JPS58156217A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPS58156217A JPS58156217A JP3924082A JP3924082A JPS58156217A JP S58156217 A JPS58156217 A JP S58156217A JP 3924082 A JP3924082 A JP 3924082A JP 3924082 A JP3924082 A JP 3924082A JP S58156217 A JPS58156217 A JP S58156217A
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- aluminum nitride
- acoustic wave
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特性的に優れた新しい構造の弾性表面波素子
Ｅｌｌするものである。
Ｅｌｌするものである。
弾性表面波（８ｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａ
ｖｅ ） ！利用することＫより各種の電気的信号を扱
うための弾性表１ｉｉｉｌＩＬ素子を構成する構造（基
板）としては従来、 １、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、圧電セ
ラきツクス基板等）、 ２、非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造、３、半導
体基板上に圧電ｌ［ｖ形成した構造、等が知られている
。
ｖｅ ） ！利用することＫより各種の電気的信号を扱
うための弾性表１ｉｉｉｌＩＬ素子を構成する構造（基
板）としては従来、 １、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板、圧電セ
ラきツクス基板等）、 ２、非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造、３、半導
体基板上に圧電ｌ［ｖ形成した構造、等が知られている
。
トコ口で上遮り１の多層構造としては、現在のトコロナ
ファイア画板上もしくは勿ラス１ＩｋＩｆＬ上にスパッ
タリング法４ＩＫより酸化亜鉛膜（Ｚｎ０）を形成した
構造が知られているが、このＺｎＯ展は以下のような欠
点が在存するため間層がある。
ファイア画板上もしくは勿ラス１ＩｋＩｆＬ上にスパッ
タリング法４ＩＫより酸化亜鉛膜（Ｚｎ０）を形成した
構造が知られているが、このＺｎＯ展は以下のような欠
点が在存するため間層がある。
Ｌ 良質な膜が形成しにくいため圧電性等の点で十分再
ａｍのあるものが得られない。
ａｍのあるものが得られない。
λ 高周波−域において弾性表ＷＡＩ／ＩＬの伝播損失
が多い。
が多い。
龜 弾性１ＩＩＩ波伝播特性の分散が大きい。
Ｌ 弾性表１＋技の這延峙飄τの温度変化率（１／τ）
・（ａτ／８Ｔ）の制御が間離である。（Ｔ：周■温度
）本発明はこれらの１ＩｌｌｌＩＩＪ１に対処してなさ
れたものであり、弾性表面６ＮＫ対する遅延時間温度係
数が正である弾性体基板上に窒化アルミニウム膜を形成
した弾性体構造（基板）Ｖ用いることＶ機本的特黴とす
るもので、４１ ｆＣ８０８（８ｉ１ｉｃｏｎ ０ｎ８
ａｐｐｈｉｒｅ ）基Ｉ［を用いた弾性表面波素子を提
供するととＶ目的とするものである。以下ＷＪ面を参照
して本発明実施例を説明する。
・（ａτ／８Ｔ）の制御が間離である。（Ｔ：周■温度
）本発明はこれらの１ＩｌｌｌＩＩＪ１に対処してなさ
れたものであり、弾性表面６ＮＫ対する遅延時間温度係
数が正である弾性体基板上に窒化アルミニウム膜を形成
した弾性体構造（基板）Ｖ用いることＶ機本的特黴とす
るもので、４１ ｆＣ８０８（８ｉ１ｉｃｏｎ ０ｎ８
ａｐｐｈｉｒｅ ）基Ｉ［を用いた弾性表面波素子を提
供するととＶ目的とするものである。以下ＷＪ面を参照
して本発明実施例を説明する。
ｍ１ｌｌｉは本発明実施例による弾性表面波素子を示す
断面図で、１は８０８基板でサファイア基鈑Ｓおよびこ
の上虻形成されたシリコン膜６から威り、２はこのＳＯ
８基板１上に形成された窒化アル１＝りム膜でその圧電
軸（Ｃ軸もしくは（０００１）軸）は上記ＳＯ８基板ｍ
Ｋ垂直あるいは平行になるように形成される。３．４は
上記窒化アルミニウム属２表面に形成されたくし層状か
ら成る弾性表Ｉｉ波発生用電極および検出用電極で、Ｈ
は窒化アルミニウム膜２の膜厚、Ｔはシリコン膜６の膜
厚である。
断面図で、１は８０８基板でサファイア基鈑Ｓおよびこ
の上虻形成されたシリコン膜６から威り、２はこのＳＯ
８基板１上に形成された窒化アル１＝りム膜でその圧電
軸（Ｃ軸もしくは（０００１）軸）は上記ＳＯ８基板ｍ
Ｋ垂直あるいは平行になるように形成される。３．４は
上記窒化アルミニウム属２表面に形成されたくし層状か
ら成る弾性表Ｉｉ波発生用電極および検出用電極で、Ｈ
は窒化アルミニウム膜２の膜厚、Ｔはシリコン膜６の膜
厚である。
以上の構造の弾性表面液素子に対して、窒化アルミニウ
ムｌ１１２の圧電軸（Ｃ軸もしくは（０００１）軸）方
向と垂直な方向に弾性表面波を伝播（励振）させた時、
第５図（ＡＪＫ示すような弾性表面波の適度分散特性が
得られた。同１ｉｉＩにおいて横軸は窒化アルミニウム
膜２の膜厚Ｈの規格化された厚さを２πＨ／λ（ここで
λは弾性表１ｉｉ１ａ＊、の波長）で示し、縦軸は弾性
表面波の位相速度ｖ、を示す°ものである。同図から明
らかなように位相速度Ｖ、の分散は少なく、しかも非常
に大きな値の位相遮ｇＶ。
ムｌ１１２の圧電軸（Ｃ軸もしくは（０００１）軸）方
向と垂直な方向に弾性表面波を伝播（励振）させた時、
第５図（ＡＪＫ示すような弾性表面波の適度分散特性が
得られた。同１ｉｉＩにおいて横軸は窒化アルミニウム
膜２の膜厚Ｈの規格化された厚さを２πＨ／λ（ここで
λは弾性表１ｉｉ１ａ＊、の波長）で示し、縦軸は弾性
表面波の位相速度ｖ、を示す°ものである。同図から明
らかなように位相速度Ｖ、の分散は少なく、しかも非常
に大きな値の位相遮ｇＶ。
が得られる。
また４８図（２）はそれによって得られた電気機械結合
係数の特性−Ｉｓを示すもので、横軸は２πＨ／λで示
し、縦軸は電気機械結合係数にの二乗−を百分率で示す
ものである。＃ｊ１図において素子Ａが１１１３■の構
造＃ｃ１１１応した特性で、規格化膜厚２１１：Ｈ／λ
の１０近傍においてＫは約０．３９うが得られた。この
値は通常弾性率１ｌｉｒＩＬｖ発生および検出させるに
充分な値である。
係数の特性−Ｉｓを示すもので、横軸は２πＨ／λで示
し、縦軸は電気機械結合係数にの二乗−を百分率で示す
ものである。＃ｊ１図において素子Ａが１１１３■の構
造＃ｃ１１１応した特性で、規格化膜厚２１１：Ｈ／λ
の１０近傍においてＫは約０．３９うが得られた。この
値は通常弾性率１ｌｉｒＩＬｖ発生および検出させるに
充分な値である。
さらにｇｙｇ＾はそれによって得られた弾性表面６ＮＫ
対する遅延時間温度係数（ＴＣＤ）の特性―纏を示すも
ので、横軸は２πＨ／λで示し、縦軸は弾性表■披の遅
延時間τの温度変化率（’／ｒ）。
対する遅延時間温度係数（ＴＣＤ）の特性―纏を示すも
ので、横軸は２πＨ／λで示し、縦軸は弾性表■披の遅
延時間τの温度変化率（’／ｒ）。
（＃ｒ／ＪＩＴ）をｐｐｍ／を単位で示すものである。
ここで８０８基仮１は正の迩蔦時閲温巌係ａｈ有してい
るのに対し、窒化アルミニウムｍ２は逆に負の遷延時間
温度係数！有しているために、Ｍ■から明らかなようＫ
その総合特性は萄４７＠＠ｌ、會った値となり、窒化ア
ルミニウム膜２０膜厚Ｈの変化に応じて変ってくる。４
１に上記膜厚Ｈ４’１．０＜２πＨ／λ＜４．０の範１
１に選ぶこと虻より遅鷺時間の温度変化率Ｖ零に近ずけ
ることができる。
るのに対し、窒化アルミニウムｍ２は逆に負の遷延時間
温度係数！有しているために、Ｍ■から明らかなようＫ
その総合特性は萄４７＠＠ｌ、會った値となり、窒化ア
ルミニウム膜２０膜厚Ｈの変化に応じて変ってくる。４
１に上記膜厚Ｈ４’１．０＜２πＨ／λ＜４．０の範１
１に選ぶこと虻より遅鷺時間の温度変化率Ｖ零に近ずけ
ることができる。
次Ｋｍ１図の構造の弾性１１面波素子に対して、窒化ア
ルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸もしくは（ＯＯＯＪ）軸
）方向と水平な方向に弾性表１１１ＩＬを伝播させた時
は、ｌＩｓ図＠に示すよ５な弾性１１面波の適度分散特
性が得られた。Ｗｉ４１１Ｉから明らかなよう＃！ｃ位
相速度Ｖｐの分散は少なく、しかも非常に大きな値の位
相速度Ｖｐが得られる。
ルミニウム膜２の圧電軸（Ｃ軸もしくは（ＯＯＯＪ）軸
）方向と水平な方向に弾性表１１１ＩＬを伝播させた時
は、ｌＩｓ図＠に示すよ５な弾性１１面波の適度分散特
性が得られた。Ｗｉ４１１Ｉから明らかなよう＃！ｃ位
相速度Ｖｐの分散は少なく、しかも非常に大きな値の位
相速度Ｖｐが得られる。
またＩＩＧ図（ロ）はその時得られた電気機械納会係数
の特性曲線を示すもので、ｌ！！ＩＩＩＡがｍ１ｌｌｉ
の構造に対応した特性で、規格化膜厚２ＫＨ／λの２９
＝ 近傍にオイてＫは約０．８８％か得られた。この値は通
常弾性表面波を発生および検出させるに充分な値である
。
の特性曲線を示すもので、ｌ！！ＩＩＩＡがｍ１ｌｌｉ
の構造に対応した特性で、規格化膜厚２ＫＨ／λの２９
＝ 近傍にオイてＫは約０．８８％か得られた。この値は通
常弾性表面波を発生および検出させるに充分な値である
。
さらに＠７ｍ＠はその時得られた弾性表面波に対する遅
延時間温度係数（ＴＣＤ）の特性−一を示すもので、４
１に窒化アル１＝りム１１４２のＩＩｊｌＨを１．０（
２富Ｈ／λ＜４．０の範■に遍ぶことにより遷延時間の
温度変化率を零に近ずけることができる。
延時間温度係数（ＴＣＤ）の特性−一を示すもので、４
１に窒化アル１＝りム１１４２のＩＩｊｌＨを１．０（
２富Ｈ／λ＜４．０の範■に遍ぶことにより遷延時間の
温度変化率を零に近ずけることができる。
１１２ｍ乃至第４８１は本発明の他の実施例を示す断−
１で、ｇａｓは８０８基板１０表ｍ５Ｗｃ弾性表ｉｉｔ
＊発生用電４１３および検出用電＠４を形成した後、こ
れらを榎うように窒化アルミニウム膜２を形成したＩ！
−を示すものである。また１１３図は８０８１板１の表
１ｌｉＩＩ虻蕩分的に第２電極として一対のしやへい電
極７を形成した後、これらを覆うよｊＫｌｌ化アルミニ
ウムＩＩ＆２を形成しこの表面ｌＣａ１ｌ電極として弾
性ｌＩ画波発生用電４ｊ３および検出用電Ｉｋ４を形成
した構造を示すものである。
１で、ｇａｓは８０８基板１０表ｍ５Ｗｃ弾性表ｉｉｔ
＊発生用電４１３および検出用電＠４を形成した後、こ
れらを榎うように窒化アルミニウム膜２を形成したＩ！
−を示すものである。また１１３図は８０８１板１の表
１ｌｉＩＩ虻蕩分的に第２電極として一対のしやへい電
極７を形成した後、これらを覆うよｊＫｌｌ化アルミニ
ウムＩＩ＆２を形成しこの表面ｌＣａ１ｌ電極として弾
性ｌＩ画波発生用電４ｊ３および検出用電Ｉｋ４を形成
した構造を示すものである。
さらにＩＩ４園は８０ａｌ基板１０表向部に槙１電極と
して弾性ＩＩ−波発生用電極３および検出用電極４を形
成した後、これらを覆うように窒化アルミニウム＆２を
形成しこの表ｍＫ１１分的［１１２電極として一対のし
やへい電極７を形成した構造を示すものである。
して弾性ＩＩ−波発生用電極３および検出用電極４を形
成した後、これらを覆うように窒化アルミニウム＆２を
形成しこの表ｍＫ１１分的［１１２電極として一対のし
やへい電極７を形成した構造を示すものである。
以上の各構造り弾性表面波素子に対して、窒化アルｌｘ
ウム膜２の圧電軸方向と垂直な方向に弾性表面波を伝播
させた時、纂５装置に示すような弾性表面液の速度分散
特性と嫌ば同じものが得られ、またｌ［７図（Ａ）Ｋ示
すよう、な弾性表面波に対する遅胤時間温本係数（ＴＣ
Ｄ）の特性とほば岡じものが得られた。さらにａＳＳ＾
（示すよ５なが特性が得られ゛、各々素子ＢＣＩＫ２図
構造）、素子Ｃ（１１３図構造）、素子Ｄ（３１４ｇ構
造）虻対応した特性が得られた。すなわち素子Ｂでは規
格化膜厚２冨Ｈ／λの３．１近傍においてＫはＯ，ＳＳ
％のダブルビーク特性が得られ、素子りでは規格化膜厚
２πＨ／λのＱ、２７および０．３６において各々に″
は０．２７％および０．４５％のダブルビーク特性が得
られた。これらの値は通常弾性表面波を発生および検出
さセるに充分な値である。
ウム膜２の圧電軸方向と垂直な方向に弾性表面波を伝播
させた時、纂５装置に示すような弾性表面液の速度分散
特性と嫌ば同じものが得られ、またｌ［７図（Ａ）Ｋ示
すよう、な弾性表面波に対する遅胤時間温本係数（ＴＣ
Ｄ）の特性とほば岡じものが得られた。さらにａＳＳ＾
（示すよ５なが特性が得られ゛、各々素子ＢＣＩＫ２図
構造）、素子Ｃ（１１３図構造）、素子Ｄ（３１４ｇ構
造）虻対応した特性が得られた。すなわち素子Ｂでは規
格化膜厚２冨Ｈ／λの３．１近傍においてＫはＯ，ＳＳ
％のダブルビーク特性が得られ、素子りでは規格化膜厚
２πＨ／λのＱ、２７および０．３６において各々に″
は０．２７％および０．４５％のダブルビーク特性が得
られた。これらの値は通常弾性表面波を発生および検出
さセるに充分な値である。
同様に菖２図乃至第４図の各構造の弾性表面波素子に対
し【、窒化アルミニウム層２の圧電軸方向と水平な方向
に弾性ＩＮＩＮＩＩ／ＩＬを伝播させた時、纂５１１＠
に示すような弾性表Ｉｉ／ＩＩＬの適度分散とａば同じ
ものが得られ、また第７図に）に示すような弾性表向＊
Ｃ対する運気時間温度係ＩＩ（ＴＣＤ）の特性と嫌Ｐｉ
同じものが得られた。さらに纂６ｓ＠に示すよ５なに４
Ｉ性が得られ、各々素子Ｂ（纂２ＷＡ構造）、素子Ｃ（
１１３ｍ！ｌ構造）゛、素子Ｄ（謳４８１樽造）Ｋ対応
した特性が得られた。すなわち素子Ｂでは規格化膜厚２
１ｇ１１／λの０．４および０．２９に＃いて各々に３
は０．１５％および０．６２％のダブルビーク特性が得
られ、素子Ｃでは規格化膜厚２ｇＨ／λのＬ９近傍にお
いてＫは約０．９７％が得られ、素子りでは規格化膜厚
２πＨ／λの２８近傍においてＫは約０．７％が得られ
た。
し【、窒化アルミニウム層２の圧電軸方向と水平な方向
に弾性ＩＮＩＮＩＩ／ＩＬを伝播させた時、纂５１１＠
に示すような弾性表Ｉｉ／ＩＩＬの適度分散とａば同じ
ものが得られ、また第７図に）に示すような弾性表向＊
Ｃ対する運気時間温度係ＩＩ（ＴＣＤ）の特性と嫌Ｐｉ
同じものが得られた。さらに纂６ｓ＠に示すよ５なに４
Ｉ性が得られ、各々素子Ｂ（纂２ＷＡ構造）、素子Ｃ（
１１３ｍ！ｌ構造）゛、素子Ｄ（謳４８１樽造）Ｋ対応
した特性が得られた。すなわち素子Ｂでは規格化膜厚２
１ｇ１１／λの０．４および０．２９に＃いて各々に３
は０．１５％および０．６２％のダブルビーク特性が得
られ、素子Ｃでは規格化膜厚２ｇＨ／λのＬ９近傍にお
いてＫは約０．９７％が得られ、素子りでは規格化膜厚
２πＨ／λの２８近傍においてＫは約０．７％が得られ
た。
これらの値は通常弾性表面直な発生および検出させるに
充分な値である。
充分な値である。
纂５ａｉＡＪ、＠から明らかなように規格化膜厚２冨Ｈ
／λを（Ｌｌ〜賑Ｏの範１１に選ぶことにより、実用上
充分な値のに３値を得ることができ圧電性に優れ（いる
ことを示している。
／λを（Ｌｌ〜賑Ｏの範１１に選ぶことにより、実用上
充分な値のに３値を得ることができ圧電性に優れ（いる
ことを示している。
舎実施例で用いられた窒化アルミニウム属はバンドギャ
ップが約１ｚ＠ｖと大きく、また比抵抗が、１＠、−以
上の−のが容易に得られるので良好な絶縁性を示す、こ
の窒化アルミニウム層およびシリコン膜は単結晶である
ことが望ましいが、周知のＮｏ−ＣＶＤ技術を用いるこ
と虻より共に単結晶エピタキシャル膜を容易虻形成する
ことができる・また従来に―いてのスパッタリング法等
による酸化４を鉛膜に比べ窒化アルミニウム膜は再楓性
に優れ、膜質が均一なものが得られるので４１１に高層
１ｍ１における伝搬損失を小さく抑えることができる。
ップが約１ｚ＠ｖと大きく、また比抵抗が、１＠、−以
上の−のが容易に得られるので良好な絶縁性を示す、こ
の窒化アルミニウム層およびシリコン膜は単結晶である
ことが望ましいが、周知のＮｏ−ＣＶＤ技術を用いるこ
と虻より共に単結晶エピタキシャル膜を容易虻形成する
ことができる・また従来に―いてのスパッタリング法等
による酸化４を鉛膜に比べ窒化アルミニウム膜は再楓性
に優れ、膜質が均一なものが得られるので４１１に高層
１ｍ１における伝搬損失を小さく抑えることができる。
＠に上記窒化アルｉ ニウム膜は弾性表−Ｉ／１．＃ｃ
対する遍凰時間温度係数が負である性質を有しているの
で、８０８基板のようにそれと逆（遅鷺時間温度係数が
正である性質を有している基板上に形成すれば運気時間
温直係緻は相互に補償されるために、温度変化に対して
安定な特性を得ることができる。％に温度変化に均する
素子の安定性は共振器、発振器等の狭蕾域儒号Ｊ１６瑠
嵩子において最も重畳な性能であるが、上記会実施例構
造によれば温度変化に対して安定な動作を行なわせると
と゛ができる。しか４ｉ４周液化、低損失化も併せて計
ることができる。
対する遍凰時間温度係数が負である性質を有しているの
で、８０８基板のようにそれと逆（遅鷺時間温度係数が
正である性質を有している基板上に形成すれば運気時間
温直係緻は相互に補償されるために、温度変化に対して
安定な特性を得ることができる。％に温度変化に均する
素子の安定性は共振器、発振器等の狭蕾域儒号Ｊ１６瑠
嵩子において最も重畳な性能であるが、上記会実施例構
造によれば温度変化に対して安定な動作を行なわせると
と゛ができる。しか４ｉ４周液化、低損失化も併せて計
ることができる。
上記窒化アルミニウム層を形成すべき基板としては８０
８！４ＩＫ隅らず、遁駕時間温度係黴が負である＃科で
あれば任意のものを選択することができる。
８！４ＩＫ隅らず、遁駕時間温度係黴が負である＃科で
あれば任意のものを選択することができる。
以上述べて明らかなように本実明和よれば１弾性ＩＩ１
１ｍＫ対する遅蔦時間温度係数が正である８０８基板上
に窒化アルミニウム膜を形成するよ５Ｋした弾性体構造
を用いるものであるから、４１性的に優れた弾性表ｆＩ
＃Ｌ素子を得ることができる。
１ｍＫ対する遅蔦時間温度係数が正である８０８基板上
に窒化アルミニウム膜を形成するよ５Ｋした弾性体構造
を用いるものであるから、４１性的に優れた弾性表ｆＩ
＃Ｌ素子を得ることができる。
以上説明し′た本実＠によれば次のような効果が得られ
る。
る。
１、 弾性１ＩＩｉｉ波速度が大きいため高周波での波
長か大きくなるので、くし置状電極勢の製造が容易にな
る。
長か大きくなるので、くし置状電極勢の製造が容易にな
る。
２．１１犀変−（よる周波数変動率が小さいため設計し
た動作周波数に合わせた素子の製造が容易となるので、
歩留り向上によるコストダウンを計ることができる。
た動作周波数に合わせた素子の製造が容易となるので、
歩留り向上によるコストダウンを計ることができる。
３、弾性表面波素子の遅鷺時間を零に近ずける− こと
ができる。
ができる。
４、Ｉｌ！ｉ１縁性に富んだ窒化アルミ−ラム膜な容易
に得ることかで幹、またＭＯ−ＣＶＤ ｉ＠により七の
単結晶子ビタキシャル膜の形成も容易となる。
に得ることかで幹、またＭＯ−ＣＶＤ ｉ＠により七の
単結晶子ビタキシャル膜の形成も容易となる。
なお本文実施例中で示した基板および基板上に形成され
た窒化アルミニウム膜の結晶画および弾性表ｖＡａｌを
励振（伝播）させる結晶方向は、実施例以外に適当な選
択を行なっても同様な効果を得ることが可能である。
た窒化アルミニウム膜の結晶画および弾性表ｖＡａｌを
励振（伝播）させる結晶方向は、実施例以外に適当な選
択を行なっても同様な効果を得ることが可能である。
９１図乃至纂４＃４はいずれも本発明実施例を示す断面
図、第５図（５）、＠、第６８囚、（ロ）および纂７図
＾、（ハ）はいずれも本発明により得られた結果を示す
特性図である。 ｌ・・・８０８基板、２・・・窒化アルミニウム膜、３
・・・弾性表面波発生用電極、４・・・弾性ＩＩ！面波
検波検出用電極・・・サファイア、６・・・シリコン膜
、７・・・しやへい電極。 特許出願人 御子柴 宣 夫 坪 内 和 夫 代理人 弁境士 永 １）武三部 第１図 第４図 第５図（Ａ） 跣Ｈ／χ□ 第７図（Ｅｌ） 第７図（Ａ） 手続補正書（方式・峠） 昭和ｑ年 脣許願第３９２４０号 ２、−一の堪称 弾＋ｔ＊＊ａｉｔ＊素子 ３、 補正をする者 事件との関係 轡許出１［人 ４、代理人〒１０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル
５、補正の対象
図、第５図（５）、＠、第６８囚、（ロ）および纂７図
＾、（ハ）はいずれも本発明により得られた結果を示す
特性図である。 ｌ・・・８０８基板、２・・・窒化アルミニウム膜、３
・・・弾性表面波発生用電極、４・・・弾性ＩＩ！面波
検波検出用電極・・・サファイア、６・・・シリコン膜
、７・・・しやへい電極。 特許出願人 御子柴 宣 夫 坪 内 和 夫 代理人 弁境士 永 １）武三部 第１図 第４図 第５図（Ａ） 跣Ｈ／χ□ 第７図（Ｅｌ） 第７図（Ａ） 手続補正書（方式・峠） 昭和ｑ年 脣許願第３９２４０号 ２、−一の堪称 弾＋ｔ＊＊ａｉｔ＊素子 ３、 補正をする者 事件との関係 轡許出１［人 ４、代理人〒１０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル
５、補正の対象
Claims (1)
- １．８０８基板と、この８０８基板上に形成されかつ圧
電軸が配向した窒化アルミニウム膜と、これら所定位ａ
ｌｌｌＫ形成された電極とを含むことを特徴とする弾性
１１面波素子。 ２、 上記窒化アルミニウム膜の圧電軸が上記ＳＯ８基
徹画板垂直虻なるように形成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の弾性表ＷＪ＃ＩＬ素子。 ３゜ 上記窒化アル１ニウム膜の圧電軸が上記８０８基
板ｍＫ水千になるように形成されたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の弾性表向波素子。 ４、 上記窒化アルミニウム族の圧電軸方向と垂直ある
いは水平な方向に弾性表面波を伝播させることＶ＊黴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の弾性表ｉｍ
ａ嵩子。 ５、上記窒化アルミニウム族の膜厚Ｈが０．１＜２πＨ
／λ〈＆Ｏ（ただし、λは弾性表面波の波畏を示す）の
範１ｔｔｔｃ属することｖ特徴とする特許請求の範囲第
４項記載の弾性表向波素子。 ６、上記窒化アルミニウム膜が単結晶エピタキシャル膜
からなることｖ４Ｉ像とする特許請求の範囲第１項乃至
第５項のいずれかに記載の弾性表面波素子。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3924082A JPS58156217A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 弾性表面波素子 |
| DE3348369A DE3348369C2 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische Oberflächenwellen ausbildende Vorrichtung |
| DE3348366A DE3348366C2 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische Oberflächenwellen bildende Vorrichtung |
| GB08306526A GB2120037B (en) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Surface acoustic wave device |
| DE3308365A DE3308365A1 (de) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Akustische oberflaechenwellen bildende vorrichtung |
| US06/473,410 US4511816A (en) | 1982-03-11 | 1983-03-09 | Surface acoustic wave device using an elastic substrate and an aluminum nitride piezoelectric film |
| NL8300879A NL8300879A (nl) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | Akoestische oppervlaktegolfinrichting. |
| FR8303952A FR2523382B1 (fr) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | Dispositif a onde acoustique de surface |
| GB08624225A GB2181917B (en) | 1982-03-11 | 1986-10-09 | Surface acoustic wave device |
| GB08624226A GB2181918B (en) | 1982-03-11 | 1986-10-09 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3924082A JPS58156217A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58156217A true JPS58156217A (ja) | 1983-09-17 |
| JPH0213853B2 JPH0213853B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=12547601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3924082A Granted JPS58156217A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58156217A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233819A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| JPH01236712A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| JPH02248110A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH03198412A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5135253B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-02-06 | 株式会社東芝 | 慣性センサおよび慣性測定装置 |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3924082A patent/JPS58156217A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01233819A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| JPH01236712A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス |
| JPH02248110A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JPH03198412A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213853B2 (ja) | 1990-04-05 |
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