JPH0758522A - Ｓ／ｎエンハンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型のＳ／Ｎエンハンサを提供する。 【構成】 このＳ／Ｎエンハンサ１０は、２つの静磁波
素子４２ａおよび４２ｂを含む。一方の静磁波素子４２
ａは、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜３８ａを有し、
他方の静磁波素子４２ｂは、フェリ磁性基体としてＹＩ
Ｇ薄膜３８ｂを有する。また、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび
３８ｂの近傍には、それらに磁界を印加するための磁石
４４ａおよび４４ｂが設けられる。さらに、上ヨーク４
６には、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３８ｂに印加される磁
界の大きさと分布を調整するための調整ねじ４８が設け
られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はＳ／Ｎエンハンサに関
し、特に、マイクロ波の信号とノイズとの比（Ｓ／Ｎ）
を改善するＳ／Ｎエンハンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＳ／Ｎエンハンサの一例が特開平
４−１２３５０２号に開示されている。この従来のＳ／
Ｎエンハンサは、２つの静磁波フィルタを互いに異なっ
た入力レベルで動作させ、静磁波フィルタの周波数選択
的な振幅制限効果を利用し、それらの静磁波フィルタか
らの出力のレベルを互いに調整した後、それらの出力を
逆位相にして合成することによって、レベルの高い信号
とレベルの低いノイズとの比を改善するようにしたもの
である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
Ｓ／Ｎエンハンサでは、２つの静磁波フィルタないし静
磁波素子の出力を逆位相にするために遅延線などの大型
の遅延手段が用いられるので、大型となってしまう。

【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型のＳ／Ｎエンハンサを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明は、フェリ磁性
基体を有する静磁波素子と、フェリ磁性基体に磁界を印
加するための磁石とを含むＳ／Ｎエンハンサであって、
フェリ磁性基体に印加される磁界の大きさと分布を調整
するための調整ねじが設けられた、Ｓ／Ｎエンハンサで
ある。

【０００６】

【作用】調整ねじによって、フェリ磁性基体に印加され
る磁界の大きさと分布が調整される。フェリ磁性基体に
印加される磁界の大きさが変わると、静磁波素子の出力
の位相が変わる。

【０００７】

【発明の効果】この発明によれば、遅延線などの大型の
遅延手段を用いないで静磁波素子の出力の位相を調整す
ることができるので、小型のＳ／Ｎエンハンサが得られ
る。

【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【０００９】

【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す分解斜視図
であり、図２はその断面図である。このＳ／Ｎエンハン
サ１０は、磁性体からなる断面コ字形の下ヨーク１２を
含む。

【００１０】下ヨーク１２の内側には、たとえば合成樹
脂からなる断面コ字形のホルダ１４が設けられる。ホル
ダ１４の上部の中央には、たとえば矩形板状の凸部１６
が形成される。また、ホルダ１４の両側部には、たとえ
ば直方体状の凹部１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成さ
れる。

【００１１】このホルダ１４の上部には、たとえば合成
樹脂などの誘電体からなる長方形の基板２０が保持され
る。この場合、基板２０には、その長手方向と同じ方向
に延びる長方形の孔２２がその中央に形成されていて、
この孔２２に、ホルダ１４の上部の凸部１６が挿通され
る。

【００１２】基板２０の上面には、図３に示すように、
その長手方向における一端側および他端側に、第１の電
力分配／合成器２４ａおよび第２の電力分配／合成器２
４ｂがそれぞれ形成される。

【００１３】第１の電力分配／合成器２４ａは、たとえ
ば、直線状のストリップライン２６ａおよびクランク状
のストリップライン２８ａを含む。直線状のストリップ
ライン２６ａは、基板２０の上面において、その長手方
向における一端部から孔２２の一方側部の近傍に延び
る。また、クランク状のストリップライン２８ａは、基
板２０の上面において、ストリップライン２６ａの近傍
から孔２２の他方側部の近傍に延びる。そのため、スト
リップライン２８ａは、ストリップライン２６ａに電磁
的に小さい結合度で結合する。

【００１４】同様に、第２の電力分配／合成器２４ｂ
も、たとえば、直線状のストリップライン２６ｂおよび
クランク状のストリップライン２８ｂを含み、直線状の
ストリップライン２６ｂは、基板２０の上面の長手方向
における他端部から孔２２の他方側部の近傍に延び、ク
ランク状のストリップライン２８ｂは、ストリップライ
ン２６ｂの近傍から孔２２の一方側部の近傍に延びる。
そのため、ストリップライン２８ｂは、ストリップライ
ン２６ｂに電磁的に小さい結合度で結合する。

【００１５】さらに、基板２０の上面には、ストリップ
ライン２６ａ，２６ｂ，２８ａおよび２８ｂから孔２２
の両側部にわたって、トランスデューサ３０ａ，３０
ｂ，３２ａおよび３２ｂがそれぞれ形成される。これら
のトランスデューサ３０ａ，３０ｂ，３２ａおよび３２
ｂは、それぞれ、たとえばシングルストリップラインか
らなる。

【００１６】一方、基板２０の下面全面には、たとえば
銅箔からなるアース導体３４が形成される。このアース
導体３４には、トランスデューサ３０ａ，３０ｂ，３２
ａおよび３２ｂの端部が、基板２０の切欠部３６の表面
に形成された導体を介して接続される。

【００１７】さらに、基板２０の上面には、孔２２に両
側に、フェリ磁性基体として２つのＹＩＧ薄膜３８ａお
よび３８ｂがそれぞれ設けられる。この場合、一方のＹ
ＩＧ薄膜３８ａは、２つのトランスデューサ３０ａおよ
び３２ｂを横切るように設けられ、他方のＹＩＧ薄膜３
８ｂは、他の２つのトランスデューサ３０ｂおよび３２
ａを横切るように設けられる。なお、これらのＹＩＧ薄
膜３８ａおよび３８ｂは、ＧＧＧ基板４０ａおよび４０
ｂの表面に、ＹＩＧを液相成長（ＬＰＥ）することによ
って形成される。そのため、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３
８ｂの上に、ＧＧＧ基板４０ａおよび４０ｂが存在す
る。そして、一方のＹＩＧ薄膜３８ａと２つのトランス
デューサ３０ａおよび３２ｂとで一方の静磁波素子４２
ａが構成され、他方のＹＩＧ薄膜３８ａと他の２つのト
ランスデューサ３０ｂおよび３２ａとで他方の静磁波素
子４２ｂが構成される。この場合、これらの静磁波素子
４２ａおよび４２ｂは、それぞれ、レベルの高い信号を
減衰し、レベルの低いノイズを通過するように構成され
る。

【００１８】また、ホルダ１４の凹部１８ａおよび１８
ｂには、図２に示すように、磁石４４ａおよび４４ｂが
収納される。これらの磁石４４ａおよび４４ｂによっ
て、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３８ｂに磁界が印加され
る。この場合、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３８ｂには、ト
ランスデューサ３０ａ，３０ｂ，３２ａおよひ３２ｂの
延びる方向と同じ方向に磁界が印加される。

【００１９】さらに、下ヨーク１２の外側には、磁性体
からなる断面コ字形の上ヨーク４６が嵌め込まれる。こ
の上ヨーク４６の上部には、６つの調整ねじ４８が設け
られる。この場合、３つの調整ねじ４８は、一方のＹＩ
Ｇ薄膜３８ａの上方で１列に配置され、他の３つの調整
ねじ４８は、他方のＹＩＧ薄膜３８ｂの上方で１列に配
置される。これらの調整ねじ４８は、ＹＩＧ薄膜３８ａ
および３８ｂに印加される磁界の大きさを調整するため
のものである。

【００２０】このＳ／Ｎエンハンサ１０には、第１の電
力分配／合成器２４ａのストリップライン２６ａとアー
ス導体３４との間に、マイクロ波の信号が入力される。
この場合、入力信号は、レベルの大きい信号とレベルの
小さいノイズとを含む。

【００２１】この入力信号の電力は、第１の電力分配／
合成器２４ａによって、ストリップライン２８ａに分配
される。この場合、ストリップライン２８ａに分配され
る電力は、入力信号の電力のたとえば約１０００分の１
である。したがって、一方の静磁波素子４２ａのトラン
スデューサ３０ａへの信号およびノイズのレベルは、入
力信号のレベルとあまり変わらないが、他方の静磁波素
子４２ｂのトランスデューサ３２ａへの信号およびノイ
ズのレベルは、入力信号のレベルの約１０００分の１と
なる。

【００２２】そして、一方の静磁波素子４２ａでは、入
力される信号およびノイズのレベルは、入力信号のレベ
ルとあまり変わらないので、レベルの高い信号は減衰
し、レベルの低いノイズは通過する。この場合、ＹＩＧ
薄膜３８ａには、トランスデューサ３０ａおよび３２ｂ
の延びる方向と同じ方向に磁界が印加されているので、
トランズデューサ３０ａから３２ｂに向かって、表面静
磁波が伝搬する。

【００２３】さらに、他方の静磁波素子４２ｂでは、入
力される信号およびノイズのレベルは、入力信号のレベ
ルの約１０００分の１と低いので、それらの信号および
ノイズは通過する。この場合も、ＹＩＧ薄膜３８ｂに
は、トランスデューサ３２ａおよび３０ｂの延びる方向
と同じ方向に磁界が印加されているので、トランスデュ
ーサ３２ａから３０ｂに向かって、表面静磁波が伝搬す
る。

【００２４】また、調整ねじ４８によって、一方の静磁
波素子４２ａのトランスデューサ３２ｂからの出力と他
方の静磁波素子４２ｂのトランスデューサ３０ｂからの
出力とが逆位相になるように、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび
３８ｂに印加される磁界の大きさと分布が調整されてい
る。

【００２５】そして、第２の電力分配／合成器２４ｂに
よって、一方の静磁波素子４２ａの出力と他方の静磁波
素子４２ｂの出力とが合成される。この場合、一方の静
磁波素子４２ａの出力は、ストリップライン２８ｂから
ストリップライン２６ｂに伝達される際に、約１０００
分の１に減衰される。したがって、静磁波素子４２ａお
よび４２ｂの出力中のノイズが相殺され、ストリップラ
イン２６ｂおよびアース導体３４間に信号が得られ、Ｓ
／Ｎが改善される。

【００２６】さらに、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、
従来例のような遅延線などの大型の遅延手段を用いない
ので、調整ねじ４８によって一方の静磁波素子４２ａの
トランスデューサ３２ｂからの出力と他方の静磁波素子
４２ｂのトランスデューサ３０ｂからの出力とが逆位相
になるように調整されるので、従来例より小型になる。

【００２７】また、図４はこのＳ／Ｎエンハンサ１０の
周波数特性を示すグラフであり、図５はこのＳ／Ｎエン
ハンサ１０から調整ねじ４８を取り除いた比較例の周波
数特性を示すグラフである。

【００２８】図４および図５に示すグラフから明らかな
ように、調整ねじがない比較例では、ノイズのレベルが
高く、ノイズリダクション効果をあまり示さず、周波数
特性が中心周波数を中心として対称性を示さなく、Ｓ／
Ｎエンハンサとしては好ましくない。それに対して、調
整ねじを有する実施例では、ノイズリダクション効果が
１０ｄＢ程度よくなり、しかも、周波数特性が中心周波
数を中心して対称性を示し、Ｓ／Ｎエンハンサとして好
ましい。

【００２９】なお、２つの静磁波素子の出力を逆位相に
するために、上述の実施例では２つの静磁波素子のフェ
リ磁性基体に印加される磁界の大きさと分布を調整する
ことができるように構成されているが、一方のみの静磁
波素子のフェリ磁性基体に印加される磁界の大きさを調
整することができるように構成されてもよい。

【００３０】さらに、上述の実施例では、第１の電力分
配／合成器２４ａのストリップライン２６ａが入力端子
として用いられ、第２の電力分配／合成器２４ｂのスト
リップライン２６ｂが出力端子として用いられている
が、逆に、ストリップライン２６ｂが入力端子として用
いられ、ストリップライン２６ａが出力端子として用い
られてもよい。

【００３１】また、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３８ｂに
は、その主面に直交する方向に磁界が印加されてもよ
い。この場合、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３８ｂには、体
積前進静磁波が伝搬される。あるいは、ＹＩＧ薄膜３８
ａおよび３８ｂには、その主面に平行でかつ静磁波の伝
搬方向に平行な方向に磁界が印加されてもよい。この場
合、ＹＩＧ薄膜３８ａおよび３８ｂには、体積後退静磁
波が伝搬される。

【００３２】図６は図１に示す実施例の変形例の要部を
示す平面図である。図６に示す実施例では、図１に示す
実施例と比べて、特に、トランスデューサ３０ａおよび
３０ｂが、図７に示すように、それぞれ４本のパラレル
ストリップラインで構成され、トランスデューサ３２ａ
および３２ｂも、図８に示すように、それぞれ４本のパ
ラレルストリップラインで構成されている。このよう
に、トランスデューサは、それぞれ、複数のパラレルス
トリップラインで構成されてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す分解斜視図である。

【図２】図１に示す実施例の断面図である。

【図３】図１に示す実施例の要部を示す平面図である。

【図４】図１に示す実施例の周波数特性を示すグラフで
ある。

【図５】図１に示す実施例から調整ねじを取り除いた比
較例の周波数特性を示すグラフである。

【図６】図１に示す実施例の変形例の要部を示す平面図
である。

【図７】図６に示す実施例に用いられるトランズデュー
サを示す平面図である。

【図８】図６に示す実施例に用いられる他のトランスデ
ューサを示す平面図である。

【符号の説明】

１０ Ｓ／Ｎエンハンサ １２ 下ヨーク １４ ホルダ １６ 凸部 １８ａ，１８ｂ 凹部 ２０ 基板 ２２ 孔 ２４ａ，２４ｂ 電力分配／合成器 ２６ａ，２６ｂ，２８ａ，２８ｂ ストリップライン ３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ トランスデューサ ３４ アース導体 ３６ 切欠部 ３８ａ，３８ｂ ＹＩＧ薄膜 ４０ａ，４０ｂ ＧＧＧ基板 ４２ａ，４２ｂ 静磁波素子 ４４ａ，４４ｂ 磁石 ４６ 上ヨーク ４８ 調整ねじ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 谷 文 夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 市 口 真 一 郎 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 野 本 俊 裕 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内 (72)発明者 松 下 吉 宏 東京都世田谷区砧一丁目10番11号 日本放 送協会放送技術研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フェリ磁性基体を有する静磁波素子と、
   前記フェリ磁性基体に磁界を印加するための磁石とを含
   むＳ／Ｎエンハンサであって、 前記フェリ磁性基体に印加される磁界の大きさと分布を
   調整するための調整ねじが設けられた、Ｓ／Ｎエンハン
   サ。