DE3348369C2

DE3348369C2 - Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung

Info

Publication number: DE3348369C2
Application number: DE3348369A
Authority: DE
Inventors: Nobuo Mikoshiba; Kazuo Tsubouchi; Kazuyoshi Sugai
Original assignee: Individual
Current assignee: Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Priority date: 1982-03-11
Filing date: 1983-03-09
Publication date: 1995-08-31
Anticipated expiration: 2003-03-10
Also published as: DE3348366C2

Description

Die Erfindung betrifft eine akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung.

Es sind verschiedene Möglichkeiten des Aufbaus von aku stische Oberflächenwellen ausbildenden Vorrichtungen be kannt, welche unter Nutzung akustischer Oberflächenwellen elektrische Signale übertragen, verarbeiten oder beein flussen können:

1. Ein einteiliger Aufbau nur aus einem piezoelektrischen Substrat (piezoelektrisches Einkristall-Substrat, piezo elektrisches Keramik-Substrat usw.);
2. Ein Schichtaufbau mit einem piezoelektrischen Film, welcher auf einem nicht piezoelektrischen Substrat niedergeschlagen ist;
3. Ein Schichtaufbau mit einem piezoelektrischen Film, welcher auf einem Halbleiter-Substrat niedergeschlagen ist, sowie weitere Arten des Aufbaus.

Aus der US-A-4,037,176 ist beispielsweise eine akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung mit einem Aufbau nach Ziffer 2 bekannt. Bei diesem bekannten Ausführungs beispiel ist zwischen einem Saphir- oder Glassubstrat und einer piezoelektrischen Schicht eine Zwischenschicht aus Siliziumoxid oder Glas angeordnet. Als Material für die piezoelektrische Schicht wird unter anderem Zinkoxid vor geschlagen. Ein die piezoelektrische Schicht bildender Zinkoxidfilm bringt jedoch einige Nachteile mit sich:

1. Insbesondere bei größeren Schichtdicken ist ein Zink oxidfilm in guter Qualität nur mit vergleichsweise hohem Aufwand herstellbar. Bei einem qualitativ nicht aus reichenden Film können die piezoelektrischen Eigenschaf ten der Vorrichtung minderwertig sein.
2. Im Hochfrequenzbereich treten große Ausbreitungsverluste der akustischen Oberflächenwellen auf.
3. Die Ausbreitungseigenschaften der akustischen Oberflä chenwellen unterliegen einer relativ großen Streuung. Insbesondere ist bei den bekannten Vorrichtungen mit einem Zinkoxidfilm eine relativ starke Temperaturabhän gigkeit der Laufzeit und damit der Ausbreitungsgeschwin digkeit der Oberflächenwellen zu beobachten, was zu unerwünschten Verzerrungen führen kann.
4. Die Einstellung bzw. Steuerung des Änderungsverhält nisses (1/τ) · (∂τ/∂T) der Verzögerungszeit τ der akusti schen Oberflächenwellen in Abhängigkeit von einer Ände rung der Temperatur (T ist die Temperatur) ist ver gleichsweise schwierig.

Eine akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung, bei der die mit der Verwendung eines piezoelektrischen Zinkoxidfilms zusammenhängenden Probleme zumindest redu ziert sind, ist aus der, dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zugrunde liegenden GB 2 001 106 A bekannt. Die aus diesem Dokument bekannte Vorrichtung weist eine AlN-Saphir- Struktur auf. Allerdings ist eine derartige Vorrichtung vergleichsweise stark dispersiv, da die Ausbreitungsge schwindigkeit einer akustischen Oberflächenwelle in Saphir deutlich höher als in Aluminiumnitrid ist. Dies stellt hohe Anforderungen an die Einhaltung der Genauigkeit der Dicke des Aluminiumnitrid-Films.

Aus der US-A-4,194,171 ist ein Konvolver für akustische Oberflächenwellen bekannt, bei dem eine Zwischenschicht aus einer Oxidverbindung des halbleitenden Substratmaterials besteht.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung zu schaffen, die bei einfacher Herstellung und geringem Kostenaufwand sta bile Ausbreitungseigenschaften aufweist, insbesondere was die Temperaturabhängigkeit der Laufzeit bzw. Verzögerungs zeit einer akustischen Oberflächenwelle betrifft.

Bei der Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung von einer akustische Oberflächenwellen ausbildenden Vorrichtung mit einem Substrat, einem auf dem Substrat vorgesehenen piezo elektrischen Film aus Aluminiumnitrid und einer eine aku stische Oberflächenwelle erzeugenden Elektrode sowie einer eine akustische Oberflächenwellen detektierenden Elektrode aus, welche Elektroden auf dem piezoelektrischen Film vorgesehen sind. Erfindungsgemäß ist das Substrat ein aus Saphir und Silizium hergestelltes Silizium-auf-Saphir Substrat und verläuft die piezoelektrische Polarisierungs richtung des Aluminiumnitrid-Films senkrecht oder parallel zur Oberfläche des Substrats. Die Dicke des Aluminiumni trid-Films ist dabei im Bereich von 1,0 < 2πH/λ < 6,0 zu wäh len, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächen welle ist.

Bei senkrecht zur Oberfläche des Substrats liegender piezo elektrischer Polarisierungsrichtung des piezoelektrischen Films ist insbesondere vorgesehen, daß die Ausbreitungs richtung einer akustischen Oberflächenwelle senkrecht zur piezoelektrischen Polarisierungsrichtung verläuft. Bei parallel zur Oberfläche des Substrats liegender piezoelek trischer Polarisierungsrichtung des piezoelektrischen Films ist hingegen bevorzugt vorgesehen, daß die Ausbreitungs richtung einer akustischen Oberflächenwelle parallel zur piezoelektrischen Polarisierungsrichtung verläuft. Der piezoelektrische Film ist vorzugsweise ein einkristalliner epitaktischer Film.

Im folgenden werden anhand der beiliegenden Zeichnungen besonders bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher beschrieben. Es stellen dar:

Fig. 1-4 Schnittansichten verschiedener Ausführungs beispiele der erfindungsgemäßen Vorrichtung,

Fig. 5A, 5B, 6A, 6B, 7A und 7B bei den in den Fig. 1-4 dargestellten Ausführungsbeispielen erhaltene Kennlinien und

Fig. 8 ein Blockschaltbild einer MO-CVD-Anlage (me tallorganisch-chemisches Aufdampfen) für die epitaxiale Verfahrenstechnik.

Die Fig. 1 bis 4 zeigen Ausführungsbeispiele der Erfindung, bei denen ein SOS, d. h. Silicium-auf-Saphir- Substrat als elastisches Substrat mit einem positiven Ver zögerungszeittemperaturkoeffizienten für die akustische Oberflächenwelle verwandt wird.

Das in Fig. 1 dargestellte SOS oder Silicium-auf-Saphir Substrat umfaßt ein Saphirsubstrat 25 und einen Silicium film 26, der auf dem Saphirsubstrat 25 niedergeschlagen ist. Ein AlN-Film 22 ist auf dem SOS-Substrat 21 so nieder geschlagen, daß die piezoelektrische Achse(C-Achse oder [0001]-Achse) des Filmes senkrecht oder parallel zur Ober fläche des SOS-Substrates 21 verläuft. Kammförmige Elektroden 23 und 24 dienen zur Erzeugung einer akustischen Oberflächen welle und zur Aufnahme der akustischen Oberflächenwelle, und sind alle auf der Oberfläche des AlN-Filmes 22 vorgesehen. Die Stärke des AlN-Filmes 22 ist mit H bezeichnet, während die Stärke des Siliciumfilmes 26 mit T bezeichnet ist.

Fig. 5A zeigt die Geschwindigkeitsverteilungskennlinie für die akustische Oberflächenwelle, die dann erhalten wird, wenn die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung ver wandt wird und sich die akustische Oberflächenwelle in die Richtung senkrecht zur piezoelektrischen Achse (C-Achse oder [0001]-Achse) des AlN-Filmes 22 fortpflanzt Auf der Abszisse ist die normierte Stärke 2πH/λ aufge tragen, während auf der Ordinate die Phasengeschwindig keit V_p der akustischen Oberflächenwelle aufgetragen ist. Aus Fig. 5A ist ersichtlich, daß die Phasengeschwindig keit V_p nicht stark streut und sehr groß ist.

Fig. 6A zeigt die Kennlinie des elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, die unter denselben Bedingungen erhalten wird. Auf der Abszisse ist die normierte Stärke 2πH/λ aufgetragen, während auf der Ordinate der elektro mechanische Kopplungskoeffizient K² aufgetragen ist. Die Vorrichtung A entspricht dem in Fig. 1 dargestellten Auf bau. Wenn die normierte Stärke 2πH/λ nahe bei 3,0 liegt, ist der Wert von K² annähernd 0,39% Dieser Wert ist für die Erzeugung und Aufnahme einer akustischen Ober flächenwelle geeignet.

Fig. 7A zeigt die Kennlinie des Verzögerungszeittemperatur koeffizienten TCD für die akustische Oberflächenwelle, die unter denselben Bedingungen erhalten wird. Auf der Abszisse ist die normierte Stärke 2πH/λ aufgetragen, während die Ordinate das Temperaturänderungsverhältnis (1/τ) · (∂τ/∂T) der Verzögerungszeit τ der akustischen Oberflächenwelle in ppm/°C zeigt. Da der Verzögerungszeittemperaturkoeffizient des SOS-Substrates 21 positiv ist, während der des AlN- Filmes 22 negativ ist, kompensieren sich beide Temperatur koeffizienten und ändert sich die sich ergebende Kennlinie nach Maßgabe der Stärke H des AlN-Filmes 22. Wenn die Stärke H so bestimmt ist, daß sie der Beziehung 1,0 < 2πH/λ < 4,0 ge nügt, ist das Verzögerungszeittemperaturänderungsverhältnis nahezu gleich Null.

Fig. 5B zeigt die Geschwindigkeitsverteilungskennlinie der akustischen Oberflächenwelle, die dann erhalten wird, wenn die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung ver wandt wird und sich die akustische Oberflächenwelle in die Richtung parallel zur piezoelektrischen Achse (C- Achse oder [0001]-Achse) des AlN-Filmes 22 fortpflanzt. Aus Fig. 5B ist ersichtlich, daß die Phasengeschwindig keit V_p nicht sehr streut und sehr groß ist.

Fig. 6B zeigt die Kennlinie des elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, die unter denselben Bedingungen erhalten wird. Die Kurve A ist die Kennlinie, die dem in Fig. 1 dargestellten Aufbau entspricht. Wenn die normierte Stärke 2πH/λ nahe bei 2,9 liegt, ist K² annähernd gleich 0,88%. Dieser Wert ist für die Erzeugung und Aufnahme einer akustischen Oberflächenwelle geeignet.

Fig. 7B zeigt die Kennlinie des Verzögerungszeittemperatur koeffizienten TCD für die akustische Oberflächenwelle, die unter denselben Bedingungen erhalten wird. Wenn die Stärke H des AlN-Filmes 22 so bestimmt ist, daß sie der Beziehung 1,0 < 2πH/λ < 4,0 genügt, ist das Temperatur änderungsverhältnis der Verzögerungszeit nahezu gleich Null.

Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel hat einen Aufbau, bei dem die akustische Oberflächenwellen erzeugenden Elektroden 23 und die akustische Oberflächenwellen auf nehmenden Elektroden 24 auf der Oberfläche des SOS- oder Silicium-auf-Saphir-Substrates 21 vorgesehen sind und bei dem anschließend der AlN-Film 22 auf dem SOS-Substrat 21 so niedergeschlagen ist, daß er die Elektroden 23 und 24 überdeckt.

Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind zwei Schirmelektroden 27, die als zweite Elektroden dienen, auf Teilen der Oberfläche des SOS-Substrates 21 vorge sehen und ist der AlN-Film 22 danach auf dem Substrat 21 so vorgesehen, daß er die Schirmelektroden überdeckt. Akustische Oberflächenwellen erzeugende Elektroden 23 sowie akustische Oberflächenwellen aufnehmende Elektroden 24, die alle als erste Elektroden dienen, sind auf dem AlN-Film 22 vorgesehen.

Bei dem in Fig. 4 dargestellten Beispiel sind akustische Oberflächenwellen erzeugende Elektroden 23 und akustische Oberflächenwellen aufnehmende Elektroden 24, die als erste Elektroden dienen, auf der Oberfläche des SOS-Substrates 1 vorgesehen. Der AlN-Film 22 ist danach auf dem Substrat 21 so niedergeschlagen, daß er die Elektroden 23 und 24 überdeckt. Zwei Schirmelektroden 27, die als zweite Elektroden dienen, sind auf der Oberfläche des AlN-Filmes 22 vorge sehen.

Wenn die in den Fig. 2 bis 4 dargestellten Vorrichtungen verwandt werden und sich die akustische Oberflächenwelle in die Richtung senkrecht zur piezoelektrischen Achse des AlN-Filmes 22 fortpflanzt, ergeben sich Geschwindigkeits verteilungskennlinien der akustischen Oberflächenwelle, die im wesentlichen gleich den Kennlinien in Fig. 5A sind und sind die Verzögerungszeittemperaturkoeffizienten TCD der akustischen Oberflächenwelle im wesentlichen gleich denen, die in Fig. 7A dargestellt sind. Die K² Kennlinien sind weiterhin in Fig. 6A dargestellt, in der die Vor richtung B dem in Fig. 2 dargestellten Aufbau entspricht, in der die Vorrichtung C Fig. 3 entspricht und in der die Vorrichtung D Fig. 4 entspricht. Im Falle der Vor richtung B hat dann, wenn die normierte Stärke 2πH/λ nahe bei 3,1 liegt, der Kopplungskoeffizient K² einen Doppelspitzen kennwert von 0,35%. Im Falle der Vorrichtung D er reicht der Kopplungskoeffizient K² zwei Spitzenwerte 0,27% und 0,45% jeweils, wenn die normierte Stärke 2πH/λ 0,27 und 3,6 beträgt. Diese Werte sind für die Erzeugung und Aufnahme einer akustischen Oberflächenwelle geeignet.

Wenn die in den Fig. 2 bis 4 dargestellten Vorrichtungen verwandt werden und sich die akustische Oberflächenwelle in die Richtung parallel zur piezoelektrischen Achse des AlN-Filmes 22 fortpflanzt, sind die Geschwindigkeitsver teilungskennlinien im wesentlichen die gleichen wie sie in Fig. 5B dargestellt sind und sind die Verzögerungszeit temperaturkoeffizienten TCD für die akustische Oberflächen welle im wesentlichen gleich denen von Fig. 7B. Die K² Kennlinien, die unter denselben Bedingungen erhalten werden, sind in Fig. 6B dargestellt, in der die Vorrich tung B dem in Fig. 2 dargestellten Aufbau entspricht, in der die Vorrichtung C Fig. 3 entspricht und in der die Vorrichtung D Fig. 4 jeweils entspricht. Im Fall der Vorrichtung B erreicht der Kopplungskoeffizient K² Spitzenwerte von 0,15% und 0,62% jeweils, wenn die normierte Stärke 2πH/λ gleich 0,4 und 2,9 ist. Im Fall der Vor richtung C ist K² gleich 0,97%, wenn die normierte Stärke 2πH/λ nahe bei 1,9 liegt und im Falle der Vorrichtung D ist K² gleich 0,7%, wenn die normierte Stärke 2πH/λ nahe bei 2,8 liegt. Diese Werte sind für die Erzeugung und die Aufnahme von akustischen Oberflächenwellen geeignet.

Wie es in den Fig. 6A und 6B dargestellt ist, ist es durch eine Wahl der normierten Stärke 2πH/λ zwischen 0,1 bis 6,0 möglich, K² Werte zu erhalten, die für die Anwendung in der Praxis und für eine ausgezeichnete Piezoelektrizität geeignet sind.

Da der AlN-Film einen großen Bandabstand von 6,2 eV hat und leicht so ausgebildet werden kann, daß sein spezifischer Widerstand größer als 10¹⁶ Ω cm ist, stellt er eine ausgezeichnete Isolierung dar.

Weiterhin ist der AlN-Film dem Zinkoxidfilm überlegen, der durch Aufdampfen ausgebildet wird, da ein Film mit gleichmäßiger und konstanter Qualität erhalten werden kann. Das macht es möglich, selbst im Hochfrequenzband die Fortpflanzungsverluste klein zu halten.

Da insbesondere der Verzögerungszeittemperaturkoeffizient für die akustische Oberflächenwelle des AlN-Filmes negativ ist, wenn er auf einem Substrat, wie beispielsweise einem Saphirsubstrat niedergeschlagen wird, dessen Verzögerungs zeitkoeffizient wiederum positiv ist, kompensieren beide Temperaturkoeffizienten einander, so daß die sich er gebende Kennlinie gegenüber einer Temperaturänderung stabil ist. Die Stabilität der akustische Oberflächenwellen erzeugenden Vorrichtung gegenüber einer Temperaturänderung ist der wichtigste Faktor bei einer Schmalbandsignal verarbeitungsvorrichtung, wie beispielsweise einem Resonator, einem Oszillator usw. Von diesem Standpunkt aus stellt jede der oben beschriebenen Vorrichtungen eine stabile Funktion gegenüber einer Temperaturänderung sicher. Durch dieselben Vorrichtungen ist auch die Eignung für das Hochfrequenz band bei niedrigen Fortpflanzungsverlusten sichergestellt.

Wie es oben beschrieben wurde, ergibt sich gemäß der Er findung durch die Verwendung eines elastischen Aufbaues mit einem auf einem elastischen Substrat, dessen Ver zögerungszeittemperaturkoeffizient für die akustische Ober flächenwelle positiv ist, niedergeschlagenen AlN-Film eine elastische Oberflächenwellen bildende Vorrichtung, die in ihren verschiedenen Kennwerten ausgezeichnet ist.

Durch die Erfindung wird hauptsächlich folgendes bewirkt:

1. Aufgrund der hohen Geschwindigkeit der akustischen Oberflächenwelle ist die Wellenlänge im Hochfrequenzband groß, was die Herstellung der kammförmigen Elektroden erleichtert.
2. Aufgrund des kleinen Frequenzänderungsverhältnisses in Abhängigkeit von der Änderung der Filmstärke ist es leicht, Vorrichtungen herzustellen, die sich für das ge wünschte Frequenzband eignen, was zu einer guten Produktivi tät und zur Verminderung der Kosten führt.
3. Es ist möglich, die temperaturabhängige Änderung der Verzögerungszeit der akustische Oberflächenwellen bildenden Vorrichtung nahezu gleich Null zu halten.
4. Der AlN-Film mit guter Isolierung kann leicht gebildet werden. Weiterhin läßt sich ein einkristalliner epitaxialer AlN-Film leicht nach dem MO-CVD-Verfahren ausbilden.

Die Kristallorientierungen des Substrates und des AlN- Filmes und gleichfalls die Fortpflanzungsrichtung der akustischen Oberflächenwelle sind nicht auf diejenigen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Andere Orientierungen und Richtungen können ähnliche Wirkungen zeigen.

Der AlN-Film kann ein AlN-Einkristallepitaxialfilm sein. In diesem Fall kann die akustische Oberflächenwellen bildende Vorrichtung durch die in Fig. 8 dargestellte Anordnung hergestellt werden.

Fig. 8 zeigt das Blockschaltbild einer MO-CVD-Anlage (metallorganischchemisches Aufdampfen) für die Epitaxial verfahrenstechnik. Eine Standardreaktionsröhre 31, in der ein Substrat, z. B. ein Siliciumeinkristallsubstrat 32, zu bearbeiten ist, wird auf einer drehbaren Halteplatte 33 angeordnet. Wie es in Fig. 25 dargestellt ist, sind weiterhin eine Wasser stoffgasquelle (H₂) 34, eine Ammoniakgasquelle (NH₃) 35, eine Aluminiumlegierungsquelle 36, die Trimethylaluminium (TMA, Al(CH₃)₃: flüssig bei normaler Temperatur) beispiels weise sein kann, Rohre 37A und 37B, ein Ventil 38, ein Strömungsmesser 39, ein Reiniger 40, eine Hochfrequenz spule 41, ein Unterdrucksaugrohr 42 und ein Auslaßrohr 43 vorgesehen.

Während das Siliciumeinkristallsubstrat 32 in der Standard reaktionsröhre 31 durch die drehbare Halteplatte 33 gedreht wird, und das Substrat 32 durch die Hochfrequenzspule 41 Wärme ausgesetzt wird, wird Trimethylaluminium, das durch das Wasserstoffgas in Blasen aufsteigt, der Reaktionsröhre 31 über die Leitung 37A zugeführt und wird Ammoniakgas der Reaktionsröhre 31 über die Leitung 37B zugeführt. Das Trimethylaluminium und das Ammoniak reagieren miteinander in der Reaktionsröhre 31, was zur Ausbildung und zum epitaxialen Wachstum einer AlN-Filmes auf dem Siliciumeinkristallsubstrat 32 führt.

Eine Filmwachstumsgeschwindigkeit von 3 lm/h des AlN-Filmes wurde unter den folgenden Epitaxialarbeitsverhältnissen erhalten. Erwärmung des Siliciumeinkristallsubstrates 32: 1260°C, Wasserstoffgasstrom: 5 l/min, Ammoniakstrom: 3 l/min, Trimethylaluminiumstrom: 13,6 × 10^-6 mol/min. Es wurden weiterhin Siliciumeinkristallsubstrate mit (111)-Kristall fläche, (110)-Kristallfläche und (100)-Kristallfläche jeweils verwandt und in derselben Weise bearbeitet. Das hat zur Folge, daß in jedem Fall der AlN-Film in die (0001)- Kristallfläche wuchs.

Es kann ein Substrat aus einem anderen Material als Silicium einkristall benutzt werden, um darauf den AlN-Film vorzu sehen, wobei der gelieferte Verzögerungszeittemperatur koeffizient negativ ist. Beispielsweise kann das Substrat eine Siliciumeinkristallplatte und einen Siliciumoberflächen schutzfilm aus Siliciumdioxid umfassen, der auf der Silicium einkristallplatte niedergeschlagen ist.

Claims

1. Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung mit

- einem Substrat (25, 26),
- einem auf dem Substrat (25, 26) vorgesehenen piezoelektri schen Film (22) aus Aluminiumnitrid, und
- einer eine akustische Oberflächenwelle erzeugenden Elektrode (23) sowie einer eine akustische Oberflächenwelle detektieren den Elektrode (24), die auf dem piezoelektrischen Film (22) vorgesehen sind,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (25, 26) ein aus Saphir (25) und Silizium (26) hergestelltes Silizium-auf-Saphir-Sub strat ist, die piezoelektrische Polarisierungsrichtung des Alu miniumnitrid-Films (22) senkrecht oder parallel zur Oberfläche des Substrats (25,26) verläuft und der Aluminiumnitrid-Film (22) eine Dicke (H) im Bereich von 1,0 < 2πH/λ < 6.0 aufweist, wo bei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle ist.

2. Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung mit einer piezoelektrischen Polarisierungsrichtung des piezoelektrischen Films senkrecht zur Oberfläche des Substrats (25, 26) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle senkrecht zur piezoelektrischen Polarisierungsrichtung (22) verläuft.

3. Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung mit einer piezoelektrischen Polarisierungsrichtung des piezoelektrischen Films parallel zur Oberfläche des Substrats (25, 26) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle parallel zur piezoelektrischen Polarisierungsrichtung (22) verläuft.

4. Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Film (22) ein einkristalliner epitakti scher Film ist.