として一対のしやへい電極７を形成し
た構造を示すものである。
以上の各構造の弾性表面波素子に対して、窒化
アルミニウム膜２の圧電軸方向と垂直な方向に弾
性表面波を伝播させた時、第６図Ａ，Ｂに示すよ
うなK2特性が得られた。
アルミニウム膜２の圧電軸方向と垂直な方向に弾
性表面波を伝播させた時、第６図Ａ，Ｂに示すよ
うなK2特性が得られた。
同図において素子Ｂは第２図の構造に対応した
特性を、素子Ｃは第３図の構造に対応した特性
を、素子Ｄは第４図の構造に対応した各特性を示
しており、通常弾性表面波を発生および検出させ
るに充分なK2が得られ圧電性に優れていること
を示している。
特性を、素子Ｃは第３図の構造に対応した特性
を、素子Ｄは第４図の構造に対応した各特性を示
しており、通常弾性表面波を発生および検出させ
るに充分なK2が得られ圧電性に優れていること
を示している。
同様に第２図乃至第４図の各構造の弾性表面波
素子に対して、窒化アルミニウム膜２の圧電軸方
向と水平な方向に弾性表面波を伝播させた時、第
６図Ｃ，Ｄに示すようなK2特性が得られた。
素子に対して、窒化アルミニウム膜２の圧電軸方
向と水平な方向に弾性表面波を伝播させた時、第
６図Ｃ，Ｄに示すようなK2特性が得られた。
同図において第６図Ｃはシリコン単結晶基板１
の（110）面上で〔001〕軸方向と等価な方向に弾
性表面波を伝播させた時、同様に第６図Ｄは
（001）面上で〔100〕軸方向と等価な方向に伝播
させた時の各特性を示しており、通常弾性表面波
を発生および検出させるに充分なK2が得られ圧
電性に優れていることを示している。
の（110）面上で〔001〕軸方向と等価な方向に弾
性表面波を伝播させた時、同様に第６図Ｄは
（001）面上で〔100〕軸方向と等価な方向に伝播
させた時の各特性を示しており、通常弾性表面波
を発生および検出させるに充分なK2が得られ圧
電性に優れていることを示している。
第６図Ａ乃至Ｄから明らかなように規格化膜厚
2πH／λを0.2〜6.0の範囲に選ぶことにより実用
上充分な値のK2値を得ることができ圧電性に優
れていることを示している。
2πH／λを0.2〜6.0の範囲に選ぶことにより実用
上充分な値のK2値を得ることができ圧電性に優
れていることを示している。
各実施例で用いられた窒化アルミニウム膜はバ
ンドギヤツプが約6.2eVと大きく、また比抵抗が
1016Ωcm以上のものが容易に得られるので良好な
絶縁性を示す。この窒化アルミニウム膜は単結晶
であることが好ましいが、周知のMO−CVD技
術を用いることにより単結晶エピタキシヤル膜を
容易に形成することができる。
ンドギヤツプが約6.2eVと大きく、また比抵抗が
1016Ωcm以上のものが容易に得られるので良好な
絶縁性を示す。この窒化アルミニウム膜は単結晶
であることが好ましいが、周知のMO−CVD技
術を用いることにより単結晶エピタキシヤル膜を
容易に形成することができる。
また従来においてのスパツタリング法等による
酸化亜鉛膜に比べ窒化アルミニウム膜は再現性に
優れ、膜質が均一なものが得られるので特に高周
波における伝搬損失を小さく抑えることができ
る。
酸化亜鉛膜に比べ窒化アルミニウム膜は再現性に
優れ、膜質が均一なものが得られるので特に高周
波における伝搬損失を小さく抑えることができ
る。
特に上記窒化アルミニウム膜は弾性表面波に対
する遅延時間温度係数が負である特性を有してい
るので、シリコン単結晶基板のようにそれと逆に
遅延時間温度係数が正である性質を有している基
板上に形成すれば遅延時間温度係数は相互に補償
されるために、温度変化に対して安定な特性を得
ることができる。特に温度変化に対する素子の安
定性は共振器、発振器等の狭帯域信号処理素子に
おいて最も重要な性能であるが、上記各実施例構
造によれば温度変化に対して安定な動作を行なわ
せることができる。しかも高周波化、低損失化も
併せて計ることができる。
する遅延時間温度係数が負である特性を有してい
るので、シリコン単結晶基板のようにそれと逆に
遅延時間温度係数が正である性質を有している基
板上に形成すれば遅延時間温度係数は相互に補償
されるために、温度変化に対して安定な特性を得
ることができる。特に温度変化に対する素子の安
定性は共振器、発振器等の狭帯域信号処理素子に
おいて最も重要な性能であるが、上記各実施例構
造によれば温度変化に対して安定な動作を行なわ
せることができる。しかも高周波化、低損失化も
併せて計ることができる。
上記窒化アルミニウム膜を形成すべき基板とし
てはシリコン単結晶に限らず、遅延時間温度係数
が負である材料であれば任意のものを選択するこ
とができる。例えばシリコン単結晶上に二酸化シ
リコン膜等のシリコン表面保護膜を形成した基板
を用いることができる。
てはシリコン単結晶に限らず、遅延時間温度係数
が負である材料であれば任意のものを選択するこ
とができる。例えばシリコン単結晶上に二酸化シ
リコン膜等のシリコン表面保護膜を形成した基板
を用いることができる。
以上述べて明らかなように本発明によれば、弾
性表面波に対する遅延時間温度係数が正であるシ
リコン基板上に窒化アルミニウム膜を形成するよ
うにした弾性体構造を用いるものであるから、特
性的に優れた弾性表面波素子を得ることができ
る。
性表面波に対する遅延時間温度係数が正であるシ
リコン基板上に窒化アルミニウム膜を形成するよ
うにした弾性体構造を用いるものであるから、特
性的に優れた弾性表面波素子を得ることができ
る。
以上説明した本発明によれば次のような効果が
得られる。
得られる。
１ 弾性表面波速度が大きいため高周波での波長
が大きくなるので、くし型電極等の製造が容易
になる。
が大きくなるので、くし型電極等の製造が容易
になる。
２ 膜厚変動による周波数変動率が小さいため設
計した動作周波数に合わせた素子の構造が容易
となるので、歩留り向上によるコストダウンを
計ることができる。
計した動作周波数に合わせた素子の構造が容易
となるので、歩留り向上によるコストダウンを
計ることができる。
３ 弾性表面波素子の遅延時間を零に近ずけるこ
とができる。
とができる。
４ 絶縁性に富んだ窒化アルミニウム膜を容易に
得ることができ、またMO−CVD技術により
その単結晶エピタキシヤル膜の形成も容易とな
る。
得ることができ、またMO−CVD技術により
その単結晶エピタキシヤル膜の形成も容易とな
る。
なお本文実施例中で示した基板および基板上に
形成された窒化アルミニウム膜の結晶面および弾
性表面波を励振（伝播）させる結晶方向は、実施
例以外に適当な選択を行なつても同様の効果を得
ることが可能である。
形成された窒化アルミニウム膜の結晶面および弾
性表面波を励振（伝播）させる結晶方向は、実施
例以外に適当な選択を行なつても同様の効果を得
ることが可能である。
第１図乃至第４図はいずれも本発明実施例を示
す断面図、第５図Ａ，Ｂ、第６図Ａ〜Ｄおよび第
７図Ａ〜Ｆはいずれも本発明により得られた結果
を示す特性図である。 １……シリコン単結晶、２……窒化アルミニウ
ム膜、３……弾性表面波発生用電極、４……弾性
表面波検出用電極、７……しやへい電極。
す断面図、第５図Ａ，Ｂ、第６図Ａ〜Ｄおよび第
７図Ａ〜Ｆはいずれも本発明により得られた結果
を示す特性図である。 １……シリコン単結晶、２……窒化アルミニウ
ム膜、３……弾性表面波発生用電極、４……弾性
表面波検出用電極、７……しやへい電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 弾性表面波に対する遅延時間温度係数が正で
あるシリコン単結晶を主たる構成要素とする弾性
体基板と、この弾性体基板上に形成されかつ圧電
軸が配向した窒化アルミニウム膜と、これら所定
位置に形成された電極とを含み、上記シリコン単
結晶が（111）結晶面、又は（110）結晶面、又は
（001）結晶面と等価な面から成り、窒化アルミニ
ウム膜の圧電軸が上記シリコン単結晶に垂直ある
いは水平になるように形成され、上記窒化アルミ
ニウム膜の圧電軸方向と垂直あるいは水平な方向
に弾性表面波を伝播させることを特徴とする弾性
表面波素子。 ２ 上記シリコン単結晶が（111）結晶面と等価
な面から成り、上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈ
が0.2＜2πH／λ＜2.5（ただし、λは弾性表面波の
波長を示す）の範囲に属することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の弾性表面波素子。 ３ 上記シリコン単結晶が（110）結晶面と等価
な面から成り、上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈ
が１＜2πH／λ＜３の範囲に属することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波素
子。 ４ 上記シリコン単結晶が（001）結晶面と等価
な面から成り、上記窒化アルミニウム膜の膜厚Ｈ
が１＜2πH／λ＜２の範囲に属することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波素
子。 ５ 上記窒化アルミニウム膜が単結晶エピタキシ
ヤル膜から成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第４項のいずれかに記載の弾性表面波
素子。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3923982A JPH0247888B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Danseihyomenhasoshi |
| DE3308365A DE3308365A1 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische oberflaechenwellen bildende vorrichtung |
| US06/473,410 US4511816A (en) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Surface acoustic wave device using an elastic substrate and an aluminum nitride piezoelectric film |
| DE3348366A DE3348366C2 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische Oberflächenwellen bildende Vorrichtung |
| DE3348369A DE3348369C2 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung |
| GB08306526A GB2120037B (en) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Surface acoustic wave device |
| FR8303952A FR2523382B1 (fr) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | Dispositif a onde acoustique de surface |
| NL8300879A NL8300879A (nl) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | Akoestische oppervlaktegolfinrichting. |
| GB08624225A GB2181917B (en) | 1982-03-11 | 1986-10-09 | Surface acoustic wave device |
| GB08624226A GB2181918B (en) | 1982-03-11 | 1986-10-09 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3923982A JPH0247888B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Danseihyomenhasoshi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58156216A JPS58156216A (ja) | 1983-09-17 |
| JPH0247888B2 true JPH0247888B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=12547575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3923982A Expired - Lifetime JPH0247888B2 (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | Danseihyomenhasoshi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247888B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231911A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Clarion Co Ltd | 表面弾性波素子 |
| EP0363495A4 (en) * | 1988-03-17 | 1991-03-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3923982A patent/JPH0247888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58156216A (ja) | 1983-09-17 |
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