KR950021863A - 정자파장치(靜磁波裝置) - Google Patents
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Abstract
정자파장치(10)는, 유전체기판(12)을 포함한다. 유전체기판(12)의 양면에 어드전극과 스트립라인 전극(16),(18)과를 형성하는 것에 의해, 트랜스듀서로서의 마이크로 스트립라인을 형성한다. 스트립라인 전극(16),(18)상에 GGG기판상에 YIG박막을 형성한 페리자성기체(20)를 배치한다. 페리자성기체(20)는 스트립라인 전극(16),(18)부분에서의 외측으로 향하여 경사하도록 형성된다. 이 페리자성기체(20)를 최소길이로 되도록 설정한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의일실시예를 나타내는 평면도이다.
제2도는 제1도에 나타내는 정자파장치의 측면도이다.
제4도는 이 발명의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
Claims (11)
- 페리자성기체 및, 전기 페리자성기체의 주면상(主面上)에 간격을 두고 형성되는 2개의 트랜스듀서를 포함하고, 전기 트랜스튜서 보다 외측의 전기 페리자성기체 부분을 짧게한, 정자파장치.
- 제1항에 있어서, 전기 트랜스듀서의 외측에 있는 전기 페리자성기체의 양단에 경사부가 형성된 정자파장치.
- 제1항에 있어서, 또한 전기 트랜스듀서의 외측에 있는 전기 페리자성기체의 아래의 도포되는 정자파 흡수체를 포함하는 정자파장치.
- 제1항에 있어서, 전기 페리자성기체는 GGG(가돌리늄, 갈륨, 가넷)기판과 전기 GGG기판상에 형성된 YIG(이트륨, 철 가넷)박막으로써 형성된 정자파장치.
- 제1항에 있어서, 전기 트랜스듀서는, 유전체기판의 일방면상에 형성된 어드전극과, 전기 유전체기판의 타방면 상에 형성된 2개의 스트립라인 전극으로 형성된 정자파장치.
- 제1항에 있어서, 전기 트랜스듀서의 외측의 전기 페리자성기체 부분의 길이는 1㎜인 정자파장치.
- 제2항에 있어서, 전기 트랜스듀서의 외측의 전기 페리자성기체 부분의 길이는 1㎜인 정자파 장치.
- 제3항에 있어서, 전기 트랜스듀서의 외측의 전기 페리자성기체 부분의 길이는 1㎜인 정자파장치.
- 제4항에 있어서, 전기 트랜스듀서의 외측의 전기 페리자성기체 부분의 길이는 1㎜인 정자파장치.
- 제5항에 있어서, 전기 트랜스듀서의 외측의 전기 페리자성기체 부분의 길이는 1㎜인 정자파장치.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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