DE69617286T2

DE69617286T2 - Akustische Oberflächenwellenanordnung

Info

Publication number: DE69617286T2
Application number: DE69617286T
Authority: DE
Inventors: Satoshi Fujii; Kenjiro Higaki; Hiroyuki Kitabayashi; Hideaki Nikahata; Shin-Ichi Shikata
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1995-02-09
Filing date: 1996-01-04
Publication date: 2002-07-25
Anticipated expiration: 2016-01-05
Also published as: EP0726649B1; JPH08222990A; DE69617286D1; US5838090A; JP3204290B2; EP0726649A1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung, die die Ausbreitungsgeschwindigkeit (V), den elektromechanischen Kopplungskoeffizienten (K²) und einen Verzögerungszeittemperaturkoeffizienten (TCD) einer akustischen Oberflächenwelle verbessert.

VERWANDTER TECHNISCHER HINTERGRUND

Akustische Oberflächenwellenvorrichtung, die eine akustische Oberflächenwelle (nachfolgend als eine "SAW" bezeichnet), verwenden, die sich auf einer Festkörperoberfläche ausbreitet, werden gemeinhin als Frequenzfilter, Resonatoren, Verzögerungsvorrichtungen, Signalverarbeitungsvorrichtung, Konvolver, Vorrichtungen mit optoelektronischer Funktion oder dergleichen verwendet. Die SAW-Vorrichtungen weisen auch zahlreiche charakteristische Merkmale auf, wie z. B. eine relativ gute Temperaturstabilität, ein langes Dienstleben und ausgezeichnete Faseneigenschaften auf. Aus diesem Grund wurde, zusammen mit einer jüngeren Tendenz bei Mehrkanal- oder Hochfrequenzanordnungen in einem Kommunikationsfeld, einschließlich Satellitenkommunikation und Mobilkommunikation, die Entwicklung von Vorrichtungen gewünscht, die in einem höheren Frequenzband (z. B. GHz-Band) benutzbar sind.
Eine SAW wird normalerweise durch Anlegen eines Wechselstromfeldes an ein piezoelektrisches Element durch einen interdigitalen Wandler angeregt. Als ein piezoelektrisches Material wird ein Einkristall wie z. B. LiNbO&sub3; und LiTaO&sub3; oder ein dünner ZnO-Film verwendet, der durch Aufdampfen auf einem Substrat gebildet wird.
Eine Arbeitsfrequenz f einer SAW-Vorrichtung wird allgemein bestimmt durch f = V/λ (V ist die Ausbreitungsgeschwindigkeit einer SAW, λ ist die Wellenlänge einer SAW). Um daher die Arbeitsfrequenz zu erhöhen, muss die Wellenlänge λ abgesenkt werden oder die Ausbreitungsgeschwindigkeit V muss erhöht werden.
Wie später beschrieben wird, hängt die Wellenlänge λ von der Periode eines in Fig. 1 oder 2 gezeigten Interdigitalwandlers ab. In dem in Fig. 1 gezeigten Interdigitalwandler sind ein Paar von Elektroden mit Elektrodenabschnitten, die jeweils eine Breite d aufweisen und integral in einem Intervall 3d ausgebildet sind, einander gegenüberliegend angeordnet. Elektroden mit zwei Polaritäten sind abwechselnd angeordnet, d. h. angrenzende Elektroden haben unterschiedliche Polaritäten. In diesem Fall beträgt die Wellenlänge λ 4d. Beim in Fig. 2 gezeigten Interdigitalwandler sind Paare von Elektrodenabschnitten, die jeweils die Breite d und ein Intervall d dazwischen aufweisen, in einem Intervall angeordnet, welches 5d entspricht. In diesem Fall beträgt die Wellenlänge λ 8d. In diesem Fall hängt die Breite d von der Beschränkung einer Mikrobemusterungstechnik ab. Die Periodengröße eines in einer solchen Vorrichtung gebildeten Interdigitalwandlers weist eine untere Grenze auf. Es ist daher schwierig, die Wellenlänge λ einer SAW drastisch zu verringern. Mit der konventionellen Photolithographietechnik beträgt die Wellenlänge etwa 1 um. Eine Bemusterung unterhalb der Mikrometergrößenordnung wird durch Verwendung einer Elektronenbestrahlungstechnik ermöglicht. Wenn jedoch die Linienbreite kleiner wird, nimmt der Ertag ab. Das bedeutet, die Wellenlänge λ kann wegen der Beschränkung der Bemusterungstechnik nicht verringert werden.
Um die Arbeitsfrequenz f einer SAW-Vorrichtung zu erhöhen, muss die Ausbreitungsgeschwindigkeit V erhöht werden. Die Ausbreitungsgeschwindigkeit V ist jedoch durch Materialeigenschaften eingeschränkt. Daher wird vorzugsweise ein Material verwendet, dessen Ausbreitungsgeschwindigkeit V hoch ist. Genauer gesagt hängt der Wert der Ausbreitungsgeschwindigkeit V von einem piezoelektrischen Material oder einem Substratmaterial ab, auf dem ein piezoelektrisches Material angeordnet wird. Wenn ein dünner piezoelektrischer Film, der auf einem Substrat aufgebracht ist, dass aus einem geeignetem der obigen Materialien besteht, für eine SAW verwendet wird, und die Schallgeschwindigkeit des Substratsmaterials höher als die des piezoelektrischen Materials ist, werden mehrere SAWs mit unterschiedlichen Ausbreitungsgeschwindigkeiten V angeregt (0te Mode, 1te Mode, 2te Mode, ... in einer Reihenfolge beginnend von einer niedrigen Ausbreitungsgeschwindigkeit V). In diesem Fall hängt die Ausbreitungsgeschwindigkeit V auch von der Mode der SAW ab.
Die Ausbreitungsgeschwindigkeit einer SAW weist eine Natur auf, die sich von der Schallgeschwindigkeit des obigen Substratmaterials unterscheidet. Wenn jedoch ein dünner piezoelektrischer Film auf dem Substrat ausgebildet wird, wird eine SAW, die sich auf dem piezoelektrischen Film ausbreitet, stark durch die Elastizität des Substrats beeinflusst. Wenn die Schallgeschwindigkeit des Substrats hoch ist, steigt aus diesem Grund auch die Ausbreitungsgeschwindigkeit der SAW an. Daher wird eine Substanz mit hoher Schallgeschwindigkeit als Substratmaterial verwendet. Zum Beispiel wird Saphir oder Diamant (welcher die höchste Schallgeschwindigkeit aller Substanzen aufweist, Geschwindigkeit der Transversalwelle = 13000 m/s, Geschwindigkeit der Longitudinalwelle = 16000 m/s) als Substratmaterial verwendet wird, kann eine Ausbreitungsgeschwindigkeit V von etwa 10000 m/s realisiert werden.
In dem Kommunikationsfeld, welches Satelliten- und Mobillcommunikation einschließt, sind Energieeinsparung und Größenreduktion einer gesamten Vorrichtung hauptsächlich aus der Sicht des Befestigens einer SAW-Vorrichtung erforderlich. Daher ist zusätzlich zu der oben beschriebenen höheren Frequenz eine Verbesserung beim elektromechanischen Kopplungskoeffizienten (K²) erforderlich, welcher als ein Index der Umwandlungseffizienz von elektrischer Energie in mechanischer Energie dient.
Die Abhängigkeit der Geschwindigkeit oder Verzögerungszeit einer SAW von der Temperatur ist ein Faktor, dem bei der Ausgestaltung einer Vorrichtung, die der Aufgabe gerecht wird, besondere Beachtung geschenkt werden sollte. Aus diesem Grund wird der Verzögerungszeittemperaturkoeffizient als wichtiger Parameter zur Auswertung eines SAW-Materials angesehen. Der herkömmliche LiNbO&sub3;-Kristall und dergleichen haben jenes charakteristische Problem, und Überlegungen zum Lösen dieses Problems wurden angestellt.
Aus der obigen Sicht ist eine SAW-Vorrichtung mit einer Mehrschichtstruktur bekannt, bei der Diamant als Substratmaterial verwendet wird und eine LiNbO&sub3;-Schicht darauf ausgebildet ist (japanische Patentoffenlegungen Nr. 6-21 01 13 und 6-11 55 38). Genauer gesagt ist bei einer SAW-Vorrichtung mit einer Diamant/LiNbO&sub3;-Schichtstruktur mit einem geeigneten Interdigitalwandler eine Verbesserung in der Ausbreitungsgeschwindigkeit V und dem Koeffizienten K² durch Kombinieren der Dicke der C-achsenorientierten polykristallinen LiNbO&sub3;-Schicht mit der Mode einer angeregten SAW innerhalb eines bestimmten Bereiches untersucht worden.
Um die Stabilität der Frequenz der Vorrichtung hinsichtlich der Temperatur zu erhöhen, wurde eine Untersuchung durchgeführt, um ein Objekt zu erreichen, z. B. indem der Koeffizient TCD verringert wird, in welchem weiter eine SiO-Schicht auf der Diamant/LiNbO&sub3;- Schichtstruktur ausgebildet wird (japanische Patentoffenlegung Nr. 6-11 55 38).

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine SAW-Vorrichtung bereitzustellen, die die Ausbreitungsgeschwindigkeit V und den elektromechanischen Kopplungskoeffizienten (K²) einer SAW wie oben beschrieben erhöht, und die außerdem die Stabilität der Vorrichtungsfrequenz bezüglich der Temperatur (TCD) steigert.
Genauer gesagt, um die obige Aufgabe der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine SAW- Vorrichtung vorgesehen, die die jüngste Anforderung an eine SAW-Vorrichtung erfüllt, die in einem breiten Anwendungsfeld und bevorzugt verwendet werden soll, welche eine SAW- Ausbreitungsgeschwindigkeit (V) von 7000 m/s oder mehr, einen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten (K²) von 2% oder mehr und eine Stabilität der Vorrichtungsfrequenz bezüglich der Temperatur, d. h. einen Koeffizienten TCD von ±10 ppm/ºC oder weniger, aufweist.
Als Ergebnis weitreichender Studien haben die Erfinder die folgenden Fakten herausgefunden. In einer SAW-Vorrichtung mit einer Grundstruktur (Fig. 3A), die Diamant als Substratmaterial der SAW-Vorrichtung und eine C-achsenorientierte polykristalline LiNbO&sub3;- Schicht und eine darauf ausgebildete SiO&sub2;-Schicht aufweist, werden ein geeigneter Interdigitalwandler und, soweit benötigt, eine geeignete Kurzschlusselektrode B an geeigneten Stellen angeordnet. In solch einer SAW-Vorrichtung kann das obige Ziel durch Bestimmen der Dicken der LiNbO&sub3;- und SiO&sub2;-Schichten und einer geeigneten Mode einer angeregten SAW erreicht werden.
Bei einer SAW-Vorrichtung mit einer Struktur (Fig. 3B), bei der ein Diamantsubstratmaterial auf einem geeigneten Substratmaterial (z. B. ein Siliziumwafer) ausgebildet ist, kann das obige Ziel genauso durch Bestimmen der Dicken der LiNbO&sub3;- und SiO&sub2;-Schichten und eine geeignete Mode einer angeregten SAW erreicht werden.
Bei der vorliegenden Erfindung werden die tatsächlichen Dicken der Diamantsubstratmaterialschicht und der LiNbO&sub3;-Schicht wie folgt dargestellt. Das heißt, auf der Grundlage der Funde der hiesigen Erfinder dergestalt, dass das Verhältnis einer SAW zu einer Wellenlänge die Ausbreitungsgeschwindigkeit, den elektromechanischen Kopplungskoeffizienten und dergleichen beeinflusst, wird die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht nicht als tatsächliche Dicke t&sub1; (um), sondern als dimensionsloser Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) als ein Umwandlungsergebnis dargestellt. Zusätzlich wird die Dicke der SiO&sub2;-Schicht nicht als eigentliche Dicke t&sub2; (λm), sondern als dimensionsloser Parameter kh&sub2; = 2λ (t&sub2;/λ) als ein Umwandlungsergebnis dargestellt. Die Bedingungen werden auf der Grundlage dieser Parameter eingeteilt.
Die Fig. 4-10 sind Schnittansichten von erfindungsgemäßen SAW-Vorrichtungen. Zur Erleichterung werden diese Strukturen als Elektrodenanordnungen A-G bezeichnet. In jeder dieser Strukturen kann ein Siliziumsubstrat oder dergleichen unter dem Diamantsubstratmaterial angeordnet werden, um z. B. die Festigkeit der Vorrichtung (Fig. 3B) zu erhöhen, weil eine solche Anordnung die vorliegende Erfindung nicht wesentlich beeinflusst. Dadurch schließt die folgende Beschreibung eine Struktur mit einem geeigneten Substrat unter dem Diamantsubstratmaterial ein.
Fig. 4 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung A. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, eine auf dem Diamant angeordnete C-Achsen-orientierte polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht 2, einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordneten interdigitalen Wandler 4 und eine auf dem interdigitalen Wandler angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (1) bis (7).
(1) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2λ (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt.
(2) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt.
(3) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(4) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(5) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(6) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(7) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Fig. 5 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung B. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, eine auf dem Diamant 1 angeordnete Kurzschlusselektrode 5, eine auf der Kurzschlusselektrode 5 angeordnete, C-Achsen-orientierte LiNbO&sub3;-Schicht 2, einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordneten interdigitalen Wandler 4 und eine auf dem interdigitalen Wandler angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (8) bis (12).
(8) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(9) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(10) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(11) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(12) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Fig. 6 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung C. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, eine au dem Diamant angeordnete, C-Achsen-orientierte polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht 2, einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordneten interdigitalen Wandler 4, einer auf dem interdigitalen Wandler angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3 und eine auf der SiO&sub2;-Schicht angeordnete Kurzschlusselektrode S. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (13) bis (20).
(13) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.35 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt.
(14) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt.
(15) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt.
(16) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(17) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(18) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(19) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(20) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Fig. 7 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung D. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, eine auf der Diamantschicht angeordnete Kurzschlusselektrode 5, eine auf der Kurzschlusselektrode angeordnete, C-Achsen-orientierte polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht 2, einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordneten interdigitalen Wandler 4, eine auf dem interdigitalen Wandler angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3 und eine auf der SiO&sub2;-Schicht angeordnete Kurzschlusselektrode 5. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (21) bis (25).
(21) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(22) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(23) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(24) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(25) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2%. (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Fig. 8 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung E. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, einen auf dem Diamant angeordneten interdigitalen Wandler 4, eine auf dem interdigitalen Wandler angeordnete C-Achsen-orientierte, polykristalline LiNbO&sub3;- Schicht 2, eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (26) bis (32).
(26) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt.
(27) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt.
(28) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(29) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(30) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(31) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(32) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2; /λx) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Fig. 9 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung F. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, einen auf dem Diamant angeordneten interdigitalen Wandler 4, eine auf dem interdigitalen Wandler angeordnete C-Achsen-orientierte LiNbO&sub3;-Schicht 2, eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordnete Kurzschlusselektrode 5 und eine auf der Kurzschlusselektrode angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (33) bis (39).
(33) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt.
(34) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt.
(35) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(36) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(37) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(38) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(39) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Fig. 10 ist eine Schnittansicht der Elektrodenanordnung G. Diese SAW-Vorrichtung enthält wenigstens: Diamant 1, einen auf dem Diamant angeordneten interdigitalen Wandler 4, eine auf dem interdigitalen Wandler angeordnete C-Achsen-orientierte LiNbO&sub3;-Schicht 2, eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht angeordnete SiO&sub2;-Schicht 3 und eine auf der SiO&sub2;-Schicht 3 angeordnete Kurzschlusselektrode. Wenn die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch t&sub1; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch t&sub2; (um) dargestellt wird, so liegt der Parameter kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8. Zudem wird eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten, 1ten oder 2ten Mode geeigneterweise verwendet.
Genauer gesagt erhält man SAW-Vorrichtungen der folgenden Typen (40) bis (46).
(40) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt.
(41) Eine SAW-Vorrichtung, die eine nullte Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt.
(42) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt.
(43) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2r (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt.
(44) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt.
(45) Eine SAW-Vorrichtung, die eine erste Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 5 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt.
(46) Eine SAW-Vorrichtung, die eine zweite Mode einer SAW verwendet, die durch eine Struktur angeregt wird, die Bedingungen erfüllt, so dass kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt.
Die Beziehung zwischen dem strukturellen Merkmal der SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung und der Funktion der charakteristischen Eigenschaften der Vorrichtung werden unten beschrieben. In Fig. 11-16 kann die Ausbreitungsgeschwindigkeit V der SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kaum durch die Elektrodenanordnungen A-G beeinflusst werden, sondern hängt von den Dicken der LiNbO&sub3;- und SiO&sub2;- Schichten und der angeregten Mode ab. Allgemein steigt die Ausbreitungsgeschwindigkeit in einer Mode höherer Ordnung an. Allgemein tendiert die Ausbreitungsgeschwindigkeit außerdem dazu zu sinken, wenn die SiO&sub2;-Schicht dicker wird. Weiter wird der Einfluß der Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht durch die Mode signifikant verändert.
Um daher die Ausbreitungsgeschwindigkeit zu erhöhen, muss eine Mode höherer Ordnung verwendet werden, die SiO&sub2;-Schicht muss dünn gemacht werden und es muss eine optimale LiNbO&sub3;-Schicht auf der Grundlage der Mode ausgewählt werden. Als Ergebnis kann man die Dicke jeder Schicht und die Mode auswählen, so dass man die Ausbreitungsgeschwindigkeit V von z. B. 7000 m/s erhält.
In den Fig. 17-22 kann der Koeffizient TCD der SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kaum durch die Elektrodenanordnungen A-G beeinflusst werden, sondern hängt größtenteils von den Dicken der LiNbO&sub3;- und SiO&sub2;-Schichten und der angeregten Mode ab. Allgemein hängt der Koeffizient TCD größtenteils von der Dicke der SiO&sub2;- Schicht ab und tendiert dazu anzusteigen, wenn die SiO&sub2;-Schicht dicker wird. Es sei angenommen, dass ein gewünschter Bereich des Koeffizienten TCD ±10 ppm oder weniger ist. In diesem Fall muss die Dicke der SiO&sub2;-Schicht einen bestimmten Wert oder weniger betragen. Wenn die Dicke der SiO&sub2;-Schicht durch kh&sub2; dargestellt und auf etwa 0.4 eingestellt wird, kann der Koeffizient TCD fast Null betragen. Zusätzlich hängt der Koeffizient TCD auch von der Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht ab. Als Ergebnis können die Dicke der beiden Schichten und die Mode ausgewählt werden, um einen gewünschten Koeffizienten TCD zu erreichen.
In den Fig. 23-64 hängt der Koeffizient K² der SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung größtenteils von den Elektrodenanordnungen A-G und auch größtenteils von der LiNbO&sub3;-Schicht, der SiO&sub2;-Schicht und der Mode ab.
Genauer gesagt kann in der Elektrodenanordnung A der größte Koeffizient K² allgemein in der ersten Mode erzielt werden, wie in den Fig. 23-28 gezeigt. Zusätzlich kann der optimale Koeffizient K² entsprechend der Dicke der SiO&sub2;-Schicht ausgewählt werden. Wenn z. B. der Parameter kh&sub2; etwa 0.4 beträgt und der Parameter kh&sub1; etwa 0.5 beträgt, so ist der Koeffizient etwa 10% groß. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
In der Elektrodenanordnung B wird die ähnliche Tendenz wie in der Elektrodenanordnung A beobachtet, wie in den Fig. 29-34 gezeigt ist. Jedoch ist der erzielte Wert K² im Ganzen kleiner. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
In der Elektrodenanordnung C wird die ähnliche Tendenz wie in der Elektrodenanordnung A beobachtet, wie in den Fig. 35-40 gezeigt ist, und der erzielte Wert K² ist im Ganzen auch ähnlich zu dem in der Elektrodenanordnung A. Wenn z. B. der Parameter kh&sub2; etwa 0.6 beträgt und der Parameter kh&sub1; etwa 0.8 beträgt, so weist der Koeffizient K² ein Größe von 8% auf. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
In der Elektrodenanordnung D wird die ähnliche Tendenz wie in der Elektrodenanordnung A beobachtet, wie in den Fig. 41-46 gezeigt ist. Jedoch ist der erzielte Wert K² im ganzen kleiner. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
In der Elektrodenanordnung E wird die ähnliche Tendenz wie in der Elektrodenanordnung A beobachtet, wie in den Fig. 47-52 gezeigt ist, und der erzielte Wert K² ist im Ganzen auch ähnlich zu dem in der Elektrodenanordnung A. Wenn z. B. der Parameter kh&sub2; etwa 0.2 beträgt und der Parameter kh&sub1; etwa 0.6 beträgt, so weist der Koeffizient K² ein Größe von 9% auf. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
In der Elektrodenanordnung F wird die ähnliche Tendenz wie in der Elektrodenanordnung A beobachtet, wie in den Fig. 53-58 gezeigt ist. Jedoch ist der erzielte Wert K² im ganzen kleiner. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
In der Elektrodenanordnung G wird die ähnliche Tendenz wie in der Elektrodenanordnung A beobachtet, wie in den Fig. 59-64 gezeigt ist, und der erzielte Wert K² ist im Ganzen auch ähnlich zu dem in der Elektrodenanordnung A. Wenn z. B. der Parameter kh&sub2; etwa 0.6 beträgt und der Parameter kh&sub1; etwa 1.0 in der ersten Mode beträgt, so weist der Koeffizient K² ein Größe von 6% auf. Daher können zwei Schichten und eine Mode zum Erzielen des gewünschten Koeffizienten K² ausgewählt werden.
Als Ergebnis können nach der vorliegenden Erfindung die Dicken der LiNbO&sub3;-Schicht und SiO&sub2;-Schichten, die auf dem Diamant ausgebildet sind, entsprechend einer Mode geeignet ausgewählt werden. Man kann eine SAW-Vorrichtung mit bevorzugten Eigenschaften erhalten wobei bei der eigentlichen Herstellung der Vorrichtungen ein mühsames Trial-and- Error-Verfahren minimiert wird. Als Ergebnis können die Dicke jeder Schicht, die Mode und die Form des Anregungsinterdigitalwandlers auf der Grundlage eines Erfordernisses für gewünschte Eigenschaften der Vorrichtung ausgewählt werden. Zum Beispiel beträgt ein bevorzugter Bereich des charakteristischen Wertes 7000 bis 8000 m/s. Ein bevorzugter Bereicht des Koeffizienten K² liegt bei wenigstens 1% bis 2% oder darüber. Ein bevorzugter Bereich des Koeffizienten TCD liegt bei λ10 ppm oder weniger.
Um die obigen bevorzugten charakteristischen Werte genauer anzugeben, wird nach der vorliegenden Erfindung die Folgende Auswahl ermöglicht.

Elektrodenanordnung A:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub3; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.35 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8300 ≤ V ≤ 9500 (n/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.7 ≤ K² ≤ 1.2 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0,2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 7800 ≤ V ≤ 8500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1 ≤ K² ≤ 1.2 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 8.5 ≤ K² ≤ 10 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 10000 ≤ V ≤ 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 8.8 ≤ K² ≤ 10.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 8.5 ≤ K² ≤ 9.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 8 ≤ K² ≤ 8.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 2 ≤ K² ≤ 4 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.

Elektrodenanordnung B:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.6 ≤ K² ≤ 1.7 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 10000 V 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 2.5 ≤ K² ≤ 2.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 2.8 ≤ K² ≤ 2.9 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 3.3 ≤ K² ≤ 3.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.4 ≤ K² ≤ 1.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.

Elektrodenanordnung C:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.35 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8300 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1.0 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 7800 ≤ V ≤ 8500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.7 ≤ K² ≤ 1.0 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 7.5 ≤ K² ≤ 8.0 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 10000 ≤ V ≤ 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 7.8 ≤ K² ≤ 8.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 7.8 ≤ K² ≤ 8.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 7.5 ≤ K² ≤ 8.0 (%) und einem Koeffizienten mit-10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.7 ≤ K² ≤ 3.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.

Elektrodenanordnung D:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.4 ≤ K² ≤ 1.6 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 10000 ≤ V ≤ 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 2.0 ≤ K² ≤ 2.2 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.7 ≤ K² ≤ 1.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 3.2 ≤ K² ≤ 3.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ, um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1.4 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.

Elektrodenanordnung E:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.35 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8300 ≤ V ≤ 9500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.1 ≤ K² ≤ 1.7 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 7800 ≤ V ≤ 8500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.5 ≤ K² ≤ 1.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 7.5 ≤ K² ≤ 9.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 10000 ≤ V ≤ 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 7 ≤ K² ≤ 9 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 6.2 ≤ K² ≤ 8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 6 ≤ K² ≤ 6.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.5 ≤ K² ≤ 3.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.

Elektrodenanordnung F:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1.0 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 7800 ≤ V ≤ 8500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.2 ≤ K² ≤ 1.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 0.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 10000 ≤ V ≤ 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.4 ≤ K² ≤ 0.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.6 ≤ 0.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 6 ≤ K² ≤ 6.3 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1.2 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.

Elektrodenanordnung G:

Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.35 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8300 ≤ V ≤ 9500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.3 ≤ K² ≤ 1.2 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 0.5 ≤ K² ≤ 1.5 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der Oten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 7800 ≤ V ≤ 8500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.3 ≤ K² 1.7 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 6.2 ≤ K² ≤ 7.0 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11000 ≤ V ≤ 11200 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 6 ≤ K² ≤ 7.2 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegen, kann eine SAW-Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 9000 ≤ V ≤ 10000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 5.6 ≤ K² ≤ 6.6 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 1ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 8000 ≤ V ≤ 9000 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 5.6 ≤ K² ≤ 5.8 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Entsprechend der Anordnung einer SAW-Vorrichtung, die eine SAW (Wellenlänge: λ um) in der 2ten Mode verwendet, bei der die Parameter kh&sub1; und kh&sub2; innerhalb des Bereichs 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 beziehungsweise innerhalb des Bereichs 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegen, kann eine SAW- Vorrichtung mit Charakteristiken wie einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit von 11200 ≤ V ≤ 12500 (m/s), einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten von 1.5 ≤ K² ≤ 3.0 (%) und einem Koeffizienten mit -10 ≤ TCD ≤ 10 (ppm/ºC) gebildet werden.
Die vorliegende Erfindung lässt sich besser aus der nachfolgenden angegebenen ausführlichen Beschreibung und den begleitenden Zeichnungen verstehen, welche lediglich zur Veranschaulichung angegeben werden und demzufolge nicht als die vorliegende Erfindung einschränkend anzusehen sind.
Der weitere Umfang der Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung wird sich aus der nachfolgend angegebenen ausführlichen Beschreibung ergeben. Es versteht sich jedoch, dass die ausführliche Beschreibung und die speziellen Beispiele, während sie bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung andeuten, nur zur Veranschaulichung angegeben sind, da sich zahlreiche Änderungen und Modifikationen innerhalb des Geistes und Umfangs der Erfindung den Fachleuten aus dieser ausführlichen Beschreibung ergeben werden.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine ebene Ansicht, die schematisch eine ebene Form eines Interdigitalwandlers (Einfachelektrode) zeigt, welcher eine SAW-Vorrichtung bildet, bei der Bezugszeichen 1 Diamant; 2 eine LiNbO&sub3;-Schicht mit C-Achsenorientierung; 3 eine SiO&sub2;-Schicht; 4 einen Interdigitalwandler und 5 eine Kurzschlusselektrode bezeichnet;
Fig. 2 ist eine ebene Ansicht, die schematisch eine weitere ebene Form eines Interdigitalwandlers (Doppelelektrode) zeigt, welcher eine SAW-Vorrichtung bildet, bei der Bezugszeichen 1 Diamant; 2 eine LiNbO&sub3;-Schicht mit C-Achsenorientierung; 3 eine SiO&sub2;-Schicht; 4 einen Interdigitalwandler und 5 eine Kurzschlusselektrode bezeichnet;
Fig. 3A ist eine Schnittansicht, die eine Ausführungsform (Schichtstruktur 1) der Schichtstruktur der SAW-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 3B ist eine Schnittansicht, die eine weitere Ausführungsform (Schichtstruktur 2) der Schichtstruktur der SAW-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 4 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung A) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 5 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung B) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 6 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung C) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 7 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung D) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 8 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung E) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 9 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung F) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 10 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausführungsform (Elektrodenanordnung G) der Elektrodenanordnung der akustischen Oberflächenwellenvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 11 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V und einem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 12 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V und einem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 13 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V und einem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 14 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V und einem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 15 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V und einem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 16 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einer SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V und einem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 17 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem SAW- Verzögerungszeittemperatur-koeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW- Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 18 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem SAW- Verzögerungszeittemperatur-koeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW- Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 19 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem SAW- Verzögerungszeittemperatur-koeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW- Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 20 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem SAW- Verzögerungszeittemperatur-koeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW- Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 21 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem SAW-Verzögerungszeittemperatur-koeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 22 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem SAW-Verzögerungszeittemperatur-koeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A, B, C, D, E, F oder G (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 23 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 24 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 25 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 26 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 27 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 28 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung A (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 29 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung B (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 30 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung B (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 31 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung B (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 32 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung B (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 33 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung B (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 34 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung B (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 35 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung C (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 36 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung C (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 37 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung C (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 38 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung C (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 39 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung C (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 40 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung C (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 41 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung D (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 42 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung D (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 43 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung D (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 44 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung D (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 45 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung D (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 46 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung D (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 47 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung E (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 48 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung E (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 49 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung E (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 50 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung E (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 51 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung E (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 52 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung E (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 53 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung F (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 54 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung F (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 55 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung F (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 56 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung F (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 57 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung F (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 58 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung F (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt;
Fig. 59 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung G (Parameter kh&sub1; = 0.3) zeigt;
Fig. 60 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung G (Parameter kh&sub1; = 0.4) zeigt;
Fig. 61 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung G (Parameter kh&sub1; = 0.5) zeigt;
Fig. 62 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung G (Parameter kh&sub1; = 0.6) zeigt;
Fig. 63 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung G (Parameter kh&sub1; = 0.8) zeigt;
Fig. 64 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K² einer SAW und dem Parameter kh&sub2; in einer SAW-Vorrichtung mit der Schichtstruktur 2 und der Elektrodenanordnung G (Parameter kh&sub1; = 1.0) zeigt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM

Die vorliegende Erfindung wird unten im Detail mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen, falls benötigt, beschrieben.

(SAW-Mode)

Die SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Grundstruktur auf, bei der eine LiNbO&sub3;-Schicht auf Diamant als Substratmaterial ausgebildet ist und eine SiO&sub2;- Schicht auf der LiNbO&sub3;-Schicht ausgebildet ist. Wenn die Schallgeschwindigkeit des Diamant als Substratmaterial höher ist als die von LiNbO&sub3; als piezoelektrisches Material ist und eine SAW unter Verwendung eines Interdigitalwandlers oszilliert, werden mehrer SAWs mit unterschiedlichen Ausbreitungsgeschwindigkeiten V angeregt. In diesem Fall werden die Moden als nullte Mode, als die erste Mode, die zweite Mode, die dritte Mode, ... in der Reihenfolge beginnend von einer niedrigeren Ausbreitungsgeschwindigkeit V ausgedrückt.
Die durch die SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendete SAW- Moden kann durch Messen der SAW-Ausbreitungsgeschwindigkeit V bei der Arbeitsfrequenz der Vorrichtung bestimmt werden.
Die Ausbreitungsgeschwindigkeit V kann man z. B. aus einer Beziehung V = f λ (f ist die Mittenfrequenz; λ ist die Wellenlänge, die auf der Elektrodenbreite des Interdigitalwandlers basiert) erhalten. Wenn der Interdigitalwandler, der die SAW-Vorrichtung bildet, eine Einfachelektrode (Elektrodenbreite d) mit einer ebenen Form ist, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, so gilt λ = 4d. Wenn der Interdigitalwandler Doppelelektrode mit einer ebenen Form ist, wie sie in Fig. 2 gezeigt, ist so gilt λ = 8d.

(Struktur)

Die SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist im Grunde eine Schichtstruktur auf, bei der die Schichtstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung bei Bedarf auf einem geeigneten Substrat (z. B. Si) ausgebildet wird. Daher können die zwei Strukturen, die den schematischen Schnittansichten der Fig. 3A und 3B gezeigt sind, bei Gelegenheit für die Verwirklichung der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, um z. B. die nötige mechanische Festigkeit zu erzielen, ohne die Eigenschaften der erfindungsgemäßen SAW-Vorrichtung zu beeinflussen.
Daher weist die erfindungsgemäße SAW-Vorrichtung grundsätzlich eine Schichtstruktur auf, die wenigstens Diamant als Substratmaterial oder eine Diamantschicht, eine LiNbO&sub3;- Schicht mit einer C-Achsenorientierung, die auf dem Diamant ausgebildet ist, und eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht ausgebildete SiO&sub2;-Schicht enthält.
Die Dicke des Diamant oder der Diamantschicht ist nicht besonders eingeschränkt. Mit der unten zu beschreibenden Dicke werden die Eigenschaften der SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung nicht beeinflusst. Andererseits werden Parameter, definiert als kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λn) und kh&sub2; = 2λ (t&sub2;/λn), innerhalb spezieller Bereiche ausgewählt, wobei t&sub1; (um) die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht ist und t&sub2; (um) die Dicke der SiO&sub2;-Schicht ist. Die Dicke jeder Schicht wird ausgewählt, so dass sie entsprechend der Arbeitsfrequenz, der Form des anregenden Interdigitalwandlers (unten beschrieben) und dergleichen optimiert ist.

(Elektrodenanordnung)

In der vorliegenden Erfindung sind Anregungs- und Kurzschlusselektroden in der oben beschriebenen grundlegenden Schichtstruktur in zahlreichen Ausführungsformen angeordnet.
Wie in den Fig. 11-22 gezeigt, können die zahlreichen Elektrodenanordnungen die Eigenschaften der vorliegenden Erfindung kaum beeinflussen. In der vorliegenden Erfindung sind zahlreiche Elektrodenanordnungen entsprechend den Anwendungszwecken der Vorrichtung erlaubt. Insbesondere werden vorzugsweise bei der vorliegenden Erfindung 7 Elektrodenanordnungen verwendet, wie in den Fig. 4-10 gezeigt, bei denen ein Interdigitalwandler 4 und, wenn benötigt, eine Kurzschlusselektrode 5 angeordnet sind. Die 7 Elektrodenanordnungen werden unten im Detail beschrieben.
In der in Fig. 4 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung A) umfasst die SAW- Vorrichtung Diamant 1, eine auf dem Diamant ausgebildete LiNbO&sub3;-Schicht 2, den auf der LiNbO&sub3;-Schicht 2 ausgebildeten Interdigitalwandler 4 und eine auf dem Interdigitalwandler 4 ausgebildete SiO&sub2;-Schicht 3.
In der in Fig. 6 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung C) ist eine Kurzschlusselektrode auf der SiO&sub2;-Schicht in der "Elektrodenanordnung A" ausgebildet.
In der in Fig. 8 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung E) umfasst die SAW- Vorrichtung den Diamant 1, den auf dem Diamanten ausgebildeten Interdigitalwandler 4, die auf dem Interdigitalwandler ausgebildete LiNbO&sub3;-Schicht 2 und die auf der LiNbO&sub3;- Schicht 2 ausgebildete SiO&sub2;-Schicht 3.
In der in Fig. 10 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung G) ist die Kurzschlusselektrode 5 auf der SiO&sub2;-Schicht 3 in der "Elektrodenanordnung E" ausgebildet.
In der in Fig. 9 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung F) ist die Kurzschlusselektrode 5 auf der LiNbO&sub3;-Schicht 2 in der "Elektrodenanordnung E" ausgebildet.
In der in Fig. 5 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung B) ist die Kurzschlusselektrode 5 auf dem Diamant 1 in der "Elektrodenanordnung A" ausgebildet.
In der in Fig. 7 gezeigten Anordnung (Elektrodenanordnung D) ist die Kurzschlusselektrode 5 auf dem Diamant 1 in der "Elektrodenanordnung C" ausgebildet.
Die entsprechenden Schichten, die die SAW-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung bilden, werden unten genauer beschrieben.

(Substrat)

Die erfindungsgemäße SAW-Vorrichtung braucht nicht immer ein Substrat. Zum Beispiel kann Diamant als Substratmaterial verwendet werden ohne verarbeitet zu werden, wie unten beschrieben wird. Bei Bedarf kann ein geeignetes Substrat verwendet werden, welches z. B. aus einem Halbleiter wie Si, einem Metall, einem Glasmaterial, einer Keramik oder dergleichen gebildet ist.

(Diamant als Substratmaterial)

In der vorliegenden Erfindung ist Diamant als Substratmaterial nicht besonders beschränkt. Einkristalliner Diamant und/oder polykristalliner Diamant können verwendet werden. Ein Verfahren zum Ausbilden des Diamants oder der Diamantschicht ist nicht besonders beschränkt.
Genauer gesagt kann Einkristalldiamant als Diamant verwendet werden. Zusätzlich kann ein Diamantfilm auf jedem anderen Material (Substrat) ausgebildet werden als denen, die oben beschrieben sind, und zwar durch Dampfabscheidung, um einen polykristallinen Diamantfilm oder einen epitaktisch gewachsenen Diamantfilm zu erhalten.
Wenn bei der vorliegenden Erfindung der Diamant ein Diamantfilm ist, gibt es keine besondere Beschränkung hinsichtlich des Verfahrens zum Aufbringen des Diamantfilms oder eines dünnen Diamantfilms.
Genauer gesagt kann als Aufbringverfahren eine bekannte Technik verwendet werden, wie z. B. CVD (chemische Dampfabscheidung), Mikrowellen-Plasma-CVD, PVD (physikalische Dampfabscheidung), Sputtern, Ionenplattieren, ein Plasmastrahlverfahren, ein Flammenverfahren oder ein Heißdrahtverfahren.
Bei der vorliegenden Erfindung ist die Dichte der Diamantschicht nicht beschränkt. Eine Dicke zum stabilen Anregen und Propagieren einer gewünschten SAW genügt. Daher muss die Dicke wenigstens ¹/&sub2; der SAW (Wellenlänge: λn um) betragen. Die Dicke beträgt vorzugsweise das ein oder mehrfache der zu verwendenden SAW.

(LiNbO&sub3;-Film)

Bei der vorliegenden Erfindung kann der auf dem Diamant auszubildende LiNbO&sub3;-Film entweder ein Einkristallfilm oder ein polykristalliner Film sein. Bei der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ein polykristalliner Film aus Sicht der Kosten bei der Herstellung der Vorrichtungen vorzuziehen. Das Verfahren zum Ausbilden des LiNbO&sub3;-Films ist auch nicht sonderlich eingeschränkt, und eine bekannte Technik wie Sputtern, Abscheiden, CVD, Laser-Annealen, MOCVD (CVD mit organischem Metall) oder MBE (Molekulsrsttahlepitaxie) kann ohne besondere Beschränkung verwendet werden (z. B. ist ein Filmausbildungsverfahren und ein Verfahren zum Messen der Filmeigenschaften beschrieben in Furushima, Y. et al., ULTRASONICS SYMPOSIUM 1993, S. 263-266 ff, Shimizu, M et al., J. Appl. Phys., 32, S. 4111-4114, 1993 und sind in diese Beschreibung aufgenommen).
Wenn die C-Achsenorientierung (unten beschrieben) der durch die obige Technik unter vorbestimmten Bedingungen ausgebildeten LiNbO&sub3;-Schicht überprüft wird, können Herstellungsbedingungen zum Ausbilden eines Films mit C-Achsenorientierung eingestellt werden, welcher einen gewünschten Wert X zur Verfügung stellt.
Was die Dicke des LiNbO&sub3;-Films betrifft, kann ein Fachmann auf einfache Weise einen Film mit einer gewünschten Dicke ausbilden, wenn verschiedene Bedingungen für das oben beschriebene bekannte Filmausbildungsverfahren eingestellt werden. Zusätzlich kann nach der Filmausbildung die Vorrichtung zerteilt werden, und der Abschnitt kann unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops oder dergleichen bei Bedarf direkt vermessen werden.

(Orientierung des LiNbO&sub3;-Films)

Bei der vorliegenden Erfindung ist es sowohl bei einem einkristallinen als auch polykristallinen LiNbO&sub3;-Film, der auf dem Diamant auszubilden ist, vorzuziehen, dass die C-Achse des mikrokristallinen LiNbO&sub3;-Films aus Sicht elektromechanischer Kopplungseigenschaften, der piezoelektrischen Eigenschaften und dergleichen im wesentlichen senkrecht auf der Oberfläche des Diamantsubstratmaterials orientiert ist. Bei der vorliegenden Erfindung ist ein solcher LiNbO&sub3;-Film als ein Film mit C-Achsenorientierung definiert. Der Grad der im wesentlichen senkrechten Orientierung der C-Achse des erfindungsgemäß auf der Oberfläche des Diamantsubstratmaterials ausgebildeten Mikrokristallinen LiNbO&sub3;-Films kann qualitativ direkt durch direktes Betrachten der Spaltoberfläche der Vorrichtung mittels eines Elektronenmikroskops oder durch direktes Betrachten der Oberfläche des LiNbO&sub3;-Films mit einem Elektronenmikroskop beobachtet werden.
Um die Orientierung quantitativ auszuwerten kann das Röntgendrehmusterverfahren (rocking pattern method) als eine der Techniken zur Auswertung der Orientierung von Kristallebenen verwendet werden, um den Grad der senkrechten Orientierung der C-Achse des auf der Oberfläche des Diamantsubstratmaterials ausgebildeten mikrokristallinen LiNbO&sub3;- Films auszuwerten, wie unten beschrieben wird. Genauer gesagt kann eine herkömmliche Röntgenbeugungsapparatur (unter Verwendung einer Cu-Kλ-Strahlung) verwendet werden, um die Auswertung wie folgt durchzuführen:
(1.) Eine Vorrichtung als Messobjekt wird auf einen Probenhalter eines Röntgendiffraktometers gesetzt.
(2.) Eine auszuwertende Ebenenorientierung wird unter Verwendung eines Röntgenbeugungsmusterverfahrens gemessen.
(3.) Die λ-Achse (Messprobendrehung) und die 2 λ-Achse (Röntgenstrahlenzähler) werden gedreht und am Maximalwert der Ausgabe in der auszuwertenden ebenen Orientierung fixiert. Bei einem mikrokristallinen LiNbO&sub3;-Film, dessen C-Achse senkrecht bezüglich des Substrats orientiert ist, beträgt 2 λ an einem Scheitelwert von (006) 39º.
(4.) Nur die Vorrichtung wird gedreht (nur die λ-Achse) und die Drehkurve wird gemessen.
(5.) Die gemessene Drehkurve wird durch eine Gaußverteilung approximiert, und man erhält den Dispersionswert X.
Der Dispersionswert λ der in der obigen Weise gemessenen Drehkurve wird als Dispersion der C-Achse von einer zum Substrat senkrecht verlaufenden Linie ausgewertet. Wenn die C- Achsen-Orientierung gestört wird, tendieren die piezoelektrischen Eigenschaften dazu, sich zu verschlechtern. Die SAW-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung liefert zufriedenstellende piezoelektrische Eigenschaften, wenn der Wert λ 8º oder weniger beträgt und noch befriedigendere Eigenschaften, wenn der Wert λ 4º oder weniger beträgt.
Die obige Technik kann sogar verwendet werden, nachdem ein SiO&sub2;-Film auf dem LiNbO&sub3;- Film ausgebildet wird. Genauer gesagt wird der SiO&sub2;-Film bei Bedarf entfernt, um den LiNbO&sub3;-Film freizulegen, und anschließend wird die Röntgenbeugungsapparatur oder dergleichen verwendet. Die obige Technik kann auch bei der Untersuchung des Abschnitts der Vorrichtung mit einem Rasterelektronenmikroskop verwendet werden. In diesem Fall wird innerhalb eines vorbestimmten Bereichs die Senkrechtheit auf der Substratoberfläche gemessen.

(SiO&sub2;-Schicht)

In der vorliegenden Erfindung kann die auf der LiNbO&sub3;-Film ausgebildete SiO&sub2;-Schicht eine einkristalline Schicht, ein polykristalline Schicht oder eine amorphe Schicht sein. Insbesondere kann vorzugsweise eine amorphe SiO&sub2;-Schicht verwendet werden.
Ein Verfahren zum Ausbilden diesen Films ist in der vorliegenden Erfindung nicht besonders eingeschränkt. Genauer gesagt kann vorzugsweise eine bekannte Technik wie CVD, PVD und Sputtern verwendet werden. Eine RF-Magnetron-Sputtervorrichtung kann noch bevorzugter verwendet werden.
Was die Dicke des SiO&sub2;-Films angeht kann ein Fachmann auf einfache Weise einen Film mit einer gewünschten Dicke ausbilden, und zwar durch Einstellen verschiedener Bedingungen für das oben beschriebene bekannte Filmausbildungsverfahren. Zusätzlich kann nach der Filmausbildung die Vorrichtung zerteilt werden, und der Abschnitt kann bei Bedarf direkt unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops oder dergleichen direkt vermessen werden.

(Interdigitalwandler)

In der vorliegenden Erfindung ist das Material zum Ausbilden des Interdigitalwandlers nicht besonders beschränkt, solange es sich um ein leitendes Material handelt. Aus der Sicht der Arbeitsfähigkeit als Interdigitalwandler und der Kosten kann insbesondere Al (Aluminium) vorzugsweise verwendet werden.
Die Dicke des Interdigitalwandlers beträgt vorzugsweise etwa 100-5000 Å (noch bevorzugter etwa 100-500 Å), obwohl sie nicht besonders beschränkt ist, solange man eine Funktion als Elektrode erhält.
Wenn diese Dicke kleiner ist als 100 Å, erhöht sich der spezifische Widerstand, was zu einem Verlustanstieg führt. Wenn andererseits die Dicke der Elektrode 5000 Å übersteigt, wird der Massenzuwachseffekt, der die Reflexion einer SAW aufgrund der Dicke und Höhe der Elektrode verursacht, spürbar und die gewünschten SAW-Eigenschaften können verhindert werden.
Die ebene Form des Interdigitalwandlers ist nicht besonders beschränkt, solange seine Funktion als Elektrode erhalten werden kann. Eine sogenannte Einzelelektrode, deren schematische ebene Ansicht in Fig. 1 gezeigt ist, oder eine Doppelelektrode, deren schematische ebene Ansicht in Fig. 2 gezeigt ist, können vorzugsweise verwendet werden.

(Kurzschlusselektrode)

In der SAW-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung ist die nach Bedarf angeordnete Kurzschlusselektrode eine Elektrode, die eine Funktion des Einstellens eines Äquipotentials eines elektrischen Feldes aufweist, um die SAW-Eigenschaften der Vorrichtung zu verändern. Diese Elektrode ist vorzugsweise aus einem (dünnen) Metallfilm (zum Beispiel Al, Au oder Al-Cu) gebildet. Da die Kurzschlusselektrode eine Funktion hat, die sich von der des Interdigitalwandlers unterscheidet, braucht das Material zum Ausbilden der Kurzschlusselektrode nicht dasselbe zu sein wie das für den Interdigitalwandler.
Die Dicke der Kurzschlusselektrode ist nicht besonders eingeschränkt, solange man eine Funktion als Elektrode erhält. Jedoch beträgt sie vorzugsweise etwa 50-3000 Å (noch bevorzugter etwa 100-500 Å).
Wenn diese Dicke kleiner als 50 Å ist, ist es schwierig ein Äquipotential zu erhalten. Eine Dicke, die größer ist als 3000 Å, bewirkt leicht eine Reflexion einer SAW.
Die Kurzschlusselektrode weist vorzugsweise eine ebene Form einer "nicht unterteilten Elektrode" auf, die die dieselbe Fläche hat wie die des Interdigitalwandlers.
Die vorliegende Erfindung wird unten genauer anhand von Beispielen beschrieben.

Beispiel

(Beispiel 1)

Ein polykristalliner Diamantfilm wurde auf der (100)-Ebene eines einkristallinen Siliziums durch Mikrowellenplasma-CVD ausgebildet. Anschließend wurde die Oberfläche poliert, so dass ein Diamantfilm mit einer Dicke von etwa 20 um gebildet wurde.

< Diamantfilmausbildungsbedingungen>

Mikrowellenenergie: 150 W
Reaktionsgas: CH&sub4;: H&sub2; = 1 : 100
Reaktionsdruck: 40 Torr
Abscheidungstemperatur: 850ºC
Filmdicke (nach Oberflächen polieren): 20 um
Jeder LiNbO&sub3;-Film (Dicke: 0.83 bis 1.27 um, 6 Typen) wurde auf den Diamantfilm durch RF-Magnetronsputtern ausgebildet.
Alle ausgebildeten LiNbO&sub3;-Filme waren Filme mit C-Achsen Orientierung. Die Werte X der Röntgendrehkurve betrugen 2 bis 3º.

< RF-Magnetronsputterbedingungen>

Druck: 1 · 10&supmin;² Torr
Substrattemperatur: 650ºC
Ar : O&sub2; = 1 : 1
RF-Leistung: 150 W
Objekt Li : Nb = 1 : 1 gesinteter Körper (gesinteter Körper aus Li&sub2;Co&sub3; und Nb&sub2;O&sub5;)
Filmdicke: sechs verschiedene Werte von 0.38, 0.51, 0.64, 0.76, 1.02, 1.27 um
Ein Interdigitalwandler (ebene Form; Doppelelektrode, gezeigt in Fig. 2, Elektrodenbreite d = 1 um, Periode = 8 um) mit einer Dicke von 400 Å wurde unter Verwendung von Al ausgebildet. Ein SiO&sub2;-Film wurde durch RF-Magnetronsputtern auf den Interdigitalwandler ausgebildet, wodurch eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 3B gezeigten Schichtstruktur und der in Fig. 4 gezeigten Elektrodenanordnung (Elektrodenanordnung A) vervollständigt wurde (Zahl der Elektrodenpaare vom Eingangsinterdigitalwandler: 30, Zahl der Elektrodenpaare vom Ausgangsinterdigitalwandler: 30, Mitte-zu-Mitteabstand zwischen den Eingangs und Ausgangselektroden: 400 um).

< RF-Magnetronsputterbedingungen>

Druck: 0.02 Torr
Substrattemperatur 650ºC
Ar: O&sub2; = 1 : 1
RF-Leistung: 200 W
Objekt: SiO&sub2;
Filmdicke: Dicke entspricht einem Wert, den man durch gleiches Einteilen einer Dicke von 0.13 bis 1.62 um in 40 Abschnitte erhält.
Eine Kurzschlusselektrode (Dicke: 100 Å) wurde auf der SAW-Vorrichtung (Elektrodenanordnung A) unter Verwendung von Al ausgebildet, wodurch eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 3B gezeigten Schichtstruktur und der in Fig. 6 gezeigten Elektrodenanordnung C vervollständigt wurde.
Eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 8 gezeigten Elektrodenanordnung E, eine SAW- Vorrichtung mit der in Fig. 5 gezeigten Elektrodenanordnung B, eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 10 gezeigten Elektrodenanordnung G, und eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 9 gezeigten Elektrodenanordnung F, wurden entsprechend derselben Prozedur zur Herstellung der obigen SAW-Vorrichtung hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Reihenfolge der Schichtausbildung geändert wurde.
Eine Kurzschlusselektrode (Dicke: 100 Å) wurde auf dem SiO&sub2;-Film der SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 5 gezeigten Elektrodenanordnung B unter Verwendung von Al ausgebildet und dadurch wurde eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 7 gezeigten Elektrodenanordnung D vervollständigt.
Eine Hochfrequenz wurde an die Eingangselektrode jeder der obigen SAW-Vorrichtungen angelegt, um eine SAW anzuregen. Aus einer Beziehung V = f λ (f ist die Mittenfrequenz; λ = 8d = 8 um), wurde die Ausbreitungsgeschwindigkeit V (m/s) der SAW in jeder Anregungsmode erhalten. Der Strahlungsleitwert des Interdigitalwandlers (IDT, Interdigitalwandler) wurde unter Verwendung eines Netzwerkanalysators (8719A verfügbar von Yokogawa Hewlett Packard (YHP)), und der elektromechanische Kopplungskoeffizient (K²) wurde auf der Grundlage eines Realteils G des Strahlungsleitwerts wie folgt erhalten:
K² = (G/8)·f&sub0;·C·N
(f&sub0;: Mittenfrequenz, C: Gesamtkapazität des Interdigitalwandlers, N: Anzahl der Interdigitalwandlerpaare)
Der Frequenztemperaturkoeffizient (TCF) wurde aus der Abhängigkeit der Frequenz der SAW von der Temperatur gemessen und der Koeffizient TCD wurde aus einer Beziehung TCF = -TCD erhalten.
Die Dicke t&sub1; (um) der LiNbO&sub3;-Schicht und die Dicke t&sub2; (um) der SiO&sub2;-Schicht der SAW- Vorrichtung wurden durch Zerschneiden der Vorrichtung nach Messung der obigen verschiedenen Parameter und Betrachten des Abschnitts mit einem Rasterelektronenmikroskop (SEM) bei einer Vergrößerung von ·1000 bis ·5000 erhalten.
Auf der Grundlage der erhaltenen Daten erhielt man die Parameter kh&sub1; = 2λ (t&sub1;/λ) und kh&sub2; = 2 λ (t&sub2;/λ) für jede der SAW-Vorrichtung (λ = 8 um) die eine Schichtstruktur (Schichtstruktur 2) die in Fig. 3B gezeigt ist, und die in den Fig. 4-10 gezeigten Elektrodenanordnungen (Elektrodenanordnungen A-G) aufweisen.
Die Beziehung (Abhängigkeit) zwischen der Ausbreitungsgeschwindigkeit V und dem Parameter kh&sub2;, welche in der obigen Weise erhalten werden, ist in einem Graph der Fig. 11 (kh&sub1; = 0.3), Fig. 12 (kh&sub1; = 0.4); Fig. 13, (kh&sub1; = 0.5), Fig. 14 (kh&sub1; = 0.6), Fig. 15 (kh&sub1; = 0.8) oder Fig. 16 (kh&sub1; = 1.0) gezeigt.
Die Beziehung (Abhängigkeit) zwischen dem Verzögerungszeittemperaturkoeffizienten TCD und dem Parameter kh&sub2;, die man in der obigen Weise erhält, ist in einem Graph der Fig. 17 (kh&sub1; = 0.3), Fig. 18 (kh&sub1; = 0.4); Fig. 19, (kh&sub1; = 0.5), Fig. 20 (kh&sub1; = 0.6), Fig. 21 (kh&sub1; = 0.8) oder Fig. 22 (kh&sub1; = 1.0) gezeigt.
Für die SAW-Vorrichtung, die in der obigen Weise (Fig. 4, Elektrodenanordnung A) erhalten wurde, ist die Beziehung (Abhängigkeit) zwischen dem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten K², dem Parameter kh&sub1; und dem Parameter kh&sub2; in einem Graph der Fig. 23 (kh&sub1; = 0.3), Fig. 24 (kh&sub1; = 0.4); Fig. 25, (kh&sub1; = 0.5), Fig. 26 (kh&sub1; = 0.6), Fig. 27 (kh&sub1; = 0.8) oder Fig. 28 (kh&sub1; = 1.0) gezeigt.
Auf ähnliche Weise ist für jede der SAW-Vorrichtung, die man in der obigen Weise erhält ( Elektrodenanordnungen B-G, gezeigt in den Fig. 5-10), die Beziehung (Abhängigkeit) zwischen dem elektromechanischen Kopplungselement K², dem Parameter kh&sub1; und dem Parameter kh&sub2; in Graphen der Fig. 29 bis 34 (Elektrodenanordnung B), Fig. 35-40 (Elektrodenanordnung C), Fig. 41-46 (Elektrodenanordnung D), Fig. 47-52 ( Elektrodenanordnung E), Fig. 53-58 (Elektrodenanordnung F) oder Fig. 59-64 (Elektrodenanordnung G) gezeigt.

(Beispiel 2)

Ein Interdigitalwandler (ebene Form: Doppelelektrode gezeigt in Fig. 2, Elektrodenbreite d = 1 um, Periode: 8 um) mit einer Dicke von 400 Å wurde auf der (100)-Ebene von einem einkristallinen Diamant (natürlich, Typ Ia) ausgebildet. Jede LiNbO&sub3;-Schicht (Dicke: 0.38- 1.27 um, sechs Typen) wurde auf dem Interdigitalwandler durch RF-Magnetronsputtern ausgebildet.
Alle ausgebildeten LiNbO&sub3;-Filme waren Filme mit einer C-Achsenorientierung, und die Werte der Röntgendrehkurven betrugen 2º bis 3º.
Ein SiO&sub2;-Film wurde auf der LiNbO&sub3;-Schicht durch RF-Magnetronsputtern ausgebildet, wodurch eine in Fig. 3A gezeigte SAW-Vorrichtung mit einer Schichtstruktur (Filmdicke: Dicke entsprechend einem Wert, den man durch gleichmäßiges Einteilen einer Dicke von 0.13 bis 1.62 um in 40 Abschnitte erhält) und der in Fig. 8 gezeigten Elektrodenanordnung (Elektrodenanordnung E) vervollständigt wurde (Zahl der Elektrodenpaare des Eingangsinterdigitalwandlers: 30, Zahl der Elektrodenpaare des Ausgangsdigitalwandlers: 30, Mittezu-Mitte-Abstand zwischen den Eingangs- und Ausgangselektroden: 400 um).
Eine SAW-Vorrichtung mit der Elektrodenanordnung A, gezeigt in Fig. 4, wurde nach Befolgen derselben Prozeduren wie bei der obigen SAW-Vorrichtung hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Reihenfolge der Schichtausbildung geändert wurde. Eine Kurzschlusselektrode (Dicke: 100 Å) wurde auf der LiNbO&sub3;-Schicht 2 der SAW-Vorrichtung (Elektrodenanordnung E) unter Verwendung von Al ausgebildet, wodurch eine SAW-Vorrichtung mit der in Fig. 3A gezeigte Schichtstruktur (Schichtstruktur 1) und der in Fig. 9 gezeigten Elektrodenanordnung F vervollständigt wurde.
SAW-Vorrichtungen mit der in Fig. 5 gezeigten Elektrodenanordnung B, der in Fig. 6 gezeigten Elektrodenanordnung C und der in Fig. 10 gezeigten Elektrodenanordnung G wurden unter Befolgen derselben Prozeduren wie bei der obigen SAW-Vorrichtung hergestellt, mit der Ausnahme, das die Reihenfolge der Schichtausbildung verändert wurde.
Eine Kurzschlusselektrode (Dicke 100 Å) wurde auf der SiO&sub2;-Schicht der in Fig. 5 gezeigten Elektrodenanordnung B unter Verwendung von Al ausgebildet, wodurch eine SAW- Vorrichtung mit der in Fig. 3A gezeigten Schichtstruktur (Schichtstruktur 1) und der in Fig. 7 gezeigten Elektrodenanordnung D vervollständigt wurde.
Aus der somit beschriebenen Erfindung ist offensichtlich, dass die Erfindung auf viele Arten variiert werden kann. Solche Variationen sollen nicht als Abkehr vom Geiste und Umfang der Erfindung angesehen werden, und alle solchen Modifikationen, die einem Fachmann offenbar sein würden, sollen im Umfang der nachfolgenden Ansprüche enthalten sein.

Claims

1. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung), die wenigstens enthält:

Diamant (1), eine auf der Diamantschicht (1) angeordnete C-Achsen-orientierte polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht (2), einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordneten interdigitalen Wandler (4) und eine auf dem interdigitalen Wandler (1) angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3).

2. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

3. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/x) innerhalb des Bereiches 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

4. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode ohne SAW verwendet wird.

5. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

6. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

7. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

8. Eine Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.355 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.

9. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung), welche wenigstens enthält:

Diamant (1), eine auf dem Diamant (1) angeordnete Kurzschlußelektrode (5), eine auf der Kurzschußelektrode (5) angeordnete, C-Achsen-orientierte LiNbO&sub3;-Schicht (2), einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordneten interdigitalen Wandler (4) und eine auf dem interdigitalen Wandler (4) angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3).

10. Eine Vorrichtung nach Anspruch 9, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

11. Eine Vorrichtung nach Anspruch 9, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

12. Eine Vorrichtung nach Anspruch 9, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

13. Eine Vorrichtung nach Anspruch 9, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

14. Eine Vorrichtung nach Anspruch 9, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2; -Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.

15. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung), die wenigstens enthält: Diamant (1), eine au dem Diamant (1) angeordnete, C-Achsen-orientierte polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht (2), einen auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordneten interdigitalen Wandler (4), einer auf dem interdigitalen Wandler (2) (4) angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3) und eine auf der SiO&sub2;-Schicht (3), angeordnete Kurzschlußelektrode (5).

16. Eine Vorrichtung nach Anspruch 115, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.35 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

17. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

18. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

19. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode ohne SAW verwendet wird.

20. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

21. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 λ (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

22. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

23. Eine Vorrichtung nach Anspruch 15, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.

24. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung, die wenigstens enthält: Diamant (1), eine auf der Diamantschicht (1) angeordnete Kurzschlußelektrode (5) eine auf der Kurzschlußelektrode (5) angeordnete, C-Achsen-orientierte polykristalline LiNbO&sub3;- Schicht (2), eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3) und eine auf der SiO&sub2;-Schicht (3) angeordnete Kurzschlußelektrode (5).

25. Eine Vorrichtung nach Anspruch 24, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode ohne SAW verwendet wird.

26. Eine Vorrichtung nach Anspruch 24, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

27. Eine Vorrichtung nach Anspruch 24, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

28. Eine Vorrichtung nach Anspruch 24, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

29. Eine Vorrichtung nach Anspruch 24, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.

30. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung), die wenigstens enthält: Diamant (1), einen auf der Diamantschicht (1) angeordneten interdigitalen Wandler (4), eine auf dem interdigitalen Wandler (4) angeordnete C-Achsenorientierte, polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht (2), eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3).

31. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

32. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

33. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode ohne SAW verwendet wird.

34. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.455 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

35. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

36. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

37. Eine Vorrichtung nach Anspruch 30, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke defmiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.

38. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung), die wenigstens enthält: Diamant (1), einen auf der Diamantschicht (1) angeordneten interdigitalen Wandler (4), einer auf dem interdigitalen Wandler (4) angeordnete C-Achsenorientierte LiNbO&sub3;-Schicht (2), eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2), eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordnete Kurzschlußelektrode (5) und eine auf der Kurzschlußelektrode angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3).

39. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.15 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

40. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

41. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode ohne SAW verwendet wird.

42. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.5 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

43. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0,55 ≤ kh&sub1; ≤ 0,65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

44. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.655 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

45. Eine Vorrichtung nach Anspruch 38, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.

46. Eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung), die wenigstens enthält: Diamant (1), einen auf der Diamantschicht (1) angeordneten interdigitalen Wandler (4), eine auf dem interdigitalen Wandler (4) angeordnete C-Achsenorientierte polykristalline LiNbO&sub3;-Schicht (2), eine auf der LiNbO&sub3;-Schicht (2) angeordnete SiO&sub2;-Schicht (3) und eine auf der SiO&sub2;-Schicht (3) angeordnete Kurzschlußelektrode (5).

47. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.25 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub2; = 2π (t&sub2;/λ) innerhalb des Bereichs 0.1 ≤ kh&sub2; ≤ 0.45 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

48. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.2 ≤ kh&sub2; ≤ 0.47 liegt, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Oberflächenwelle (SAW) ist, t&sub1; definiert in um die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke, definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, und wobei eine nullte Mode einer SAW verwendet wird.

49. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.35 ≤ kh&sub1; ≤ 0.45 liegt und kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.3 ≤ kh&sub2; ≤ 0.5 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode ohne SAW verwendet wird.

50. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.45 ≤ kh&sub1; ≤ 0.55 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.6 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

51. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.55 ≤ kh&sub1; ≤ 0.65 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.47 ≤ kh&sub2; ≤ 0.73 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

52. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.65 ≤ kh&sub1; ≤ 0.8 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.7 ≤ kh&sub2; ≤ 0.8 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine erste Mode einer SAW verwendet wird.

53. Eine Vorrichtung nach Anspruch 46, die eine Struktur aufweist, welche Bedingungen erfüllt, so daß kh&sub1; = 2 π (t&sub1;/λ) innerhalb des Bereiches 0.8 ≤ kh&sub1; ≤ 1.0 liegt und kh&sub2; = 2 π (t&sub2;/λ) innerhalb eines Bereiches 0.35 ≤ kh&sub2; ≤ 0.55 liegt, wobei λ die Wellenlänge der SAW, t&sub1; definiert in um, die Dicke der LiNbO&sub3;-Schicht (2) ist und t&sub2; die Dicke definiert in um, der SiO&sub2;-Schicht (3) ist, wobei eine zweite Mode einer SAW verwendet wird.