JPH01233819A - 弾性表面波ディバイス - Google Patents
弾性表面波ディバイスInfo
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- JPH01233819A JPH01233819A JP5931688A JP5931688A JPH01233819A JP H01233819 A JPH01233819 A JP H01233819A JP 5931688 A JP5931688 A JP 5931688A JP 5931688 A JP5931688 A JP 5931688A JP H01233819 A JPH01233819 A JP H01233819A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
弾性表面波デイバイス（ＳＡＷデイバイス）に関し、
ＵＨＦ帯（１〜１０ ＧＨｚ）用の高安定な超高速フィ
ルタ、発振器等として用いることができ、しかも、ＬＳ
Ｉとの一体化が可能で紫外線露光器又は遠紫外線露光器
を光源とするフォトリソグラフィ法によってインターデ
ィジタル・トランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）を容易
に形成することができるＳＡＷデイバイスを提供するこ
とを目的とし、 単結晶半導体基板上に形成したダイヤモンド単結晶薄膜
上に窒化アルミニウム薄膜を形成して３層複合構造とし
、窒化アルミニウム薄膜上又はダイヤモンド単結晶薄膜
と窒化アルミニウム薄膜との境界面上にＩＤＴ電極を形
成し、ＩＤＴ電極を窒化アルミニウム薄膜上に形成する
場合には窒化アルミニウム薄膜の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ
≦１．３（ｋは波数）の範囲内とし、ＩＤＴ電極をダイ
ヤモンド単結晶薄膜と窒化アルミニウム薄膜との境界面
上に形成する場合には窒化アルミニウム薄膜の膜厚Ｈを
１．３≦ＫＨ≦１．７（ｋは波数）の範囲内とし、更に
、窒化アルミニウム薄膜の膜厚Ｈに対するダイヤモンド
単結晶薄膜の膜厚りをＤ≧５Ｈとすることにより、レイ
リー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄膜と窒化アルミ
ニウム薄膜との２層膜内に閉じ込めると共にスプリアス
となるセザワ波の励振を抑圧し、もって、位相速度Ｖ−
ｐが約８１００ｍ／ｓ≦Ｖｐ≦９２００ｍ／ｓの範囲内
の超高速レイリー波を伝播させることを可能とし、且つ
、レイリー波の実効的結合係数Ｋ”ａｔｆを０．１％以
上とする構成とする。
ルタ、発振器等として用いることができ、しかも、ＬＳ
Ｉとの一体化が可能で紫外線露光器又は遠紫外線露光器
を光源とするフォトリソグラフィ法によってインターデ
ィジタル・トランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）を容易
に形成することができるＳＡＷデイバイスを提供するこ
とを目的とし、 単結晶半導体基板上に形成したダイヤモンド単結晶薄膜
上に窒化アルミニウム薄膜を形成して３層複合構造とし
、窒化アルミニウム薄膜上又はダイヤモンド単結晶薄膜
と窒化アルミニウム薄膜との境界面上にＩＤＴ電極を形
成し、ＩＤＴ電極を窒化アルミニウム薄膜上に形成する
場合には窒化アルミニウム薄膜の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ
≦１．３（ｋは波数）の範囲内とし、ＩＤＴ電極をダイ
ヤモンド単結晶薄膜と窒化アルミニウム薄膜との境界面
上に形成する場合には窒化アルミニウム薄膜の膜厚Ｈを
１．３≦ＫＨ≦１．７（ｋは波数）の範囲内とし、更に
、窒化アルミニウム薄膜の膜厚Ｈに対するダイヤモンド
単結晶薄膜の膜厚りをＤ≧５Ｈとすることにより、レイ
リー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄膜と窒化アルミ
ニウム薄膜との２層膜内に閉じ込めると共にスプリアス
となるセザワ波の励振を抑圧し、もって、位相速度Ｖ−
ｐが約８１００ｍ／ｓ≦Ｖｐ≦９２００ｍ／ｓの範囲内
の超高速レイリー波を伝播させることを可能とし、且つ
、レイリー波の実効的結合係数Ｋ”ａｔｆを０．１％以
上とする構成とする。
本発明はＵＨＦ帯（１−１０ＧＨｚ）用電圧制御発振器
、帯域通過フィルタ等として使用可能な弾性表面波デイ
バイス（以下、ＳＡＷデイバイスという）に関し、更に
詳しくは、単結晶半導体基板上に形成したダイヤモンド
単結晶薄膜上に窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）薄膜を
形成して３層構造としたＳＡＷデイバイスに関する。
、帯域通過フィルタ等として使用可能な弾性表面波デイ
バイス（以下、ＳＡＷデイバイスという）に関し、更に
詳しくは、単結晶半導体基板上に形成したダイヤモンド
単結晶薄膜上に窒化アルミニウム（Ａ Ｉ Ｎ）薄膜を
形成して３層構造としたＳＡＷデイバイスに関する。
ＵＨＦ帯（１〜１０ＧＩｌｚ）用の電圧制御発振器や帯
域通過フィルタ等として使用可能なＳＡＷデイバイスを
紫外線露光器或いは遠紫外線露光器を光源とするフォト
リソグラフィ法によって実現しようとした場合、紫外線
露光フォトリソグラフィ法で実現できるインターディジ
タル・トランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極という
）の最小電極指幅ｄ（ｄ＝波長λ／４）は約１．０μｍ
であり、また、遠紫外線露光フォトリソグラフィ法で実
現 −できるＥＤＴ電極の最小電極指幅ｄ （ｄ−波長
λ／４）は約０．２μｍであるから、弾性表面波を少な
くとも約８０００ｍ八以上の位相速度で伝播させること
ができるＳＡＷデイバイスを実現する必要がある。また
、弾性表面波の実効的電気機械的結合係数（以下、実効
的結合係数という）に”ｔａｒｆは水晶基板上を伝播す
る弾性表面波のに２ｔｒｔｆと同程度の約１．０％以上
にする必要がある。
域通過フィルタ等として使用可能なＳＡＷデイバイスを
紫外線露光器或いは遠紫外線露光器を光源とするフォト
リソグラフィ法によって実現しようとした場合、紫外線
露光フォトリソグラフィ法で実現できるインターディジ
タル・トランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極という
）の最小電極指幅ｄ（ｄ＝波長λ／４）は約１．０μｍ
であり、また、遠紫外線露光フォトリソグラフィ法で実
現 −できるＥＤＴ電極の最小電極指幅ｄ （ｄ−波長
λ／４）は約０．２μｍであるから、弾性表面波を少な
くとも約８０００ｍ八以上の位相速度で伝播させること
ができるＳＡＷデイバイスを実現する必要がある。また
、弾性表面波の実効的電気機械的結合係数（以下、実効
的結合係数という）に”ｔａｒｆは水晶基板上を伝播す
る弾性表面波のに２ｔｒｔｆと同程度の約１．０％以上
にする必要がある。
更に、近年においては、ＳＡＷデイバイスの周辺回路の
ＬＳＩ化に伴い、ＬＳＩとの一体化が可能なＳＡＷデイ
バイスが要望されている。この要望に答えるためにはＳ
ＡＷデイバイスにＬＳＩと共通の単結晶半導体基板を用
いる必要がある。・〔従来の技術及び発明が解決しよう
とする課題〕ＳＡＷデイバイスをＬＳＩと一体化するた
めにはＳｉやＧａＡｓ等の単結晶半導体基板をＳＡＷデ
イバイスの基板として用いる必要がある。一方、ＡＩＮ
薄膜は音速の速い弾性表面波を実現できる材料として近
年注目され、活発に研究されている圧電性半導体薄膜で
ある。
ＬＳＩ化に伴い、ＬＳＩとの一体化が可能なＳＡＷデイ
バイスが要望されている。この要望に答えるためにはＳ
ＡＷデイバイスにＬＳＩと共通の単結晶半導体基板を用
いる必要がある。・〔従来の技術及び発明が解決しよう
とする課題〕ＳＡＷデイバイスをＬＳＩと一体化するた
めにはＳｉやＧａＡｓ等の単結晶半導体基板をＳＡＷデ
イバイスの基板として用いる必要がある。一方、ＡＩＮ
薄膜は音速の速い弾性表面波を実現できる材料として近
年注目され、活発に研究されている圧電性半導体薄膜で
ある。
そこで、まず、ＡＩＮ薄膜をＳｉ単結晶基板上にスパッ
タリング蒸着してＳＡＷデイバイスを構成することを考
える。この構成は、温度補償可能であり、実効的結合係
数Ｋｔａｆｆも最大で０．５％と比較的大きいので有効
なデイバイスである。しかし、第９図にその弾性表面波
（レイリー波）の速度分布特性を示すように、その位相
速度Ｖｐは最高値で約５５００＋＋＋／ｓであり、零温
度係数を与える厚みｋ）ｉ（ｋは波数）が約１．４のと
きにはＶ−ｐ＃４９５０ＩＩＩ／ｓであるため、ＩＧＨ
ｚから１ＱＧＨｚまでのいわゆるＵＨＦ帯の受動デイバ
イスを実現するにはその位相速度が小さすぎる。
タリング蒸着してＳＡＷデイバイスを構成することを考
える。この構成は、温度補償可能であり、実効的結合係
数Ｋｔａｆｆも最大で０．５％と比較的大きいので有効
なデイバイスである。しかし、第９図にその弾性表面波
（レイリー波）の速度分布特性を示すように、その位相
速度Ｖｐは最高値で約５５００＋＋＋／ｓであり、零温
度係数を与える厚みｋ）ｉ（ｋは波数）が約１．４のと
きにはＶ−ｐ＃４９５０ＩＩＩ／ｓであるため、ＩＧＨ
ｚから１ＱＧＨｚまでのいわゆるＵＨＦ帯の受動デイバ
イスを実現するにはその位相速度が小さすぎる。
ＡＩＮ薄膜が第６図に示す構成の場合、すなわちＺ−Ｘ
面が無限に拡がった面であり、Ｙ−Ｘ面は一様であると
した場合、厚みすべり波の位相速度Ｖｓが約６０００ｍ
／ｓ、レイリー波の位相速度Ｖｐが約５６００ａ＋／ｓ
と高速性を有しており、高速デイバイスを実現できる可
能性を有しているにも拘らず、ＡＩ！Ｎ／Ｓｔ又はＡＩ
Ｎ／５ｉＯｚ／Ｓｉという構成でｋ Ｈ＃１．４のとき
のレイリー波の位相速度Ｖｐが５０００ｍ／ｓ以下とな
ってしまうのは、基板であるＳｉ単結晶の弾性的性質に
原因がある。すなわち１、Ｓｉ単結晶が第６図と同様の
構成の場合には、厚みすべり波の位相速度Ｖｓが約５８
００ｍ／ｓ、 レイリー波の位相速度Ｖｐが約４９０
０ｍ／ｓと遅いため、ＡＪＮ／Ｓｔという複合体内では
レイリー波（１次）のみが伝播し、その高次モードの弾
性表面波は伝播できなくなくなり、しかも、その位相速
度はＡＩ！Ｎ単体でのレイリー波の位相速度よりも遅く
なるからであると考えられる。
面が無限に拡がった面であり、Ｙ−Ｘ面は一様であると
した場合、厚みすべり波の位相速度Ｖｓが約６０００ｍ
／ｓ、レイリー波の位相速度Ｖｐが約５６００ａ＋／ｓ
と高速性を有しており、高速デイバイスを実現できる可
能性を有しているにも拘らず、ＡＩ！Ｎ／Ｓｔ又はＡＩ
Ｎ／５ｉＯｚ／Ｓｉという構成でｋ Ｈ＃１．４のとき
のレイリー波の位相速度Ｖｐが５０００ｍ／ｓ以下とな
ってしまうのは、基板であるＳｉ単結晶の弾性的性質に
原因がある。すなわち１、Ｓｉ単結晶が第６図と同様の
構成の場合には、厚みすべり波の位相速度Ｖｓが約５８
００ｍ／ｓ、 レイリー波の位相速度Ｖｐが約４９０
０ｍ／ｓと遅いため、ＡＪＮ／Ｓｔという複合体内では
レイリー波（１次）のみが伝播し、その高次モードの弾
性表面波は伝播できなくなくなり、しかも、その位相速
度はＡＩ！Ｎ単体でのレイリー波の位相速度よりも遅く
なるからであると考えられる。
一方、ＡＩＮ薄膜をＧａＡｓ単結晶基板上にスパッタリ
ング蒸着し°ζＳＡＷデイバイスを構成した場合の弾性
表面波（レイリー波）の速度分散特性を第１０図に示す
。ＧａΔＳ単結晶はＳｉ単結晶の約５倍の電子速度を有
していることから最近注目されている基板である。しか
し、第１Ｏ図から判るように、Ａｊ！Ｎ／ＧａＡｓの複
合構造においてはレイリー波の位相速度Ｖｐが２７００
ｍ／ｓく■ｐく３１００ｍへの範囲内にすぎないので、
ＩＧ）Ｉｚから１０ＧｔｌｚまでのＵＨＦ帯の受動デイ
バイスを実現するにはその位相速度が小さ過ぎる。
ング蒸着し°ζＳＡＷデイバイスを構成した場合の弾性
表面波（レイリー波）の速度分散特性を第１０図に示す
。ＧａΔＳ単結晶はＳｉ単結晶の約５倍の電子速度を有
していることから最近注目されている基板である。しか
し、第１Ｏ図から判るように、Ａｊ！Ｎ／ＧａＡｓの複
合構造においてはレイリー波の位相速度Ｖｐが２７００
ｍ／ｓく■ｐく３１００ｍへの範囲内にすぎないので、
ＩＧ）Ｉｚから１０ＧｔｌｚまでのＵＨＦ帯の受動デイ
バイスを実現するにはその位相速度が小さ過ぎる。
したがって、本発明は、Ｕ ＨＦ帯（１−１０・Ｇｔｌ
ｚ）用の高安定な超高速フィルタ、発振器等として用い
ることができ、しかも、ＬＳＩとの一体化が可能で紫外
線露光器又は遠紫外線露光器を光源とするフォトリソグ
ラフィ法によってインク・−ディジタル・トランスデユ
ーサ電極（Ｉ ＤＴ電極）を容易に形成することができ
るＳＡＷデイバイスを実現することを目的とする。
ｚ）用の高安定な超高速フィルタ、発振器等として用い
ることができ、しかも、ＬＳＩとの一体化が可能で紫外
線露光器又は遠紫外線露光器を光源とするフォトリソグ
ラフィ法によってインク・−ディジタル・トランスデユ
ーサ電極（Ｉ ＤＴ電極）を容易に形成することができ
るＳＡＷデイバイスを実現することを目的とする。
本発明に従うＳＡＷデイバイスは、単結晶半導体基板上
に形成したダイヤモンド単結晶薄膜上にＡｌＮｌ膜を形
成して３層複合構造とし、／ＩＮ薄膜上又はダイヤモン
ド単結晶薄膜とＡＩＮ薄膜との境界面上にＥＤＴ電極を
形成し、ＩＤＴ電極をＡＩＮ薄膜上に形成する場合には
Ａ７！Ｎ薄膜の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ≦１．３（ｋは波
数）の範囲内とし、ＩＤＴ電極をダイヤモンド単結晶薄
膜とＡｌ１ＮＩ膜との境界面上に形成する場合にはＡＩ
Ｎ薄膜の膜厚Ｈを１．３≦ＫＨ≦１．７（ｋは波数）の
範囲内とし、更に、ＡＩＮ薄膜の膜厚Ｈに対するダイヤ
モンド単結晶薄膜の膜厚りをＤ≧５Ｈとすることにより
レイリー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄膜とＡＩＮ
薄膜との２層膜内に閉じ込めると共にスプリアスとなる
セザワ波の励振を抑制することができるように構成する
。
に形成したダイヤモンド単結晶薄膜上にＡｌＮｌ膜を形
成して３層複合構造とし、／ＩＮ薄膜上又はダイヤモン
ド単結晶薄膜とＡＩＮ薄膜との境界面上にＥＤＴ電極を
形成し、ＩＤＴ電極をＡＩＮ薄膜上に形成する場合には
Ａ７！Ｎ薄膜の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ≦１．３（ｋは波
数）の範囲内とし、ＩＤＴ電極をダイヤモンド単結晶薄
膜とＡｌ１ＮＩ膜との境界面上に形成する場合にはＡＩ
Ｎ薄膜の膜厚Ｈを１．３≦ＫＨ≦１．７（ｋは波数）の
範囲内とし、更に、ＡＩＮ薄膜の膜厚Ｈに対するダイヤ
モンド単結晶薄膜の膜厚りをＤ≧５Ｈとすることにより
レイリー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄膜とＡＩＮ
薄膜との２層膜内に閉じ込めると共にスプリアスとなる
セザワ波の励振を抑制することができるように構成する
。
本発明によるＳＡＷデイバイスの構成によれば、レイリ
ー波を用いてその位相速度Ｖｐを約８１００頂／Ｓ≦Ｖ
ｐ≦９２００１１１／ｓの範囲内とすることができるの
で、紫外線露光器或いは遠紫外線露光器を用いたフォト
リソグラフィ法によるＩＤＴ電極の形成が可能なＵ Ｈ
Ｆ帯（Ｉ ＧＨｚ〜１０ Ｇ１１ｚ）用フィルタや発振
器を実現できることとなる。
ー波を用いてその位相速度Ｖｐを約８１００頂／Ｓ≦Ｖ
ｐ≦９２００１１１／ｓの範囲内とすることができるの
で、紫外線露光器或いは遠紫外線露光器を用いたフォト
リソグラフィ法によるＩＤＴ電極の形成が可能なＵ Ｈ
Ｆ帯（Ｉ ＧＨｚ〜１０ Ｇ１１ｚ）用フィルタや発振
器を実現できることとなる。
また、実効的結合係数Ｋ”＊ｔｒを水晶基板内を伝播す
る弾性表面波の実効的結合係数と同程度の０．１≧とす
ることができ、しかも、スプリアスとなるセザワ波の励
振を抑制することができるので、高安定なＵＨＦ帯ＳＡ
Ｗデイバイスを実現できることとなる。
る弾性表面波の実効的結合係数と同程度の０．１≧とす
ることができ、しかも、スプリアスとなるセザワ波の励
振を抑制することができるので、高安定なＵＨＦ帯ＳＡ
Ｗデイバイスを実現できることとなる。
更に、単結晶半導体基板を有しているので、ＬＳＩとの
一体化が可能となる。
一体化が可能となる。
Ｃ実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
本発明においては、Ａ＆Ｎ膜の高速性を有効に生かし、
且つ、ＳｉやＧａＡｓ等の単結晶半導体基板を使ってＬ
ＳＩとの整合性を保ちながら高速のＳＡＷデイバイスを
実現することを考える。
且つ、ＳｉやＧａＡｓ等の単結晶半導体基板を使ってＬ
ＳＩとの整合性を保ちながら高速のＳＡＷデイバイスを
実現することを考える。
そこで、ＳＡＷデイバイスを第７図に示す３層構成とし
、且つ、弾性表面波のエネルギは図の１゜Ｈの２層部分
にのみ閉じ込めることとする。１層は厚さ方向にＣ軸配
向したＡＩＮ薄膜である。Ｃ軸配向のＡＩＮ薄膜はマグ
ネトロンスパッタリング等のＰＶＤ法により形成するこ
とができる。■層としては最近スピーカ用振動板等とし
て実用化されている人工合成ダイヤモンド単結晶薄膜を
用いる。このダイヤモンド単結晶薄膜はメタンガスと水
素ガス（ＣＨ，→−０２）を用いた化学気相成長法（Ｃ
ＶＤ法）やイオンビームスパッタリング等による物理蒸
着法（ＰＶＤ法）により単結晶半導体基板上やガラス基
板上に形成することができる。このダイヤモンド単結晶
薄膜立方晶系（ｍ３ｍ）に属する真性半導体であり、Ｓ
ｉ単結晶やＧｅ単結晶と同等の対称性（結晶構造）を有
する。
、且つ、弾性表面波のエネルギは図の１゜Ｈの２層部分
にのみ閉じ込めることとする。１層は厚さ方向にＣ軸配
向したＡＩＮ薄膜である。Ｃ軸配向のＡＩＮ薄膜はマグ
ネトロンスパッタリング等のＰＶＤ法により形成するこ
とができる。■層としては最近スピーカ用振動板等とし
て実用化されている人工合成ダイヤモンド単結晶薄膜を
用いる。このダイヤモンド単結晶薄膜はメタンガスと水
素ガス（ＣＨ，→−０２）を用いた化学気相成長法（Ｃ
ＶＤ法）やイオンビームスパッタリング等による物理蒸
着法（ＰＶＤ法）により単結晶半導体基板上やガラス基
板上に形成することができる。このダイヤモンド単結晶
薄膜立方晶系（ｍ３ｍ）に属する真性半導体であり、Ｓ
ｉ単結晶やＧｅ単結晶と同等の対称性（結晶構造）を有
する。
（００１）面ダイヤモンド単結晶薄膜においては、その
厚みすべり波の位相速度Ｖｓ’は約１２８００ｍ／ｓ、
レイリー波の位相速度Ｖｐ／は約１１５００ｍｉｓ
と非常に速く、上記Ｉ＋■の構成においては、。
厚みすべり波の位相速度Ｖｓ’は約１２８００ｍ／ｓ、
レイリー波の位相速度Ｖｐ／は約１１５００ｍｉｓ
と非常に速く、上記Ｉ＋■の構成においては、。
次式の関係が成立する。
Ｖｓ ’ ＞Ｖｐ ’ ＞Ｖｓ＞Ｖｐ
に式から、５５００ｍ／ｓ〜１２８００ｍ／ｓの速度範
囲内にレイリー波とその高次波であるセザワ波が発生す
ることが予想される。そこで１．第７図に示す（Ｓｉ又
はＧａＡｓ）単結晶半導体基板／ダイヤモンド単結晶薄
膜／Ａｉ！Ｎ薄膜の３層構成この３層複合構造において
、ダイヤモンド単結晶薄膜の膜厚をＤとし、ＡｌＮ薄膜
の膜厚をＨとすると、第８図ｆａ）に示すように、ダイ
ヤモンド単結晶薄膜の膜厚りがＡＩＮ膜の膜厚Ｈに比べ
てＤ〈Ｈとなれば、弾性表面波はＳｔ又はＧａＡｓの結
晶内まで浸透してＧａＡｓ又はＳＬのバルク波と強く結
合することとなるので、目標値であるＶｐ≧８０００ｍ
／ｓを実現することができない。
囲内にレイリー波とその高次波であるセザワ波が発生す
ることが予想される。そこで１．第７図に示す（Ｓｉ又
はＧａＡｓ）単結晶半導体基板／ダイヤモンド単結晶薄
膜／Ａｉ！Ｎ薄膜の３層構成この３層複合構造において
、ダイヤモンド単結晶薄膜の膜厚をＤとし、ＡｌＮ薄膜
の膜厚をＨとすると、第８図ｆａ）に示すように、ダイ
ヤモンド単結晶薄膜の膜厚りがＡＩＮ膜の膜厚Ｈに比べ
てＤ〈Ｈとなれば、弾性表面波はＳｔ又はＧａＡｓの結
晶内まで浸透してＧａＡｓ又はＳＬのバルク波と強く結
合することとなるので、目標値であるＶｐ≧８０００ｍ
／ｓを実現することができない。
一方、第８図（ｂ）に示すように、Ｄ＞Ｈとすれば、弾
性表面波がダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌＮ薄膜との２
層膜内のみに閉じ込められることとなるので、８０００
ｎ／ｓ以上の位相速度を有する高速弾性表面波を実現す
ることができる。
性表面波がダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌＮ薄膜との２
層膜内のみに閉じ込められることとなるので、８０００
ｎ／ｓ以上の位相速度を有する高速弾性表面波を実現す
ることができる。
そこで、先ず、ダイヤモンド単結晶薄膜は十分膜Ｊ￥が
厚い（Ｄ＞Ｈ）として、ダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌ
Ｎ薄膜との２層構造を伝播する弾性表面波を解析するこ
ととする。
厚い（Ｄ＞Ｈ）として、ダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌ
Ｎ薄膜との２層構造を伝播する弾性表面波を解析するこ
ととする。
弾性表面波は基板面に平行に、すなわち〔１・００〕方
向へ伝播するとする。解析は、場の方定式に各境界面に
おける境界条件を適用して、大型計算機を用いて求める
ことができる。
向へ伝播するとする。解析は、場の方定式に各境界面に
おける境界条件を適用して、大型計算機を用いて求める
ことができる。
第１１図はダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌＮ薄膜との２
層構造におけるＡｌＮ薄膜の膜厚Ｈと弾性表面波の波数
にとの積ｋＨに対する弾性表面波の分散特性の解析結果
を示したものである。
層構造におけるＡｌＮ薄膜の膜厚Ｈと弾性表面波の波数
にとの積ｋＨに対する弾性表面波の分散特性の解析結果
を示したものである。
第１１図において、曲線ａはレイリー波の基本波モード
であり、曲線すはセザワ波の基本波モードである。セザ
ワ波はｋＨ≧１．７のとき励起され、ｋ ｌ−Ｉ Ｓｌ
、 ７ではセザワ波はダイヤモンド単結晶薄膜内のバル
ク波と結合し疑似弾性表面波（漏洩表面波）となる。レ
イリー波を用いて受動デイバイスを構成する場合、セザ
ワ波は不要成分（スプリアス）となるから、ｋＨ≦１．
７で構成することが好ましい。ｋＨ≦１．７ではレイリ
ー波の位相速度Ｖｐは約８０００ｍ八以上となる。
であり、曲線すはセザワ波の基本波モードである。セザ
ワ波はｋＨ≧１．７のとき励起され、ｋ ｌ−Ｉ Ｓｌ
、 ７ではセザワ波はダイヤモンド単結晶薄膜内のバル
ク波と結合し疑似弾性表面波（漏洩表面波）となる。レ
イリー波を用いて受動デイバイスを構成する場合、セザ
ワ波は不要成分（スプリアス）となるから、ｋＨ≦１．
７で構成することが好ましい。ｋＨ≦１．７ではレイリ
ー波の位相速度Ｖｐは約８０００ｍ八以上となる。
そこで、次に、レイリー波についての実効的結合係数に
２．ｆ、の目標値（Ｋ”ｅｆｆ≧０．１％）の実現可能
性について考察することとする。実効的結合係数に’ａ
ｆｆは圧電的に弾性表面波を励振できる強さに関するバ
ロメータとなる。
２．ｆ、の目標値（Ｋ”ｅｆｆ≧０．１％）の実現可能
性について考察することとする。実効的結合係数に’ａ
ｆｆは圧電的に弾性表面波を励振できる強さに関するバ
ロメータとなる。
この実効的結合係数Ｋ”ｏｆｆを考察する場合、電極の
配置形態としては４通りを考えることができる。すなわ
ち１、第１の形態はダイヤモンド単結晶薄膜とＡ、 ｌ
Ｎ薄膜との境界面上にＩＤＴ電極を設けた構成であり
、第２の配置形態はＩＤＴ電極をＡｌＮ薄膜上に形成し
た構成であり、第３の形態はダイヤモンド単結晶薄膜と
ＡＩＮＩ膜との境界面上にＩＤＴ電掻を設は且つＡｌＮ
薄膜上に接地電極を設けた構成であり、第４の配置形態
はＡ＆Ｎ薄膜上にｒＤＴ電極を設けてダイヤモンド単結
晶薄膜とＡｌＮ薄膜との境界面上に接地電極を設けた構
成である。
配置形態としては４通りを考えることができる。すなわ
ち１、第１の形態はダイヤモンド単結晶薄膜とＡ、 ｌ
Ｎ薄膜との境界面上にＩＤＴ電極を設けた構成であり
、第２の配置形態はＩＤＴ電極をＡｌＮ薄膜上に形成し
た構成であり、第３の形態はダイヤモンド単結晶薄膜と
ＡＩＮＩ膜との境界面上にＩＤＴ電掻を設は且つＡｌＮ
薄膜上に接地電極を設けた構成であり、第４の配置形態
はＡ＆Ｎ薄膜上にｒＤＴ電極を設けてダイヤモンド単結
晶薄膜とＡｌＮ薄膜との境界面上に接地電極を設けた構
成である。
第１２図及び第１３図は上述した４通りの電極配置形態
を採用した場合のレイリー波の実効的結合係数Ｋ”ａｆ
ｔのｋＨ依存性の解析結果を示したものである。第１２
図及び第１３図から、ｋ Ｈ≦１．７の条件下でＫ”ａ
ｆｆ≧０．１％を満足するためのｋ Ｉ（の範囲は次の
通りである。
を採用した場合のレイリー波の実効的結合係数Ｋ”ａｆ
ｔのｋＨ依存性の解析結果を示したものである。第１２
図及び第１３図から、ｋ Ｈ≦１．７の条件下でＫ”ａ
ｆｆ≧０．１％を満足するためのｋ Ｉ（の範囲は次の
通りである。
■ ＩＤＴ電極をＡｌＮ薄膜上に設け、接地電極は使用
しない場合（第１２図の曲線ｃ）、０．７≦ＫＨ≦１．
３゜ ■ ＩＤＴ電極をｌＩ！Ｎ薄膜上に設け、接地電極をダ
イヤモン（・単結晶薄膜とＡＩＮ薄膜との境界面上に設
ける場合（第１３図の曲線ｅ＞、ｏ、２≦ｋ Ｈ≦１．
１゜ ■ ＩＤＴ電極をダイヤモンド単結晶薄膜とＡＩＮ薄膜
との境界面上に設ける場合（第１２図の曲線ｄ及び第１
３図の曲線ｆ）、１．３≦ＫＨ≦１．７゜ 次に、レイリー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄膜と
ＡＩＮ薄膜との２層膜内に閉じ込めるために必要なダイ
ヤモンド単結晶膜の膜厚りについて考える。
しない場合（第１２図の曲線ｃ）、０．７≦ＫＨ≦１．
３゜ ■ ＩＤＴ電極をｌＩ！Ｎ薄膜上に設け、接地電極をダ
イヤモン（・単結晶薄膜とＡＩＮ薄膜との境界面上に設
ける場合（第１３図の曲線ｅ＞、ｏ、２≦ｋ Ｈ≦１．
１゜ ■ ＩＤＴ電極をダイヤモンド単結晶薄膜とＡＩＮ薄膜
との境界面上に設ける場合（第１２図の曲線ｄ及び第１
３図の曲線ｆ）、１．３≦ＫＨ≦１．７゜ 次に、レイリー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄膜と
ＡＩＮ薄膜との２層膜内に閉じ込めるために必要なダイ
ヤモンド単結晶膜の膜厚りについて考える。
第１４図は、ｋ Ｈを０．１．１及び３としたときのレ
イリー波の変位の相対振幅の深さ（Ｚ軸方向）依存性に
ついての解析結果を示したものである。
イリー波の変位の相対振幅の深さ（Ｚ軸方向）依存性に
ついての解析結果を示したものである。
第１４図において、横軸は、ダイヤモンド単結晶薄膜と
ＡＩＮ薄膜との境界面からのＺ軸方向の距離をＡＩ！Ｎ
薄膜の膜厚Ｈで除した値Ｚ／Ｈで表したものである。実
線の特性曲線ＵｚはＺ軸成分の相対振幅値であり、破線
の特性曲線ＵｘはＸ軸成分の相対振幅値である。
ＡＩＮ薄膜との境界面からのＺ軸方向の距離をＡＩ！Ｎ
薄膜の膜厚Ｈで除した値Ｚ／Ｈで表したものである。実
線の特性曲線ＵｚはＺ軸成分の相対振幅値であり、破線
の特性曲線ＵｘはＸ軸成分の相対振幅値である。
第１４図から判るように、ｋＨ≦１．０のときにはレイ
リー波の浸透深さが６Ｈよりも遥かに深くなりダイヤモ
ンド単結晶薄膜の形成コストが高く′なるので、ｋＨ≧
１とすることが望ましい。一方、１、０≦ＫＨ≦１．７
の範囲ではダイヤモンド単結晶薄膜の膜厚りをＤ≧５Ｈ
とすれば、レイリー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄
膜とＡＩＮ薄膜との２層内に閉じ込めることができる。
リー波の浸透深さが６Ｈよりも遥かに深くなりダイヤモ
ンド単結晶薄膜の形成コストが高く′なるので、ｋＨ≧
１とすることが望ましい。一方、１、０≦ＫＨ≦１．７
の範囲ではダイヤモンド単結晶薄膜の膜厚りをＤ≧５Ｈ
とすれば、レイリー波を実質的にダイヤモンド単結晶薄
膜とＡＩＮ薄膜との２層内に閉じ込めることができる。
よって、以上の解析結果から、ＩＤＴ電極をＡＩＮ薄膜
上に形成する場合（この場合、ダイヤモンド単結晶薄膜
とＡＩＮ薄膜との境界面に接地電極は設けない） 、Ａ
ＩＮ薄膜の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ≦１．３の範囲内で制
御し、ＩＤＴ電極をダイヤモンド単結晶薄膜とＡＩ！Ｎ
薄膜との境界面上に設ける場合（この場合、ＡＩＮ薄膜
上に接地電極を設けてもよい）、Ａｊ！Ｎｉ膜の膜厚Ｈ
を１．３≦ＫＨ≦１．７の範囲内で制御すればよいこと
が判る。
上に形成する場合（この場合、ダイヤモンド単結晶薄膜
とＡＩＮ薄膜との境界面に接地電極は設けない） 、Ａ
ＩＮ薄膜の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ≦１．３の範囲内で制
御し、ＩＤＴ電極をダイヤモンド単結晶薄膜とＡＩ！Ｎ
薄膜との境界面上に設ける場合（この場合、ＡＩＮ薄膜
上に接地電極を設けてもよい）、Ａｊ！Ｎｉ膜の膜厚Ｈ
を１．３≦ＫＨ≦１．７の範囲内で制御すればよいこと
が判る。
１．０≦ＫＨ≦１．７のとき、第１２図から、レイリー
波の位相速度は約８１０００ｍ八へＶｐ≦９２００ｓ／
ｓであるから、超高速な弾性表面波を伝播させることが
可能となる。この弾性表面波を利用すれば、例えば正規
形ＩＤＴ電極を用いてＩＧｔｌｚ用トランスバーサル形
フィルタとして形成するならば、正規形ＩＤＴ！極の電
極指幅ｄは２μＩ１１〜２．３μｍとなり、通常の紫外
線露光器を用いたフォトリソグラフィ法で実現可能であ
る。−方、１ＯＧＨ２のフィルタの場合、電極指幅ｄは
０６２μｍ〜０．２３μｍとなるので、遠紫外＆？！露
光器を用いたフォトリソグラフィ法で十分実現可能であ
る。
波の位相速度は約８１０００ｍ八へＶｐ≦９２００ｓ／
ｓであるから、超高速な弾性表面波を伝播させることが
可能となる。この弾性表面波を利用すれば、例えば正規
形ＩＤＴ電極を用いてＩＧｔｌｚ用トランスバーサル形
フィルタとして形成するならば、正規形ＩＤＴ！極の電
極指幅ｄは２μＩ１１〜２．３μｍとなり、通常の紫外
線露光器を用いたフォトリソグラフィ法で実現可能であ
る。−方、１ＯＧＨ２のフィルタの場合、電極指幅ｄは
０６２μｍ〜０．２３μｍとなるので、遠紫外＆？！露
光器を用いたフォトリソグラフィ法で十分実現可能であ
る。
第１図及び第２図は本発明によるＳＡＷデイバイスの第
１実施例を示すものである。これらの図において、１は
Ｓｔ単結晶、ＧａＡｓ単結晶等からなる単結晶半導体基
板、２はダイヤモンド単結晶薄膜、３はＣ軸配向のＡＩ
Ｎ薄膜、４はＡｌＮ薄膜３上に形成されたＩＤＴ’電極
である。この実施例において、ダイヤモンド単結晶薄膜
２の膜厚り及びＡＩＮ薄膜３の膜厚Ｉ４は、１．０≦ｋ
Ｈ≦１．３．０≧５Ｈの条件を満足するように設定さ
れる。
１実施例を示すものである。これらの図において、１は
Ｓｔ単結晶、ＧａＡｓ単結晶等からなる単結晶半導体基
板、２はダイヤモンド単結晶薄膜、３はＣ軸配向のＡＩ
Ｎ薄膜、４はＡｌＮ薄膜３上に形成されたＩＤＴ’電極
である。この実施例において、ダイヤモンド単結晶薄膜
２の膜厚り及びＡＩＮ薄膜３の膜厚Ｉ４は、１．０≦ｋ
Ｈ≦１．３．０≧５Ｈの条件を満足するように設定さ
れる。
第３図及び第４図は本発明の第２実施例を示すものであ
る。この実施例ではダイヤモンド単結晶薄膜２とＣ軸配
向のＡＩＮ薄膜３との境界面上にＩＤＴ電極４が設けら
れている。更に、第５図は本発明の第３実施例を示すも
のである。この実施例ではダイヤモンド単結晶薄膜２と
Ｃ軸配向のＡｊｔＮ薄膜３との境界面上にＩＤＴ電極４
が設けられ、且つ、ＡｌＮ薄膜３上に接地電極５が設け
られている。これら第２及び第３実施例において、ダイ
ヤモンド単結晶薄膜２の膜厚り及びＡＡＮ薄膜３の膜厚
Ｈは、１．３≦ＫＨ≦１．７．Ｄ≧５Ｈの条件を満足す
るように設定される。
る。この実施例ではダイヤモンド単結晶薄膜２とＣ軸配
向のＡＩＮ薄膜３との境界面上にＩＤＴ電極４が設けら
れている。更に、第５図は本発明の第３実施例を示すも
のである。この実施例ではダイヤモンド単結晶薄膜２と
Ｃ軸配向のＡｊｔＮ薄膜３との境界面上にＩＤＴ電極４
が設けられ、且つ、ＡｌＮ薄膜３上に接地電極５が設け
られている。これら第２及び第３実施例において、ダイ
ヤモンド単結晶薄膜２の膜厚り及びＡＡＮ薄膜３の膜厚
Ｈは、１．３≦ＫＨ≦１．７．Ｄ≧５Ｈの条件を満足す
るように設定される。
第１図ないし第５図から判るように、ＳＡＷデイバイス
は３４単結晶、ＧａＡｓ単結晶等からなる単結晶半導体
基板１を有しているので、単結晶半導体基板ｌを共ｉ１
１基板として周辺のＬＳＩ（図示せず）と一体に形成す
ることが可能であり、また、ＬＳＩとの電気的接続はＡ
Ｉ ＳＡ ｕ等の導体薄膜６によって容易に行なうこ
とができる。
は３４単結晶、ＧａＡｓ単結晶等からなる単結晶半導体
基板１を有しているので、単結晶半導体基板ｌを共ｉ１
１基板として周辺のＬＳＩ（図示せず）と一体に形成す
ることが可能であり、また、ＬＳＩとの電気的接続はＡ
Ｉ ＳＡ ｕ等の導体薄膜６によって容易に行なうこ
とができる。
更に、ＳＡＷデイバイスの中間層として採用したダイＡ
・モンド単結晶薄膜はそれ自体が真性半導体であるから
、ダイヤモンド゛単結晶薄膜内に例えばホウ素Ｂ・やイ
ンジウムＩｎを１・−ブすればＰ型半導体として利用で
き、また、リンＰや砒素Ａｓを）・−ブすればＮ型半導
体として利用でき、半導体製作工程内で同時に製作処理
可能となる。
・モンド単結晶薄膜はそれ自体が真性半導体であるから
、ダイヤモンド゛単結晶薄膜内に例えばホウ素Ｂ・やイ
ンジウムＩｎを１・−ブすればＰ型半導体として利用で
き、また、リンＰや砒素Ａｓを）・−ブすればＮ型半導
体として利用でき、半導体製作工程内で同時に製作処理
可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、単結
晶半導体基板とダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌＮ薄膜と
の３層構造において、レイリー波を実質的にダイヤモン
ド単結晶薄膜とＡｌＮ７Ｊ膜との２層膜内に閉じ込める
と共にスプリアスとなるセザワ波の励振を抑制し、且つ
、レイリー波の実効的結合係数Ｋ”ａｆｒを０．１％以
上とすることができるので、Ｕ ＨＦ帯（Ｉ Ｇｔｌｚ
” １０ Ｇ１１ｚ）用の電圧制御発振器、帯域通過フ
ィルタ等として用いることができ、しかも、ＬＳＩとの
一体化が可能で紫外線露光フォトリソグラフィ法による
電極パターンの形成が可能なＳＡＷデイバイスを提供す
ることができる。
晶半導体基板とダイヤモンド単結晶薄膜とＡｌＮ薄膜と
の３層構造において、レイリー波を実質的にダイヤモン
ド単結晶薄膜とＡｌＮ７Ｊ膜との２層膜内に閉じ込める
と共にスプリアスとなるセザワ波の励振を抑制し、且つ
、レイリー波の実効的結合係数Ｋ”ａｆｒを０．１％以
上とすることができるので、Ｕ ＨＦ帯（Ｉ Ｇｔｌｚ
” １０ Ｇ１１ｚ）用の電圧制御発振器、帯域通過フ
ィルタ等として用いることができ、しかも、ＬＳＩとの
一体化が可能で紫外線露光フォトリソグラフィ法による
電極パターンの形成が可能なＳＡＷデイバイスを提供す
ることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示すＳＡＷデイバイスの
概略縦断面図、 第２図は第１図に示すＳＡＷデイバイスの第１図中■−
■線に沿った要部断面図、 第３図は本発明の第２実施例を示すＳＡＷデイバイスの
縦断面図、 第４図は第３図に示すＳＡＷデイバイスの第３図中ＴＶ
−ＴＶ線に沿った要部断面図、第５図は本発明の第２実
施例を示すＳＡＷデイバイスの縦断面図、 第６図はＡＩＮ膜の構造及び座標軸を示す図、第７図は
Ｓｉ又はＧａＡｓからなる単結晶半導体基板とダイヤモ
ンド単結晶薄膜とＡＩ！Ｎ薄膜との３層構造及び座標軸
を示す図、 第８図はＡｌＮ薄膜に対するダイヤモンド単結晶薄膜の
膜厚と弾性表面波の浸透深さとの関係を示す図、 第９図は（０００１）面ＡｌＮ薄膜と（００１）面（１
００）方向Ｓｉ単結晶との２層構造にける弾性表面波の
位相速度のｋＨ依存性を示す図、第１０図は（０００１
）面ＡｌＮ薄膜と（αＯｆ）面（１００）方向ＧａＡｓ
単結晶との２層構造における弾性表面波の位相速度のｋ
Ｈ依存性を示す図、 第１１図は（ＯＯＯ１）面ＡｌＮ薄膜と（００１）而（
１００）方向ダイヤモンド単結晶薄膜との２層構造にお
ける弾性表面波の位相速度のｋＨ依存性を示す図、 第１２図及び第１３図はそれぞれ（０００１）面ＡｌＮ
薄膜と（１００）面（１００）方向ダイヤモンド単結晶
薄膜との２層構造におけるレイリー波の実効的結合係数
Ｋ”ａ ｆ ｆのｋ Ｈ依存性を示す図、 第１４図は（０００１）面ＡｌＮ薄膜と（１００）面（
１００）方向ダイヤモンド単結晶薄膜との２層構造にお
けるレイリー波の変位の相対振幅の深さ依存性を示す図
である。 図において、１は単結晶半導体基板、２はダイヤモンド
単結晶薄膜、３はＡＩＮＷｔ膜、４はＩＤＴ電極、５は
接地電極、６は導体薄膜をそれぞれ示す。
概略縦断面図、 第２図は第１図に示すＳＡＷデイバイスの第１図中■−
■線に沿った要部断面図、 第３図は本発明の第２実施例を示すＳＡＷデイバイスの
縦断面図、 第４図は第３図に示すＳＡＷデイバイスの第３図中ＴＶ
−ＴＶ線に沿った要部断面図、第５図は本発明の第２実
施例を示すＳＡＷデイバイスの縦断面図、 第６図はＡＩＮ膜の構造及び座標軸を示す図、第７図は
Ｓｉ又はＧａＡｓからなる単結晶半導体基板とダイヤモ
ンド単結晶薄膜とＡＩ！Ｎ薄膜との３層構造及び座標軸
を示す図、 第８図はＡｌＮ薄膜に対するダイヤモンド単結晶薄膜の
膜厚と弾性表面波の浸透深さとの関係を示す図、 第９図は（０００１）面ＡｌＮ薄膜と（００１）面（１
００）方向Ｓｉ単結晶との２層構造にける弾性表面波の
位相速度のｋＨ依存性を示す図、第１０図は（０００１
）面ＡｌＮ薄膜と（αＯｆ）面（１００）方向ＧａＡｓ
単結晶との２層構造における弾性表面波の位相速度のｋ
Ｈ依存性を示す図、 第１１図は（ＯＯＯ１）面ＡｌＮ薄膜と（００１）而（
１００）方向ダイヤモンド単結晶薄膜との２層構造にお
ける弾性表面波の位相速度のｋＨ依存性を示す図、 第１２図及び第１３図はそれぞれ（０００１）面ＡｌＮ
薄膜と（１００）面（１００）方向ダイヤモンド単結晶
薄膜との２層構造におけるレイリー波の実効的結合係数
Ｋ”ａ ｆ ｆのｋ Ｈ依存性を示す図、 第１４図は（０００１）面ＡｌＮ薄膜と（１００）面（
１００）方向ダイヤモンド単結晶薄膜との２層構造にお
けるレイリー波の変位の相対振幅の深さ依存性を示す図
である。 図において、１は単結晶半導体基板、２はダイヤモンド
単結晶薄膜、３はＡＩＮＷｔ膜、４はＩＤＴ電極、５は
接地電極、６は導体薄膜をそれぞれ示す。
Claims (2)
- １．単結晶半導体基板（１）上に形成したダイヤモンド
単結晶薄膜（２）上に窒化アルミニウム薄膜（３）を形
成して３層複合構造とし、 窒化アルミニウム薄膜（３）上にインターディジタル・
トランスデューサ電極（４）を形成し、窒化アルミニウ
ム薄膜（３）の膜厚Ｈを１．０≦ＫＨ≦１．３（ｋは波
数）の範囲内とし、 窒化アルミニウム薄膜（３）の膜厚Ｈに対するダイヤモ
ンド単結晶薄膜（２）の膜厚ＤをＤ≧５Ｈとしたことを
特徴とする弾性表面波ディバイス。 - ２．単結晶半導体基板（１）上に形成したダイヤモンド
単結晶薄膜（２）上に窒化アルミニウム薄膜（３）を形
成して３層複合構造とし、 ダイヤモンド単結晶薄膜（２）と窒化アルミニウム薄膜
（３）との境界面上にインターディジタル・トランスデ
ューサ電極（４）を形成し、窒化アルミニウム薄膜（３
）の膜厚Ｈを１．３≦ＫＨ≦１．７（ｋは波数）の範囲
内とし、 窒化アルミニウム薄膜（３）の膜厚Ｈに対するダイヤモ
ンド単結晶薄膜（２）の膜厚ＤをＤ≧５Ｈとしたことを
特徴とする弾性表面波ディバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5931688A JPH01233819A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波ディバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5931688A JPH01233819A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波ディバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233819A true JPH01233819A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13109834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5931688A Pending JPH01233819A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波ディバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0363495A1 (en) * | 1988-03-17 | 1990-04-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631213A (en) * | 1979-08-24 | 1981-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface elastic wave element |
| JPS5864815A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-18 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS58156217A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS5964908A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS60119114A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP5931688A patent/JPH01233819A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631213A (en) * | 1979-08-24 | 1981-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface elastic wave element |
| JPS5864815A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-18 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS58156217A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS5964908A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Nobuo Mikoshiba | 弾性表面波素子 |
| JPS60119114A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0363495A1 (en) * | 1988-03-17 | 1990-04-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
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