DE19532780A1 - Dielektrischer Wellenleiter - Google Patents
Dielektrischer WellenleiterInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
Description
Die Erfindung betrifft einen dielektrischen, insbesondere
planaren oder quasiplanaren Wellenleiter, der mindestens
eine dielektrische Materialanordnung hat.
Als planare Wellenleitung bezeichnet man flächenhaft
aufgebaute Leitungsformen, bei denen eine dielektrische
Trägerplatte (Substrat) mit metallischen Leiterstrukturen
beschichtet ist (Streifen- und Schlitzleitung) oder die auf
einer metallischen Grundplatte dielektrische Strukturen
tragen, (dielektrische Blindleitungen). In dieser Form
handelt es sich um offene Leitungsstrukturen. Bei den
abgeschirmten Leitungsformen befindet sich die planare
Struktur in einem Abschirmgehäuse (z. B.
Rechteckhohlleitergehäuse), so daß eine Abstrahlung
verhindert wird. Solche geschirmten planaren Leitungen
werden auch als quasi-planare Leitungen bezeichnet. Zu ihnen
gehören auch die "suspended stripline" und die
"Finleitungen". Bei den planaren Leitungen sind die hohen
Genauigkeitsanforderungen auf die planaren Strukturen
übertragen. Mit Hilfe der Fotoätztechnik lassen sich diese
Anforderungen jedoch einfach, billig und genau
reproduzierbar erfüllen. Hohlleitergehäuse planarer
Strukturen stellen im Vergleich zu reinen
Hohlleiterschaltungen wesentlich geringere
Genauigkeitsanforderungen und können damit ebenfalls einfach
hergestellt werden. Schaltungen in planarer oder quasi
planarer Form eignen sich daher gut für eine
Serienfertigung. Die Technik planarer Schaltungen bietet im
Vergleich zur Hohlleitertechnik weitere Vorteile. So lassen
sich z. B. auf einer Trägerplatte mehrere planare
Schaltungskomponenten platz- und gewichtssparend zu einem
System integrieren. Durch die kurzen Verbindungen zwischen
den einzelnen Komponenten verringern sich die
Leitungsverluste und die Anzahl von Verbindungselementen und
damit von Stoßstellen. Halbleiterelemente können ebenfalls
einfacher eingebaut werden. Zudem haben planare Strukturen
oft eine höhere Eindeutigkeitsbandbreite als
Hohlleiterschaltungen.
Nachteilig bei derartigen Wellenleitern ist jedoch, daß der
Leitungswellenwiderstand von den gewählten Abmessungen der
Substratleiterordnungen sowie vom dielektrischen Substrat
selbst abhängt und nach der Herstellung des Wellenleiters
der Leitungswellenwiderstand nicht mehr veränderbar ist.
Aufgabe der Erfindung ist es daher einen dielektrischen
Wellenleiter bereit zu stellen, dessen
Leitungswellenwiderstand nach der Fertigstellung des
Wellenleiters veränderbar bzw. einstellbar ist.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die
dielektrische Materialanordnung zumindest teilweise aus
einem Material ist, dessen Permeabilität oder
Permeabilitäts-Tensor und/oder Permitivität oder
Permitivitäts-Tensor mittels eines das Material
bereichsweise durchdringenden Magnetfeldes veränderbar ist
und daß mindestens ein Mittel zur Erzeugung von mindestens
einem Magnetfeld vorgesehen ist, wobei mit dem durch das
Mittel erzeugte Magnetfeld die Permeabilität bzw. der
Permeabilitäts-Tensor und/oder die Permitivität oder der
Permitivitäts-Tensor der Materialanordnung zumindest
bereichsweise veränderbar ist.
Die oben gestellte Aufgabe wird ebenfalls durch eine zweite
Ausführungsform erfindungsgemäß gelöst, wobei die
dielektrische Materialanordnung zumindest teilweise aus
einem Material ist, dessen Permeabilität oder
Permeabilitäts-Tensor und/oder Permitivität oder
Permitivitäts-Tensor mittels eines das Material
bereichsweise durchdringenden elektrischen Feldes
veränderbar ist und das mindestens ein Mittel zur Erzeugung
von mindestens einem elektrischen Feld vorgesehen ist, wobei
mit dem durch das Mittel erzeugten elektrischen Feldes die
Permeabilität oder der Permeabilitäts-Tensor und/oder die
Permitivität bzw. der Permitivitäts-Tensor der
Materialanordnung zumindest bereichsweise veränderbar ist.
Vorteilsmäßig liegen bei beiden erfindungsgemäßen
Ausführungsformen die felderzeugenden Mittel direkt am
Wellenleiter an, wobei die felderzeugenden Mittel galvanisch
von den metallischen Leiterstrukturen und/oder der
Grundebene des Wellenleiters getrennt sind. Durch das
Verändern der Permeabilität und/oder der Permitivität bzw.
der dielektrischen Eigenschaften des dielektrischen
Substrats bzw. der dielektrischen Materialanordnung zwischen
Grundebene und Leiterstrukturen mittels Magnetfelder oder
elektrischer Felder kann der Wellenwiderstand des
dielektrischen Wellenleiters abschnittsweise in Abhängigkeit
der Stärke der jeweils erzeugten Felder verändert werden.
Aus dem bislang passiven elektronischen Bauteile Wellenleiter
wird somit vorteilsmäßig ein aktives Bauelement, bei dem
mittels der felderzeugenden Mittel das Übertragungsverhalten
des Wellenleiters gezielt beeinflußt werden kann.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform grenzt an den
Wellenleiter eine Schicht an, wobei die Schicht die
felderzeugenden Mittel aufweist. Eine besonders gute
Steuerung des Leitungswellenwiderstandes des Wellenleiters
ergibt sich, wenn in der angrenzenden Schicht die
felderzeugenden Mittel matrix- oder rasterförmig angeordnet
sind. Durch den Einsatz von mehreren felderzeugenden Mitteln
ist es möglich, den Leitungswellenwiderstand genauestens für
bestimmte Bereiche einzustellen.
In besonders bevorzugten Ausführungsformen sind die
felderzeugenden Mittel Induktionsspulen oder Kondensatoren.
Die Induktionsspulen haben dabei m Windungen, wobei die
Induktionsspulen derart im Raum ausgerichtet sind, daß Teile
der von den stromdurchflossenen Induktionsspulen erzeugten
Magnetfelder die dielektrische Materialanordnung zumindest
teilweise durchdringen. Die Induktionsspulen sind dabei
vorteilsmäßig mit einer Ansteuerelektronik in Verbindung,
wobei mittels der Ansteuerelektronik in jeder
Induktionsspule ein Strom vorgebbarer Stärke und Richtung
einprägbar ist, wodurch das von der Induktionsspule erzeugte
magnetische Feldrichtungs- und betragsmäßig bestimmt ist.
Bei der Verwendung von Kondensatoren als felderzeugende
Mittel ist es vorteilhaft, wenn die Richtung des
elektrischen Feldvektors des mittels des Kondensators
erzeugten elektrischen Feldes im wesentlichen parallel zur
Strukturebene des Wellenleiters ist. Es ist jedoch auch
denkbar, daß die Kondensatoren ein elektrisches Feld
senkrecht zur Strukturebene des Wellenleiters erzeugen, wenn
dies durch die Wahl des verwendeten dielektrischen Substrats
erforderlich ist.
Besonders vorteilsmäßig ist es, wenn mittels eines
derartigen dielektrischen Wellenleiters die
Wellenwiderstände in zwei aneinander grenzenden Bereichen
bzw. Abschnitten derartig aneinander angepaßt werden, daß
sich für eine sich vom ersten Bereich zum zweiten Bereich
ausbreitende Welle ein bestimmter Reflektionsfaktor r
ergibt.
Es ist ebenfalls vorteilsmäßig, wenn die Länge L, die Breite
B und/oder der Betrag des Wellenwiderstandes ZL des
Abschnitts bzw. Bereichs mittels der felderzeugenden Mittel
einstellbar ist, derart, daß zur Einstellung der Länge L,
der Breite B und/oder des Betrags des Wellenwiderstandes ZL
nur die felderzeugenden Mittel jeweils ein Feld vorgebbarer
Stärke erzeugen, deren Felder die dielektrische
Materialanordnung des Wellenleiters im Bereich bzw.
Abschnitt zumindest teilweise durchdringen.
Die dielektrische Materialordnung bzw. das dielektrische
Substrat zwischen der Struktur und der Grundebene ist dabei
vorteilsmäßig aus einem gyromagnetischen oder
gyroelektrischen Material, wobei der Betrag der
Dielektrizitätszahl εr der dielektrischen Materialanordnung
im Bereich zwischen 3 und 5 ist, wodurch sich eine besonders
gute Güte des Wellenleiters für den Mikrowellenbereich
erzielen läßt. Es ist ebenfalls vorteilsmäßig, wenn die
Materialanordnung eine Yttrium-Eisen-Granatschicht ist. Eine
derartige Yttrium-Eisen-Granatschicht weist sich dadurch
aus, daß bei Anlegen eines magnetischen Gleichfeldes sich in
dem vom magnetischen Feld durchdrungenen Bereich die
Permeabilität bzw. der Permeabilitäts-Tensor verändert,
wodurch gleichfalls der Leitungswellenwiderstand des
Wellenleiters verändert wird.
Bei der Verwendung einer Yttrium-Eisen-Granatschicht ist es
vorteilhaft, wenn zwischen der dielektrischen
Materialanordnung bzw. der Yttrium-Eisen-Granatschicht und
der Grundebene eine Schicht aus Gallium-Gadolinium-Granat
der Dicke Lggg ist. Die Grundebene ist vorteilhaft eine
Kupferschicht, die auf die der Yttrium-Eisen-Granatschicht
abgewandten Seite der Gallium-Gadolinium-Granatschicht
aufgetragen ist. Zwischen der dielektrischen
Materialanordnung bzw. der Yttrium-Eisen-Granatschicht und
der Strukturebene kann vorteilsmäßig eine Quarzschicht der
Dicke Lq angeordnet sein, wobei die Strukturebene aus der
Quarzschicht photolitografisch herstellbar ist. Die
felderzeugenden Mittel sind vorteilsmäßig auf der der
Strukturebene abgewandten Seite der Grundebene angeordnet,
wobei die felderzeugenden Mittel mittels einer isolierenden
Schicht insbesondere aus einer Polystyrolschicht von der
leitenden Grundebene galvanisch getrennt sind. Die
felderzeugenden Mittel können dabei vorteilsmäßig in einer
Dünnschicht einliegen oder an dieser anliegen.
In einer ebenfalls bevorzugten Ausführungsform ist die
Ansteuerelektronik für die felderzeugenden Mittel an der der
leitenden Grundebene abgewandten Seite der die
felderzeugenden Mittel aufweisenden Dünnschicht angeordnet,
wobei die Ansteuerelektronik mit den felderzeugenden Mitteln
jeweils in elektrischer Verbindung ist. Eine derartige
Anordnung ist besonders kompakt und kostengünstig
herstellbar. Durch das direkte Anliegen der
Ansteuerelektronik an die die felderzeugenden Mittel
aufweisende Dünnschicht werden die Verbindungsleitungen
zwischen der Ansteuerelektronik und den felderzeugenden
Mitteln auf ein Minimum reduziert.
Ein derartiger Wellenleiter ist vorteilsmäßig ein magnetisch
oder elektrisch steuerbares Reflektions-Dämpfungsglied. Es
ist ebenfalls vorteilsmäßig als eine magnetisch oder
elektrisch steuerbare Bandsperre bzw. als Filter einsetzbar.
Hierbei wird der Effekt ausgenutzt, daß der
Leitungswellenwiderstand eines dielektrischen Wellenleiters
frequenzabhängig ist. Wird zwischen zwei Wellenleitern eine
Anpassung vorgenommen, so kann dies jeweils nur für ein
schmales Frequenzband erfolgen. Für Frequenzen außerhalb
dieses Frequenzbandes ist eine Anpassung bislang nach
Fertigung des Filters nicht mehr möglich. Durch die
Möglichkeit des Veränderns des Wellenwiderstandes mittels
der felderzeugenden Mittel kann vorteilsmäßig eine Anpassung
zwischen zwei dielektrischen Wellenleitern für verschiedene
Frequenzen nacheinander mit ein und demselben Wellenleiter
vorgenommen werden. Somit ist es möglich mit einem
Wellenleiter eine Spektralanalyse durchzuführen.
Ein derartiger Wellenleiter kann zudem z. B. vorteilsmäßig
als veränderbare Querkapazität oder Serieninduktivität in
einer Wellenleiteranordnung eingesetzt werden. Hierzu hat
der elektrische Wellenleiter einen streifenförmigen
Leiterabschnitt, der an seinen Endabschnitten eine Breite B₁
und im mittleren Abschnitt die Breite B₂ hat. Zur Erzeugung
einer bestimmten Querkapazität oder Serieninduktivität wird
mittels der felderzeugenden Mittel die effektive Breite B₂
des mittleren Abschnitts entsprechend verändert. Zur
Verringerung der Breite B₂ werden mittels der
felderzeugenden Mittel Felder vorgebbarer Stärke erzeugt,
wobei die Felder die Randbereiche der dielektrischen
Materialanordnung des mittleren Abschnitts zumindest
teilweise durchdringen, wodurch in den Randbereichen des
mittleren Abschnitts des streifenförmigen Leiterabschnitts
ein Leitungswellenwiderstand einstellbar ist, der gegen Null
oder Unendlich ist.
Ebenfalls vorteilsmäßig ist es, wenn der erfindungsgemäße
dielektrische Wellenleiter eine Stichleitung ist, deren
Länge L mittels der felderzeugenden Mittel wie oben
beschrieben veränderbar ist.
Auch ist es vorteilhaft, wenn an das Ende der Stichleitung
ein weiterer Wellenleiter angrenzt, dessen Wellenwiderstand
mittels der felderzeugenden Mittel veränderbar ist, derart,
daß die Stichleitung bei einem Wellenwiderstand ZL → ∞
leerläuft und bei einem Wellenwiderstand ZL → 0
kurzgeschlossen ist.
Der erfindungsgemäße dielektrische Wellenleiter ist somit
ein aktives elektronisches Bauteil, wobei mittels des
veränderlichen Leitungswellenwiderstandes beliebige
Einsatzmöglichkeiten gegeben sind. Mittels des ortsabhängig
einstellbaren Impedanzprofils des Wellenleiters kann dieser
als Reflektions-Dämpfungsglied eingesetzt werden. Dabei
basiert die Dämpfung nicht auf dem Absorptionsprinzip,
sondern auf der Basis dessen, daß die Intensität des
rückgestreuten Feldes variiert wird und damit
zusammenhängend die Intensität des transmittierten Feldes
gesteuert wird.
Nachfolgend werden mögliche Ausführungsformen anhand der
Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen dielektrischen Wellenleiter mit integrierter
Induktionsebene;
Fig. 2 einen dielektrischen Wellenleiter mit integrierter
Induktionsebene, wobei im mittleren Bereich die
Induktionsspulen ein Magnetfeld H erzeugen;
Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung eines handelsüblichen
Streifenleiters;
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung durch den
erfindungsgemäßen Wellenleiter;
Fig. 5 eine Querschnittsdarstellung durch einen
Wellenleiter mit einer Yttrium-Eisen-
Granatschicht;
Fig. 6 eine Draufsicht auf die Induktionsebene mit
matrixförmig angeordneten Induktionsspulen;
Fig.
7a-7c eine Draufsicht auf einen Wellenleiter mit einem
mittleren Bereich, dessen Breite durch
felderzeugende Mittel variabel ist;
Fig.
8 und 9 einen dielektrischen Wellenleiter, dessen
dielektrische Eigenschaften mittels eines
elektrischen Feldes veränderbar sind.
Die Fig. 1 und 2 zeigen einen dielektrischen Wellenleiter
1, der als Mikrostreifenleitung ausgeführt ist. Der
Wellenleiter 1 hat eine leitende Grundebene 3, die an eine
dielektrische Schicht 2 angebracht ist. Auf der der
Grundebene 3 abgewandten Seite 2a der dielektrischen
Substratschicht 2 ist ein streifenförmiger Leiter 4
angeordnet, der mittels eines photolitografischen Prozesses
aufbereitet ist. Das dielektrische Substrat 2 hat eine
relative Permeabilität µr und eine Dielektrizitätszahl εr.
An der Grundebene 3 ist auf der dem dielektrischen Substrat
2 abgewandten Seite eine Dünnschicht 5 angebracht, in die
Induktionsschleifen 6 eingebettet sind. Die
Induktionsschleifen 6 der Dünnschicht 5 sind mittels nicht
dargestellter Verbindungsleitungen 6c mit der
Ansteuerelektronik 7 in Verbindung. Mittels der
Ansteuerelektronik 7 können Ringströme bestimmter Stärke und
Richtung in die Ringspulen 6 eingeprägt werden. Die
Ringspulen 6 können zur Erzeugung eines größeren
Magnetfeldes H mehrere Windungen aufweisen.
Die Induktionsspulen 6 sind wie aus Fig. 6 ersichtlich
matrixförmig und parallel zur Grundebene 3 angeordnet,
derart, daß das durch sie erzeugte Magnetfeld 9 durch die
Grundebene 3 tritt und den unmittelbar angrenzenden Bereich
im Dielektrikum 2 durchdringt. Hierdurch wird die
dielektrische Eigenschaft des Dielektrikums 2 verändert,
wodurch sich bereichsweise der Leitungswellenwiderstand ZL
des dielektrischen Wellenleiters verändert. Wie in Fig. 2
dargestellt, wird der Leitungswellenwiderstand ZL in einem
mittleren Bereich durch das Einprägen eines Stromes in den
Spulen 6b verändert, wodurch sich ein von ZL verschiedener
Wellenwiderstand ZLV ergibt.
Die Größe der Veränderung des Wellenwiderstandes ZL ist von
der Größe des erzeugten Magnetfeldes sowie von dem
verwendeten Material für die dielektrische Materialanordnung
2, sowie deren Abmessungen abhängig und muß für jeden
Einzelfall mittels geeigneter Versuche ermittelt oder
rechnerisch bestimmt werden.
In Fig. 3 ist ein dielektrischer Wellenleiter 1 abgebildet,
wobei zwei streifenförmige Leiter 4 parallel zueinander
angeordnet sind. In Fig. 3 ist das E-Feld 8 einer sich in
der Mikrostreifenleitung ausbreitenden elektromagnetischen
Welle dargestellt.
Die Fig. 4 zeigt eine Querschnittsdarstellung durch einen
erfindungsgemäßen dielektrischen Wellenleiter 1. Es ist
denkbar, daß die Dünnschicht 5 (Induktionsebene) nur an
bestimmten Positionen Induktionsspulen 6 zur Veränderung der
dielektrischen Eigenschaft des dielektrischen Substrats 2
hat. Die Induktionsspulen 6 sind dabei nur an den Stellen
angeordnet, an denen bestimmte Mikrostreifenleitungen der
Strukturebene beeinflußt werden sollen.
In Fig. 5 ist ein weiterer erfindungsgemäßer Wellenleiter 1
in Mikrostreifenleitungstechnik dargestellt. Der
Wellenleiter 1 hat einen Gallium-Gadolinium-Granatträger 11,
auf dem epitaktisch eine homogene einkristalline und
galliumdotierte Yttrium-Eisen-Granatschicht 2 erzeugt wird,
die im unmagnetisierten Zustand dielektrisch ist. Die dieser
mittels Flüssigphasenepitaksie erzeugten Yttrium-Eisen-
Granatschicht 2 zugewandte Fläche wird über die gesamte
Ausdehnung dieser Beschichtung mit einer Quarzschicht 10
belegt, deren der Verbundfläche abgewandte Fläche homogen
kupferbeschichtet wird. Die von dieser Kupferbeschichtung 4
abweisende Fläche des Gallium-Gadolinium-Granatträgers 11
wird in gleicher Weise homogen kupferbeschichtet. Die
Schichtdicke der Kupferbeschichtung wird mit 17,5 Mikrometer
bemessen, wobei die Kupferbelegung der Quarzschicht 10 die
Strukturebene 4 bildet. Diese Strukturebene 4 wird
photolitografisch aufbereitet, so daß Streifenleiter 4
bestimmter geometrischer Abmessungen entstehen. Auf der der
Strukturebene 4 abgewandten Seite der Grundebene 3 ist die
Induktionsebene bzw. Dünnschicht 5 angeordnet, wobei die
Dünnschicht 5 Induktivitäten 6 in Form von
Induktionsschleifen 6a, 6b hat, die mittels nicht
dargestellter Verbindungsleitungen 6c mit einer
Ansteuerungselektronik 7 in elektrischer Verbindung sind.
Die Induktionsspulen 6a, 6b sind wie aus Fig. 6
ersichtlich, matrixförmig angeordnet. Zwischen der
Dünnschicht 5 und der Grundebene 3 ist eine
Polystyrolschicht 12 zur galvanischen Trennung der
Induktionsebene 5 und der Grundebene 3 angeordnet. Das
mittels der Induktionsspulen 6a, 6b erzeugte Magnetfeld 9
durchdringt die Grundebene 3, sowie die Gallium-Gadolinium-
Granatträgerschicht 11 und verändert die dielektrische
Eigenschaft der Yttrium-Eisen-Granatschicht 2. Durch die
Änderung der dielektrischen Eigenschaft der Yttrium-Eisen-
Granatschicht 2 ändert sich in diesem Bereich der
Leitungswellenwiderstand ZL der Streifenleitung.
Die Fig. 7a bis 7c zeigen einen dielektrischen
Wellenleiter 1, dessen streifenförmiger Leiterabschnitt 4 in
drei Bereiche 13, 14 unterteilt ist, wobei die beiden
Endabschnitte 13 eine Breite B₁ und der mittlere Abschnitt
eine Breite B₂ aufweist, mit B₂ größer oder kleiner gleich
als B₁. Insbesondere im mittleren Abschnitt 14 sind in der
Induktionsschicht 5 Induktionsspulen 6 angeordnet, derart,
daß die effektive Breite B₂ des mittleren
Leitungsabschnittes 14b mittels der erzeugten Magnetfelder
veränderbar ist. Durch Variieren der Breite B₂ ist es
möglich, den Wellenwiderstand ZL des mittleren Bereichs zu
variieren, wodurch es möglich ist, mittels eines derartigen
Wellenleiters eine Serieninduktivität L (Fig. 7b) oder eine
Querkapazität C (Fig. 7c) zu erzeugen. Mittels der
Induktionsspulen 6 können die Leitungswellenwiderstände ZL
der seitlichen Bereiche 14a des mittleren Bereichs 14 derart
eingestellt werden, daß diese einem offenen oder
kurzgeschlossenen Leitungsende entsprechen.
Die Fig. 8 und 9 zeigen einen dielektrischen
Wellenleiter, der eine dielektrische Substratschicht 2 hat,
an deren eine Seite die leitende Grundebene 3 angeordnet ist
und an deren Oberfläche 2a photolitografisch die
Strukturebene 4 hergestellt ist. An den Seiten des
Wellenleiters 1 sind Kondensatorplatten 6 angeordnet,
mittels derer ein elektrisches Feld 15 quer zur
Ausbreitungsrichtung der im Streifenleiter geführten Welle
erzeugbar ist. Mittels des erzeugten elektrischen Feldes 15
werden die dielektrischen Eigenschaften der dielektrischen
Substratschicht 2 bereichsweise verändert, wodurch sich in
diesem Bereich ein neuer Wellenwiderstand ZLV ergibt. Die
Kondensatorplatten 6 sind über Schaltelemente S mit einer
Spannungsquelle U in elektrischer Verbindung, derart, daß
mittels der sich gegenüberstehenden Kondensatorplattenpaare
elektrische Felder bestimmbarer Richtung und Größe erzeugt
werden können. Je nach Richtung und Größe des elektrischen
Feldes stellt sich in dem jeweils felddurchdrungenen Bereich
ein gewünschter Leitungswellenwiderstand ZLV ein.
Claims (30)
1. Dielektrischer, insbesondere planarer oder
quasiplanarer Wellenleiter (1), der mindestens eine
dielektrische Materialanordnung (2) hat, dadurch
gekennzeichnet, daß die dielektrische
Materialanordnung (2) zumindest teilweise aus einem Material
ist, dessen Permeabilität oder Permeabilitäts-Tensor und/oder
Permitivität oder Permitivitäts-Tensor mittels eines das
Material (2) bereichsweise durchdringenden Magnetfeldes (9)
veränderbar ist und daß mindestens ein Mittel (6) zur Erzeugung
von mindestens einem Magnetfeld (9) vorgesehen ist, wobei mit
dem durch das Mittel (6) erzeugten Magnetfeld (9) die
Permeabilität bzw. der Permeabilitäts-Tensor und/oder die
Permitivität oder der Permitivitäts-Tensor der
Materialanordnung (2) zumindest bereichsweise veränderbar ist.
2. Dielektrischer, insbesondere planarer oder
quasiplanarer Wellenleiter (1), der mindestens eine
dielektrische Materialanordnung (2) hat, dadurch
gekennzeichnet, daß die Materialanordnung (2)
zumindest teilweise aus einem Material ist, dessen
Permeabilität oder Permeabilitäts-Tensor und/oder Permitivität
oder Permitivitäts-Tensor mittels eines das Material (2)
bereichsweise durchdringenden elektrischen Feldes (15)
veränderbar ist und daß mindestens ein Mittel (6) zur Erzeugung
von mindestens einem elektrischen Feld (15) vorgesehen ist,
wobei mit dem durch das Mittel (6) erzeugten elektrischen
Feldes (15) die Permeabilität oder der Permeabilitäts-Tensor
und/oder die Permitivität bzw. der Permitivitäts-Tensor der
Materialanordnung (2) zumindest bereichsweise veränderbar ist.
3. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß an dem Wellenleiter (1) das
felderzeugende Mittel (6) anliegt.
4. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das
felderzeugende Mittel (6) galvanisch von den metallischen
Leiterstrukturen (4) und/oder der Grundebene (3) des
Wellenleiters (1) getrennt ist.
5. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß an dem Wellenleiter (1) eine
Schicht (5) angrenzt und die Schicht (5) felderzeugende Mittel
(6) aufweist.
6. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß in der
angrenzenden Schicht (5) die felderzeugenden Mittel (6) matrix-
oder rasterförmig angeordnet sind.
7. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß das magnetfelderzeugende
Mittel (6) eine Induktionsspule mit m Windungen ist, wobei die
Induktionsspule derart im Raum ausgerichtet ist, daß ein Teil
des von der stromdurchflossenen Induktionsspule erzeugten
Magnetfeldes (9) die dielektrische Materialanordnung (2)
zumindest teilweise durchdringt.
8. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Induktionsspule(n) (6)
mit einer Ansteuerelektronik (7) in Verbindung ist/sind, und
mittels der Induktionsspule(n) (6) mindestens ein magnetisches
Feld (9) von einer vorgebbaren Stärke und/oder Richtung
erzeugbar ist.
9. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß das elektrische Feld (15)
erzeugende Mittel (6) ein Kondensator ist.
10. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Richtung des elektrischen Feldvektors des mittels des
Kondensators erzeugten elektrischen Feldes (15) im wesentlichen
parallel zur Strukturebene des Wellenleiters (1) ist.
11. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
Ansprüche 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kondensator (6) ein
Plattenkondensator ist, dessen Platten quer zur
Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Wellen ist.
12. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach dem Oberbegriff
des Anspruch 1 oder einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Betrag
des Wellenwiderstandes ZL des Wellenleiters (1) mittels
mindestens eines felderzeugenden Mittels (6) zumindest
bereichs- bzw. abschnittsweise veränderbar ist.
13. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Wellenleiter (1) in einem ersten Bereich bzw. Abschnitt (13)
einen Wellenwiderstand ZL1 hat, wobei ein sich an den ersten
Bereich (13) anschließender zweiter Bereich bzw. Abschnitt (14)
des Wellenleiters (1) einen mittels der felderzeugenden Mittel
(6) veränderbaren Wellenwiderstand ZL2 hat, und mittels des
zweiten Wellenwiderstands ZL2 ein bestimmter vorgebbarer
Reflexionsfaktor r einstellbar ist, wobei sich der
Reflexionsfaktor r aus dem Quotionten
errechnet.
14. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Länge L, die Breite B
und/oder der Betrag des Wellenwiderstands ZL des Abschnitts
bzw. Bereichs mittels der felderzeugenden Mittel (6) bestimmbar
bzw. einstellbar ist, derart, daß zur Einstellung der Länge L,
der Breite B und/oder des Betrags des Wellenwiderstands ZL nur
die felderzeugenden Mittel (6) ein Feld (9, 15) vorgebbarer
Stärke erzeugen, deren Feld (9, 15) die dielektrische
Materialanordnung (2) des Wellenleiters (1) im Bereich bzw.
Abschnitt zumindest teilweise durchdringen.
15. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die dielektrische
Materialanordnung (2) aus einem gyromagnetischen oder
gyroelektrischen Material ist.
16. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Betrag der
Dielektrizitätszahl εr der dielektrischen Materialanordnung (2)
im Bereich zwischen 3 bis 5 ist.
17. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Materialanordnung (2)
eine Yttrium-Eisen-Granatschicht ist.
18. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der dielektrische
Wellenleiter (1) eine leitende Grundebene (3) und mindestens
einen streifenförmigen Leiter (4) oder eine Strukturebene (4)
hat, und zwischen der Grundebene (3) und dem streifenförmigen
Leiter (4) oder der Strukturebene (4) die dielektrische
Materialanordnung (2) ist.
19. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
der dielektrischen Materialanordnung (2) und der Grundebene (3)
eine Schicht (11) aus Gallium-Gadolinium-Granat der Dicke Lggg
ist.
20. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der dielektrischen
Materialanordnung (2) und dem streifenförmigen Leiter (4) oder
der Strukturebene (4) eine Quarzschicht (10) der Dicke LQ ist.
21. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die felderzeugenden Mittel
(6) auf der dem streifenförmigen Leiter (4) abgewandten Seite
der Grundebene (3) angeordnet sind.
22. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 21,
dadurch gekennzeichnet, daß die
felderzeugenden Mittel (6) mittels einer isolierenden Schicht
(12), insbesondere einer Polystyrolschicht von der leitenden
Grundebene (3) galvanisch getrennt sind.
23. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die felderzeugenden Mittel
(6) in einer Dünnschicht (5) einliegen, an- oder aufliegen.
24. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß
die Ansteuerelektronik (7) für die felderzeugenden Mittel (6)
an der der leitenden Grundebene (3) abgewandten Seite der
Dünnschicht (5) anliegt und mit den felderzeugenden Mitteln (6)
in elektrischer Verbindung ist.
25. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Wellenleiter (1) ein
magnetisch oder elektrisch steuerbares Reflektions-
Dämpfungsglied ist.
26. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Wellenleiter (1) eine
magnetisch oder elektrisch steuerbare Bandsperre bzw. ein
Filter ist.
27. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 26,
dadurch gekennzeichnet, daß jedem
Frequenzwert ft der vom dielektrischen Wellenleiter (1)
geführten Welle ein Wellenwiderstand ZLf zuordbar und
einstellbar ist, bei dem die zugeordnete Frequenz ft nur
geringfügig gedämpft und alle anderen Frequenzen f ≈ ft stärker
gedämpft werden.
28. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß ein streifenförmiger
Leiterabschnitt (4) an seinen Endabschnitten (13) eine Breite
B₁ und im mittleren Abschnitt (14) die Breite B₂ hat, und daß
zur Erzeugung einer bestimmten Querkapazität oder
Serieninduktivität mittels der felderzeugenden Mittel (6) die
Breite B₂ des mittleren Abschnitts (14b) veränderbar ist,
derart, daß zur Verringerung der Breite B₂ die felderzeugenden
Mittel (6) Felder (9, 15) vorgebbarer Stärke erzeugen, wobei die
Felder (9, 15) die Randbereiche (14a) der dielektrischen
Materialanordnung (2) des mittleren Abschnitts (14) zumindest
teilweise durchdringen.
29. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Wellenleiter (1) eine
Stichleitung ist, deren Länge L mittels der felderzeugenden
Mittel (6) veränderbar ist.
30. Dielektrischer Wellenleiter (1) nach Anspruch 29,
dadurch gekennzeichnet, daß an das Ende
der Stichleitung ein weiterer Wellenleiter (1′) angrenzt,
dessen Wellenwiderstand ZL mittels der felderzeugenden Mittel
(6) veränderbar ist, derart, daß die Stichleitung bei einem
Wellenwiderstand ZL → ∞ leerläuft und bei einem
Wellenwiderstand ZL → 0 kurzgeschlossen ist.
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