JPS60244108A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPS60244108A JPS60244108A JP10018784A JP10018784A JPS60244108A JP S60244108 A JPS60244108 A JP S60244108A JP 10018784 A JP10018784 A JP 10018784A JP 10018784 A JP10018784 A JP 10018784A JP S60244108 A JPS60244108 A JP S60244108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- interdigital
- short
- piezoelectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は遅延線、発熾器、フィルターなどに通用される
弾性表向波素子に関する。
弾性表向波素子に関する。
（恢米技術とその問題点）
弾性表面波素子は、便乗軍需用の特殊な用途に使用され
ていたが、近年１Ｍチューナ、ＴＶ寺の民生用機器にも
使用され始め、ｌこわかに脚光を浴びるようになってき
た。弾性表面波素子は具体的には遅延素子、発振子、フ
ィルターなどとして製品化されている。これら各種の弾
性表面波素子の特徴は、小形、軽量で、信頼性が高いこ
と、およびその製造工程が集積回路と類似しており、量
産性に冨むことなどである。そして、現在では欠くべか
らず′電子部品として量産されるに至っている。
ていたが、近年１Ｍチューナ、ＴＶ寺の民生用機器にも
使用され始め、ｌこわかに脚光を浴びるようになってき
た。弾性表面波素子は具体的には遅延素子、発振子、フ
ィルターなどとして製品化されている。これら各種の弾
性表面波素子の特徴は、小形、軽量で、信頼性が高いこ
と、およびその製造工程が集積回路と類似しており、量
産性に冨むことなどである。そして、現在では欠くべか
らず′電子部品として量産されるに至っている。
従来の弾性表面波素子の一例を弾性表面波共振子を例と
して説明すると、第１図および第２図に示すように、圧
電基板１の上に２４電性物質からなるすだれ状電極２が
形成されている。この揚台、圧電基板１は、例えば水晶
、ニオブ酸リチウムなどの圧蒐性を持った単結晶や圧電
セラミックス、あるいはガラスの表面に圧゛域性を持っ
た薄膜を形成したものが１ｅ用される。また、すだれ状
電極２は、例えばアルミニウム、金などの金属を圧電基
板１の上に蒸看後、フォトエッチにより形成することが
できる。そして、このすだれ状゛成極２の両側に誘電体
、導電体、溝等からなるリッジで構成される１対の格子
状反射器３，３が形成されている。
して説明すると、第１図および第２図に示すように、圧
電基板１の上に２４電性物質からなるすだれ状電極２が
形成されている。この揚台、圧電基板１は、例えば水晶
、ニオブ酸リチウムなどの圧蒐性を持った単結晶や圧電
セラミックス、あるいはガラスの表面に圧゛域性を持っ
た薄膜を形成したものが１ｅ用される。また、すだれ状
電極２は、例えばアルミニウム、金などの金属を圧電基
板１の上に蒸看後、フォトエッチにより形成することが
できる。そして、このすだれ状゛成極２の両側に誘電体
、導電体、溝等からなるリッジで構成される１対の格子
状反射器３，３が形成されている。
すだれ状電極２に特定周波数の電圧を印加すると、すだ
れ状電極２の間隙の圧電基板１表面に電界がかかり、圧
電基板１の圧電性により電圧に比例したひずみが生じ、
そのひずみが圧電基板１の材料によって定まった音速で
表面波として両側に伝搬する。この表面波は、両側の格
子状反射器３．３によって反射され、再びすだれ状Ｗ、
極２に帰還して共振がなされるようになっている。
れ状電極２の間隙の圧電基板１表面に電界がかかり、圧
電基板１の圧電性により電圧に比例したひずみが生じ、
そのひずみが圧電基板１の材料によって定まった音速で
表面波として両側に伝搬する。この表面波は、両側の格
子状反射器３．３によって反射され、再びすだれ状Ｗ、
極２に帰還して共振がなされるようになっている。
ところで、これら各種の弾性表面波素子は、外部からの
雑音信号を除去するため、第３図に示すようなハーメチ
ックンール４と呼ばれる金属製容器によって封止される
のか一般的である。／’％−メチツクシール４は封止性
、耐触性等を考ｌ（シて、通常はニッケルメッキ等のメ
ッキが施されている。
雑音信号を除去するため、第３図に示すようなハーメチ
ックンール４と呼ばれる金属製容器によって封止される
のか一般的である。／’％−メチツクシール４は封止性
、耐触性等を考ｌ（シて、通常はニッケルメッキ等のメ
ッキが施されている。
しかしながら、かかる従来の弾性表面波素子においては
、ハーメチノクンール４の封止前に混入した４電性異物
や、ハーメチノクンール等のメッキ剥離物等がすだれ状
［極に付着し、′電極間短絡現象を起すことがあった。
、ハーメチノクンール４の封止前に混入した４電性異物
や、ハーメチノクンール等のメッキ剥離物等がすだれ状
［極に付着し、′電極間短絡現象を起すことがあった。
このため、電気的インピーダンスが変化するなどの支障
が生じ、弾性表面波素子の信頼性が低下し、資産を妨げ
ていた。
が生じ、弾性表面波素子の信頼性が低下し、資産を妨げ
ていた。
（発明の目的）
本発明の目的は、ハーメチツクンールのメッキ剥離物や
その他の導電性異物による電極間短絡現象が生じないよ
うにした弾性表面波素子を提供することにある。
その他の導電性異物による電極間短絡現象が生じないよ
うにした弾性表面波素子を提供することにある。
（発明の構成）
かかる目的を達成するために、本発明は圧電基板上にす
だれ状電極を形成した弾性表面波素子において、前記す
だれ状電極が良導体からなり、前記良導体の表面に絶縁
体化層を形成したか或は絶縁体化層に更に絶縁物を被検
したことを特徴とする。
だれ状電極を形成した弾性表面波素子において、前記す
だれ状電極が良導体からなり、前記良導体の表面に絶縁
体化層を形成したか或は絶縁体化層に更に絶縁物を被検
したことを特徴とする。
（発明の実施例）
第４図は本発明を弾性表面波共振子に適用した実施例を
示す。同図に２いて、第１図、第２図の従来例と実質的
に同一部分には同符号を付すこととし、その説明を鳴略
する。そこで、不発明の詳細な説明するために、すだれ
状電極２の一部加の拡大断面図である第５図を用いる。
示す。同図に２いて、第１図、第２図の従来例と実質的
に同一部分には同符号を付すこととし、その説明を鳴略
する。そこで、不発明の詳細な説明するために、すだれ
状電極２の一部加の拡大断面図である第５図を用いる。
第５図において、すだれ状電４ｉ＠２はＭよりなり、該
電極２の表層にはＡｆｆｉの酸化物或はＡＱの窒化物よ
りなる絶縁体化層５が形成されている。該絶縁体化Ｊ￥
ｉ ５の具体的な製法については実施例１〜３に示す。
電極２の表層にはＡｆｆｉの酸化物或はＡＱの窒化物よ
りなる絶縁体化層５が形成されている。該絶縁体化Ｊ￥
ｉ ５の具体的な製法については実施例１〜３に示す。
なお、第６図は、第５図に示したすだれ状′亀＄ｉ、２
の絶縁体化層５の上部に更に５ｉｏ２から成る絶縁物６
を被覆した構造であり、下記実施例４においてその具体
的な製法を示す。
の絶縁体化層５の上部に更に５ｉｏ２から成る絶縁物６
を被覆した構造であり、下記実施例４においてその具体
的な製法を示す。
実施例１
圧電基板１上に１，１１ＭＬ厚のＡＥをスパッタ装置に
て付着させ、フォトエツチングにより所定のパターンの
すだれ状電極２を形成する。次にプラズマ・リアクター
（ｉＰＣブランソン社製）を用い、０２ガス圧０．９Ｔ
ｏｒｒ 、投入几１゛電力４９０ｗ、基板温度１５０℃
、処理時間１時間の条件でプラズマば化を行ない、すだ
れ状電極２の表面に厚さが約０．０５声のＭの酸化膜す
なわちＮｔ２０ｓの絶縁体化層５を形成する。なお、弾
性表面波共振子として使用するためには、ボンディング
φパッド部（図示せず）とボンディング・ポスト間をア
ルミ細線により超音波ワイヤボンディングを行なう必要
がある。プラズマ酸化により生ずるＡＥ２０３の膜厚が
０，１声以下であれば超音波ワイヤボンディングに支障
はなかった。
て付着させ、フォトエツチングにより所定のパターンの
すだれ状電極２を形成する。次にプラズマ・リアクター
（ｉＰＣブランソン社製）を用い、０２ガス圧０．９Ｔ
ｏｒｒ 、投入几１゛電力４９０ｗ、基板温度１５０℃
、処理時間１時間の条件でプラズマば化を行ない、すだ
れ状電極２の表面に厚さが約０．０５声のＭの酸化膜す
なわちＮｔ２０ｓの絶縁体化層５を形成する。なお、弾
性表面波共振子として使用するためには、ボンディング
φパッド部（図示せず）とボンディング・ポスト間をア
ルミ細線により超音波ワイヤボンディングを行なう必要
がある。プラズマ酸化により生ずるＡＥ２０３の膜厚が
０，１声以下であれば超音波ワイヤボンディングに支障
はなかった。
実施例２
圧電基板１上に１．１ＩＪｎ厚のＡＥをスパッタ装置に
て付着させ、フォトエツチングにより所定のパターンの
すだれ状電極２を形成する二次にプラズマ・リアクター
（ＩＰＣブランソン社製）を用い、Ｎ２ガス圧０．９
Ｔｏｒｒ、投入電力４９０Ｗ、基板温度］８０℃、処理
時間１．５時間の条件でプラズマ屋化を行ない、すだれ
状′電極２の表向に厚さが約０．０４声のＡｔｇ化膜す
なわちＡｅＮの絶縁体化層５を形成する。なお、弾性表
面波共振子として使用するためには、ポンディングパッ
ド部（図示せす）とボンディングポスト間をアルミ細線
により超音波ワイヤボンディングを行なう必要がある。
て付着させ、フォトエツチングにより所定のパターンの
すだれ状電極２を形成する二次にプラズマ・リアクター
（ＩＰＣブランソン社製）を用い、Ｎ２ガス圧０．９
Ｔｏｒｒ、投入電力４９０Ｗ、基板温度］８０℃、処理
時間１．５時間の条件でプラズマ屋化を行ない、すだれ
状′電極２の表向に厚さが約０．０４声のＡｔｇ化膜す
なわちＡｅＮの絶縁体化層５を形成する。なお、弾性表
面波共振子として使用するためには、ポンディングパッ
ド部（図示せす）とボンディングポスト間をアルミ細線
により超音波ワイヤボンディングを行なう必要がある。
プラズマ屋化により生ずるＡＡＮの膜厚が０．１１！Ｉ
ｒｔ以下であれば超音波ワイヤボンディングに支障はな
かった。
ｒｔ以下であれば超音波ワイヤボンディングに支障はな
かった。
実施例３
圧電基板ｌ上に１，０／Ｊ７１厚のＭを純アルゴンガス
（９９，９９９ｑｂ ）を用いスパッタ付着させ、次に
アルゴンと酸素の混合ガス（１：１）を用いて反応性ス
パッタにより０．０５〜Ｑ、 ４４．好ましくは０．１
〜０．２伽のＭの酸化物を付着させ、ＡＥとＭ酸化物の
２層膜を形成する。次に、ＡＪｌｅ化物及びＡＡを順次
フォトエツチングすることにより所定のパターンのすだ
れ状電極２を形成する。ここで、ＡＱの酸化物のエツチ
ングにはフッ化水素と硝酸１：１の混合液、Ｍのエツチ
ングにはリン酸、硝酸、酢酸、水が１４：３：２：１の
混合液を用いた。次に実施例１に示したと同条件でプラ
ズマ酸化を行ない、すだれ状電極２のＭが露出してい、
る側面を約０．０５崗厚さだけＭの酸化物とし、すだれ
状寛惨２の全表面に絶縁体化層５を形成した。
（９９，９９９ｑｂ ）を用いスパッタ付着させ、次に
アルゴンと酸素の混合ガス（１：１）を用いて反応性ス
パッタにより０．０５〜Ｑ、 ４４．好ましくは０．１
〜０．２伽のＭの酸化物を付着させ、ＡＥとＭ酸化物の
２層膜を形成する。次に、ＡＪｌｅ化物及びＡＡを順次
フォトエツチングすることにより所定のパターンのすだ
れ状電極２を形成する。ここで、ＡＱの酸化物のエツチ
ングにはフッ化水素と硝酸１：１の混合液、Ｍのエツチ
ングにはリン酸、硝酸、酢酸、水が１４：３：２：１の
混合液を用いた。次に実施例１に示したと同条件でプラ
ズマ酸化を行ない、すだれ状電極２のＭが露出してい、
る側面を約０．０５崗厚さだけＭの酸化物とし、すだれ
状寛惨２の全表面に絶縁体化層５を形成した。
Ｍ酸化物の厚さが０．１迦を超える場合には、このまま
では超音波ワイヤボンディングが困難になるので、ポン
ディングパッド部を選択的にエツチング除去してからボ
ンディングを行なった。
では超音波ワイヤボンディングが困難になるので、ポン
ディングパッド部を選択的にエツチング除去してからボ
ンディングを行なった。
なお、前記実施例３ではＭの酸化物についてのみ説明し
たが、上記から明らかなようにアルゴンと窒素の混合ガ
スによるＡεの窒化物に関しても、全く同様な製法が可
能である。
たが、上記から明らかなようにアルゴンと窒素の混合ガ
スによるＡεの窒化物に関しても、全く同様な製法が可
能である。
実施例４
実施例１で得た試料にマグネトロンスパッタを用い、Ｓ
ｉｎ、膜から成る絶縁物６ヲ５ｏｏ〜４ｏｏ。
ｉｎ、膜から成る絶縁物６ヲ５ｏｏ〜４ｏｏ。
＾、好ましくは１０００〜２０００λ付着した。成膜条
件は５〃ΩのＳｉｎ、ターゲットを用い、Ｍガス圧 。
件は５〃ΩのＳｉｎ、ターゲットを用い、Ｍガス圧 。
３ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 、投入凡Ｆ電力５００
Ｗ、基板温贋１５０℃である。次にすだれ状電極２以外
のＳｉｎ、をフォトエツチングにより除去した。
Ｗ、基板温贋１５０℃である。次にすだれ状電極２以外
のＳｉｎ、をフォトエツチングにより除去した。
上記実施例１〜４で得られた弾性表面波共振子（共振周
波数９１．２５１’１４Ｈｚ’ ）と従来のそれ七をそ
れ□ぞれ第３図に示すようなハーメチックシール４で封
止し、振動試験を行なって、すだｎ状電極２間短絡現象
の発生率を測定した。韮だ、すだれ状電極２を絶縁体化
したり、或はその上に５ｉ（Ｊ、を被覆することにより
弾性表面波共振子としての共振等価抵抗の増加による特
性劣化が考えられるので、それぞれの共振等価抵抗の増
加率も併せて測定した。なお、振動試験は、１回目の試
験においてすだれ状電極２の電極間短絡現象を生じなか
ったものを選択して２回目の試験を行ない、さらに２回
目の試験ζこおいてすだれ状電極２の電極間短絡現象を
生じなかったものを選択して３回目の試験を行なった。
波数９１．２５１’１４Ｈｚ’ ）と従来のそれ七をそ
れ□ぞれ第３図に示すようなハーメチックシール４で封
止し、振動試験を行なって、すだｎ状電極２間短絡現象
の発生率を測定した。韮だ、すだれ状電極２を絶縁体化
したり、或はその上に５ｉ（Ｊ、を被覆することにより
弾性表面波共振子としての共振等価抵抗の増加による特
性劣化が考えられるので、それぞれの共振等価抵抗の増
加率も併せて測定した。なお、振動試験は、１回目の試
験においてすだれ状電極２の電極間短絡現象を生じなか
ったものを選択して２回目の試験を行ない、さらに２回
目の試験ζこおいてすだれ状電極２の電極間短絡現象を
生じなかったものを選択して３回目の試験を行なった。
その結果を次表に示す。
上記表から明らかなように、従来の弾性表面波共振子に
おいては、すだれ状電極２の電極間短絡現象が発生し、
振動試験回数を増してもこの現象を除去できなかった。
おいては、すだれ状電極２の電極間短絡現象が発生し、
振動試験回数を増してもこの現象を除去できなかった。
これに対し、本発明による弾、性表面波共借子は、実施
例１及び２の場合には 。
例１及び２の場合には 。
極く少量の電極間短絡現象が生じたが、振動試験で不良
品を除去できる程度であり実施例３，４の場合には電極
間短絡現象は全く生じなかった。また、共振抵抗がやや
増加するが、その変化は無視できる゛か、或は設計上対
応できる程度であり、実際上問題ないことが分る。なお
、走査型電子顕微鏡、Ｘ線マイクロアナライザーによっ
て分析した結果、電極間短絡現象を起こす碑亀性異物は
棟々のものがあるが、主にハーメチックシールのメッキ
剥離物、ハーメチックシール時のスパークによる溶飛で
あることが確認された。
品を除去できる程度であり実施例３，４の場合には電極
間短絡現象は全く生じなかった。また、共振抵抗がやや
増加するが、その変化は無視できる゛か、或は設計上対
応できる程度であり、実際上問題ないことが分る。なお
、走査型電子顕微鏡、Ｘ線マイクロアナライザーによっ
て分析した結果、電極間短絡現象を起こす碑亀性異物は
棟々のものがあるが、主にハーメチックシールのメッキ
剥離物、ハーメチックシール時のスパークによる溶飛で
あることが確認された。
実施例４において被覆に用いられた絶縁物はＳｉｎ、で
あったが、他の物質例えば輩化シリコン −（Ｓ １Ｎ
ｋ＝ ）、ＳｉＣ，Ｔａ２Ｏ，、Ｓｌ窒化Ｔａ等であっ
ても同様な効果が期待できることは明らかである。
あったが、他の物質例えば輩化シリコン −（Ｓ １Ｎ
ｋ＝ ）、ＳｉＣ，Ｔａ２Ｏ，、Ｓｌ窒化Ｔａ等であっ
ても同様な効果が期待できることは明らかである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、圧電基板上のす
だれ状′電極の表面に絶縁体化層を形成したか或は前記
絶縁体化層に更に絶縁物を被覆したことにより、すだれ
状電極の電極間短絡現象をほぼ完全に防止することがで
き、弾性表面波素子の信頼性を高めることができ、従っ
て置屋に際して不良品の発生を少なくすると共に検査等
の作業を簡略化することができる。
だれ状′電極の表面に絶縁体化層を形成したか或は前記
絶縁体化層に更に絶縁物を被覆したことにより、すだれ
状電極の電極間短絡現象をほぼ完全に防止することがで
き、弾性表面波素子の信頼性を高めることができ、従っ
て置屋に際して不良品の発生を少なくすると共に検査等
の作業を簡略化することができる。
第１図は、従来の弾性表面波共振子の平面図、第２図は
同弾性表面波共振子の断面図、第３図は弾性表面波素子
をハーメチックソールで封止した製品形態を示す斜視図
、第４図は本発明を弾性表面波共振子に適用した一実施
例を示す断面図、第５図は纂４図の要部拡大ｌＩＴ面図
、第６図は本発明の他の実施例を示す要部拡大断面図で
ある。 １・・・圧１１Ｌ基板 ２・・・すだれ状電極 ５・・・絶縁体化層 ６・・・絶縁物 特許出願人 アルプス電気株式会社 第１図 第５図 第６図
同弾性表面波共振子の断面図、第３図は弾性表面波素子
をハーメチックソールで封止した製品形態を示す斜視図
、第４図は本発明を弾性表面波共振子に適用した一実施
例を示す断面図、第５図は纂４図の要部拡大ｌＩＴ面図
、第６図は本発明の他の実施例を示す要部拡大断面図で
ある。 １・・・圧１１Ｌ基板 ２・・・すだれ状電極 ５・・・絶縁体化層 ６・・・絶縁物 特許出願人 アルプス電気株式会社 第１図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）圧電基板上に良導体から成るすだれ状電極を形成
した弾性表面波素子において、前記すだれ状電極の表面
に絶縁体化層を形成したことを特徴とする弾性表面波素
子。 - （２）圧電基板上に良導体から成るすだれ状電極を形成
した弾性表面波素子において、前記すだれ状電極の表面
に絶縁体化層を形成し、更に該絶縁体化層上に絶縁吻を
被覆したことを特徴とする弾性表向波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018784A JPS60244108A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018784A JPS60244108A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244108A true JPS60244108A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14267299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018784A Pending JPS60244108A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244108A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737742A (en) * | 1986-01-28 | 1988-04-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Unit carrying surface acoustic wave devices |
| JPH03219716A (ja) * | 1988-10-16 | 1991-09-27 | Kazuhiko Yamanouchi | 電極指間ギャップ微小な弾性表面波変換器の構造及びその製造方法 |
| WO2002082644A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif d'onde acoustique et procede de fabrication correspondant |
| US7034435B2 (en) * | 2001-06-22 | 2006-04-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527758A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-28 | Toshiba Corp | Manufacture of surface wave filter |
| JPS55159612A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Elastic surface wave element |
| JPS57162819A (en) * | 1981-04-01 | 1982-10-06 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave filter |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10018784A patent/JPS60244108A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527758A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-28 | Toshiba Corp | Manufacture of surface wave filter |
| JPS55159612A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Elastic surface wave element |
| JPS57162819A (en) * | 1981-04-01 | 1982-10-06 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave filter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737742A (en) * | 1986-01-28 | 1988-04-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Unit carrying surface acoustic wave devices |
| JPH03219716A (ja) * | 1988-10-16 | 1991-09-27 | Kazuhiko Yamanouchi | 電極指間ギャップ微小な弾性表面波変換器の構造及びその製造方法 |
| WO2002082644A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif d'onde acoustique et procede de fabrication correspondant |
| US7034435B2 (en) * | 2001-06-22 | 2006-04-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Saw device |
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